双E型霍尔磁场感测元件的制作方法

技术特征：
1.一种双e型霍尔磁场感测元件，以标准cmos制程制作完成，其特征在于，该元件包含：半导体基板；两个e型深层布植层，设置在该半导体基板上以作为电流传导的载体层，其中，所述e型深层布植层包含第一e型深层布植层及第二e型深层布植层，该第一e型深层布植层的位置与该第二e型深层布植层的位置以镜射轴呈镜射关系；多个导体接垫，每一导体接垫皆包含浅层布植层及n型井区，所述导体接垫分别设置在该第一e型深层布植层及该第二e型深层布植层的上表面且以该镜射轴呈镜射关系，以及允许电流经由所述导体接垫通过所述e型深层布植层中间相连的导线形成电流路径；以及电流阻挡层，该电流阻挡层以保护环结构覆盖该第一e型深层布植层及该第二e型深层布植层以阻挡电流及提高磁灵敏度。2.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述e型深层布植层的转角为r角，用以降低电流受磁场介入时，载子偏转而撞击布植层的机率。3.根据权利要求2所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，该r角半径为1.8μm。4.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述导体接垫包含偏压电流源输入端、偏压电流源输出端、第一电压感测端及第二电压感测端。5.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，该电流路径的长度分别在15μm至30μm之中任选其一。6.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，该第一e型深层布植层及该第二e型深层布植层分别包含相互平行的三个突出部，所述突出部的长度减去所述导体接垫的宽度在0μm至30μm之间。7.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述e型深层布植层为n型井区布植层、t-well布植层及p型井区布植层至少其中之一。8.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述e型深层布植层为n-well布植层或t-well布植层时，该电流阻挡层为p 阻挡层与p 保护环结构，当所述e型深层布植层为p-well布植层时，该电流阻挡层为n 阻挡层与n 保护环结构。9.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述导体接垫为n 布植层，并且长度及宽度分别在15μm至30μm之中任选其一。10.根据权利要求1所述的双e型霍尔磁场感测元件，其特征在于，所述电流阻挡层为p 阻挡层、n 阻挡层、n型井区布植层、t-well布植层及p型井区布植层至少其中之一。

技术总结
本实用新型公开了一种双E型霍尔磁场感测元件，通过在半导体基板上设置第一E型深层布植层及第二E型深层布植层以作为电流传导的载体层，其中，第一E型深层布植层的位置与该第二E型深层布植层的位置以镜射轴呈镜射关系，接着将包含N型井区及浅层布植层的多个导体接垫分别设置在第一E型深层布植层及第二E型深层布植层的上表面且以镜射轴呈镜射关系，再以保护环覆盖第一E型深层布植层及第二E型深层布植层作为电流阻挡层以阻挡电流及提高磁灵敏度，用以达到提高磁场感测灵敏度及电路整合的便利性的技术功效。便利性的技术功效。便利性的技术功效。


技术研发人员：宋国明 李浚廷 李孟伦 黄致融
受保护的技术使用者：睿克科技有限公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2022/7/8