基于太赫兹波的内部缺陷成像方法、电子设备及存储介质与流程

1.本发明涉及产品检测技术领域，尤其涉及一种基于太赫兹波的内部缺陷成像方法、电子设备及计算机可读存储介质。


背景技术：

2.在产品生产加工过程中，由于加工工艺或者加工设备的原因，均可能会导致产品出现不同程度的缺陷。目前产品缺陷检测一般是通过人工观测或采用图像设备拍照后进行自动识别，但这种方式对产品内部出现的缺陷难以判别。
3.以待检测产品为高压绝缘电缆为例，不同程度的外护层损伤可能会使得外护层出现气隙，产生内部缺陷。外护层的内部缺陷的存在轻则导致铝护套对地绝缘电阻下降，重则导致金属护层出现多点接地，产生环流。外护层的内部缺陷可能会使金属护层失去保护，易受外部环境的影响，导致金属护层被锈蚀。当金属护层被锈蚀至穿孔时，难以阻止水分进入主绝缘层，可能导致电缆被击穿，线路停运。在实际检测过程中，往往希望在不破坏外护层的情况下对可能存在的内部缺陷进行定位，评估内部缺陷的严重程度。目前采用的外护层故障定位方法主要包括跨步电压法、直流冲击法和音频法等，但是这些方法一方面可能会对电缆护套造成损害，另一方面仅适用于对外护层已出现故障的情况下进行定位，且无法直观地得到缺陷的严重程度。


技术实现要素：

4.有鉴于此，有必要提供一种基于太赫兹波的内部缺陷成像方法、电子设备及计算机可读存储介质，通过太赫兹波对待测产品进行检测，可实现对待测产品的内部缺陷成像，且可确定内部缺陷的严重程度。
5.本发明一实施方式提供一种基于太赫兹波的内部缺陷成像方法，包括：获取对待测产品的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波；提取所述多个太赫兹反射波的波形特征参数；将所述多个太赫兹反射波的波形特征参数输入至预先训练的缺陷识别模型，得到所述多个检测点中的每个检测点的缺陷检测结果及缺陷决策值；基于所述每个检测点的缺陷检测结果生成所述待测产品的缺陷成像图，及基于所述每个检测点的缺陷决策值生成所述待测产品的缺陷位置决策图。
6.在一些实施例中，所述提取所述太赫兹反射波的波形特征参数，包括：对所述太赫兹反射波进行时域分析，提取所述太赫兹反射波的时域谱信息，所述时域谱信息包括波形的峰值、波形的峰值所对应的传播时间、波形的包络面积中的至少一者；对所述太赫兹反射波进行频域分析，提取所述太赫兹反射波的频域谱信息，所述频域谱信息包括波形的幅值积分、波形的能量积分中的至少一者。
7.在一些实施例中，所述方法还包括：获取多个训练样本波形，所述多个训练样本波形包括对包含缺陷的产品样本进行太赫兹波扫描检测而反射回的太赫兹反射波及对不包含缺陷的产品样本进行太赫兹波扫描检测而反射回的太赫兹反射波，所述包含缺陷的产品
样本包括多个缺陷类型；提取所述多个训练样本波形中的每个训练样本波形的波形特征参数；对所述每个训练样本波形的波形特征参数进行归一化处理与权重分配，并按照缺陷类型进行标定；基于支持向量机算法及所述每个训练样本波形的波形特征参数训练得到所述缺陷识别模型，其中，所述支持向量机算法用于通过预设核函数将所述每个训练样本波形的波形特征参数映射至高维特征空间，以寻找一超平面将所述高维特征空间中的两类产品样本分隔开。
8.在一些实施例中，所述预设核函数包括高斯核函数、线性核函数、多项式核函数、拉普拉斯核函数、sigmoid核函数中的一者。
9.在一些实施例中，所述将所述多个太赫兹反射波的波形特征参数输入至缺陷识别模型，得到所述多个检测点中的每个检测点的缺陷检测结果及缺陷决策值，包括：将与所述多个检测点中的第一检测点对应的波形特征参数输入至所述缺陷识别模型，得到所述第一检测点与所述超平面的相对位置关系；基于所述第一检测点与所述超平面的相对位置关系得到所述第一检测点的缺陷检测结果；获取所述第一检测点与所述超平面的相对距离，及基于所述相对距离得到所述第一检测点的缺陷决策值。
10.在一些实施例中，所述缺陷检测结果包括是否存在缺陷及缺陷类型。
11.在一些实施例中，所述获取对待测产品的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波，包括：采集对待测产品的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波，及将所述多个太赫兹反射波的波形数据存储至预设存储区；从所述预设存储区读取所述多个太赫兹反射波的波形数据。
12.在一些实施例中，所述待测产品为待测电缆，所述获取对待测产品的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波，包括：配置所述待测电缆的模拟工作环境，所述模拟工作环境包括预设温度与预设湿度；获取所述待测电缆的多个检测点在所述模拟工作环境下进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波。
13.本发明一实施方式提供一种电子设备，包括处理器及存储器，存储器用于存储指令，处理器用于调用存储器中的指令，使得电子设备执行上述的基于太赫兹波的内部缺陷成像方法。
14.本发明一实施方式提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储计算机指令，当计算机指令在电子设备上运行时，使得电子设备执行上述的基于太赫兹波的内部缺陷成像方法。
15.与现有技术相比，上述基于太赫兹波的内部缺陷成像方法、电子设备及计算机可读存储介质，利用太赫兹波进行无损检测，具有检测速度快、准确性高、对检测产品无危害等优势，通过对经由待测产品反射回的太赫兹反射波进行时域、频域波形分析实现内部缺陷成像，基于成像得到的缺陷成像图与缺陷位置决策图可直观地得到内部缺陷的大小、类型、严重程度等信息，有利于对产品的内部缺陷进行风险评估。
附图说明
16.图1是本发明一实施方式的内部缺陷成像系统的架构示意图。
17.图2是本发明一实施方式的检测平台的架构示意图。
18.图3是本发明一实施方式的基于太赫兹波的内部缺陷成像方法的步骤流程图。
19.图4a是本发明一实施方式的待测产品的缺陷成像图。
20.图4b是本发明一实施方式的待测产品的缺陷位置决策图。
21.图5是本发明一实施方式的内部缺陷成像装置的功能模块图。
22.图6是本发明一实施方式的电子设备的功能模块图。
23.主要元件符号说明
[0024][0025][0026]
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
[0027]
为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。
[0028]
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，所描述的实施方式仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。
[0029]
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
[0030]
进一步需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
[0031]
本技术中“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或多于两个。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。本技术的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不是用于描述特定的顺序或先后次序。
[0032]
在本技术实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本技术实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
[0033]
请参阅图1，为本发明基于太赫兹波的内部缺陷成像系统较佳实施例的架构示意图。
[0034]
所述内部缺陷成像系统1包括电子设备100、待测产品200、太赫兹波产生装置300及检测平台400。太赫兹波产生装置300可用于产生太赫兹波，该太赫兹波可入射至待测产品200，太赫兹波产生装置300还可采集经由待测产品200反射回的太赫兹反射波。在一些实施例中，也可由检测平台400设置采集装置来采集经由待测产品200反射回的太赫兹反射波。
[0035]
在一些实施例中，太赫兹波是指频率在0.1thz～10thz之间的电磁波，波长一般为0.03mm～3mm，太赫兹波具有以下优良的物理特性：(1)瞬态性：典型的太赫兹脉宽在皮秒量级，可以方便地对各种材料进行时间分辨瞬时光谱研究；(2)低能性：与其他频段的电磁波相比，太赫兹光子能量较低(毫电子伏特)，与x射线相比，太赫兹辐射不会因为电离而破坏被检测物质，因此太赫兹波可用于材料的无损检测；(3)穿透性：太赫兹波对于很多非极性物质和电介质材料，如纸箱、陶瓷、布料、塑料等，具有较强的穿透力，可用来检测不透明物体。例如，待测产品200为高压绝缘电缆，由于高压绝缘电缆的护套层一般由聚氯乙烯(pvc)、聚乙烯(pe)制成，适合使用太赫兹波技术进行护套层的内部缺陷检测。
[0036]
电子设备100可用于获取经由待测产品200反射回的太赫兹反射波，并对太赫兹反
射波进行处理，得到待测产品200的可视化缺陷图像，可视化缺陷图像可以包括缺陷成像图及缺陷位置决策图，缺陷成像图及缺陷位置决策图可以是二维图像。检测平台400可用于构建待测产品200的检测环境，以实现模拟待测产品200在不同温度、湿度下的工作环境。如图2所示，检测平台400可以包括具备温度与湿度设定功能的密封试验箱401及三维运动平台402。待测产品200及太赫兹波产生装置300也可设置在检测平台400内。
[0037]
在一实施方式中，太赫兹波产生装置300可以是t-ray 5000太赫兹时域光谱系统(t-gauge太赫兹时域光谱系统)，该光谱系统可产生频率在0-5thz的脉冲波，其工作模式有透射与反射两种模式，基于透射模式下太赫兹波难以穿透整个待测产品200，因此优选采用反射模式，且反射波含有的时域信息更丰富，更能反映待测产品200的界面情况。在进行缺陷成像检测时，可以将太赫兹探头与待测产品200距离调至焦距附近。三维运动平台402包括x轴、y轴、z轴，可支持空间三个维度上的运动，三维运动平台402可以包括用于夹持待测产品200的夹具，进而可实现将待测产品200在x轴、y轴、z轴方向上进行移动。通过调节z轴方向运动，可以使得待测产品200位于太赫兹探头的焦距处，通过调节x轴、y轴方向的运动，可以实现采集待测产品200的不同位置处的太赫兹响应。
[0038]
本技术通过太赫兹波产生装置300及三维运动平台402，可实现对待测产品200进行扫描，以采集太赫兹反射波数据，采集到的太赫兹反射波数据可以经由电子设备100进行分析，以进行缺陷成像。
[0039]
在一实施方式中，以待测产品200为电力电缆为例，电力电缆可能因为磕碰、生产工艺不达标、操作失误等原因，导致其内部出现缺陷，包括气隙、孔洞、裂痕等缺陷，该些缺陷较难从外观上鉴别。本技术一实施例示例出利用太赫兹波技术对电力电缆进行内部缺陷成像，通过对太赫兹反射波进行分析，实现对电力电缆内部缺陷成像，且可通过缺陷位置决策图直观表现出缺陷的严重程度，进而可根据成像结果对电力电缆的工作状态与性能进行评估，有效减少发生故障，甚至严重电力事故的可能性。
[0040]
在一实施例中，电子设备100是一种能够按照事先设定或存储的指令，自动进行数值计算和/或信息处理的设备，其硬件包括但不限于处理器、微程序控制器(microprogrammed control unit，mcu)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、可编程门阵列(field－programmable gate array，fpga)、数字处理器(digital signal processor，dsp)、嵌入式设备等。电子设备可以是便携式电子设备(如手机、平板电脑)、个人电脑、工业电脑、服务器等。
[0041]
图3是本技术基于太赫兹波的内部缺陷成像方法一实施例的步骤流程图。根据不同的需求，所述流程图中步骤的顺序可以改变，某些步骤可以省略。
[0042]
参阅图3所示，基于太赫兹波的内部缺陷成像方法可以包括以下步骤。
[0043]
步骤s31、获取对待测产品200的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波。
[0044]
在一些实施例中，可以通过三维运动平台402与太赫兹波产生装置300相配合来实现逐点式扫描待测产品200，并采集经由待测产品200反射回的太赫兹反射波。例如，待测产品200为具有预设长度的电力电缆，在对电力电缆进行缺陷检测前，可以先将检测平台400的温度设定为预设温度，湿度设定为预设湿度，再通过太赫兹波产生装置300的太赫兹探头对电力电缆的多个检测点进行太赫兹波扫描时，太赫兹波产生装置300可以采集经过电力
电缆外护层及铝护层反射回的太赫兹反射波。太赫兹反射波可选为太赫兹时域反射波。
[0045]
在一些实施例中，当太赫兹波产生装置300通过太赫兹探头采集到太赫兹反射波时，可以将采集到的太赫兹反射波的波形数据传送至电子设备100进行分析。太赫兹波产生装置300也可以将采集到的太赫兹反射波的波形数据先存储至预设存储区。预设存储区可以是电子设备100上的存储区，也可以是独立于电子设备100之外的存储区。当需要进行波形数据分析时，电子设备100再从预设存储区读取太赫兹反射波的波形数据。
[0046]
步骤s32、提取多个太赫兹反射波的波形特征参数。
[0047]
在一些实施例中，可以通过对每个太赫兹反射波进行时域谱及频域谱的波形特征提取，得到波形特征参数。波形特征参数可以包括波形的峰值、波形的峰值所对应的传播时间、波形的包络面积、波形的幅值积分、波形的能量积分中的一个或多个。
[0048]
例如，太赫兹反射波为太赫兹时域反射波，可直接对太赫兹时域反射波进行时域分析，提取太赫兹时域反射波的时域谱信息。时域谱信息可以包括波形的峰值、波形的峰值所对应的传播时间、波形的包络面积中的至少一者。进行频域谱的波形特征提取时，可以先对太赫兹时域反射波进行傅里叶变换，得到太赫兹频域反射波，在通过对太赫兹频域反射波进行频域分析，提取太赫兹频域反射波的频域谱信息。频域谱信息可以包括波形的幅值积分、波形的能量积分中的至少一者。
[0049]
本技术实施例的波形特征参数采用时域切片、频域切片与积分的方式进行提取，相比传统太赫兹波成像需要人工对太赫兹波特征参数进行定位、预分析，极大地简化了太赫兹波成像过程。
[0050]
步骤s33、将多个太赫兹反射波的波形特征参数输入至预先训练的缺陷识别模型，得到多个检测点中的每个检测点的缺陷检测结果及缺陷决策值。
[0051]
在一些实施例中，缺陷识别模型可以根据实际需求选择相应的机器学习算法训练得到，本技术对此不作限定。例如，缺陷识别模型可以采用支持向量机(support vector machines,svm)算法训练得到。以下以基于svm算法训练得到缺陷识别模型进行举例说明：a).获取多个训练样本波形，训练样本波形的数量可以根据实际模型训练需求进行设定，本技术对此不作限定，例如获取3600个训练样本波形，3600个训练样本波形包括对包含缺陷的产品样本进行太赫兹波扫描检测而反射回的太赫兹反射波及对不包含缺陷的产品样本进行太赫兹波扫描检测而反射回的太赫兹反射波，其中包含缺陷的产品样本包括多个缺陷类型，即采集多种缺陷类型的样品及正常样品的太赫兹反射波作为训练数据，训练数据可以划分为训练集与测试集，例如训练集与测试集的数量比为8:2；b).提取多个训练样本波形中的每个训练样本波形的波形特征参数，例如波形特征参数包括五个特征参数：波形的峰值、波形的峰值所对应的传播时间、波形的包络面积、波形的幅值积分及波形的能量积分；对每个训练样本波形的波形特征参数进行归一化处理与权重分配，并按照缺陷类型进行标定，五个特征参数的权重分配比例可根据模型实际训练效果进行设定，例如波形的峰值、波形的峰值所对应的传播时间、波形的包络面积、波形的幅值积分及波形的能量积分的权重分配比例为：1:0.8:0.6:0.7:0.7；c).基于支持向量机算法及训练集中的每个训练样本波形的波形特征参数训练得到缺陷识别模型，其中，支持向量机算法用于通过预设核函数将每个训练样本波形的波形特征参数映射至高维特征空间，以寻找一超平面将高维特征空间中的两类产品样本(缺陷产品样本与正常产品样本)分隔开。
[0052]
在一些实施例中，预设核函数可以根据实际需求进行选择，例如预设核函数为高斯核函数。通过高斯核函数将分类函数映射至高维特征空间，以寻找最优超平面。可以通过下面的线性方程表述最优超平面：w
t
x b＝0，其中，w
t
为回归系数，b为预设常量。高斯核函数可表述为：
[0053]
其中，x1为空间中任一点，x2为核函数中心，σ为核函数的宽度参数。
[0054]
在一些实施例中，预设核函数还可以是线性核、多项式核、拉普拉斯核、sigmoid核函数等。
[0055]
在一些实施例中，最优超平面的目标函数可表述为：
[0056][0057]
其中，w为最优超平面系数，c为惩罚参数，c的值越大，对分类的惩罚越大，ξi为松弛变量，每一个样本都有一个对应的松弛变量，表征该样本不满足约束的程度。
[0058]
在一些实施例中，可以根据后续转换得到的缺陷图像是否清晰、缺陷识别的准确率是否符合预设要求来调整模型参数，调整模型参数可以包括调整支持向量机类型、调整核函数、调整损失函数等。
[0059]
在一些实施例中，检测点的缺陷检测结果可以包括是否存在缺陷及当存在缺陷时，检测点的缺陷类型。检测点的缺陷决策值的大小可以表征检测点为缺陷的概率，决策值越大，该点是缺陷点的概率越高，缺陷决策值成像可以更好地反映产品的缺陷处与正常部分交界的情况。
[0060]
在一些实施例中，当训练得到符合要求的缺陷识别模型时，可以将待测产品200的太赫兹反射波的波形特征参数输入至缺陷识别模型，得到每个检测点的缺陷检测结果及缺陷决策值。以待测产品200上的多个检测点中的第一检测点为例，将第一检测点对应的波形特征参数输入至缺陷识别模型，可以得到第一检测点与所述超平面的相对位置关系，进而可以基于第一检测点与超平面的相对位置关系得到第一检测点的缺陷检测结果。通过缺陷识别模型还可得到第一检测点与超平面的相对距离，进而可以基于该相对距离得到第一检测点的缺陷决策值。
[0061]
步骤s34、基于每个检测点的缺陷检测结果生成待测产品200的缺陷成像图，及基于每个检测点的缺陷决策值生成待测产品200的缺陷位置决策图。
[0062]
在一些实施例中，当得到多个检测点的缺陷检测结果时，可以基于多个检测点的缺陷检测结果生成对应的缺陷成像图。当得到多个检测点的缺陷决策值时，可以基于多个检测点的缺陷决策值生成对应的缺陷位置决策图。例如，检测点的缺陷检测结果为缺陷识别模型输出的缺陷标签矩阵，可以采用现有的成像程序将缺陷标签矩阵转换为二维缺陷成像图；检测点的缺陷决策值为缺陷识别模型输出的缺陷概率矩阵，同样可以采用现有的成像程序将缺陷概率矩阵转换为二维缺陷位置决策图。
[0063]
图4a为待测产品200的缺陷成像图，假设待测产品200的内部缺陷的形貌为五角星型，颜色区域co1表示鉴定为存在缺陷的位置，颜色区域co2表示鉴定为正常的位置。图4b为待测产品200的缺陷位置决策图，缺陷决策值v1的大小表征了检测点为缺陷的概率，缺陷决策值v1越大，该检测点是缺陷点的概率越高，通过图4b的缺陷位置决策图可以更好地反映
缺陷区与正常区交界处的情形。对于缺陷与正常样品交界处的波形特征不明显，太赫兹波探测到的波形可能同时位于正常样品与缺陷样品间，而且波形随光斑在缺陷处、无缺陷处面积比的变化而变化，很难准确表示该扫描点的特征的问题，通过缺陷位置决策图可更好地反映缺陷与正常样品交界处的情况，且可有效表征检测点的缺陷严重程度。
[0064]
上述基于太赫兹波的内部缺陷成像方法，利用太赫兹波进行无损检测，具有检测速度快、准确性高、对检测产品无危害等优势，通过对经由待测产品反射回的太赫兹反射波进行时域、频域波形分析实现内部缺陷成像，基于成像得到的缺陷成像图与缺陷位置决策图可直观地得到内部缺陷的大小、类型、严重程度等信息，有利于对产品的内部缺陷进行风险评估。
[0065]
基于与上述实施例中的基于太赫兹波的内部缺陷成像方法相同的思想，本技术还提供内部缺陷成像装置，该装置可用于执行上述基于太赫兹波的内部缺陷成像方法。为了便于说明，内部缺陷成像装置实施例的结构示意图中，仅仅示出了与本技术实施例相关的部分，本邻域技术人员可以理解，图示结构并不构成对该装置的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
[0066]
如图5所示，内部缺陷成像装置10包括获取模块101、提取模块102、处理模块103及生成模块104。在一些实施例中，上述模块可以为存储于存储器中且可被处理器调用执行的可程序化软件指令。可以理解的是，在其他实施方式中，上述模块也可为固化于处理器中的程序指令或固件(firmware)。
[0067]
获取模块101，用于获取对待测产品的多个检测点进行太赫兹波扫描检测而反射回的多个太赫兹反射波。
[0068]
提取模块102，用于提取多个太赫兹反射波的波形特征参数。
[0069]
处理模块103，用于将多个太赫兹反射波的波形特征参数输入至预先训练的缺陷识别模型，得到多个检测点中的每个检测点的缺陷检测结果及缺陷决策值。
[0070]
生成模块104，用于基于每个检测点的缺陷检测结果生成待测产品的缺陷成像图，及基于每个检测点的缺陷决策值生成待测产品的缺陷位置决策图。
[0071]
图6为本技术电子设备一实施例的示意图。
[0072]
电子设备100包括存储器20、处理器30以及存储在存储器20中并可在处理器30上运行的计算机程序40。处理器30执行计算机程序40时实现上述基于太赫兹波的内部缺陷成像方法实施例中的步骤，例如图3所示的步骤s31～s34。
[0073]
示例性的，计算机程序40同样可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在存储器20中，并由处理器30执行。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，所述指令段用于描述计算机程序40在电子设备100中的执行过程。例如，可以分割成图5所示的获取模块101、提取模块102、处理模块103及生成模块104。
[0074]
本领域技术人员可以理解，所述示意图仅仅是电子设备100的示例，并不构成对电子设备100的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如电子设备100还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
[0075]
处理器30可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路
(application specific integrated circuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器、单片机或者处理器30也可以是任何常规的处理器等。
[0076]
存储器20可用于存储计算机程序40和/或模块/单元，处理器30通过运行或执行存储在存储器20内的计算机程序和/或模块/单元，以及调用存储在存储器20内的数据，实现电子设备100的各种功能。存储器20可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据电子设备100的使用所创建的数据(比如音频数据)等。此外，存储器20可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(smart media card,smc)，安全数字(secure digital,sd)卡，闪存卡(flash card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。
[0077]
电子设备100集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，所述计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、u盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
[0078]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的电子设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的电子设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
[0079]
另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在相同处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在相同单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能模块的形式实现。
[0080]
对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。电子设备权利要求中陈述的多个单元或电子设备也可以由同一个单元或电子设备通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
[0081]
最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照上述实施例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本技术技术方案的精神和范围。