一种纳米晶材料检测设备的制作方法

1.本实用新型涉及质量检测领域，尤其涉及一种纳米晶材料检测设备。


背景技术：

2.无线充电领域常使用纳米晶带材作为加工原材料。为了能够在利用纳米晶较高磁导率和较高饱和磁感应强度的同时避免纳米晶电阻率小、损耗高的问题，通常会引入碎磁工艺将纳米晶分割成小单元。
3.在现有技术中，通常使用碎磁辊对纳米晶带材进行碾压以实现对纳米晶的分割，在这个过程中可能会有少量的碎屑颗粒和纳米晶带材的碎裂产生，碎屑颗粒在后续多层纳米晶带材层叠的步骤中可能会导致最终成品出现鼓包。鼓包和隐藏的碎裂可能导致最终成品的厚度超标，从而在充电过程中使得电池超负荷导致电池爆炸；也可能会因为超出预留的位置从而刺破接收端线圈的绝缘层，导致充电的效率降低，影响用户的充电体验；还可能导致最终成品的屏蔽性能减弱，使得散热效率降低，为充电过程带来安全风险。
4.目前通常的检测方式还是通过相机抽检或是人工目测的方式进行，效率低下且容易漏失有缺陷的物料，检测准确率低，导致缺陷物料最终变成成品，影响生产效率的同时影响成品的良率。


技术实现要素：

5.本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种纳米晶材料检测设备，提高缺陷检测的准确率。
6.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
7.一种纳米晶材料检测设备，包括带孔传送带、真空箱、气管及相机；
8.所述带孔传送带围绕所述真空箱设置；
9.所述相机与所述真空箱的一侧相对设置；
10.所述气管的一端连接所述真空箱，另一端用于连接真空源；
11.所述真空箱靠近所述相机的一侧设置有通孔。
12.进一步地，所述带孔传送带上孔的密度与所述通孔的密度相同。
13.进一步地，所述真空箱的两侧分别设置有传送滚轴；
14.所述带孔传送带围绕所述传送滚轴及所述真空箱设置。
15.进一步地，所述气管设置在所述真空箱不与所述传送滚轴相对的一侧。
16.进一步地，所述气管包括多个，多个所述气管之间的间隔距离一致。
17.进一步地，还包括转动电机；
18.所述转动电机与所述传送滚轴连接。
19.进一步地，所述相机为ccd相机。
20.本实用新型的有益效果在于：设置真空箱和与真空箱相对的相机，真空箱靠近相机的一侧设置有通孔，传送带围绕真空箱且传送带为带孔传送带，真空箱侧面设置有连接
真空源的气管，在检测时将纳米晶材料放置在带孔传送带上，则带孔传送带在经过真空箱时因其上放置有纳米晶带材挡住带孔传送带的孔，则真空箱通过通孔和带孔传送带上的孔将纳米晶材料吸附紧，使得相机和纳米晶材料之间的间距能够在相机拍照过程中保持稳定，避免因距离变化产生变焦出现图片模糊，提高了相机获取图片的清晰度，从而提高了发现鼓包等缺陷的准确度，提高了缺陷检测的准确率。
附图说明
21.图1为本实用新型实施例的一种纳米晶材料检测设备的主视图；
22.图2为本实用新型实施例的一种纳米晶材料检测设备的真空箱结构俯视图；
23.图3为本实用新型实施例的一种纳米晶材料检测设备的传送带结构示意图；
24.标号说明：
25.1、气管；2、挡板；21、限位板；3、带孔传送带；31、传送滚轴4、转动电机；41、传送链；5、真空箱；6、同轴光源；7、镜头；8、相机。
具体实施方式
26.为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
27.请参照图1，一种纳米晶材料检测设备，包括带孔传送带、真空箱、气管及相机；
28.所述带孔传送带围绕所述真空箱设置；
29.所述相机与所述真空箱的一侧相对设置；
30.所述气管的一端连接所述真空箱，另一端用于连接真空源；
31.所述真空箱靠近所述相机的一侧设置有通孔。
32.从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：设置真空箱和与真空箱相对的相机，真空箱靠近相机的一侧设置有通孔，传送带围绕真空箱且传送带为带孔传送带，真空箱侧面设置有连接真空源的气管，在检测时将纳米晶材料放置在带孔传送带上，则带孔传送带在经过真空箱时因其上放置有纳米晶带材挡住带孔传送带的孔，则真空箱通过通孔和带孔传送带上的孔将纳米晶材料吸附紧，使得相机和纳米晶材料之间的间距能够在相机拍照过程中保持稳定，避免因距离变化产生变焦出现图片模糊，提高了相机获取图片的清晰度，从而提高了发现鼓包等缺陷的准确度，提高了缺陷检测的准确率。
33.进一步地，所述带孔传送带上孔的密度与所述通孔的密度相同。
34.由上述描述可知，设置带孔传送带上孔的密度和真空箱上通孔的密度相同，在传送带移动的过程中能够持续维持对纳米晶材料的吸附力。
35.进一步地，所述真空箱的两侧分别设置有传送滚轴；
36.所述带孔传送带围绕所述传送滚轴及所述真空箱设置。
37.由上述描述可知，在真空箱的两侧分别设置传送滚轴，带孔传送带围绕传送滚轴和真空箱设置，使得带孔传送带的移动更加高效，提高检测的效率。
38.进一步地，所述气管设置在所述真空箱不与所述传送滚轴相对的一侧。
39.由上述描述可知，在不与传送滚轴相对的一侧设置气管，则气管不会被传送滚轴遮挡，无需弯折，能够提高真空源抽真空的效率，保证对纳米晶材料的吸附力。
40.进一步地，所述气管包括多个，多个所述气管之间的间隔距离一致。
41.由上述描述可知，设置多个气管且保持其之间的间隔距离一致，在真空箱较长的情况下能够保证真空箱上各个位置的吸附力相近，从而维持相机和纳米晶材料之间的距离稳定，避免出现晃动。
42.进一步地，还包括转动电机；
43.所述转动电机与所述传送滚轴连接。
44.由上述描述可知，转动电机与传送滚轴连接，电机运转带动传送滚轴转动，实现传送带的自动前进，实现对传送带上纳米晶材料的自动检测。
45.进一步地，所述相机为ccd相机。
46.由上述描述可知，使用ccd相机拍摄纳米晶材料的相应图像，ccd相机不易受到磁场的影响，能够获取到清晰的纳米晶材料图片，通过提升图片的清晰度提升发现缺陷的准确率，适用于针对纳米晶材料的场景。
47.上述一种纳米晶材料检测设备能够用于纳米晶材料的检测中，如对纳米晶带材的检测，以下通过具体的实施方式进行说明：
48.请参照图1，本实用新型的实施例一为：
49.一种纳米晶材料检测设备，包括带孔传送带3、真空箱5、气管1及相机8；带孔传送带3围绕所述真空箱5设置；相机8与真空箱5的一侧相对设置；气管1的一端连接所述真空箱5，另一端用于连接真空源；真空箱5靠近所述相机8的一侧设置有通孔；
50.在一种可选的实施方式中，相机8为ccd相机；
51.带孔传送带3上孔的密度与所述通孔的密度相同，且带孔传送带3上孔的大小与所述通孔的大小不同，能够避免真空箱5上的通孔被带孔传送带3完全遮挡的情况，使得真空箱5对传送带上的纳米晶材料始终保持吸附力；
52.在一种可选的实施方式中，带孔传送带上的孔大于真空箱上的通孔；
53.在一种可选的实施方式中，带孔传送带3上还包括间隔带，间隔带沿垂直于带孔传送带3前进方向的方向排列，间隔带之间的距离为预设距离，间隔带方便在发现有缺陷物料时进行定位筛查，提高检测的效率；
54.还包括转动电机4，转动电机4与传送滚轴31连接；
55.在一种可选的实施方式中，传送滚轴31包括多个，转动电机4与至少一个传送滚轴31连接，具体的，还包括传送链41，传送链41的一端套设在转动电机4上，另一端套设在一个传送滚轴31上，则转动电机转动时带动传送滚轴31转动，进而带动带孔传送带3转动，使得放置在带孔传送带3上的纳米晶材料则随带孔传送带移动。
56.本实用新型的实施例二为：
57.一种纳米晶材料检测设备，其与实施例一的不同之处在于：
58.还包括挡板2；
59.真空箱5的两侧分别设置有传送滚轴31，传送滚轴31的两端分别与一挡板2连接，带孔传送带3围绕所述传送滚轴31及所述真空箱5设置；
60.真空箱5通过挡板2固定；
61.气管1设置在真空箱5不与传送滚轴31相对的一侧；
62.在一种可选的实施方式中，气管1包括多个，多个气管1之间的间隔距离一致；
63.还包括限位板21，限位板21的一端与挡板2连接，另一端向带孔传送带3方向延伸，限位板21与带孔传送带3共面，且限位板21在带孔传送带3上的投影不覆盖带孔传送带3上的孔，纳米晶材料通过限位板21进行限位，避免吸附力过大影响纳米晶材料的移动；
64.在一种可选的实施方式中，可在垂直方向上间隔设置两块限位板21，则能够限制纳米晶材料在垂直方向上的震荡；
65.在检测纳米晶材料的过程中，将纳米晶材料放置在限位板21上，因限位板21与带孔传送带3共面，则纳米晶材料贴在带孔传送带3表面随带孔传送带3前进，同时真空源开始工作，真空箱5内的气压减小，则通孔和带孔传送带3上的孔所对的外部大气压会将纳米晶材料压向带孔传送带3并将带孔传送带3压向真空箱5，避免了带孔传送带3和纳米晶材料在前进过程中的晃动，此时与带孔传送带3相对的相机8获取纳米晶材料的图像，能够获取到稳定的图像，根据图像进行质量判断，若存在缺陷物料则使转动电机停止，直至工作人员剔除缺陷物料并重新启动检测；
66.在一种可选的实施方式中，还包括镜头和同轴光源，镜头和同轴光源均设置在相机与真空箱之间，且同轴光源更靠近真空箱，能够实现调焦和补光，提高获取到的图片的质量。
67.综上所述，本实用新型提供的一种纳米晶材料检测设备，设置有通孔的真空箱，带孔传送带围绕真空箱，气管的一端连接真空箱另一端用于连接真空源，则真空源启动后，因带孔传送带上放置有纳米晶材料遮挡带孔传送带上的孔，则真空箱内外产生压力差，将纳米晶材料和带孔传送带压向真空箱，在带孔传送带前进的过程中避免传送带或设置在传送带上的纳米晶材料晃动；并且，还设置有限位板，将纳米晶材料设置在限位板上，即使真空箱对纳米晶材料的吸力出现变化也能够维持纳米晶材料的稳定，从而保证在传送带前进的过程中，纳米晶材料和相机之间的距离保持稳定，从而保证相机所拍摄的纳米晶材料的图像的质量，提升缺陷检测的准确率。
68.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。