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一种基于ALD技术的薄膜制备装置

2022-06-28 18:24:52 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种基于ald技术的薄膜制备装置,包括芯片基板、反应单元、供水/供臭氧单元以及用于盛装不同反应物的若干个反应物容量瓶,所述芯片基板设置在所述反应单元的反应腔室内,所述供水/供臭氧单元与所述反应腔室相连通,其特征在于,还包括内部环境为真空的混气罐,若干个所述反应物容量瓶分别通过电磁阀与混气罐的进风口相连通,所述混气罐的出风口通过电磁阀与反应腔室连通,所述混气罐内设置有用于搅动气流的风机组。2.根据权利要求1所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述风机组包括若干个风扇,若干个风扇均匀环设在所述混气罐的内壁上,所述风扇的出风方向与气流方向相同。3.根据权利要求1所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述混气罐的外壳内环设有用于使混合物保持更高反应活性的加热壁。4.根据权利要求3所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述加热壁内可拆卸设置有殷瓦合金内衬。5.根据权利要求4所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述殷瓦合金内衬上设置有用于检测所述混气罐内真空度或压力情况的真空计。6.根据权利要求1所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述反应单元包括外反应箱、内反应箱、用于为所述内反应箱加热的加热丝以及用于对所述内反应箱抽真空的机械泵,所述内反应箱设置在外反应箱内部,所述加热丝设置在所述内反应箱与外反应箱之间,所述机械泵与所述内反应箱连通,所述内反应箱的腔室为所述反应腔室。7.根据权利要求6所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述供水/供臭氧单元为用于盛装水或臭氧的水/臭氧容量瓶,所述水/臭氧容量瓶通过电磁阀与所述内反应箱连通。8.根据权利要求6所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述薄膜制备装置还包括氮气吹扫单元,所述氮气吹扫单元包括用于盛装氮气的高压氮气容量瓶,所述高压氮气容量瓶通过电磁阀与所述内反应箱连通,且连通管道的出气口对应所述芯片基板设置。9.根据权利要求8所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述高压氮气容量瓶与所述内反应箱的连通管道上设置流量计。10.根据权利要求6所述的基于ald技术的薄膜制备装置,其特征在于,所述内反应箱的外壁设置温度传感器和温度控制器,所述温度传感器与所述温度控制器连接,所述温度控制器与所述加热丝电连接。

技术总结
本实用新型公开一种基于ALD技术的薄膜制备装置,涉及薄膜制备技术领域,包括:芯片基板、反应单元、供水/供臭氧单元、用于盛装不同反应物的若干个反应物容量瓶、内部环境为真空的混气罐,若干个反应物容量瓶分别通过电磁阀与混气罐的进气口相连通,混气罐的出气口通过电磁阀与反应腔室连通,混气罐内设置有用于搅动气流的风机组;本实用新型中在不同反应物进入反应腔室之前,先进入到混气罐内进行混合,并利用风机组的搅动作用提高不同反应物间的混合效果,混合后的混合物进入到反应腔室内并与后续通入的水或臭氧进行反应,在芯片基板上形成掺杂混合薄膜,且形成的掺杂混合薄膜是在同一(原子)层里实现掺杂,提高了薄膜的机械和光电性能。光电性能。光电性能。


技术研发人员:宋建涛 张建华 丁星伟
受保护的技术使用者:上海大学
技术研发日:2022.03.15
技术公布日:2022/6/27
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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