显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术属于显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.目前，显示面板是由阵列排布的多个像素电路和多个发光元件组成，而像素电路则通常是由tft(thinfilm transistor，薄膜晶体管)和电容组成。
3.在现有的像素电路中，通常采用混合型薄膜晶体管(hybird tft)工艺，以在像素电路中同时设置氧化物晶体管和其他类型晶体管。例如，像素电路中能够兼顾igzo(indium-gallium-zinc-oxide，铟镓锌氧化物)tft以及ltps(low temperature poly-silicon，低温多晶硅)tft。
4.在hybrid tft工艺中，由于氧化物晶体管的稳定性不足，阈值电压容易发生漂移，并且也无法有效地对氧化物晶体管的阈值电压进行校正调整，从而导致氧化物晶体管无法与其他类型晶体管进行兼容。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种显示面板及显示装置，能够解决氧化物晶体管的阈值电压难以校正调整而导致与其他类型的晶体管无法兼容的技术问题。
6.第一方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括像素电路和发光元件；
7.像素电路包括驱动晶体管、补偿晶体管和第一初始化晶体管；
8.驱动晶体管用于为发光元件提供驱动电流；
9.补偿晶体管用于为驱动晶体管提供数据信号；
10.第一初始化晶体管用于为驱动晶体管提供初始化信号；
11.补偿晶体管和第一初始化晶体管为包括第一栅极和第二栅极的氧化物晶体管，补偿晶体管的第一栅极和第二栅极的其中一者连接参考信号，另一者连接补偿信号；第一初始化晶体管的第一栅极和第二栅极的其中一者连接参考信号，另一者连接第一初始化信号；参考信号的信号电压低于补偿信号的有效信号电压以及第一初始化信号的有效信号电压。
12.第二方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括如上的显示面板。
13.与现有技术相比，本技术实施例提供的显示面板，通过将像素电路中的补偿晶体管和第一初始化晶体管设置为具有两个栅极的氧化物晶体管，并将两个氧化物晶体管的其中一个栅极与参考信号连接，能够通过参考信号对两个晶体管的阈值电压进行调整，使得两个晶体管的阈值电压分别位于补偿信号和第一初始化信号的调节范围内，实现对氧化物晶体管阈值电压的校正调节，像素电路中的氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管能够进行兼容。提升氧化物晶体管器件特性的均一性，保障了显示面板的显示均一性。并且参考信号的信号电压设置为低于补偿信号和第一初始化信号有效信号电压还能够避免参考信号影响氧化物晶体管的导通状态。
附图说明
14.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
15.图1是本技术一实施例提供的显示面板的结构示意图；
16.图2是本技术一实施例提供的氧化物晶体管的结构示意图；
17.图3是本技术一实施例提供的氧化物晶体管的横截面示意图；
18.图4是本技术另一实施例提供的显示面板的结构示意图；
19.图5是本技术又一实施例提供的显示面板的结构示意图；
20.图6是本技术再一实施例提供的显示面板的结构示意图；
21.图7是本技术另一实施例提供的氧化物晶体管的结构示意图；
22.图8是本技术另一实施例提供的氧化物晶体管的横截面示意图；
23.图9是本技术再一实施例提供的显示面板的结构示意图；
24.图10是本技术一实施例提供的底栅信号电压与氧化物晶体管阈值电压的对应关系示意图；
25.图11是本技术一实施例提供的显示设备的结构示意图。
26.附图中：
27.1、像素电路；pvdd、第一电源信号；pvee、第二电源新信号；m1、第一发光控制晶体管；m2、数据写入晶体管；m3、驱动晶体管；m4、补偿晶体管；m5、第一初始化晶体管；m6、第二发光控制晶体管；m7、第二初始化晶体管；cst、储能电容；l、发光元件；ref、参考信号；ref1、第一参考信号；ref2、第二参考信号；s1n、第一初始化信号；s2n、补偿信号；vref；初始化信号；s2、数据写入信号；vdata、数据信号；emit、发光控制信号。
具体实施方式
28.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本技术，而不是限定本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术的更好的理解。
29.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
30.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合附图对实施例进行详细描述。
31.目前，显示面板是由阵列排布的多个像素电路和多个发光元件组成，而像素电路则通常是由tft和电容组成。在现有的像素电路中，通常采用hybrid tft工艺，即像素电路中兼顾氧化物tft以及其他类型的tft。在hybrid tft工艺中，由于氧化物晶体管的稳定性不足，无法对氧化物晶体管的阈值电压进行校正调整，导致氧化物晶体管的阈值电压容易发生偏移，从而使得氧化物晶体管无法与其他类型晶体管进行兼容。
32.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种显示面板及显示装置。下面首先对本技术实施例所提供的显示面板进行介绍。
33.图1示出了本技术一个实施例提供的显示面板的结构示意图。显示面板包括像素电路1和发光元件l，像素电路1包括驱动晶体管m3、补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5。
34.第一初始化晶体管m5可以为驱动晶体管m3提供初始化信号vref，补偿晶体管m4可以为驱动晶体管m3提供数据信号vdata，驱动晶体管m3可以为发光元件l提供驱动电流，以使发光元件l在驱动电流的驱动下进行发光。
35.补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5均为包括第一栅极和第二栅极的氧化物晶体管，补偿晶体管m4的第一栅极和第二栅极中，一个栅极与参考信号ref连接，另一个栅极与补偿信号s2n连接。第一初始化晶体管m5的第一栅极和第二栅极中，一个栅极与参考信号ref连接，另一个栅极与第一初始化信号s1n连接。参考信号ref的信号电压可以设置为低于补偿信号s2n的有效信号电压并且低于第一初始化信号s1n的有效信号电压。
36.在hybrid tft工艺中，像素电路1中可以设置有低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管这两种不同类型的薄膜晶体管。两种晶体管分别具有不同的特性，例如，低温多晶硅晶体管的投影面积相比较氧化物晶体管的投影面积更小，而氧化物晶体管能够提升对驱动晶体管m3进行充放电的速度，还能够在截止状态下降低流过晶体管的漏电流，避免漏电流对发光效果产生影响。在组成像素电路1的多个薄膜晶体管中，根据不同晶体管的需求从低温多晶体管晶体管和氧化物晶体管中进行选择，能够兼顾不同类型晶体管的器件特性，提升像素电路1的驱动速度和稳定性。可以理解的是，低位多晶硅晶体管也可以替换为非氧化物晶体管的其他类型晶体管，在此不做限制。
37.在补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5上设置两个栅极，并将其中一个栅极与参考信号ref连接，能够通过参考信号ref的信号电压对两个晶体管的阈值电压进行调整。
38.以补偿晶体管m4为例，在降低参考信号ref的信号电压时，能够将补偿晶体管m4的阈值电压进行抬升。通过设置参考信号ref的信号电压，能够将补偿晶体管m4的阈值电压调整至位于补偿信号s2n的驱动范围内，使得补偿信号s2n能够通过高低电平的变化实现补偿晶体管m4导通或截止状态的切换控制。同样地，通过设置参考信号ref的信号电压，也能够将第一初始化晶体管m5的阈值电压调整至位于第一初始化信号s1n的驱动范围内，使得第一初始化信号s1n能够正常驱动第一初始化晶体管m5导通或截止。
39.在补偿晶体管m4接收到补偿信号s2n的有效信号电压时，补偿晶体管m4导通，通过将参考信号ref的信号电压设置为低于补偿信号s2n的有效信号电压，能够避免补偿晶体管m4在接收到参考信号ref时导通，使得参考信号ref仅起到调整晶体管阈值电压的作用，不会影响到晶体管的导通状态。同样地，通过将参考信号ref的信号电压设置为低于第一初始化信号s1n的有效信号电压，能够避免第一初始化晶体管m5在接收到参考信号ref时导通。
40.在本实施例中，通过将像素电路1中的补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5设置
为具有两个栅极的氧化物晶体管，并将两个氧化物晶体管的其中一个栅极与参考信号ref连接，能够通过参考信号ref对两个晶体管的阈值电压进行调整，使得两个晶体管的阈值电压分别位于补偿信号s2n和第一初始化信号s1n的调节范围内，实现对氧化物晶体管阈值电压的校正调节，提升氧化物晶体管器件特性的均一性，像素电路1中的氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管能够进行兼容。并且参考信号ref的信号电压设置为低于有效信号电压还能够避免参考信号ref影响氧化物晶体管的导通状态。
41.可以理解的是，上述补偿信号s2n和第一初始化信号s1n可以为扫描信号线所提供的扫描信号。在显示面板的像素电路1中，为了避免边框区设置较多的移位寄存器单元而导致边框区增大，通常会对扫描信号线进行复用，例如同一行的数据写入信号s2以及补偿信号s2n可以共用同一扫描信号线。低温多晶硅晶体管通常为p型晶体管，氧化物晶体管通常为n型晶体管，则在共用同一扫描信号线时，需要在两种不同类型的晶体管的其中一种晶体管的栅极前对扫描信号进行信号反向。即，两种不同类型的晶体管可以通过同一扫描信号进行控制。在氧化物晶体管的阈值电压与低温多晶硅晶体管的阈值电压存在差异时，同一扫描信号无法有效地控制两种类型的晶体管的导通状态。通过为氧化物晶体管的两个栅极的其中一个提供参考信号ref，并调整参考信号ref的信号电压，能够对氧化物晶体管的阈值电压进行校正调整，以使得调整后的氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管的阈值电压的差异减小，从而能够通过同一扫描信号实现两种晶体管的控制，即实现氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管的兼容。
42.请参照图2，在一些实施例中，上述氧化物晶体管可以包括第一有源层，氧化物晶体管的第一栅极和第二栅极分别位于第一有源层在第一方向上的两侧，第一方向为垂直于显示面板所在平面的方向。氧化物晶体管的两个栅极的其中一个相较于第一有源层靠近显示面板，另一个相较于第一有源层远离显示面板。即，氧化物晶体管的两个栅极分别位于有源层的上方和下方，第一栅极和第二栅极为顶底双栅结构。
43.请参照图3，上述实施例中，氧化物晶体管以igzo tft为例，其他类型的晶体管以ltps tft为例进行说明。其中，驱动晶体管m3可以为ltps tft，补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5可以为igzo tft。
44.ltps tft通常为p型晶体管，包括第一栅极和第一有源层，该第一栅极位于第一有源层的上方。即，ltps tft通常为顶栅结构。
45.igzo tft通常为n型晶体管，包括第一栅极、第二栅极和第一有源层，第一栅极位于第一有源层的上方，第二栅极位于第一有源层的下方。即，igzo tft通常为顶底双栅结构，其中第一栅极为顶栅，第二栅极为底栅。
46.结合图2和图3可知，在igzo tft中，第一栅极与设置在非显示区的移位寄存器单元连接，该移位寄存器单元可以为第一栅极提供扫描信号scann，第二栅极与参考信号ref连接。可以理解的是，上述ltps tft的第一栅极可以与igzo tft的第一栅极位于同一层，也可以与igzo tft的第二栅极位于同一层。图3示出了ltps tft的第一栅极与igzo tft的第二栅极位于同一层时的横截面示意图。
47.在一些实施例中，上述显示面板还可以包括衬底，像素电路1和发光元件l设置于衬底上。
48.氧化物晶体管的第一栅极位于第一有源层沿第一方向远离衬底的一侧，第二栅极
则位于第一有源层沿第一方向靠近衬底的一侧。如图2所示，第一栅极为氧化物晶体管的顶栅，第二栅极为氧化物晶体管的底栅。
49.在一些实施例中，上述氧化物晶体管的第二栅极的栅极绝缘层的厚度大于第一栅极的栅极绝缘层的厚度。补偿晶体管m4的第二栅极与参考信号ref连接，第一初始化晶体管m5的第二栅极与参考信号ref连接。
50.栅极绝缘层指设置在栅极与第一有源层之间的绝缘层，在薄膜晶体管的刻蚀过程中，通过调整刻蚀时间、刻蚀液体的浓度即可实现绝缘层厚度的调整。在栅极绝缘层的厚度增大时，能够提升该栅极对薄膜晶体管的驱动能力；在栅极绝缘层的厚度减小时，则能够提升该栅极对薄膜晶体管的开关控制能力。
51.在具有双栅结构的氧化物晶体管中，若两个栅极的栅极绝缘层的厚度并不一致，则可以将栅极绝缘层较厚的一个栅极与稳定的低电压信号连接，并将栅极绝缘层较薄的另一个栅极与控制该晶体管的通断的扫描信号连接。
52.请继续参照图2，以补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5为例，在第一栅极的栅极绝缘层厚度小于第二栅极的栅极绝缘层时，可以将补偿晶体管m4的第二栅极与参考信号ref连接，将第一初始化晶体管m5的第二栅极也与参考信号ref连接，补偿晶体管m4的第一栅极和第一初始化晶体管m5的第一栅极则分别与对应的补偿信号s2n和第一初始化信号s1n连接。补偿信号s2n和第一初始化信号s1n可以为显示面板的显示区以外的非显示区中移位寄存器单元所提供的扫描信号scann。
53.通过参考信号ref的信号电压对两个氧化物晶体管的阈值电压进行正向调节，能够使得两个氧化物晶体管的阈值电压保持稳定并且位于扫描信号的控制范围内。此时补偿晶体管m4的第一栅极与补偿信号s2n连接，第一初始化晶体管m5的第一栅极则与第一初始化信号s1n连接。
54.在通过参考信号ref对补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5的阈值电压进行正向调节后，即可通过补偿信号s2n控制补偿晶体管m4的导通和截止，以及通过第一初始化信号s1n控制第一初始化晶体管m5的导通和截止。
55.在一些实施例中，如图4所示，上述补偿晶体管m4通过第二栅极与参考信号ref连接，第一初始化晶体管m5则通过第一栅极与参考信号ref连接。或者如图5所示，补偿晶体管m4可以通过第一栅极与参考信号ref连接，第一初始化晶体管m5则通过第二栅极与参考信号ref连接。即，补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5的其中一个通过顶栅与参考信号ref连接时，另一个可以通过底栅与参考信号ref连接。
56.请参照图6，在一些实施例中，上述参考信号ref可以包括第一参考信号ref1和第二参考信号ref2。第一初始化晶体管m5的两个栅极的其中一个与第一参考信号ref1连接，补偿晶体管m4的两个栅极的其中一个则与第二参考信号ref2连接。
57.第一参考信号ref1的信号电压与第二参考信号ref2的信号电压可以设置为不同的电压值。通过调整第一参考信号ref1的信号电压，可以对第一初始化晶体管m5的阈值电压进行调整，而通过调整第二参考信号ref2的信号电压，可以对补偿晶体管m4的阈值电压进行调整。在分别调整第一参考信号ref1和第二参考信号ref2后，可以使得第一初始化晶体管m5和补偿晶体管m4的阈值电压被调整至扫描信号的控制范围内，从而避免采用相同的参考信号ref进行调整时无法使得两个晶体管的阈值电压均满足扫描信号的控制范围。
58.请一并参照图6和图7，以第一初始化晶体管m5为例，第一初始化晶体管m5可以为igzo tft，第一初始化晶体管m5的第一栅极与设置在非显示区的移位寄存器单元连接，该移位寄存器单元可以为第一栅极提供扫描信号scann。第一初始化晶体管m5的第二栅极则与第一参考信号ref1电连接。如图7所示，驱动晶体管m3可以为ltps tft，驱动晶体管m3的栅极即为ltps tft的第一栅极，ltps tft的第一栅极与第一初始化晶体管m5的第一栅极可以位于同一层。
59.在一些实施例中，上述第一参考信号ref1和第二参考信号ref2的信号电压可以基于两个氧化物晶体管的导电沟道的宽长比进行设置。
60.在第一参考信号ref1的信号电压和第二参考信号ref2的信号电压保持一致时，若第一初始化晶体管m5的导电沟道的宽长比大于补偿晶体管m4的导电沟道的宽长比，则第一初始化晶体管m5的阈值电压的正偏幅度大于补偿晶体管m4的正偏幅度，即调整后的第一初始化晶体管m5的阈值电压大于补偿晶体管m4的阈值电压。由于补偿信号s2n和第一初始化信号s1n均为扫描信号线所输出的扫描信号，两者的高低电平值相等或较为近似，在第一初始化晶体管m5和补偿晶体管m4的阈值电压存在较大差异时，该扫描信号无法同时对补偿晶体管m4和第一初始化晶体管m5进行有效控制。
61.对于具有双栅结构的氧化物晶体管，在其中一个栅极的参考信号ref的信号电压减小时，同样能够使得该晶体管的阈值电压发生正偏。相反地，参考信号ref的信号电压增大时，能够使得晶体管的阈值电压发生负偏。
62.基于上述晶体管的导电沟道的宽长比与参考信号ref的信号电压对晶体管阈值电压的影响。在第一初始化晶体管m5的导电沟道的宽长比大于补偿晶体管m4的导电沟道的宽长比时，由于第一初始化晶体管m5的阈值电压受到导电沟道宽长比的影响而大于补偿晶体管m4的阈值电压，此时通过增大第一参考信号ref1的信号电压，能够使得第一初始化晶体管m5的阈值电压进行减小。通过调整晶体管导电沟道的宽长比和与晶体管的栅极连接的参考信号ref的信号电压大小，能够实现对晶体管阈值电压的灵活调整。在显示面板生产完成后，由于导电沟道的宽长比无法再进行调整，则通常可以采用调整参考信号ref的信号电压的方式来对晶体管的阈值电压进行调节。
63.为了使得第一初始化晶体管m5和补偿晶体管m4的阈值电压保持一致或较为接近，可以根据第一初始化晶体管m5的导电沟道的宽长比以及补偿晶体管m4的导电沟道的宽长比来确定第一参考信号ref1和第二参考信号ref2的信号电压大小。例如，氧化物晶体管的导电沟道的宽长比与参考信号ref的信号电压可以设置为满足如下公式：
64.(m1
w/l-m2
w/l
)*(vref1-vref2)》0；
65.其中，m1
w/l
为第一初始化晶体管m5的导电沟道的宽长比，m2
w/l
为补偿晶体管m4的导电沟道的宽长比，vref1为第一参考信号ref1的信号电压，vref2为第二参考信号ref2的信号电压。即，第一初始化晶体管m5的导电沟道的宽长比大于第二补偿晶体管m4的导电沟道的宽长比时，可以设置第一参考信号ref1的信号电压大于第二参考信号ref2的信号电压。通过导电沟道宽长比增大使得阈值电压正偏、参考信号ref的信号电压增大使得阈值电压反偏的结合，使得第一初始化晶体管m5和补偿晶体管m4的阈值电压保持一致或较为接近。
66.可以理解的是，根据上述公式，在第一初始化晶体管m5的导电沟道的宽长比小于
第二补偿晶体管m4的导电沟道的宽长比时，则可以设置第一参考信号ref1的信号电压小于第二参考信号ref2的信号电压，以使得两个晶体管的阈值电压较为接近，避免两个晶体管的阈值电压差异过大而使得扫描信号无法实现两个晶体管导通状态的有效控制。
67.在一些实施例中，上述像素电路1可以包括第一像素电路和第二像素电路。
68.在第一像素电路中，第一初始化晶体管m5的第一栅极和第二栅极的其中一者连接第一参考信号ref1，补偿晶体管m4的第一栅极和第二栅极的其中一者连接第二参考信号ref2。
69.在第二像素电路中，第一初始化晶体管m5的第一栅极和第二栅极的其中一者连接第二参考信号ref2，补偿晶体管m4的第一栅极和第二栅极的其中一者连接第一参考信号ref1。
70.第一参考信号ref1和第二参考信号ref2的信号电压设置为不同的信号电压时，在第一像素电路中，第一初始化晶体管m5的其中一个栅极与第一参考信号ref1连接，补偿晶体管m4的其中一个栅极与第二参考信号ref2连接。在第二像素电路中，第一初始化晶体管m5的其中一个栅极与第二参考信号ref2连接，补偿晶体管m4的其中一个栅极则与第一参考信号ref1连接。
71.以第一参考信号ref1的信号电压为-3v，第二参考信号ref2的信号电压为0v时为例，在第一像素电路中，第一初始化晶体管m5的其中一个栅极接-3v，补偿晶体管m4的其中一个栅极接0v；而在第二像素电路中，第一初始化晶体管m5的其中一个栅极接0v，补偿晶体管m4的其中一个栅极接-3v。
72.请参照图9，在一些实施例中，上述补偿晶体管m4的第一极与驱动晶体管m3的第二极连接，补偿晶体管m4的第二级与驱动晶体管m3的栅极连接。像素电路1还可以包括发光控制晶体管、数据写入晶体管m2以及第二初始化晶体管m7。
73.发光控制晶体管可以与发光控制信号emit连接，在发光控制信号emit的控制下选择性地导通以使得发光元件l能够在驱动电流的驱动下进入发光阶段进行发光。
74.数据写入晶体管m2可以与驱动晶体管m3的第一极连接，并在数据写入信号s2的控制下选择性地导通，以将数据信号vdata提供给驱动晶体管m3。
75.第二初始化晶体管m7与发光元件l的第一极连接，第二初始化晶体管m7可以在第二初始化信号vref的控制下选择性地导通，以将初始化信号vref提供给驱动晶体管m3。
76.像素电路1在一个发光周期中依次包括初始化阶段、数据写入阶段以及发光阶段。
77.在初始化阶段，第一初始化晶体管m5和第二初始化晶体管m7在相应的控制信号的控制下导通，第一初始化晶体管m5可以将初始化信号vref接入驱动晶体管m3的栅极，以对驱动晶体管m3的栅极电压进行初始化；第二初始化晶体管m7可以将初始化信号vref接入发光元件l的第一极，以对发光元件l的第一极进行初始化。发光元件l的第一极为阳极，第二极为阴极。
78.在数据写入阶段，第一初始化晶体管m5和第二初始化晶体管m7截止，数据写入晶体管m2、驱动晶体管m3以及补偿晶体管m4导通，数据信号vdata可以依次通过数据写入晶体管m2、驱动晶体管m3和补偿晶体管m4接入驱动晶体管m3的栅极，以为驱动晶体管m3的栅极提供数据信号vdata。驱动晶体管m3的栅极与第一电源信号pvdd之间还设置有储能电容cst，数据信号vdata可以对储能电容cst进行充电，储能电容cst在发光阶段中可以进行放
电，以控制驱动晶体管m3维持导通状态。
79.在发光阶段，数据写入晶体管m2和补偿晶体管m4截止，发光控制晶体管和驱动晶体管m3导通，发光元件l的第一极通过像素电路1与第一电源信号pvdd连接，发光元件l的第二极则与第二电源信号pvee连接。在发光控制晶体管和驱动晶体管m3导通时，发光元件l可以在驱动电流的驱动下进行发光。
80.在一些实施例中，上述显示面板可以包括扫描信号线，扫描信号线与数据写入晶体管m2的栅极连接，扫描信号线可以为数据写入晶体管m2提供数据写入信号s2，以使数据写入晶体管m2在数据写入信号s2的驱动下将数据信号vdata接入驱动晶体管m3以及储能电容cst。
81.可以理解的是，显示面板上设置有多个像素电路1，像素电路1可以为阵列式排布，扫描信号线的数量可以设置为与像素电路1的行数一致。每条扫描信号线与同一行的像素电路1中的数据写入晶体管m2电连接。
82.在同一像素电路1中，与数据写入晶体管m2的栅极连接的扫描信号线还可以与第二初始化晶体管m7的栅极连接。即数据写入晶体管m2与第二初始化晶体管m7可以保持同步导通或同步截止。
83.发光控制晶体管可以设置为两个，分别为第一发光控制晶体管m1和第二发光控制晶体管m6。第一发光控制晶体管m1和第二发光控制晶体管m6分别与驱动晶体管m3的第一极和第二极进行串联。在数据写入阶段，由于驱动晶体管m3与发光元件l之间的第二发光控制晶体管m6为截止状态，则数据写入晶体管m2和第二初始化晶体管m7同时导通时，由于第二发光控制晶体管m6的截止而保持相互隔离，不会互相影响。
84.可以理解的是，在第二初始化晶体管m7的栅极与数据写入晶体管m2的栅极共用同一扫描信号线时，第二初始化晶体管m7是在数据写入阶段导通，并对发光元件l的第一极进行初始化。即，第二初始化晶体管m7既可以在初始化阶段进行导通以对发光元件l的第一极进行初始化，也可以在数据写入阶段进行导通以对发光元件l的第一极进行初始化。而第一初始化晶体管m5在对驱动晶体管m3的栅极进行初始化时，仍需要在初始化阶段进行导通。
85.通过将第二初始化晶体管m7的导通时间从初始化阶段调整至数据写入阶段，能够实现扫描信号线的复用，降低了显示面板的电路复杂性和布线成本。
86.在一些实施例中，上述参考信号ref可以设置为负电位信号。
87.请参照图10，在将氧化物晶体管的两个栅极中的底栅分别与不同电位的参考信号ref进行连接时，检测得到的氧化物晶体管的阈值电压如图10所示。随着参考信号ref的信号电压的降低，氧化物晶体管的阈值电压逐渐增大。在参考信号ref的信号电压设置为0v时，氧化物晶体管的阈值电压约为-2.2v。根据扫描信号的高低电平值，要使得氧化物晶体管在低电平下截止，在高电平下导通，可以将参考信号ref设置为负电位信号，此时氧化物晶体管的阈值电压通常大于-2v，扫描信号的高电平值大于-2v，而低电平值则小于-2v，并且高低电平值与-2v存在一定的电压差，使得扫描信号在高低电平之间进行切换时，能够有效控制氧化物晶体管的导通和截止。
88.在一些实施例中，以补偿晶体管m4为例，在对氧化物晶体管的底栅分别施加电压大小不同的信号电压时：
89.1)在氧化物晶体管的顶栅和底栅施加相同的补偿信号s2n，即顶栅和底栅连接同
一扫描信号线时，测试得到氧化物晶体管的阈值电压漂移值δvth shift为0.439v；
90.2)在氧化物晶体管的顶栅施加补偿信号s2n，底栅施加电压值为0v的参考信号ref时，测试得到氧化物晶体管的阈值电压漂移值δvth shift为-0.066v；
91.3)在氧化物晶体管的顶栅施加补偿信号s2n，底栅施加电压值为-3v的参考信号ref时，测试得到氧化物晶体管的阈值电压漂移值δvth shift为-0.010v。
92.根据上述底栅施加不同信号电压时晶体管阈值电压的漂移程度，可以确定的是，相比于将氧化物晶体管的底栅连接与顶栅相同的扫描信号，将底栅与稳定参考信号ref电连接，能够减小晶体管的阈值电压漂移程度，提升晶体管阈值电压的稳定性。而相比于对底栅施加0电位的参考信号ref，在对底栅施加负电位的参考信号ref时，能够进一步降低氧化物晶体管的阈值电压漂移程度，大幅改善氧化物晶体管的稳定性。
93.本技术实施例还提供一种显示设备，请参见图11，该显示设备可以为pc、电视、显示器、移动终端、平板电脑以及可穿戴设备等，该显示设备可以包括本技术实施例提供的显示面板。
94.以上所述的结构框图中所示的功能块可以实现为硬件、软件、固件或者它们的组合。当以硬件方式实现时，其可以例如是电子电路、专用集成电路(asic)、适当的固件、插件、功能卡等等。当以软件方式实现时，本技术的元素是被用于执行所需任务的程序或者代码段。程序或者代码段可以存储在机器可读介质中，或者通过载波中携带的数据信号在传输介质或者通信链路上传送。“机器可读介质”可以包括能够存储或传输信息的任何介质。机器可读介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、rom、闪存、可擦除rom(erom)、软盘、cd-rom、光盘、硬盘、光纤介质、射频(rf)链路，等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。
95.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
96.本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将本技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本技术的保护范围。