磁流变流体及磁流变流体的制造方法与流程

技术特征：
1.一种磁流变流体，其包括分散介质、磁性颗粒及触变剂，其中，磁流变流体具有粘弹性，当磁流变流体的粘弹性的剪切应力τ为τ＝τ0sin(wt)，剪切应变γ为γ＝γ0sin(wt δ)＝g'sin(wt) g”cos(wt)时，未施加磁场时，对于施加在磁流变流体的剪切应变0.01％至满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值的区间，g”的倾斜率等于或者小于0，其中g'为储能模量，g”为耗能模量。2.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，随着触变剂的含量增加，满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值增加。3.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，随着磁性颗粒的含量增加，基于触变剂的三维网络形成变得弱化，从而满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值减小。4.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，随着触变剂的含量增加，基于触变剂的三维网络得到强化，从而磁流变流体的粘度增加。5.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，未施加磁场时，g'至少大于250pa，g”至少大于75pa。6.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，未施加磁场时，流动点τ
f
值至少大于10pa。7.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，施加磁场时，对于施加在磁流变流体的剪切应变0.01％至满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值的区间，在g'和g”值相同之前，包括g”的倾斜率由正向负转变的至少一个部分。8.如权利要求7所述的磁流变流体，其中，随着施加的磁场强度变大，在g'和g”值相同之前，g”的倾斜率由正向负转变的部分所对应的剪切应变值变大。9.如权利要求7所述的磁流变流体，其中，随着磁性颗粒的含量增加，对于施加在磁流变流体的剪切应变值为0.01％至100％的区间，g”的积分值变大。10.如权利要求7所述的磁流变流体，其中，随着施加的磁场强度变大，对于施加在磁流变流体的剪切应变值为0.01％至100％的区间，g”的积分值变大。11.如权利要求7所述的磁流变流体，其中，施加的磁场强度与隆起面积具有y＝ax b的线性关系，且a＝73.1
±
2.0，其中x为磁场强度，y为隆起面积。12.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，当满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值为15％以上35％以下时，沉降速率s至少大于80％，s(vol％)＝100-[(
△
s)/(h)]x 100，其中，
△
s为圆筒中填充磁流变流体并经过规定时间后的上清液的高度，h为圆筒中填充磁流变流体的最初高度。13.如权利要求1所述的磁流变流体，其中，
触变剂至少包括硅或者粘土成分。14.一种磁流变流体的制造方法，所述磁流变流体包括分散介质、磁性颗粒及触变剂，其中，磁流变流体具有粘弹性，当磁流变流体的粘弹性的剪切应力τ为τ＝τ0sin(wt)，剪切应变γ为γ＝γ0sin(wt δ)＝g'sin(wt) g”cos(wt)时，未施加磁场时，对于施加在磁流变流体的剪切应变0.01％至满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值的区间，g”的倾斜率等于或者小于0，其中g'为储能模量，g”为耗能模量。15.如权利要求14所述的磁流变流体的制造方法，其中，随着触变剂的含量增加，满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值增加。16.如权利要求14所述的磁流变流体的制造方法，其中，随着磁性颗粒的含量增加，基于触变剂的三维网络形成变得弱化，从而满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值减小。17.如权利要求14所述的磁流变流体的制造方法，其中，随着触变剂的含量增加，基于触变剂的三维网络得到强化，从而磁流变流体的粘度增加。18.如权利要求14所述的磁流变流体的制造方法，其中，施加磁场时，对于施加在磁流变流体的剪切应变0.01％至满足tanδ＝g”/g'＝1的剪切应变值的区间，在g'和g”值相同之前，包括g”的倾斜率由正向负转变的至少一个部分。19.如权利要求18所述的磁流变流体的制造方法，其中，随着施加的磁场强度变大，在g'和g”值相同之前，g”的倾斜率由正向负转变的部分所对应的剪切应变值变大。20.如权利要求18所述的磁流变流体的制造方法，其中，随着磁性颗粒的含量增加，对于施加在磁流变流体的剪切应变值为0.01％至100％的区间，g”的积分值变大。21.如权利要求18所述的磁流变流体的制造方法，其中，随着施加的磁场强度变大，对于施加在磁流变流体的剪切应变值为0.01％至100％的区间，g”的积分值变大。22.如权利要求18所述的磁流变流体的制造方法，其中，施加的磁场强度与隆起面积具有y＝ax b的线性关系，且a＝73.1
±
2.0，其中x为磁场强度，y为隆起面积。

技术总结
本发明涉及的磁流变流体为包括分散介质、磁性颗粒及触变剂(Thixotropic Agent)的磁流变流体(Magnetic Rheological Fluid)，磁流变流体具有粘弹性(Viscoelasticity)，当磁流变流体的粘弹性的剪切应力(ShearStress；τ)为τ＝τ0sin(wt)，剪切应变(Shear Strain；γ)为γ＝γ0sin(wt δ)＝G'sin(wt) G”cos(wt)时，未施加磁场时，对于施加在磁流变流体的剪切应变0.01％至满足tanδ＝G”/G'＝1的剪切应变值的区间，G”的倾斜率等于或者小于0，其中G'为储能模量(Storage modulus)，G”为耗能模量(Loss modulus)。modulus)。modulus)。


技术研发人员：金亨俊 金润九 金定熏 崔洹豪
受保护的技术使用者：CK高新材料有限公司
技术研发日：2020.11.06
技术公布日：2022/7/5