磁场传感器

技术特征：
1.一种半导体装置，包括：衬底、多个半导体材料层、主区域、次级区域、导电区域以及辅助触点，所述主区域具有与所述主区域相关联的主触点，所述次级区域具有与所述次级区域相关联的第一次级触点和第二次级触点，所述导电区域在所述主区域和所述次级区域之间，所述辅助触点可操作地耦接至电流源以用于控制通过所述半导体装置的电流流动，并且其中，所述电流源被配置以使得所述电流源的操作取决于温度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电流源可操作地耦接至所述辅助触点，以用于控制通过所述主触点与所述第一次级触点和所述第二次级触点和/或所述辅助触点之间的所述半导体装置的电流。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述电流源被配置为在所述半导体装置的操作范围内的所有温度下和/或在由所述半导体装置监测的电气部件的操作范围内的所有温度下将所述电流维持在基本上恒定的值。4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述主触点相对于所述半导体装置的宽度基本上居中定位。5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一次级触点和所述第二次级触点在所述半导体装置内空间地分离。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一次级触点和所述第二次级触点沿着所述半导体装置的长度对准。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，所述第一次级触点和所述第二次级触点被定位于所述半导体装置的相对的边缘处。8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一次级触点和所述第二次级触点包括漏电极，并且在使用中，两个漏电极之间的电流分布指示施加到所述半导体装置的磁场。9.根据权利要求8所述的半导体装置，包括或者可操作地连接到用于测量所述第一次级触点和所述第二次级触点之间的电流分布的器件。10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，包括或者可操作地连接到用于测量跨过所述装置的在所述第一次级触点和所述第二次级触点之间的电压的器件，其中，所述电压指示施加到所述半导体装置的磁场。11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述辅助触点被设置在所述第一次级触点与所述第二次级触点之间的间隙中。12.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一次级触点和所述第二次级触点设置在沿着所述半导体装置的长度的第一点处，所述辅助触点设置在沿着所述半导体装置的长度的第二点处。13.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体的宽度沿着所述半导体的长度基本上恒定。14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体的宽度沿着所述半导体的长度变化。15.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，包括栅极触点。16.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述多个半导体材料层包括宽带隙半导体材料。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述宽带隙半导体材料包括以下各项中的任意一个或更多个：砷化铝镓(algaas)和砷化镓(gaas)；氮化铝镓(algan)和氮化镓(gan)；algan和algan；氧化锌(zno)和氧化镓锌(gazno)；以及氮化铟铝(inaln)和gan。18.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述电流源包括电压控制电流源(vccs)或电流控制电流源(cccs)。19.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述电流源可操作地连接至温度传感器。20.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，能够借助于可操作地连接至所述半导体装置的控制单元来控制。21.一种电气部件，包括根据以上任一项权利要求所述的半导体装置或与根据以上任一项权利要求所述的半导体装置相关联，其中，所述半导体装置被配置为在使用中通过获得由所述电气部件产生的磁场的测量值来监测所述电气部件的操作。22.一种使用本发明任何前述方面的所述半导体装置来监测电气部件的操作的方法，所述方法包括：获得所述半导体装置内的电荷载流子的偏转的测量值；根据所述半导体装置内的电荷载流子的偏转的测量值来确定磁场强度；以及根据确定的所述磁场强度来确定所述电气部件的操作状态；其中，所述方法进一步包括根据温度来控制所述电流源的操作，以控制流过所述装置的电流，进而控制所述半导体装置的灵敏度。23.根据权利要求22所述的方法，其中，获得所述半导体装置内的电荷载流子的偏转的测量值包括：确定所述第一次级触点和所述第二次级触点之间的电流分布；或者确定所述第一次级触点和所述第二次级触点之间的电压。24.根据权利要求22或23所述的方法，包括监测所述半导体装置的操作温度，并根据所述半导体装置的操作温度来控制所述电流源的操作。

技术总结
一种半导体装置(110)，包括衬底(112)和多个半导体材料层(113a、113b)。提供有主区域(114)，该主区域具有与其相关联的主触点(C)。装置包括次级区域(116)，该次级区域具有与其相关联的第一次级触点(C1)和第二次级触点(C2)。导电区域(118)设置在主区域和次级区域之间。辅助触点(A)可操作地耦接到电流源，并且根据温度来控制通过半导体装置的电流流动。根据温度来控制通过半导体装置的电流流动。根据温度来控制通过半导体装置的电流流动。


技术研发人员：索鲁什
受保护的技术使用者：考文垂大学
技术研发日：2020.07.16
技术公布日：2022/6/17