OLED发光器件及电子设备的制作方法

oled发光器件及电子设备
技术领域
1.本发明一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种oled发光器件及 电子设备。


背景技术：

2.随着显示技术的发展和进步，有机电致发光器件(oled)相对 于lcd具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点， 被认为是下一代显示技术。
3.oled的发光膜层的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程。其中， 溶液制程中的喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸 化，被认为是大尺寸oled实现量产的重要方式。
4.对于喷墨打印，面板内的每个像素界定区域内边缘的发光膜层存 在严重的攀爬现象，从而导致每个像素界定区域内的成膜厚度不均， 最终影响背板的发光质量。


技术实现要素：

5.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种oled发光器 件及电子设备，通过将基板上的每个像素开口周围的像素界定层至少 一侧靠近第一电极层侧壁进行竖直刻蚀或向内刻蚀，使得该处像素界 定层侧壁与基板的夹角不大于90度，从而阻断像素开口区内边缘处功 能层的攀爬路径，实现均匀成膜。
6.第一方面，本技术实施例提供了一种oled发光器件，包括：
7.基板、所述基板上叠层设置的第一电极层及像素界定层；
8.所述像素界定层包括在所述第一电极层上形成的阵列排布的像素 开口区，每个所述像素开口区内用于形成功能层；
9.每个所述像素开口区周围像素界定层的至少一侧的侧壁，靠近所 述第一电极层的位置与所述第一电极层的夹角不大于90度。
10.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，每个所述像素开 口区周围像素界定层的至少一侧的侧壁，远离所述第一电极层的位置 与所述第一电极层的夹角大于90度。
11.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，每个所述像素开 口区周围像素界定层的至少一侧的侧壁，远离所述第一电极层的位置 呈阶梯结构，所述阶梯结构向所述像素开口区域内部延伸。
12.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，所述阶梯结构包 括两个或两个以上向所述像素开口区内部延伸的凸台，相邻所述凸台 侧壁之间的夹角不大于90度，且靠近所述第一电极层的所述凸台的侧 壁与所述第一电极层的夹角不大于90度。
13.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，其特征在于，所 述功能层包括空穴注入层、空穴传输层及电子发光层。
14.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，所述阶梯结构包 括第一凸台及第二凸台，所述第一凸台的高度高于所述空穴注入层的 高度，所述第二凸台的高度高于所述空穴传输层的高度。
15.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，所述阶梯结构包 括第一凸台、第二凸台及第三凸台，所述第一凸台的高度高于所述包 括空穴注入层的高度，所述第二凸台的高度高于所述空穴传输层的高 度，所述第三凸台的高度高于电子发光层的高度。
16.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，所述像素开口区 为矩形结构，所述像素开口区短轴方向上的所述像素界定层靠近所述 第一电极层位置的横截面呈倒梯形结构。
17.可选的，本技术实施例提供的oled发光器件，靠近所述第一电 极层位置的横截面呈两个或两个以上堆叠的倒梯形结构，远离所述第 一电极层位置的横截面为正梯形，堆叠的所述倒梯形的宽度从下至上 逐渐减小
18.第二方面，本技术实施例提供一种电子设备，该电子设备包括如 第一方面所述的oled发光器件。
19.综上，本技术实施例提供的一种oled发光器件及电子设备，在 基板的第一电极层上形成发光器件的像素界定层时，使得每个像素开 口区周围，至少一侧的像素界定层靠近第一电极层的位置，呈竖直结 构，或呈向像素界定层内部延伸的倾斜结构，使得该位置处的像素界 定层侧壁与第一电极层的夹角不大于90度，从而可以缓解像素开口区 边缘处内功能层的攀爬现象，实现功能层的均匀成膜，最终确保oled 发光器件高质量发光效果。
附图说明
20.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述， 本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
21.图1为像素界定层的结构示意图；
22.图2为本技术一些实施例提供的像素界定层的结构示意图；
23.图3为本技术另一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
24.图4为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
25.图5为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
26.图6为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
27.图7为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
28.图8为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
29.图9为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
30.图10为本技术又一些实施例提供的发光器件的结构示意图；
31.图11为本技术又一些实施例提供的像素界定层的结构示意图。
32.附图标记说明：
33.1-基板，2-第一电极层，3-像素界定层，31-侧壁，32-第一凸台， 33-第二凸台，34-第三凸台，4-功能层，41-空穴注入层，42-空穴传输 层，43-电子发光层，5-第二电极层。
具体实施方式
34.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解 的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发 明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与 发明相关的部分。
35.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例 中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本 申请。
36.可以理解，有机电致发光器件(oled)中，通过在面板上设计 线状的像素界定结构，以形成阵列分布的像素界定区域，即像素界定 层的像素开口区，进而可以在像素开口区内形成功能层，如在大尺寸 oled发光器件中，利用喷墨打印工艺在像素开口区内成膜，最终形 成发光器件的像素界定层及功能层结构。
37.通常情况下，如图1所示，上述每个像素界定区域，即像素开口 区周围的线状的像素界定结构的截面为正梯形，使得每个像素界定区 域对应的开口面积，从靠近面板的位置向远离面板的位置逐渐增大， 即形成的每个像素开口区的结构自面板向外呈扩张状，以在像素界定 区域内的边缘处形成有向像素开口区内逐渐延伸的坡度结构。
38.则在上述像素界定层结构的像素开口区内的形成功能层的过程中， 如在利用喷墨打印工艺将功能层，即喷墨成膜到每个像素开口区内后， 由于像素界定区域内的边缘处像素界定膜层形成的坡度结构，使得坡 度结构上的像素界定层与边缘处的功能层接触时，能够向功能层提供 有效的附着力，从而使得每个像素界定区域内的边缘处的功能层形成 向上攀爬的趋势，导致成膜厚度不均，最终影响背板的发光质量。
39.本技术实施例，为了有效解决每个像素界定区域内功能层，即喷 墨攀爬现象，通过将像素开口区周围像素界定层的至少一个侧壁坡度 重新设计，使得设计后的侧壁在靠近面板的位置，与面板的夹角不大 于90度，从而使得在喷墨成膜过程中，无法为与其接触的喷墨提供向 上攀爬的附着力，从而避免了像素开口区内至少一侧的边缘处喷墨的 攀爬现象，最终实现均匀成膜。
40.为了更好的理解本技术实施例提供的oled发光器件的结构，下 面通过图3至图11详细阐述。
41.图3及图4所示为本技术实施例的oled发光器件的结构示意图， 如图所示，该结构具体包括：
42.基板1、该基板1上叠层设置的第一电极层2及像素界定层3。
43.该像素界定层3包括在该第一电极层上形成的阵列排布的像素开 口区，每个该像素开口区内用于形成功能层4。
44.每个该像素开口区周围像素界定层的至少一侧的侧壁31，靠近该 第一电极层的位置与该第一电极层的夹角不大于90度。
45.具体的，如图3所示，在基板1上形成第一电极层2，进而在该 第一电极层上形成像素界定层3。
46.如图2所示，该像素界定层通过刻蚀工艺，以在第一电极层上形 成阵列分布的像素界定区域，每个像素界定区域对应发光器件的一个 发光亚像素单元，即每个像素界定区域内用于形成发光器件的功能层 4，形成发光器件的像素阵列结构。
47.可以理解，利用喷墨打印等工艺在每个像素界定区域内形成功能 层后，由于每个像素界定区域周围的像素界定层的坡度结构，使得该 坡度结构向边缘处的喷墨提供向上攀爬的作用力，最终使得每个发光 区域内的边缘位置的喷墨存在攀爬现象，从而使得成膜不均匀。
48.本技术为了避免上述问题，在形成像素界定层的阵列结构时，通 过将像素界定层
的每个像素开口区的至少一个侧壁，靠近第一电极层 的位置处进行特殊处理，特殊处理的侧壁处呈竖直结构，或呈向像素 界定层内部延伸的倾斜结构，使得该处像素界定层的侧壁与基板之间 的夹角不大于90度。
49.例如，图3及图4所示，将像素开口区周围的像素界定层的至少 一个侧壁的靠近第一电极层的位置通过竖直刻蚀，设置成直上直下的 结构，或者为了进一步消除功能层的攀爬，通过向像素界定层内部刻 蚀，设置成向像素界定层内部延伸的倾斜结构，即使得侧壁靠近第一 电极层的位置处形成与面板的夹角小于90度的结构，以消除像素界定 层向功能层边缘位置提供的附着力，从而在像素开口区内形成功能层 时，阻断喷像素界定层之间接触时形成向上的拉力，阻断喷墨攀爬的 路径，避免至少在像素开口区的至少一个边缘形成攀爬，保证了成膜 均匀。
50.进一步，本技术实施例中的oled发光器件，在像素界定层上还 可以设置第二电极层5，以形成完整的发光器件结构。
51.可以理解，本技术实施例中，为了有效缓解像素开口区内功能层 的攀爬，可以使得整个侧壁呈竖直结构或向内倾斜结构，如图3及图 4所示，以缓解整个功能层的攀爬趋势。
52.或者，在另一些实施例中，为了确保像素界定层及像素界定层上 的第二电极层的稳定性，避免向内刻蚀，或者竖直刻蚀形成的像素界 定层结构，可能导致的第二电极层在该特殊处理位置处的断裂的风险， 造成器件漏电或阻抗大的问题，在缓解功能层的攀爬现象时，可以使 得向内刻蚀，或者竖直刻蚀的高度略微高于整个功能层，或者可以至 少高于功能层中的部分膜层，并使得向内刻蚀，或者竖直刻蚀以上的 位置，仍呈现向像素开口区内部延伸的坡度结构，即每个像素开口区 周围像素界定层的至少一侧的侧壁，远离第一电极层的位置与第一电 极层的夹角大于90度，以为第二电极层的稳定附着提供支撑。
53.如图5所示，像素开口区的至少一侧，靠近第一电极层的位置， 进行了向内刻蚀，使得与像素界定层接触的边缘处的功能层无法向上 攀爬。同时，使得在功能层上方，远离第一电极层，靠近第二电极层 的像素界定层的侧壁仍然呈向外扩张的坡度，以为第二电极层的稳定 附着提供支撑，确保了第二电极层的牢固性。
54.进一步，本技术的一些实施例中，为了确保发光器件的发光效果， 结合功能层成膜的实际工艺过程中多个膜层逐次成型，可以对像素开 口区周围至少一侧的像素界定层侧壁进行多次刻蚀，使得每个像素开 口区周围像素界定层的至少一侧的侧壁，远离第一电极层的位置呈向 所述像素开口区域内部延伸的阶梯结构。
55.具体的，可以在靠近第一电极层的位置形成第一凸台32，进而在 第一凸台上部形成第二凸台33。
56.进一步，还可以在第二凸台上形成第三凸台34，且相邻凸台侧壁 之间的夹角不大于90度，且靠述第一电极层的凸台的侧壁与第一电极 层的夹角不大于90度，从而可以为像素开口区内的功能层边缘提供多 个阶梯结构，以消除功能层中每个层级的攀爬现象。
57.例如，如图6所示，结合功能层中的每个膜层，即对于像素开口 区内形成的功能层，自下而上可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输 层(htl)、电子发光层(eml)。则对应的，可以在使得第一凸台的 高度略微高于空穴注入层，使得第二凸台的高度略微高于空穴传输层。 则形成该多阶梯的结构后，在功能层成膜时，第一凸台的结构可以消 除空穴注入层
的攀爬，第二凸台的结构可以消除空穴传输层的攀爬。
58.又例如，进一步的，结合功能层中的每个膜层，还可以设置第三 个凸台，即可以使得第一凸台的高度略微高于空穴注入层，使得第二 凸台的高度略微高于空穴传输层，使得第三凸台的高度略微高于电子 发光层。则形成该多阶梯的结构后，在功能层成膜时，第一凸台的结 构可以消除空穴注入层的攀爬，第二凸台的结构可以消除空穴传输层 的攀爬，第三凸台的结构可以消除电子发光层的攀爬。
59.可以理解，像素界定层侧壁的凸台的结构的高度，及个数，与功 能层的对应关系，可以根据实际情况来确定，如像素界定层的向内刻 蚀或者竖直刻蚀的高度可以高于电子发光层，或者高于空穴传输层。 本技术实施例对此不做限制。
60.进一步，如图6所示，在侧壁呈阶梯结构的基础上，可以在第三 凸台的结构上形成稳定层，使得稳定层的侧壁与第一电极层的夹角呈 钝角，从而为第二电极层的附着提供支撑，确保第二电极层的牢固性。
61.可以理解，上述实施例中的oled发光器的像素开口区可以为矩 形(如图2所示)、椭圆形或圆形，则像素开口区周围的像素界定层为 矩形、椭圆形或圆形网状结构，其对应的至少一个侧壁，可以为矩形 的一个侧壁，或者圆形的部分侧。
62.还可以理解，为了有效消除攀爬现象，可以根据像素开口区的形 状特点，即内部功能层边缘的攀爬在整个像素开口区的占比情况，选 择性对其中一个或两个侧壁进行特殊处理，或者，直接将像素开口区 周围的像素界定层的所有侧壁都进行竖直，或内向刻蚀，本技术实施 例对此不做限制。
63.为了更好的理解本技术实施例提供的oeld发光器件，下面以矩 形为例进详细解释。
64.具体的，如图2所示，第一电极层上形成的像素界定层，其中的 阵列排布的像素开口区为矩形结构，即像素界定层为矩形的网状结构， 则在其内喷墨打印形成功能层的膜层后，由于所形成的像素开口区的 矩形结构，即短轴方向上的尺寸小于长轴方向上的尺寸，使得沉积其 中的喷墨在短轴方向的两边缘存在攀爬，在整个短轴尺寸上占比严重。
65.则为了确保发光区内的喷墨层能够均匀成膜，避免像素开口区内 的喷墨在短轴方向产生严重的攀爬现象，则将短轴方向上两侧的像素 界定层，即像素界定层中矩形网格的两长边的侧壁进行特殊处理，如 图7及图8所示，使得像素界定层矩形网格的两长边，即像素开口区 为矩形结构，所述像素开口区短轴方向上的所述像素界定层靠近所述 第一电极层位置的横截面呈倒梯形或矩形结构，从而在像素开口区内 壁处形成内缩趋势，使得内壁与基板的夹角小于90度，以消除短像素 开口区内喷墨在短轴方向上向两侧边缘攀爬的作用力，从而确保像素 开口区内短轴方向的成膜均匀性。
66.可以理解，该倒梯形或矩形结构的高度，可以略微高于电子发光 层的高度，或者高于空穴传输层的高度，或者略微高于空穴注入层的 高度，以缓解功能层攀爬问题的基础上，确保像素界定层上部的第二 电极层的牢固性。
67.例如，如图9所示，为了确保像素界定层及功能层上的第二电极 层的牢固性，可以将像素界定层侧壁靠近第一电极层的位置进行竖直 或向内刻蚀，而在远离第二电极层的位置，使得像素开口区短轴方向 上的像素界定层远离第一电极层位置的横截面为正梯形，进而使得其 仍然保持向外延伸的倾斜结构，以缓解功能层攀爬的基础上，利用倾 斜结构
向第二电极层提供有效的附着力，以避免在像素界定层边缘处 发生断裂。
68.又例如，在另一些实施例中，如图10所示，为了有效缓解功能层 中各个膜层的攀爬，确保成膜的均匀性，并使得第二电极层牢固，可 以使得像素开口区短轴方向上的像素界定层靠近第一电极层位置的横 截面呈两个或两个以上堆叠的倒梯形结构。即在第一电极层上形成第 一倒梯形结构，以消除功能层中空穴注入层的攀爬，然后在第一倒梯 形结构上形成第二倒梯形结构上形成第二倒梯形结构，以消除功能层 中空穴传输层的攀爬，如图10所示。
69.进一步，在另一些实施例中，为了彻底消除功能层中所有膜层的 攀爬现象，还可以在第二倒梯形结构上形成第三倒梯形结构，以消除 功能层中电子发光层的攀爬。最后，在第三倒梯形结构上形成正梯形 结构。
70.可以理解，上述结构中，为了有效确保第二电极层的稳定性，使 得像素开口区呈现向外扩张的趋势，即使得像素开口区两侧的像素界 定层的倒梯形结构呈内缩趋势，设置第一电极层上的各倒梯形结构的 横截面的宽度，从下至上逐渐减小，
71.例如，短轴方向的像素开口区的像素界定层做成第一个倒梯形结 构，使得该倒梯形的高度不大于0.3um，以控制hil层的成膜攀爬现 象。
72.进一步，为了保证发光器件的正常性能，在第一个倒梯形结构上 再做一层内缩式的倒梯形，即第二个倒梯形结构，使得该倒梯形结构 的高度不大于0.3um，以控制htl的成膜攀爬状态。
73.并且，使得第二个倒梯形结构的宽度小于第一个倒梯形的宽度， 整体呈现内缩的状态。
74.最后，在第二个倒梯形上形成一层正梯形，使得其高度范围为 0.6um-0.9um，进一步巩固阴极断裂的风险。
75.还可以理解，上述倒梯形结构的个数及高度可以根据实际情况进 行调整，本技术实施例对此不做限制。
76.进一步，在本技术的另一些实施例中，为了有效消除功能层边缘 的攀爬，还可以将矩形像素开口区周围的像素界定层所有侧壁进行特 殊处理，即将像素开口区周围的短边及长边的像素界定层侧壁进行向 内刻蚀，或者竖直刻蚀，以消除每个发光亚像素单元内的攀爬现象。
77.可选的，在本技术的另一些实施例中，如利用喷墨打印工艺形成 功能层，则考虑到喷墨打印的方式成膜时，由于不能完保证每个喷嘴 的喷墨量完全一致，并且像素限定区的尺寸较小，液体流动性较差， 较难形成膜厚均一性的薄膜，使得画面不均匀。
78.如图11所示，为了实现相邻的相同颜色像素发光亚像素单元的喷 墨能够相互流动，在像素界定层形成过程中，将相邻的相同颜色像素 发光亚像素单元对应的两个或两个以上的像素开口区进行合并处理， 即使得合并处理后的像素开口区的发光亚像素单元的长轴方向上的像 素界定层较低，即形成低边，从而能够使得相邻的两个或两个以上相 同颜色的发光亚像素单元能够在长轴方向上越过低边的像素界定层， 实现相互流动，以均匀成膜，形成合并像素开口区。
79.可以理解，在上述成膜过程中，由于在长轴方向上的互相流动， 实现了均匀成膜，有效避免了喷墨在长轴方向上的攀爬现象。而在短 轴方向上，由于需要隔离不同颜色的喷
墨，则使得每个发光亚像素单 元的短轴方向上的像素界定层较高。即使得喷墨在短轴方向仍存在严 重的攀爬现象，从而导致成膜厚度不均，最终影响背板的发光质量。
80.则在该实施例中，为了有效解决发光亚像素单元中喷墨在短轴方 向上的攀爬现象，通过将短轴方向的像素界定层进行向内部延伸的坡 度设计，使得喷墨形成过程中，能够有效阻断喷墨在短轴方向形成攀 爬的附着力，从而阻断短轴方向喷墨攀爬的路径，最终实现均匀成膜。
81.例如，如图10所示，可以将像素开口区短轴方向，即像素界定层 矩形网格两侧的像素界定层的侧壁进行向内刻蚀，或者竖直刻蚀，形 成阻断功能层攀爬的特殊结构。
82.又例如，如图10所示，为了确保发光器件的稳定性，确保第二电 极层的牢固性，可以将短轴方向上的像素界定层侧壁进行阶梯结构设 置，形成内缩结构，以解除功能层攀爬的基础上，确保其他膜层的安 全性。
83.进一步，在本技术的另一些实施例中，当将两个或两个以上相同 颜色相邻的像素单元限制在一个像素界定层后，为了实现更好的成膜 均匀性，在将短轴方向上的像素界定层的结构进行倒置设计后，同样 的，还可以将长轴方向上的用于隔离相邻组的像素界定层进行特殊设 置。
84.可以理解，本技术实施例中的该第一电极层可以为阳极层，对应 第二电极层为阴极，或者，第一电极层为阴极，对应第二电极为阳极 层。
85.例如，当oled器件为底发射，则设置具有透明性的阳极和反射 性的阴极结构形成底发射的器件结构。或者，当oled发光器件为底 发射，则通过透明阴极和反射阳极的结构形成顶发光的器件结构。
86.可以理解，实际中，根据器件结构不同，阳极材料的选择也不同， 例如可以是ito、ag、nio、al、石墨烯等高功函的透明或半透明材 料。
87.另一方面，为了更好的理解本技术实施例提供的oled发光器件， 以顶发射结构为例，解释其工艺过程。
[0088][0089]
第一步：第一电极层制作。
[0090]
具体的，在平坦化层上形成的第一电极层，如ito阳极层。
[0091]
第二步：像素界定层制作。
[0092]
首先，在像素开口区的长轴方向成膜制备，形成横截面为正梯形 结构的像素界定层，即在含有第一电极的基板表面成一层光刻胶薄膜， 常用的成膜方式有spin coat、slit等方式，曝光，显影刻蚀制备出长边 正梯形bank。
[0093]
进一步，在像素开口区的长轴方向成膜制备，形成横截面为倒梯 结构的像素界定层。
[0094]
具体的，短轴方向的像素开口区的像素界定层做成第一个倒梯形 结构，使得该倒梯形的高度不大于0.3um，以控制hil层的成膜攀爬 现象。
[0095]
进一步，为了保证发光器件的正常性能，在第一个倒梯形结构上 再做一层内缩式的倒梯形，即第二个倒梯形结构，使得该倒梯形结构 的高度不大于0.3um，以控制htl的成膜攀爬状态。并且，使得第二 个倒梯形结构的宽度小于第一个倒梯形的宽度，整体呈现内缩的状态。
[0096]
最后，在第二个倒梯形上通过涂覆pdl胶，进而正常对pdl进 行曝光，然后显影，刻蚀形成一层正梯形，使得其高度范围为 0.6um-0.9um，进一步巩固阴极断裂的风险。
[0097]
第三步，在通过喷墨打印在像素开口区内成膜，即通过喷墨打印 技术，在像素开口区内依次形成空穴注入层、空穴传输层及电子发光 层。
[0098]
第四步，在像素界定层上形成第二电极层，如阴极层。
[0099]
另一方面，本技术实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括 如上述实施例所述的oled发光器件。
[0100]
可以理解，上述实施例中的基板可以为电子设备中的阵列基板， 则在实际中，可以在阵列基板上沉积缓冲层，继而可以在缓冲层上形 成第一电极层、像素界定层及第二电极层。
[0101]
综上所述，本技术实施例提供的oled发光器件及电子设备，在 第一电极层上形成发光器件的像素界定层时，使得每个像素开口区周 围，至少一侧的像素界定层靠近第一电极层的位置，呈竖直结构，或 向像素界定层内部延伸的倾斜结构，使得该位置与第一电极层的夹角 不大于90度，从而可以缓解像素开口区边缘处内功能层的攀爬现象， 实现功能层的均匀成膜，最终确保oled发光器件高质量发光效果。
[0102]
以上描述仅为本技术的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。 本领域技术人员应当理解，本技术中所涉及的发明范围，并不限于上 述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离该发 明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成 的其它技术方案。例如上述特征与本技术中公开的(但不限于)具有类 似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。