包括金属氧化物材料的电子装置及相关方法及系统与流程

包括金属氧化物材料的电子装置及相关方法及系统
1.优先权主张
2.本技术案主张2019年10月28日申请的“包括金属氧化物材料的电子装置及相关方法及系统(electronic devices comprising metal oxide materials and related methods and systems)”的序列号为16/665,679的美国专利申请案的申请日期的权益。
技术领域
3.本文中公开的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更特定来说，本公开的实施例涉及包括具有经改进势垒性质的密封材料的电子装置且涉及相关方法及系统。


背景技术：

4.电子装置(例如，半导体装置、存储器装置)设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分开距离而增大电子装置内的特征(例如，组件)的集成水平或密度。电子装置设计者还期望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。减小特征的尺寸及间隔对用于形成电子装置的方法提出越来越高的要求。一个解决方案是形成三维(3d)电子装置，例如3d交叉点存储器装置，其中竖直而非水平布置特征。为形成特征，多个材料经定位于彼此上方且经蚀刻以形成材料堆叠。材料包含硫属化物材料及电极材料。堆叠的一些材料对随后进行的工艺动作敏感，例如对后续工艺动作的工艺温度或蚀刻条件敏感。堆叠的材料可举例来说为热敏性或对蚀刻化学及工艺条件敏感。堆叠的材料所暴露于的工艺温度的范围在275℃与375℃之间且此范围内的温度氧化或以其它方式损坏敏感材料。
5.为保护堆叠的材料，密封材料已形成于堆叠上方。密封材料包括与氧化硅(sio
x
)组合的氮化硅(sin)。当用作密封材料时，sin常规地通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺形成且sio
x
常规地通过等离子体增强原子层沉积(peald)工艺形成于sin上方。然而，当以足够厚度形成pecvd sin/peald sio
x
密封材料以提供所要保护性质时，pecvd及peald工艺的工艺条件损坏堆叠的敏感材料。sin还未均匀覆盖堆叠的侧壁以充分保护堆叠的材料。此外，当常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料形成于堆叠上方时，邻近堆叠之间的间隔减小且形成瓶颈或夹止，从而导致在邻近堆叠的上部之间发生所谓的“面包状囤积”效应。pecvd sin/peald sio
x
密封材料的形成还归因于形成常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料以提供足够势垒性质的厚度而增大堆叠的宽高比。然而，如果以较低厚度形成pecvd sin/peald sio
x
密封材料，那么pecvd sin/peald sio
x
密封材料未提供足够势垒性能及侧壁覆盖率。当电介质材料随后形成于邻近堆叠之间时，pecvd sin/peald sio
x
密封材料的瓶颈部分防止电介质材料完全填充堆叠之间的开口且在电介质材料中形成空隙。由于特征的宽高比持续增大且邻近特征之间的间隔随着存储器密度增大而持续减小，因此常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料未提供足够势垒性质且归因于邻近堆叠之间的减小距离而导致面包状囤积。


技术实现要素：

6.公开一种电子装置，所述电子装置包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构及邻近于所述一或多个材料堆叠的金属氧化物材料。所述一或多个堆叠的材料包括一或多种硫属化物材料。所述金属氧化物材料包括氧化铝、硅酸铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆、硅酸锆或其组合且所述金属氧化物材料从所述一或多个材料堆叠的上部连续延伸到所述一或多个材料堆叠的下部。
7.还公开一种电子装置，所述电子装置包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构及邻近于所述一或多个堆叠的金属氧化物材料。所述一或多个堆叠的材料包括一或多种硫属化物材料。所述金属氧化物材料包括硅酸铝、过渡金属硅酸盐或其组合。
8.还公开一种电子装置，所述电子装置包括存储器单元阵列及电耦合到所述存储器单元的存取线及位线。所述存储器单元包括含有一或多种硫属化物材料的材料堆叠。密封结构直接邻近于所述材料堆叠且包括邻近于所述堆叠的氮化硅材料及邻近于所述氮化硅材料的金属氧化物材料。
9.公开一种形成电子装置的方法。所述方法包括形成包括一或多种硫属化物材料的材料堆叠。金属氧化物材料通过原子层沉积形成为邻近于所述材料堆叠。填充材料形成为邻近于所述金属氧化物材料且介于邻近材料堆叠之间，所述填充材料大体上无空隙。
10.还公开一种系统，所述系统包括输入装置、输出装置、可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置的处理器及可操作地耦合到所述处理器的电子装置。所述电子装置包括存储器单元，所述存储器单元包括含有一或多种硫属化物材料的材料堆叠及邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料。所述金属氧化物材料包括金属氧化物或金属硅酸盐且金属包括铝或过渡金属。所述金属氧化物材料经配制以气密地密封所述材料堆叠。
附图说明
11.图1a到4是根据本公开的实施例的堆叠结构及形成所述堆叠结构的各个阶段的横截面视图；
12.图5是根据本公开的实施例的包含堆叠结构的存储器单元阵列的透视图；
13.图6是根据本公开的实施例的包含堆叠结构的电子装置的功能框图；及
14.图7是根据本公开的实施例的包含堆叠结构的系统的简化框图。
具体实施方式
15.公开一种电子装置(例如，设备、半导体装置、存储器装置)，所述电子装置包含密封材料或邻近于材料堆叠(例如，在堆叠材料上方)的密封结构。堆叠包含一或多个热敏材料或一或多个氧化敏感材料。密封材料或密封结构形成于堆叠的材料上方以在后续工艺动作期间保护敏感材料。密封材料可为金属氧化物材料，且密封结构可包含多个材料，例如密封材料(例如，金属氧化物材料)及氮化硅材料。因此，密封材料可包含一个(例如，单一)材料而密封结构包含两个或两个以上材料。通过产生邻近于堆叠的材料(例如，在堆叠的材料上)的高度保形金属氧化物材料的工艺形成密封材料。与形成常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料的氮化硅及氧化硅的常规技术相比，通过较少侵蚀性ald工艺形成密封材料。密封材料举例来说以亚均匀厚度且以足够阶梯覆盖率形成于堆叠的侧壁上以防止由后续工艺
动作导致的对堆叠的材料的损坏。当填充材料形成于由密封材料的侧壁界定的开口内时，所述填充材料大体上无空隙。密封材料以足以提供势垒性质的厚度形成于堆叠上而不会在邻近堆叠之间形成所谓的“瓶颈”、“夹止”或“面包状囤积”。与通过常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料的相同厚度实现的势垒性质相比，密封材料以减小厚度提供相当或增加的势垒性质。因此，根据本公开的实施例的密封材料提供每单位厚度的密封材料的相当或增加的势垒性质。
16.以下描述提供具体细节(例如材料类型、材料厚度、及工艺条件)以便提供本文中描述的实施例的详尽描述。然而，所属领域的一般技术人员将了解，可在未采用这些具体细节的情况下实践本文中公开的实施例。实际上，可结合半导体产业中采用的常规制造技术来实践实施例。另外，本文中提供的描述未形成电子装置的完整描述或用于制造电子装置的完整工艺流程且下文描述的结构未形成完整电子装置。下文仅详细描述理解本文中描述的实施例所必需的所述工艺动作及结构。可由常规技术执行形成完整电子装置的额外动作。
17.除非另外指示，否则可通过包含(但不限于)旋涂、毯覆式涂布、化学气相沉积(“cvd”)、原子层沉积(“ald”)、等离子体增强ald、物理气相沉积(“pvd”)(包含溅镀、蒸镀、离子化pvd及/或等离子体增强cvd)或外延生长的常规技术形成本文中描述的材料。替代地，可原位生长材料。取决于待形成的特定材料，可由所属领域的一般技术人员选择用于沉积或生长所述材料的技术。除非上下文另外指示，否则可通过包含(但不限于)蚀刻(例如，干式蚀刻、湿式蚀刻、蒸气蚀刻)、离子铣削、研磨平坦化(例如，化学-机械平坦化)、或其它已知方法的任何合适技术完成材料的移除。
18.本文中呈现的图式仅用于阐释性目的，且不希望为任何特定材料、组件、结构、装置或电子系统的实际视图。预期由于例如制造技术及/或公差所致的图式中描绘的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应解释为限于如说明的特定形状或区，但包含举例来说源自制造的形状的偏差。举例来说，说明或描述为盒形的区可具有粗糙及/或非线性特征，且说明或描述为圆形的区可包含一些粗糙及/或线性特征。此外，说明的锐角可经修圆，且反之亦然。因此，图中说明的区本质上是示意性的，且其形状不希望说明区的精确形状且不限制本权利要求书的范围。图式不一定按比例绘制。此外，图之间共同的元件可保留相同元件符号。
19.如本文中使用，单数形式“一”及“所述”希望还包含复数形式，除非上下文另外明确指示。
20.如本文中使用，“及/或”包含相关联列出项目中的一或多者的任何及全部组合。
21.如本文中使用，关于特定参数的数值的“约”或“近似”包含数值及所属领域的一般技术人员将了解在特定参数的可接受公差内的数值的变化程度。举例来说，关于数值的“约”或“近似”可包含从数值的90.0％到110.0％的范围内、例如从数值的95.0％到105.0％的范围内、从数值的97.5％到102.5％的范围内、从数值的99.0％到101.0％的范围内、从数值的99.5％到100.5％的范围内、或从数值的99.9％到100.1％的范围内的额外数值。
22.如本文中使用，为便于描述，例如“在
…
下面”、“在
…
下方”、“下”、“底部”、“在
…
上方”、“上”、“顶部”、“前”、“后”、“左”、“右”及类似者的空间相对术语可用于描述一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系，如图中说明。除非另外指定，除图中描绘的定向以外，
空间相对术语还希望涵盖材料的不同定向。举例来说，如果图中的材料反转，那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“的下”或“底部上”的元件将接着定向成“在”其它元件或特征“上方”或“顶部上”。因此，取决于使用术语的背景内容，术语“在
…
下方”可涵盖上方及下方的定向，此对于所属领域的一般技术人员来说将是显而易见的。材料可以其它方式定向(例如，旋转90度、反转、翻转等)且本文中使用的空间相对描述符相应地解释。
23.如本文中使用，术语“经配置”是指至少一个结构及至少一个设备中的一或多者以预定方式促进所述结构及所述设备中的一或多者的操作的大小、形状、材料组合物及布置。
24.如本文中使用，术语“电子装置”包含(且不限于)存储器装置，以及可或可不并入存储器的半导体装置，例如逻辑装置、处理器装置、或射频(rf)装置。此外，除其它功能以外，电子装置还可并入存储器，例如(例如)包含处理器及存储器的所谓的“芯片上系统”(soc)，或包含逻辑及存储器的电子装置。电子装置可为包含敏感材料的3d电子装置，例如3d交叉点存储器装置。
25.如本文中使用，元件被引用为“在”另一元件“上”或“上方”意味着且包含元件直接在另一元件的顶部上、邻近于(例如，横向邻近于、竖直邻近于)另一元件、在另一元件下方、或与另一元件直接接触。其还包含元件间接在另一元件的顶部上、邻近于(例如，横向邻近于、竖直邻近于)另一元件、在另一元件下方、或在另一元件附近，在其间存在其它元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”或“直接邻近于”另一元件时，不存在中介元件。
26.如本文中使用，术语“金属氧化物材料”意味着且包含含有金属原子及氧原子的材料，且任选地包含硅原子。金属氧化物材料具有化学通式mo
x
(金属氧化物)或msio
x
(金属硅酸盐)，其中m是铝或过渡金属。术语“金属氧化物”用于指代具有化学通式mo
x
的材料且术语“金属硅酸盐”用于指代具有化学通式msio
x
的材料。术语“金属氧化物材料”用于共同指代金属氧化物及金属硅酸盐。由于硅并非金属，因此不包含(例如，排除)氧化硅作为密封材料或密封结构的金属氧化物材料。
27.如本文中使用，术语“密封材料”意味着且包含经配制以展现势垒性质的材料，例如减少或大体上防止水通过所述材料。
28.如本文中使用，术语“密封结构”意味着且包含定位成彼此邻近且经配制以展现势垒性质的多个材料，例如包含密封材料及一或多个额外材料。
29.术语“密封”用于共同指代密封材料及密封结构。
30.如本文中使用，术语“可选择性地蚀刻”意味着且包含相对于暴露于给定蚀刻化学及/或工艺条件的另一材料响应于暴露于相同蚀刻化学及/或工艺条件而展现较大蚀刻速率的材料。举例来说，材料可展现比另一材料的蚀刻速率大至少约四倍的蚀刻速率，例如比另一材料的蚀刻速率大约九倍、大约十九倍、或大约三十九倍的蚀刻速率。可由所属领域的一般技术人员选择用于选择性地蚀刻所要材料的蚀刻化学及蚀刻条件。
31.如本文中使用，术语“堆叠”意味着且包含具有定位成彼此竖直邻近的多个材料的特征。堆叠的材料中的至少一者可对热或水敏感。堆叠的材料可包含一或多个导电(例如，导电)材料、一或多种硫属化物材料及硬掩模材料、或其组合。
32.如本文中使用，关于给定参数、性质或条件的术语“大体上”意味着且包含所属领域的一般技术人员将理解给定参数、性质或条件在变化程度(例如在可接受制造公差内)下
满足的程度。通过实例，取决于大体上满足的特定参数、性质或条件，所述参数、性质或条件可为至少90.0％满足、至少95.0％满足、至少99.0％满足、或甚至至少99.9％满足。
33.如本文中使用，术语“衬底”意味着且包含在其上形成额外材料的材料(例如，基材)或构造。衬底可为电子衬底、半导体衬底、支撑结构上的基底半导体层、电极、其上形成有一或多个材料、层、结构、或区的电子衬底、或其上形成有一或多个材料、层、结构、或区的半导体衬底。电子衬底或半导体衬底上的材料可包含(但不限于)半导体材料、绝缘材料、导电材料等。衬底可为常规硅衬底或包括半导体材料层的其它块状衬底。如本文中使用，术语“块状衬底”不仅意味着且包含硅晶片，而且意味着且包含绝缘体上硅(“soi”)衬底，例如蓝宝石上硅(“sos”)衬底及玻璃上硅(“sog”)衬底、基底半导体基础上的硅的外延层、及其它半导体或光电材料，例如硅锗、锗、砷化镓、氮化镓、及磷化铟。衬底可为掺杂或未掺杂的。
34.如本文中使用，术语“竖直”、“纵向”、“水平”及“横向”涉及结构的主平面且不一定由地球的重力场界定。“水平”或“横向”方向是大体上平行于结构的主平面的方向，而“竖直”或“纵向”方向是大体上垂直于结构的主平面的方向。由与结构的其它表面相比具有相对较大面积的结构的表面界定结构的主平面。
35.图1a及1b中展示包含堆叠105、邻近于堆叠105(例如，在堆叠105上方)的任选衬里110a、110b及开口115的堆叠结构100。堆叠结构100形成为邻近于衬底120(例如，在衬底120上)。堆叠105通过开口115彼此分离。每一堆叠105包含多个材料，例如一或多个导电材料、一或多种硫属化物材料及硬掩模材料。堆叠105的材料中的一或多者可为热敏的或对氧化敏感。堆叠105可例如包含一或多个导电材料、一或多种硫属化物材料、一或多个导电碳材料及硬掩模材料。仅通过实例，堆叠105可包含衬底上方的导电材料、所述导电材料上方的第一导电碳材料、所述第一导电碳材料上方的一或多种硫属化物材料、所述一或多种硫属化物材料上方的第二导电碳材料、及所述第二导电碳材料上方的硬掩模材料。堆叠105可例如包含一或多种硫属化物材料及一或多个导电碳材料，其对热敏感或对氧化(例如，氧化条件)敏感，材料可在形成堆叠105期间及之后或在形成密封材料125期间暴露于所述条件(参见图2a及2b)。例如，堆叠105的碳及硫属化物材料可在暴露于水或用于形成堆叠105、衬里110a、110b(如果存在)或密封材料125的工艺条件时氧化或以其它方式损坏。
36.堆叠105的导电材料可包含导电材料，包含(但不限于)钨、铝、铜、钛、钽、铂、其合金、重掺杂半导体材料、多晶硅、导电硅化物、导电氮化物、导电碳、导电碳化物、或其组合。导电材料可举例来说经配置为存取线、字线、接触件、数字线、位线等。在一些此类实施例中，导电材料是钨。导电材料可替代地经配置为电极。在一些此类实施例中，导电材料是导电碳。
37.堆叠105的硫属化物材料可为硫属化物玻璃、硫属化物金属离子玻璃、或其它含硫属化物的材料。硫属化物材料可为包含至少一个硫属化物原子及至少一或多个正电性元素的二元或多元(三元、四元等)化合物。如本文中使用，术语“硫属化物”意味着且包含周期表的vi族的元素，例如氧(o)、硫(s)、硒(se)或碲(te)。正电性元素可包含(但不一定限于)氮(n)、硅(si)、镍(ni)、镓(ga)、锗(ge)、砷(as)、银(ag)、铟(in)、锡(sn)、锑(sb)、金(au)、铅(pb)、铋(bi)或其组合。仅通过实例，硫属化物材料可包含含有ge、sb及te的化合物(即，gst化合物)，例如ge2sb2te5，然而，本公开不限于此且硫属化物材料可包含含有至少一个硫属化物元素的其它化合物。硫属化物材料可为掺杂或未掺杂的且可在其中混合有金属离子。
仅通过实例，硫属化物材料可为包含铟、硒、碲、锑、砷、铋、锗、氧、锡或其组合的合金。在一些实施例中，堆叠105包含一个(例如，单一)硫属化物材料。在其它实施例中，堆叠105包含两种硫属化物材料。
38.堆叠105的硬掩模材料可相对于堆叠105中的其它材料且相对于在后续工艺动作期间形成于堆叠105上的另一导电材料展现不同蚀刻选择性。硬掩模材料可包含(但不限于)氮化硅或非晶碳。可在进行后续工艺动作之前移除硬掩模材料。在一些实施例中，硬掩模材料是氮化硅。
39.堆叠105的材料可经定位成彼此邻近(例如，竖直邻近)。然而，为简单起见，堆叠105的材料被展示为图1a到4中的单一材料。堆叠105的材料可通过常规技术形成为彼此竖直邻近且材料经图案化以形成通过开口115彼此分离的堆叠105。可通过常规技术(例如通过使用常规光刻技术来蚀刻材料)图案化材料(例如，移除材料的一部分)。材料可举例来说暴露于非等向性蚀刻工艺(例如干式等离子体蚀刻工艺或反应性离子蚀刻工艺)以形成堆叠105。可使用常规蚀刻化学及蚀刻条件来形成堆叠105及开口115。堆叠105可为具有大于或等于约5:1(例如从约5:1到约100:1、从约5:1到约50:1、从约10:1到约40:1、从约10:1到约30:1、从约10:1到约20:1、从约20:1到约50:1、从约20:1到约40:1、或从约20:1到约30:1)的宽高比(即，宽度与深度的比率)的高宽高比(har)特征。开口115还可展现高宽高比。可以从约3nm到约100nm(例如从约10nm到约30nm、从约15nm到约25nm或从约15nm到约20nm)的一半节距形成堆叠105。在一些实施例中，以20nm的一半节距形成堆叠105。在其它实施例中，以14nm的一半节距形成堆叠105。除堆叠105经配置为线以外，还可使用例如柱的其它几何形状。
40.衬里110a、110b(如果存在)可形成为邻近于堆叠105(例如，在堆叠105上方)，如图1b中展示。衬里110a、110b可通过常规技术由电介质材料保形地形成。衬里110a、110b以足以在形成密封材料125(参见图2a及2b)之前或之后进行的工艺动作(例如蚀刻工艺(例如，干式蚀刻工艺、湿式蚀刻工艺)或基于等离子体的工艺(例如致密化工艺))期间保护堆叠105的材料的厚度形成于堆叠105的侧壁上。衬里110a、110b还可在清洁堆叠105所进行的工艺动作期间保护堆叠105的材料。仅通过实例，可在堆叠105的上覆材料的初始图案化之后移除堆叠105的第一导电材料(例如钨)的一部分。可在第一导电材料的图案化期间移除衬里110a、110b的至少一部分。例如，在第一导电材料的图案化期间，可移除堆叠105的侧壁上的衬里110a、110b的一部分，而衬里110a、110b的另一部分可保留在堆叠105的侧壁上。蚀刻化学及蚀刻条件可举例来说从导电材料的侧壁移除衬里110a、110b的部分，而衬里110a、110b保留在硫属化物材料或硬掩模材料的侧壁上。虽然图1b将衬里110a、110b展示为大体上连续材料，但归因于所使用的蚀刻化学及蚀刻条件，衬里110a、110b事实上可在第一导电材料的图案化期间变得不连续。
41.如图1a及1b中展示，堆叠结构100的邻近堆叠105以距离d1彼此分离。取决于形成堆叠结构100的堆叠105的节距、任选衬里110a、110b的厚度、及是否移除任选衬里110a、110b的全部或一部分，距离d1可在从约3nm到约300nm(例如从约20nm到约60nm、从约20nm到约40nm、或从约40nm到约60nm)的范围内。可取决于含有堆叠结构100的电子装置中的堆叠结构100的预期使用而选择堆叠105的节距。如下文更详细地描述，堆叠结构100可存在于电子装置的存储器单元中。
42.密封材料125形成为邻近堆叠结构100的堆叠105的材料(例如，在所述材料上方)，如图2a中展示。替代地，如果存在衬里110a、110b的全部或一部分，那么密封材料125可形成于衬里110a、110b上方，如图2b中展示。密封材料125可大体上囊封堆叠105的材料。密封材料125的金属氧化物材料(例如，金属氧化物、金属硅酸盐)可选定为可相对于随后形成于堆叠105上方的导电材料选择性地蚀刻，通过稍后工艺动作移除所述金属氧化物材料的一部分以形成举例来说位线。密封材料125可大体上围绕(例如，囊封)堆叠105及衬里110a、110b(如果存在)，例如在其顶部表面及侧壁上方。密封材料125可存在于堆叠105的三个表面上，从而提供防止水通过密封材料125并进入堆叠105中的气密势垒。密封材料125可直接接触衬里110a、110b(如果存在)或可直接接触堆叠105。后续图式说明与堆叠105直接接触的密封材料125。然而，衬里110a、110b(如果存在)可介入密封材料125与堆叠105之间。
43.可以足够厚度形成密封材料125以保护堆叠105的材料及衬里110a、110b(如果存在)使之免受后续工艺动作的影响，如果材料在后续工艺动作期间保持暴露，那么此可氧化或以其它方式损坏堆叠105的材料。密封材料125还可在含有密封材料125的电子装置的使用及操作期间(例如在可能存在高温及电场时)提供保护。当在堆叠105之间形成填充材料140(参见图3)时，可以足以提供所要势垒性质而不会在堆叠105的上部周围形成瓶颈或面包状囤积的最小厚度形成密封材料125。密封材料125的厚度可在从约1.0nm到约5.0nm(例如从约1.0nm到约2.0nm、从约1.0nm到约2.5nm、从约1.0nm到约3.0nm、或从约1.0nm到约4.0nm)的范围内。在一些实施例中，密封材料125的厚度从约1.0nm到约2.5nm。相对于用作常规密封材料的pecvd sin/peald sio
x
的势垒性质及厚度，密封材料125在较低厚度下可展现相当或增加的势垒性质。因此，相对于常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料，密封材料125提供每单位密封厚度的相当或增加的势垒性质。
44.密封材料125可保形地形成于堆叠105上方且可在堆叠105的侧壁及上部上方形成大体上连续材料。密封材料125可大体上无针孔或其它间断点。密封材料125可形成于开口115中，开口115由堆叠105的侧壁或衬里110b的侧壁(如果存在)界定。密封材料125可形成于堆叠105或衬里110b上(例如，邻近堆叠105或衬里110b)，从而减小开口115到开口115'的大小。在形成密封材料125之后，堆叠105以小于距离d1的距离d2彼此分离。距离d2可使填充材料140(参见图4)足以形成于开口115'中而无空隙形成于填充材料140中。密封材料125可展现高度保形性及高度厚度均匀性(例如，高阶梯覆盖率)，从而减少或消除堆叠105之间的瓶颈及所谓的“面包状囤积”。由于在形成密封材料125之后在堆叠105之间留有足够空间，因此堆叠105的上部处或之间大体上未出现瓶颈或面包状囤积。密封材料125可展现至少约95％(例如大于约98％或大于约99％)的保形性。密封材料125的厚度覆盖率(例如，侧壁上的密封材料125的厚度与上部上的密封材料125的厚度的比率)可为约1:1。因此，根据本公开的实施例的密封材料125使堆叠105能够较紧密地形成在一起而不会在邻近堆叠105之间出现瓶颈或“面包状囤积”。
45.密封材料125可举例来说为金属氧化物或金属硅酸盐。金属氧化物可为氧化铝或过渡金属氧化物，包含(但不限于)氧化铪或氧化锆。然而，过渡金属可排除钛。金属氧化物还可包含铝及过渡金属中的一或多者，即，混合金属氧化物，例如氧化铝铪、氧化铝锆或氧化铪锆。混合金属氧化物可包含从约5原子百分比到约50原子百分比的量的氧。金属硅酸盐可为硅酸铝或过渡金属硅酸盐，包含(但不限于)硅酸铪或硅酸锆。金属硅酸盐还可包含铝
及过渡金属中的一或多者，即，混合金属硅酸盐，例如硅酸铝铪、硅酸铝锆或硅酸铪锆。金属硅酸盐可为化学计量化合物或非化学计量化合物，例如掺杂硅的金属氧化物或金属氧化物及氧化硅的合金。相对于金属硅酸盐的金属，金属硅酸盐中的硅的量可在从约5原子百分比到约80原子百分比(例如从约10原子百分比到约80原子百分比、从约20原子百分比到约50原子百分比、从约20原子百分比到约40原子百分比、从约20原子百分比到约30原子百分比、从约50原子百分比到约80原子百分比、从约60原子百分比到约80原子百分比、或从约70原子百分比到约80原子百分比)的范围内。密封材料125的金属氧化物材料的组合物跨其厚度可为大体上均匀的。通过适当地选择密封材料125的金属，可最小化堆叠105中的硫属化物材料的损失。仅通过实例，如果密封材料125的金属是铪，那么与密封材料125的金属是铝的情况相比，可观察到来自堆叠105的硫属化物材料的较低损耗。在不受任何理论束缚的情况下，硫属化物材料的较低损耗可归因于金属前驱体与其它材料的热化学相互作用。密封材料125可替代地为金属氮化物或混合金属氮化物，例如氮化铝或过渡金属氮化物。仅通过实例，金属氮化物可为氮化铝、氮化铪、氮化锆、氮化铝铪、氮化铝锆、或氮化铪锆。
46.可在稍后工艺动作期间取决于密封材料125相较于其它暴露材料(例如硬掩模材料或另一导电材料)的蚀刻速率选择性而选择密封材料125的金属氧化物材料(例如，金属氧化物或金属硅酸盐)。密封材料125的金属氧化物材料可经选择以展现大体上类似于待在稍后工艺动作期间移除的其它暴露材料的蚀刻速率。密封材料125经选择使得与其它暴露材料相比可以高蚀刻选择性按相对快速蚀刻速率移除密封材料125的一部分。通过增大或减小密封材料125的硅含量，可定制密封材料125的蚀刻速率及蚀刻速率选择性。仅通过实例，当暴露于相同干式蚀刻条件时，与对应金属氧化物相比，金属硅酸盐展现更快蚀刻速率及与其它暴露材料的更紧密匹配(例如，类似)蚀刻速率。因此，当期望更快蚀刻时，可选择金属硅酸盐而非对应金属氧化物作为密封材料125。替代地，可增加或减少密封材料125中的硅量以定制蚀刻选择性。密封材料125及硬掩模材料可展现类似蚀刻速率及蚀刻速率选择性使得可在后续工艺动作期间大体上同时移除密封材料125及硬掩模材料。
47.可通过保形工艺(例如通过原子层沉积(ald)工艺，其与形成常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料的氮化硅及氧化硅的常规技术相比具较小侵蚀性)形成根据本公开的实施例的密封材料125。与形成用于其它应用中的金属氧化物或金属硅酸盐的常规ald工艺相比，可在较低温度下进行根据本公开的实施例的ald工艺。仅通过实例，可在小于或等于约225℃的温度下进行ald工艺，所述温度明显低于形成金属氧化物或金属硅酸盐的常规ald工艺的275℃或更高的温度。温度可足以使金属前驱体与氧化剂反应以形成金属氧化物材料。仅通过实例，可在介于约100℃与225℃之间、介于约120℃与225℃之间、介于约140℃与200℃之间、介于约140℃与190℃之间、介于约140℃与180℃之间、介于约140℃与170℃之间、介于约140℃与160℃之间、介于约140℃与155℃之间、介于约145℃与170℃之间、介于约145℃与160℃之间、介于约145℃与155℃之间、介于约140℃与170℃之间、介于约140℃与160℃之间、介于约145℃与165℃之间、或介于约145℃与155℃之间的温度下进行ald工艺。在一些实施例中，在约150℃下进行ald工艺。因此，通过热ald工艺而非通过等离子体增强(pe)ald工艺形成密封材料125。减少或大体上消除堆叠105的材料暴露于等离子体条件可减少或大体上消除堆叠105的敏感材料的氧化。与形成pecvd sin/peald sio
x
密封材料的常规工艺中的温度相比，通过低温ald工艺形成密封材料125可大体上减少或消除对堆
叠105的敏感材料的损坏。
48.形成密封材料125的ald工艺还可利用与常规ald工艺相比的较小反应性化学，例如通过使用较小反应性氧化剂。氧化剂可举例来说为水、过氧化氢、氧气(o2)、或其组合。在一些实施例中，氧化剂是水。与使用较强氧化剂形成pecvd sin/peald sio
x
密封材料的常规工艺相比，通过利用水作为氧化剂，可大体上减少或消除对堆叠105的敏感材料的损坏。与利用臭氧或含氧等离子体相比，利用水作为氧化剂还可导致对其它暴露材料的较少损坏。
49.如果密封材料125是金属氧化物，那么ald工艺可利用所要金属的常规金属ald前驱体，包含(但不限于)铝ald前驱体、铪ald前驱体、锆ald前驱体、或其组合。如所属领域中已知，金属ald前驱体与氧化剂反应以在堆叠结构100上形成金属氧化物。金属ald前驱体及氧化剂(例如，水)可经选择以彼此充分反应以在低温工艺条件下反应以形成密封材料125。金属ald前驱体及氧化剂(例如，水)可彼此充分反应，而不使用等离子体条件。
50.如果密封材料125是金属硅酸盐，那么ald工艺可利用先前提及的常规金属ald前驱体及常规硅ald前驱体中的一者。如所属领域中已知，金属ald前驱体、硅ald前驱体及氧化剂(例如，水)经反应以形成金属硅酸盐作为密封材料125。金属ald前驱体、硅ald前驱体及氧化剂(例如，水)可经选择以彼此充分反应以在低温工艺条件下反应以形成密封材料125。金属ald前驱体、硅ald前驱体及氧化剂(例如，水)可彼此充分反应，而不使用等离子体条件。
51.为形成金属氧化物作为密封材料125，可将包含堆叠105及衬里110a、110b(如果存在)的堆叠结构100放置到常规ald腔室中且将金属前驱体及氧化剂循序地引入到ald腔室中，如所属领域中已知。可重复金属前驱体及氧化剂的循环直到实现金属氧化物的所要厚度。为形成金属硅酸盐作为密封材料125，可将包含堆叠105及衬里110a、110b(如果存在)的堆叠结构100放置到ald腔室中且将金属前驱体、硅ald前驱体及氧化剂循序地引入到ald腔室中，如所属领域中已知。可重复金属前驱体、硅ald前驱体及氧化剂的循环直到实现金属硅酸盐的所要厚度。所属领域中已知ald前驱体、ald工艺及ald腔室且因此在本文中未对其详细论述。
52.堆叠结构100还可包含在密封材料125的上表面上的罩盖135，如图2a及2b中展示。罩盖135可原位或非原位形成于密封材料125上。出于说明目的在图2a及2b中放大罩盖135相对于密封材料125的厚度的厚度。罩盖135可在密封材料125与随后形成的填充材料140(参见图3)之间提供改进界面性质，从而使填充材料140能够形成于开口115'中而不会形成空隙。罩盖135可举例来说为高质量氧化硅材料。罩盖135可通过ald工艺(例如通过低温ald工艺或通过peald工艺)形成于密封材料125上方。罩盖135可为高度保形且展现高度厚度均匀性。在一些实施例中，罩盖135是氧化硅材料且通过热ald工艺原位形成。如果使用金属氧化物作为密封材料125，那么罩盖135的氧化硅材料可原位形成于金属氧化物上方。可通过在形成密封材料125的热ald工艺结束时将硅ald前驱体及氧化剂(例如，水)循序地引入到ald腔室而形成罩盖135。还可使用臭氧作为氧化剂以形成罩盖135，此是因为密封材料125已保护底层材料使之免受损坏。可进行硅ald前驱体及水的循序引入直到实现罩盖135的所要厚度。如果使用金属硅酸盐作为密封材料125，那么可通过在形成密封材料125的热ald工艺结束时仅循序地引入硅ald前驱体及水而将罩盖135的氧化硅材料原位形成于金属硅酸
盐上方。ald工艺可以用于形成金属硅酸盐的硅ald前驱体及水的循环终止。可进行硅ald前驱体及水的循序引入直到实现罩盖135的所要厚度。
53.在其它实施例中，罩盖135是通过peald工艺非原位形成的氧化硅材料。可通过在形成密封材料125之后在等离子体条件下将硅ald前驱体及氧化剂循序地引入到ald腔室而将罩盖135非原位形成于密封材料125上方。可进行硅ald前驱体及氧化剂的循序引入直到实现罩盖135的所要厚度。由于密封材料125已形成于堆叠105上方，因此等离子体条件不会氧化或以其它方式损坏堆叠105的材料。
54.填充材料140可形成于邻近堆叠105之间的开口115'中，如图3中展示。填充材料140可举例来说为电绝缘材料，例如电介质材料。填充材料140可为部分牺牲材料，此是因为在完成包含堆叠结构100的电子装置之前随后部分移除填充材料140。在完成电子装置的第一叠层之前可举例来说部分移除填充材料140。替代地，填充材料140可存在于包含堆叠结构100的电子装置中。填充材料140可举例来说为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、旋涂电介质材料(sod)、bpsg、bsg、气隙、或另一电介质材料。在一些实施例中，填充材料140是旋涂二氧化硅。在其它实施例中，填充材料140是高质量二氧化硅。然而，可使用其它填充材料140，例如通过在邻近堆叠105之间形成气隙。由于根据本公开的实施例的密封材料125未产生瓶颈或面包状囤积，因此填充材料140可大体上完全填充开口115'，如图3中展示。可大体上完全填充开口115'而未在填充材料140中形成空隙。随后可例如通过化学机械平坦化(cmp)移除堆叠105上方的过量填充材料140。另外，可从堆叠105的上表面移除密封材料125及罩盖135，从而暴露堆叠105的硬掩模材料或电极材料。然而，密封材料125及罩盖135保留在堆叠105的侧壁上。如果填充材料140是电介质材料，那么电介质材料可使电子装置的存储器单元彼此隔离且还可在后续工艺动作期间提供机械支撑以形成电子装置。
55.虽然密封材料125已被描述为包含单一化学组合物的材料，但可使用化学组合物或单一化学组合物中的化学元素的相对量不同的两个或两个以上材料作为密封结构130。密封材料125还可为包含化学元素中的一者的梯度的单一化学组合物。密封结构130包含与一或多个额外材料组合的密封材料125。举例来说，密封结构130可包含具有不同化学组合物的两个材料，例如密封材料125及氮化硅材料145，如图4中展示。密封结构130不包含(例如，排除)氧化硅。氮化硅材料145可通过举例来说pecvd形成于堆叠105上方且密封材料125可形成于氮化硅材料145上方，如上文关于图1a到图3论述。在进行热ald工艺以形成根据本公开的实施例的密封材料125之前，氮化硅材料145可形成为所要厚度。接着，罩盖135可形成于密封结构130的密封材料125上方。氮化硅材料145、密封材料125及罩盖135可保形地形成于堆叠105及任选衬里110a、110b上方且形成于堆叠115中，从而减小开口115'的大小。包含密封结构130的堆叠结构100的堆叠105可以小于距离d1的距离d3彼此分离。距离d3还小于距离d2，此是因为邻近堆叠105之间的间隔包含氮化硅材料145、密封材料125及罩盖135的组合厚度。填充材料140形成于邻近堆叠105之间的开口115'中，如上文关于图3论述。距离d3可使填充材料140足以形成于开口115'中而未在填充材料140中形成空隙。因此，堆叠结构100可包含在堆叠105上方的具有不同化学组合物的两个材料(例如，氮化硅材料145及金属氧化物材料125)，如图4中展示。密封结构130可与或不与衬里110a、110b一起使用。
56.根据本公开的实施例的密封材料125或密封结构130以低厚度提供势垒性质，从而使密封材料125能够形成而不会在邻近堆叠105之间引起面包状囤积。由于与用于形成常规
pecvd sin/peald sio
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密封材料的工艺条件相比，用于形成密封材料125的工艺条件具较小侵蚀性，因此根据本公开的实施例的密封材料125的形成未损坏或以其它方式影响堆叠105的材料，例如硫属化物材料或碳材料，即使在密封材料125直接形成于堆叠105的材料上时。因此，与运用常规pecvd sin/peald sio
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密封材料观察到的硫属化物损耗相比，可大体上减少或消除硫属化物材料的损耗。运用根据本公开的实施例的密封材料125或密封结构130观察到的硫属化物损耗是约0％，而运用常规pecvd sin/peald sio
x
密封材料观察到的硫属化物损耗介于约4％与30％之间，例如介于约4％与10％之间。
57.如果堆叠结构100包含根据本公开的实施例的密封材料125及通过原位工艺形成的罩盖135，那么可通过单一材料(即，密封材料125)囊封堆叠105的材料且保护其使之免于氧化。如果通过热ald工艺形成密封材料125，那么堆叠105的材料未暴露于等离子体条件，此减少对堆叠105的损坏。还可通过比常规sin/sio
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密封材料更具成本效率的工艺形成根据本公开的实施例的密封材料125，此是因为消除昂贵致密化动作。与形成常规pecvd sin/peald sio
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密封材料的工艺相比，通过凭借原位工艺在密封材料125上方形成罩盖135，消除peald sio
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材料的形成，此进一步减少成本且改进集成。
58.如果堆叠结构100包含密封结构130(例如，氮化硅材料145及密封材料125)及通过原位工艺形成的罩盖135，那么可通过多个材料(例如双层材料)囊封堆叠105且保护其材料使之免于氧化。与形成常规pecvd sin/peald sio
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密封材料的工艺相比，通过凭借原位工艺(例如热ald工艺)在密封结构130上方形成罩盖135，消除peald sio
x
材料的形成，此进一步减少成本且改进集成。
59.如果堆叠结构100包含氮化硅材料145、密封材料125及通过非原位工艺形成的罩盖135，那么可通过包含多个材料的密封结构130囊封堆叠105且保护其材料使之免于氧化。通过凭借非原位工艺(例如通过peald)在密封结构130上方形成罩盖135，可定制密封材料125相对于氮化硅材料145的厚度的厚度以实现密封结构130的所要势垒性质。对于密封结构130的所要总厚度，可相对于氮化硅材料145的厚度增大或减小密封材料125的厚度以实现密封结构130的所要势垒性质。peald工艺还可使罩盖135能够以增大厚度形成。
60.在后续工艺动作期间，可通过常规技术移除堆叠105的硬掩模材料且另一导电材料(例如，导电材料)形成于堆叠105的剩余材料上方。可通过常规技术图案化另一导电材料以在堆叠结构100上方形成举例来说位线(例如，数字线)或接触件。另一导电材料可直接接触堆叠105的导电材料，例如经配置为堆叠105的电极的导电材料。如图5中展示且在下文描述，另一导电材料可经配置为包含堆叠结构100的电子装置的位线506(例如，数字线)。电子装置可包含布置成行及列且包含堆叠结构100的多个存储器单元504，其中通过堆叠结构100的密封材料125及填充材料140将每一存储器单元504与其它存储器单元504隔离(例如，电隔离)。
61.因此，公开一种电子装置，所述电子装置包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构及邻近于所述一或多个材料堆叠的金属氧化物材料。一或多个堆叠的材料包括一或多种硫属化物材料。金属氧化物材料包括氧化铝、硅酸铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆、硅酸锆或其组合且所述金属氧化物材料从一或多个材料堆叠的上部连续延伸到所述一或多个材料堆叠的下部。
62.因此，公开一种电子装置，所述电子装置包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构
及邻近于所述一或多个材料堆叠的金属氧化物材料。一或多个堆叠的材料包括一或多种硫属化物材料。金属氧化物材料包括硅酸铝、过渡金属硅酸盐或其组合。
63.因此，公开一种形成电子装置的方法。方法包括形成包括一或多种硫属化物材料的材料堆叠。金属氧化物材料通过原子层沉积形成为邻近于材料堆叠。填充材料形成为邻近于金属氧化物材料且介于邻近材料堆叠之间，所述填充材料大体上无空隙。
64.可进行额外处理动作以形成电子装置，所述电子装置包含存储器单元504的阵列500，其包含根据本公开的实施例的堆叠结构100，如图5中展示。通过常规技术进行本文中未详细描述的后续工艺动作。可将包含堆叠结构100的存储器单元504定位于存取线502(例如，字线)与位线506(例如，数字线)之间。存取线502可与举例来说堆叠105的钨材料或电极(例如，底部电极)电接触且位线506可与堆叠105的另一电极(例如，顶部电极)电接触。位线506可直接上覆于包含堆叠结构100的存储器单元504的行或列且接触其顶部电极。存取线502中的每一者可在第一方向上延伸且可连接存储器单元504(例如，相变存储器单元)的行。位线506中的每一者可在至少大体上垂直于第一方向的第二方向上延伸且可连接存储器单元504的列。可控制施加到存取线502及位线506的电压使得电场可选择性地施加于至少一条存取线502及至少一条位线506的交叉点处，从而使包含根据本公开的实施例的堆叠结构100的存储器单元504能够选择性地操作。
65.因此，公开一种电子装置。电子装置包括存储器单元阵列及电耦合到所述存储器单元的存取线及位线。存储器单元包括含有一或多种硫属化物材料的材料堆叠。密封结构直接邻近于材料堆叠且包括邻近于所述堆叠的氮化硅材料及邻近于所述氮化硅材料的金属氧化物材料。
66.根据本公开的实施例的电子装置600(例如，pcram存储器装置)示意性地展示于图6的功能框图中。电子装置600可包含介于至少一条位线506与至少一条源极线622之间的至少一个存储器单元504。存储器单元504可大体上类似于上文参考图5描述的存储器单元504。存储器单元504可耦合到存取装置610。存取装置610可充当用于啓用及停用通过存储器单元504的电流的切换器。通过非限制性实例，存取装置610可为晶体管(例如，场效应晶体管、双极结型晶体管等)，其中栅极连接到存取线(例如，存取线502)。存取线502可在大体上垂直于位线506的方向的方向上延伸。位线506及源极线622可连接到用于编程及读取存储器单元504的逻辑。控制多路复用器630可具有连接到位线506的输出。可通过控制逻辑线632控制控制多路复用器630以在连接到脉冲产生器626的第一输入与连接到读取感测逻辑628的第二输入之间选择。
67.在编程操作期间，可将大于存取装置610的阈值电压的电压施加到存取线502以导通存取装置610。导通存取装置610通过存储器单元504完成源极线622与位线506之间的电路。在导通存取装置610之后，偏压产生器629可通过脉冲产生器626在位线506与源极线622之间建立偏置电压电势差。在读取操作期间，偏压产生器629可通过读取感测逻辑628在位线506与源极线622之间建立读取偏置电压电势差。读取偏置电压可低于复位偏置电压。读取偏置电压使电流能够流动通过存储器单元504。举例来说，对于给定读取偏置电压，如果堆叠105的硫属化物材料处于高电阻状态(例如，复位状态)，那么与堆叠105的硫属化物材料处于低电阻状态(例如，置位状态)的情况相比相对较小电流流动通过存储器单元504。可比较在读取操作期间流动通过存储器单元504的电流的量与读取感测逻辑628(例如，感测
放大器)的参考输入以区别存储于存储器单元504中的数据是否为逻辑“1”或逻辑“0”。在一些实施例中，源极线622可与存取线502重合且可能不存在存取装置610。脉冲产生器626及读取感测逻辑620可以足以使存储器单元504自选择的电压偏置存取线502。
68.如图7中展示，还公开系统700且其包含根据本公开的实施例的存储器单元504。图7是根据本文中描述的一或多个实施例实施的系统700的简化框图。系统700可包括举例来说计算机或计算机硬件组件、服务器或其它联网硬件组件、蜂窝式电话、数码相机、个人数字助理(pda)、便携式媒体(例如，音乐)播放器、wi-fi或具备蜂窝功能的平板计算机(例如(例如)或平板计算机)、电子书、导航装置等。系统700包含至少一个电子装置600，其包含包括如先前描述的堆叠结构100的存储器单元504。系统700可进一步包含用以控制系统700中的系统功能及请求的处理的至少一个处理器702，例如微处理器。系统700的处理器702及其它子组件可包含根据本公开的实施例的存储器单元504。处理器702可任选地包含如先前描述的一或多个电子装置600。
69.系统700可包含与处理器702可操作通信的电力供应器704。举例来说，如果系统700是便携式系统，那么电力供应器704可包含燃料电池、电力清除装置、永久电池、可替换电池及可再充电电池中的一或多者。电力供应器704还可包含ac配接器。因此，举例来说，可将系统700插入到壁式插座中。举例来说，电力供应器704还可包含dc配接器使得可将系统700插入到车载点烟器或车载电力端口中。
70.各种其它装置可取决于系统700执行的功能而耦合到处理器702。举例来说，输入装置706可耦合到处理器702。输入装置706可包含例如按钮、切换器、键盘、光笔、鼠标、数字化器及触控笔、触摸屏、语音辨识系统、麦克风或其组合的输入装置。显示器708还可耦合到处理器702。显示器708可包含lcd显示器、sed显示器、crt显示器、dlp显示器、等离子体显示器、oled显示器、led显示器、三维投射、音频显示器、或其组合。此外，rf子系统/基带处理器710还可耦合到处理器702。rf子系统/基带处理器710可包含耦合到rf接收器且耦合到rf传输器(未展示)的天线。通信端口712、或一个以上通信端口712还可耦合到处理器702。举例来说，通信端口712可经调适以耦合到一或多个外围装置714(例如调制解调器、打印机、计算机、扫描器、或相机)或耦合到网络(例如局域网、远程区域网络、内联网或因特网)。
71.处理器702可通过实施存储于存储器中的软件程序而控制系统700。举例来说，软件程序可包含操作系统、数据库软件、绘图软件、字处理软件、媒体编辑软件、或媒体播放软件。存储器可操作地耦合到处理器702以存储各种程序且促进各种程序的执行。举例来说，处理器702可耦合到系统存储器716，其可包含相变随机存取存储器(pcram)及其它已知存储器类型。系统存储器716可包含易失性存储器、非易失性存储器或其组合。系统存储器716通常为大的，使得其可存储动态载入应用程序及数据。在一些实施例中，系统存储器716可包含电子装置(例如图6的电子装置600)及存储器单元(例如上文参考图5描述的存储器单元504)。
72.处理器702还可耦合到非易失性存储器718，这并不意味系统存储器716必须为易失性的。非易失性存储器718可包含待结合系统存储器716使用的pcram。非易失性存储器718的大小通常选择为恰好足够大以存储任何必要操作系统、应用程序及固定数据。此外，举例来说，非易失性存储器718可包含高容量存储器，例如磁盘驱动存储器，例如包含电阻式存储器或其它类型的非易失性固态存储器的混合驱动器。非易失性存储器718可包含电
子装置(例如图6的电子装置600)及存储器单元(例如上文参考图5描述的存储器单元504)。
73.因此，公开包括处理器及可操作地耦合到所述处理器的电子装置的系统。电子装置包括存储器单元，所述存储器单元包括含有一或多种硫属化物材料的材料堆叠及邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料。金属氧化物材料包括金属氧化物或金属硅酸盐且金属包括铝或过渡金属。金属氧化物材料经配制以气密地密封材料堆叠。处理器可操作地耦合到输入装置及输出装置。
74.下文描述本公开的额外非限制性实例实施例。
75.实施例1：一种电子装置，其包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构，所述一或多个堆叠的所述材料包括一或多种硫属化物材料。所述电子装置还包括邻近于所述一或多个材料堆叠的金属氧化物材料。所述金属氧化物材料包括氧化铝、硅酸铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆、硅酸锆或其组合且所述金属氧化物材料从所述一或多个材料堆叠的上部连续延伸到所述一或多个材料堆叠的下部。
76.实施例2：根据实施例1所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料与所述一或多个堆叠直接接触。
77.实施例3：根据实施例1或实施例2所述的电子装置，其进一步包括与所述金属氧化物材料的第一表面上的罩盖直接接触的填充材料及与所述金属氧化物材料的第二表面直接接触的所述一或多个堆叠。
78.实施例4：根据实施例1到3中任一实施例所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料与所述一或多个堆叠上的衬里直接接触。
79.实施例5：根据实施例1到4中任一实施例所述的电子装置，其进一步包括与所述金属氧化物材料的第一表面上的罩盖直接接触的填充材料及与所述金属氧化物材料的第二表面直接接触的所述衬里。
80.实施例6：根据实施例1到5中任一实施例所述的电子装置，其中邻近堆叠以从约10nm到约30nm的一半节距间隔。
81.实施例7：一种电子装置，其包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构，所述一或多个堆叠的所述材料包括一或多种硫属化物材料。所述电子装置还包括邻近于所述一或多个堆叠的金属氧化物材料。所述金属氧化物材料包括硅酸铝、过渡金属硅酸盐或其组合。
82.实施例8：根据实施例7所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料包括从约1.0nm到约2.5nm的厚度。
83.实施例9：根据实施例7或实施例8所述的电子装置，其中所述一或多个堆叠进一步包括一或多种碳材料。
84.实施例10：根据实施例7到9中任一实施例所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料包括从约20原子百分比到约80原子百分比的硅。
85.实施例11：一种电子装置，其包括存储器单元阵列，所述存储器单元包括含有一或多种硫属化物材料的材料堆叠。密封结构直接邻近于所述材料堆叠且所述密封结构包括邻近于所述堆叠的氮化硅材料及邻近于所述氮化硅材料的金属氧化物材料。存取线及位线电耦合到所述存储器单元。
86.实施例12：根据实施例11所述的电子装置，其中所述堆叠包括从约10:1到约50:1的宽高比。
87.实施例13：根据实施例11或实施例12所述的电子装置，其中所述堆叠包括单一硫属化物材料。
88.实施例14：根据实施例11到13中任一实施例所述的电子装置，其中所述氮化硅材料与所述堆叠的侧壁直接接触，所述金属氧化物材料与所述氮化硅材料的侧壁直接接触，且所述氮化硅材料及所述金属氧化物材料不存在于所述堆叠的上表面上。
89.实施例15：根据实施例11到14中任一实施例所述的电子装置，其进一步包括与所述堆叠的上部中的导电材料直接接触的导电材料及与所述堆叠的下部中的导电材料直接接触的另一导电材料。
90.实施例16：根据实施例11到15中任一实施例所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料包括氧化铝铪、氧化铝锆、氧化铪锆、硅酸铝铪、硅酸铝锆、或硅酸铪锆。
91.实施例17：一种形成电子装置的方法，所述方法包括形成包括一或多种硫属化物材料的材料堆叠。金属氧化物材料通过原子层沉积(ald)形成为邻近于所述材料堆叠。填充材料形成为邻近于所述金属氧化物材料且介于邻近材料堆叠之间，所述填充材料大体上无空隙。
92.实施例18：根据实施例17所述的方法，其中形成包括一或多种硫属化物材料的材料堆叠包括形成包括所述一或多种硫属化物材料及一或多种碳材料的所述材料堆叠。
93.实施例19：根据实施例17或实施例18所述的方法，其中形成邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料包括形成与所述材料堆叠直接接触的所述金属氧化物材料。
94.实施例20：根据实施例17到19中任一实施例所述的方法，其中形成邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料包括在介于约140℃与200℃之间的温度下保形地形成所述金属氧化物材料。
95.实施例21：根据实施例17到20中任一实施例所述的方法，其中通过ald形成邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料包括通过使铝ald前驱体、锆ald前驱体、铪ald前驱体或其组合与水反应而形成所述金属氧化物材料。
96.实施例22：根据实施例17到21中任一实施例所述的方法，其中形成邻近于所述金属氧化物材料且介于邻近堆叠之间的填充材料包括用所述填充材料完全填充所述邻近材料堆叠之间的开口。
97.实施例23：一种系统，其包括输入装置、输出装置、可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置的处理器、及可操作地耦合到所述处理器的电子装置。所述电子装置包括存储器单元且所述存储器单元包括含有一或多种硫属化物材料的材料堆叠。所述存储器单元还包括邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括金属氧化物或金属硅酸盐且所述金属包括铝或过渡金属，且所述金属氧化物材料经配制以气密地密封所述材料堆叠。
98.实施例24：根据实施例23所述的系统，其进一步包括在所述金属氧化物材料与所述材料堆叠之间的氮化硅材料。
99.虽然已结合图描述特定阐释性实施例，但所属领域的一般技术人员将辨识并了解，本公开涵盖的实施例不限于本文中明确展示且描述的所述实施例。而是，可在不脱离本公开涵盖的实施例的范围的情况下进行本文中描述的实施例的许多添加、删除及修改，例如下文中主张的所述添加、删除及修改，包含合法等效物。另外，来自一个所公开实施例的
特征可与另一所公开实施例的特征组合同时仍涵盖于本公开的范围内。