电压生成电路及半导体模块的制作方法

技术特征：
1.一种电压生成电路，其生成用于使高电位侧驱动电路进行动作的高电位侧驱动电路用控制电源电压，该高电位侧驱动电路对彼此串联连接的高电位侧开关元件以及低电位侧开关元件中的所述高电位侧开关元件的状态进行控制，所述电压生成电路具有：自举电路，其包含二极管和与所述二极管串联连接的电流限制电阻，该二极管具有与被施加所述高电位侧驱动电路用控制电源电压的所述高电位侧驱动电路的高电位侧连接的阴极；以及降压电路，其与所述高电位侧开关元件的高电位侧和所述自举电路的输入侧连接，将已补偿电源电压输出至所述自举电路，该已补偿电源电压是对施加于所述高电位侧开关元件的所述高电位侧的电源电压进行降压而生成的，所述已补偿电源电压用于经由所述自举电路而生成所述高电位侧驱动电路用控制电源电压，所述降压电路生成向用于使控制所述低电位侧开关元件的状态的低电位侧驱动电路进行动作的低电位侧驱动电路用控制电源电压加上与由所述二极管和所述电流限制电阻引起的电压降对应的补偿电压后的所述已补偿电源电压。2.根据权利要求1所述的电压生成电路，其中，所述降压电路包含分压电路，该分压电路包含彼此串联连接的多个电阻，对所述电源电压的降压等级进行调整。3.根据权利要求2所述的电压生成电路，其中，所述分压电路是梯形电阻电路，所述梯形电阻电路包含从所述多个电阻之间向外部导出的至少1个端子。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电压生成电路，其中，还具有对所述降压电路的温度进行检测的温度检测电路以及对所述降压电路的短路进行检测的短路检测电路中的至少一者。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电压生成电路，其中，所述高电位侧开关元件是mosfet。6.一种半导体模块，其具有：权利要求1至5中任一项所述的电压生成电路；3个低电位侧驱动电路，它们分别被施加所述低电位侧驱动电路用控制电源电压；3个低电位侧开关元件，它们由所述3个低电位侧驱动电路分别进行控制；3个高电位侧驱动电路，它们分别被施加由所述电压生成电路生成的所述高电位侧驱动电路用控制电源电压；以及3个高电位侧开关元件，它们与所述3个低电位侧开关元件分别串联连接，并且由所述3个高电位侧驱动电路分别进行控制。7.一种电压生成电路，其生成用于使高电位侧驱动电路进行动作的高电位侧驱动电路用控制电源电压，该高电位侧驱动电路对彼此串联连接的高电位侧开关元件以及低电位侧开关元件中的所述高电位侧开关元件的状态进行控制，所述电压生成电路具有：自举电路，其包含二极管和与所述二极管串联连接的电流限制电阻，该二极管具有与被施加所述高电位侧驱动电路用控制电源电压的所述高电位侧驱动电路的高电位侧连接
的阴极；以及升压电路，其与所述自举电路的输入侧连接，将已补偿电源电压输出至所述自举电路，该已补偿电源电压是对用于使控制所述低电位侧开关元件的状态的低电位侧驱动电路进行动作的低电位侧驱动电路用控制电源电压进行升压而生成的，所述已补偿电源电压用于经由所述自举电路而生成所述高电位侧驱动电路用控制电源电压，所述升压电路生成向所述低电位侧驱动电路用控制电源电压加上与由所述二极管和所述电流限制电阻引起的电压降对应的补偿电压后的所述已补偿电源电压，所述升压电路包含对所述低电位侧驱动电路用控制电源电压的升压等级进行调整的分压电路，所述分压电路包含彼此串联连接的多个电阻。8.根据权利要求7所述的电压生成电路，其中，所述分压电路是梯形电阻电路，所述梯形电阻电路包含从所述多个电阻之间向外部导出的至少1个端子。9.根据权利要求7或8所述的电压生成电路，其中，还具有对所述升压电路的温度进行检测的温度检测电路以及对所述升压电路的短路进行检测的短路检测电路中的至少一者。10.根据权利要求7至9中任一项所述的电压生成电路，其中，所述高电位侧开关元件是mosfet。11.一种半导体模块，其具有：权利要求7至10中任一项所述的电压生成电路；3个低电位侧驱动电路，它们分别被施加所述低电位侧驱动电路用控制电源电压；3个低电位侧开关元件，它们由所述3个低电位侧驱动电路分别进行控制；3个高电位侧驱动电路，它们分别被施加由所述电压生成电路生成的所述高电位侧驱动电路用控制电源电压；以及3个高电位侧开关元件，它们与所述3个低电位侧开关元件分别串联连接，并且由所述3个高电位侧驱动电路分别进行控制。

技术总结
本发明涉及电压生成电路及半导体模块。提供将适当的控制电源电压施加于高电位侧驱动电路而改善高电位侧开关元件的特性的电压生成电路。电压生成电路包含自举电路和降压电路。自举电路包含二极管和电流限制电阻。降压电路与高电位侧开关元件的高电位侧和自举电路的输入侧连接。降压电路将对施加于高电位侧开关元件的高电位侧的电源电压进行降压而生成的已补偿电源电压输出至自举电路。降压电路生成向低电位侧驱动电路用控制电源电压加上与由二极管和电流限制电阻引起的电压降对应的补偿电压后的已补偿电源电压。的补偿电压后的已补偿电源电压。的补偿电压后的已补偿电源电压。


技术研发人员：松下也实
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2021.12.10
技术公布日：2022/7/1