显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置。


背景技术：

2.发光显示装置可以包括与像素对应的发光元件(light emitting diodes)，并且控制各个发光元件的亮度来显示图像。与诸如液晶显示装置的光接收型显示装置不同，发光显示装置不需要诸如背光的光源，因此可以减小厚度和重量。并且，发光显示装置具有亮度高、对比度高、颜色再现性高、反应速度快等特性，从而能够显示高品质的图像。
3.由于这些优点，发光显示装置被应用于诸如智能电话和平板电脑的移动装置、监视器、电视机等多种电子装置，并且作为汽车用显示装置而受到关注。


技术实现要素：

4.实施例用于提供一种量子点颜色转换层的光转换效率得到提高的显示装置。
5.根据一实施例的显示装置包括：光发射部，包括发射第一蓝色光的第一发光元件以及发射中心波长与第一蓝色光不同的第二蓝色光的第二发光元件；量子点颜色转换部，包括在光发射部上以与第二发光元件重叠的方式布置的量子点颜色转换层。
6.第二蓝色光的中心波长相比于第一蓝色光的中心波长可以为短波长。
7.第一蓝色光的中心波长可以为450nm至460nm。
8.第二蓝色光的中心波长可以为390nm至450nm。
9.第一发光元件及第二发光元件为有机发光元件(organic light emitting diode)、微型发光元件(μ-led：micro light emitting diode)或纳米发光元件(nano-led：nano light emitting diode)。
10.有机发光元件可以包括有机发光层、位于有机发光层的一面的第一电荷传递区域以及有机发光层的另一面的第二电荷传递区域。
11.微型发光元件可以包括第一导电型半导体层、与第一导电型半导体层重叠的第二导电型半导体层以及位于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层。
12.纳米发光元件可以为纳米尺寸的棒形发光二极管。
13.光发射部可以包括发射第三蓝色光的第三发光元件。
14.第三蓝色光的中心波长可以为450nm至460nm或390nm至450nm。
15.量子点颜色转换部可以包括将第二蓝色光转换为第三光的第一量子点颜色转换层以及将第二蓝色光转换为第四光的第二量子点颜色转换层。
16.第三光可以为绿色光，第四光可以为红色光。
17.量子点颜色转换层可以包括包含iii-vi族半导体化合物、ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、i-ii-iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物或者它们的组合的量子点。
18.量子点可以包括inp、inznp、ingap、zns、znse、znses、znsete或者它们的组合。
19.量子点可以包括核及壳，所述核包括第一半导体纳米结晶，所述壳布置于核上且包括具有与第一半导体纳米结晶不同的组成的第二半导体纳米结晶。
20.量子点可以在最外层包括znse、zns、znses、znsete或者它们的组合。
21.量子点颜色转换部还可以包括：透射层，以与第一发光元件重叠的方式布置，并且不包括量子点。
22.量子点颜色转换部可以在量子点颜色转换层之间还包括将量子点颜色转换层彼此分离的隔壁。
23.在量子点颜色转换部上还可以包括有机平坦化层。
24.可以包括：滤色器部，包括在量子点颜色转换部上以与量子点颜色转换层重叠的方式布置的滤色器。
25.根据实施例，可以提供在不降低蓝色色坐标的情况下提高量子点颜色转换层的光转换效率及面板可靠性的显示装置。
附图说明
26.图1是根据一实施例的显示装置的示意性的立体图。
27.图2是根据一实施例的显示装置的示意性的剖视图。
28.图3是示出量子点的光吸收光谱和oled及纳米级led的蓝色发光光谱的一示例的图表。
29.图4是示出根据蓝色光光源的中心波长的量子点的光转换效率的一示例的图表。
30.图5是示出有机发光元件的一示例的剖视图。
31.图6是示出微型发光元件的一示例的剖视图。
32.图7及图8是示出纳米发光元件的一示例的立体图及剖视图。
33.图9是根据另一实施例的显示装置的示意性的剖视图。
34.附图标记说明
35.100：显示装置3：量子点
36.3r：红色量子点3g：绿色量子点
37.110：基板111：像素电路部
38.120：光发射部120a：第一发光元件
39.120b：第二发光元件120c：第三发光元件
40.121：保护层130：量子点颜色转换部
41.130g：第一量子点颜色转换层130r：第二量子点颜色转换层
42.140：透射层160：隔壁
43.170：外涂层190：滤色器部
44.190b：第一滤色器190g：第二滤色器
45.190r：第三滤色器191：黑矩阵
46.191a：第一黑矩阵层191b：第二黑矩阵层
47.b、g、r：像素
具体实施方式
48.参照附图对本发明的多个实施例进行详细说明，以使在本发明所属技术领域中具有基本知识的人可以容易地实施。
49.为了便于说明，任意地示出了附图中示出的各个构成的大小以及厚度。
50.当提及层、膜、区域、板等部分位于另一构成“上方”或者“之上”时，其不仅包括位于另一构成“紧邻的上方”的情形，还包括在两者中间还有其他构成的情形。与此相反，当提及到某一构成位于另一构成“紧邻的上方”时，表示在两者中间没有其他构成。
51.在本说明书中，当提及某一部分“包括”某一构成要素时，在没有相反的记载的前提下，表示还可能包括其他构成要素。
52.以下，只要没有单独的定义，“取代”是指化合物或相应残基由选自c1至c30的烷基、c2至c30的炔基、c6至c30的芳基、c7至c30的烷基芳基、c1至c30的烷氧基、c1至c30的杂烷基、c3至c30的杂烷基芳基、c3至c30的环烷基、c3至c15的环烯基、c6至c30的环炔基、c2至c30的杂环烷基、卤素(-f、-cl、-br或-i)、羟基(-oh)、硝基(-no2)、氰基(-cn)、氨基(-nrr'，在此，r和r'彼此独立地为氢或c1至c6烷基)、叠氮基(-n3)、脒基(-c(＝nh)nh2)、肼基(-nhnh2)、腙基(＝n(nh2))、醛基(-c(＝o)h)、氨基甲酰基(carbamoyl group)(-c(o)nh2)、硫醇基(-sh)、酯基(-c(＝o)or，在此，r为c1-c6烷基或c6-c12芳基)、羧基(-cooh)或其盐(-c(＝o)om，在此，m为有机或无机阳离子)、磺酸基(-so3h)或其盐(-so3m，在此，m为有机或无机阳离子)、磷酸基(-po3h2)或其盐(-po3mh或-po3m2，在此，m为有机或无机阳离子)及其组合的取代基来代替氢而被取代的情形。
53.在本说明书中，“族”是指周期表上的族(group)。
54.在此，“i族”可以包括ia族及ib族，包括li、na、k、rb、cs，但不限于此。
[0055]“ii族”可以包括iia族及iib族，ii族金属的示例包括cd、zn、hg及mg，但不限于此。
[0056]“iii族”可以包括iiia族及iiib族，iii族金属的示例包括al、in、ga及tl，但不限于此。
[0057]“iv族”可以包括iva族及ivb族，iv族金属的示例可以包括si、ge及sn，但不限于此。在本说明书中，“金属”还可以包括诸如si的准金属。
[0058]“v族”包括va族，包括氮、磷、砷、锑及铋，但不限于此。
[0059]“vi族”包括via族，包括硫、硒及碲，但不限于此。
[0060]
以下，参照图1及图2，对根据一实施例的显示装置100进行说明。
[0061]
图1是根据一实施例的显示装置100的示意性的立体图，图2是图1中的a区域的示意性的剖视图。
[0062]
参照图1，显示装置100可以包括多个像素b、g、r，各个像素b、g、r选择性地发射红色(red)、绿色(green)、蓝色(blue)的光。作为一示例，显示装置100可以包括第一像素b、第二像素g及第三像素r这三种像素，第一像素b可以是蓝色像素，第二像素g可以是绿色像素，第三像素r可以是红色像素。
[0063]
沿d2方向布置的多个像素b、g、r可以发射相同的颜色的光。作为一例，沿b1设置的多个第一像素b可以发射蓝色光，沿b2设置的多个第二像素g可以发射绿色光，沿b3设置的多个第三像素r可以发射红色光。并且，包括于b1的多个第一像素b可以彼此电连接，包括于b2的多个第二像素g可以彼此电连接，并且包括于b3的多个第三像素r也可以彼此电连接。
[0064]
以下，利用作为沿d1及d3方向(d1
×
d3)截取图1中的显示装置100的a区域的剖视图的图2进行说明。
[0065]
参照图2，显示装置100包括基板110、包括位于基板110上的多个发光元件120a、120b、120c的光发射部120以及位于光发射部120上的量子点颜色转换部130。
[0066]
基板110可以是包括玻璃或塑料的透明基板。并且，根据实施例，透明基板可以包括蓝宝石(al2o3)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)、氧化镓(ga2o3)、氧化镓锂(ligao2)、氧化铝锂(lialo2)或氧化镁铝(mgal2o4)。
[0067]
并且，基板110可以是柔性基板。例如，可以包括诸如聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet：polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚芳酯(par：polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)或者它们的组合之类的耐热性及耐久性优异的塑料。
[0068]
在与像素b、g、r对应的基板110的上部和/或基板110的内部可以包括有向各个发光元件120a、120b、120c供应电流等电源并控制发光元件120a、120b、120c的像素电路部111。在图2中，为了有效的理解，利用晶体管电路图示像素电路部111。
[0069]
在对应于像素b、g、r的基板110上可以布置有包括多个发光元件120a、120b、120c的光发射部120。多个发光元件120a、120b、120c可以通过施加的电源或驱动信号而发射光。多个发光元件120a、120b、120c可以包括位于显示装置100的第一像素b的第一发光元件120a、位于第二像素g的第二发光元件120b、位于第三像素r的第三发光元件120c。
[0070]
多个发光元件120a、120b、120c可以发射蓝色光。作为一例，从多个发光元件120a、120b、120c发射的光的中心波长可以为约390nm至约460nm。
[0071]
此时，第一发光元件120a可以发射第一蓝色光，第二发光元件120b可以发射中心波长与第一蓝色光不同的第二蓝色光。
[0072]
作为一例，第二蓝色光的中心波长相比于第一蓝色光的中心波长可以为短波长。如后文所述，由第一发光元件120a发射的第一蓝色光穿过透射层140，由第二发光元件120b发射的第二蓝色光通过在第二发光元件120b上以与第二发光元件120b重叠的方式布置的量子点颜色转换层130g而进行颜色转换。即，第二蓝色光使用相对短的波长而增加量子点颜色转换层130g的光转换效率及颜色纯度，并且使通过透射层140进入到眼睛的第一蓝色光使用相对长的波长，以避免损害眼睛健康。
[0073]
图3是示出包含铟和磷的绿色量子点(inp)的光吸收光谱和oled及纳米级led(nano-led)的蓝色发光光谱(0度至60度角平均)的一示例的图表，并且图4是示出基于蓝色光光源的中心波长的所述量子点(inp)的光转换效率的一示例的图表。
[0074]
参照图3，量子点(inp)在蓝色光区域中的光吸收光谱是右下向曲线，可以得知随着蓝色光的中心波长变得更短，光吸收率将会增加。实际上，在使用发射中心波长为约462nm的蓝色光的oled作为光源的情况下，所述量子点(inp)的蓝色光吸收率为77.5％，光变换效率为26.7％，并且发光波长的半峰全宽为28nm，与此相比，在使用发射中心波长为约444nm的蓝色光的纳米级led作为光源的情况下，所述量子点(inp)的蓝色光吸收率增加为85.1％，光变换效率增加为31.5％，并且发光波长的半峰全宽减小为21nm。
[0075]
因此，在使用第二蓝色光相比于第一蓝色光为短波长的蓝色光的情况下，可以在不降低蓝色坐标且不损害眼睛健康的情况下增加量子点颜色转换层的光转换效率及颜色
纯度，从而提供面板可靠性得到提高的显示装置。
[0076]
例如，第一蓝色光的中心波长可以是450nm至460nm。
[0077]
例如，第二蓝色光的中心波长可以是390nm至450nm，作为一例，可以是400nm至445nm。
[0078]
另外，第三发光元件120c可以发射第三蓝色光。第三蓝色光的中心波长可以与第一蓝色光和/或第二蓝色光的中心波长相同或不同。例如，第三蓝色光的中心波长可以是450nm至460nm，或者可以是390nm至450nm。
[0079]
作为一例，各个发光元件120a、120b、120c可以是有机发光元件(有机发光二极管，organic light emitting diode)、微型发光元件(微型发光二极管，μ-led：micro light emitting diode)或纳米发光元件(纳米发光二极管，nano-led：nano light emitting diode)。
[0080]
图5是示出有机发光元件的一示例的剖视图。
[0081]
参照图5，有机发光元件可以包括位于阳极电极ae与阴极电极ce之间的发光层ol。
[0082]
阳极电极ae可以是反射型电极，在这种情况下，阳极电极ae可以是包括诸如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir及cr的金属的金属层。并且，阳极电极ae还可以包括层叠于金属层上的金属氧化物层。例如，阳极电极ae也可以具有ito/ag、ag/ito、ito/mg、ito/mgf的两层结构或诸如ito/ag/ito的多层结构。
[0083]
阴极电极ce可以具有半透射性或透射性。在阴极电极ce具有半透射性的情况下，阴极电极ce可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti或者它们的化合物或混合物(例如，ag和mg的混合物)。并且，在阴极电极ce的厚度为数十埃至数百埃的情况下，阴极电极ce可以具有半透射性。
[0084]
在阴极电极ce具有透射性的情况下，阴极电极ce可以包括透明的导电性氧化物(tco：transparent conductive oxide)。例如，阴极电极ce可以包括w
xox
(tungsten oxide)、tio2(titanium oxide)、ito(indium tin oxide)、izo(indium zinc oxide)、zno(zinc oxide)、itzo(indium tin zinc oxide)、mgo(magnesium oxide)等。
[0085]
在阳极电极ae与阴极电极ce之间布置有发光层ol。作为一例，有机发光元件可以构成为串联(tandem)结构。
[0086]
发光层ol可以包括包含第一发光层eml1的第一堆叠体st1、位于第一堆叠体st1上且包含第二发光层eml2的第二堆叠体st2、位于第二堆叠体st2上且包含第三发光层eml3的第三堆叠体st3、位于第一堆叠体st1与第二堆叠体st2之间的第一电荷生成层cgl1以及位于第二堆叠体st2与第三堆叠体st3之间的第二电荷生成层cgl2。第一堆叠体st1、第二堆叠体st2及第三堆叠体st3可以布置为彼此重叠。
[0087]
第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3可以布置为彼此重叠。
[0088]
第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3中的每一个发射的光的峰值波长可以小于610nm，并且第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3中的每一个可以不发射峰值波长为610nm以上且680nm以下的光(例如，红色光)，作为一例，可以发射蓝色光。
[0089]
作为一例，第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3中的每一个可以包括主体及掺杂剂。主体只要是通常使用的物质则没有特别限制，例如，可以使用三(8-羟
基喹啉)铝(alq3：tris(8-hydroxyquinolino)aluminum))、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp：4,4'-bis(n-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk：poly(n-vinylcarbazole))、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)、4,4',4
”‑
三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tris(n-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn：3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)、二苯乙烯基亚芳基化物(dsa：distyrylarylene)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(cdbp：4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn：2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)等。
[0090]
发射蓝色光的第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3中的每一个例如可以包括包含选自由螺-dpvbi、螺-6p、二苯乙烯基-苯(dsb：distyryl-benzene)、二苯乙烯基-亚芳基化物(dsa：distyryl-arylene)、聚芴(pfo：polyfluorene)基聚合物及聚(对苯撑乙烯撑)(ppv：poly(p-phenylenevinylene))基聚合物构成的群中的任意一种的荧光物质。作为另一例，也可以包括包含选自诸如(4,6-f2ppy)2irpic之类的有机金属络合物(organometalliccomplex)的磷光物质。
[0091]
作为一例，在欲将有机发光元件应用于发射所述第一蓝色光的第一发光元件120a的情况下，第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3可以全部发射第一蓝色光，或者从第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3各自发射的光的组合可以发射出所述第一蓝色光。并且，在欲将有机发光元件应用于发射所述第二蓝色光的第二发光元件120b的情况下，第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3可以全部发射第二蓝色光，或者从第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3各自发射的光的组合可以发射出所述第二蓝色光。
[0092]
另外，在本发明中，有机发光元件的串联结构不限于此，有机发光元件还可以包括包含第四发光层(未图示)的第四堆叠体(未图示)。第四堆叠体可以位于阳极电极ae与第一堆叠体st1之间，并且在第四堆叠体与第一堆叠体st1之间可以布置有第三电荷生成层(未图示)。
[0093]
在有机发光元件还包括第四发光层的情况下，作为一例，第四发光层可以发射绿色光，并且第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3发射蓝色光。在这种情况下，同样地，从第一发光层eml1、第二发光层eml2及第三发光层eml3分别发射的光的组合可以以发射所述第一蓝色光或第二蓝色光的方式被组合，并且可以通过进一步包括第四发光层来补充不足的绿色光量。
[0094]
第一电荷生成层cgl1可以位于第一堆叠体st1与第二堆叠体st2之间。第一电荷生成层cgl1可以起到将电荷注入到各个发光层的作用。第一电荷生成层cgl1可以起到在第一堆叠体st1与第二堆叠体st2之间调节电荷均衡的作用。第一电荷生成层cgl1可以包括n型电荷生成层cgl11及p型电荷生成层cgl12。p型电荷生成层cgl12可以布置在n型电荷生成层cgl11上，并且可以位于n型电荷生成层cgl11与第二堆叠体st2之间。
[0095]
第一电荷生成层cgl1也可以具有n型电荷生成层cgl11及p型电荷生成层cgl12彼此接合的结构。n型电荷生成层cgl11向第一发光层eml1供应电子，p型电荷生成层cgl12向
第二堆叠体st2中所包括的第二发光层eml2供应空穴。可以将第一电荷生成层cgl1布置在第一堆叠体st1与第二堆叠体st2之间，以向各个发光层提供电荷，从而提高发光效率并降低驱动电压。
[0096]
第一堆叠体st1还可以包括第一空穴传输层htl1、第一电子阻挡层bil1、第一电子传输层etl1。
[0097]
第一空穴传输层htl1起到使空穴的传输顺利实现的作用，并且第一空穴传输层htl可以包括空穴传输物质。所述空穴传输物质可以包括n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等咔唑系衍生物、芴(fluorene)系衍生物、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(tpd：n,n'-bis(3-methylphenyl)-n,n'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta：4,4',4"-tris(n-carbazolyl)triphenylamine)等三苯胺系衍生物、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb：(n,n'-di(1-naphthyl)-n,n'-diphenylbenzidine)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc：4,4'-cyclohexylidene bis[n,n-bis(4-methylphenyl)benzenamine])等，然而并不局限于此。
[0098]
第一电子阻挡层bil1可以位于第一空穴传输层htl1上，并且可位于第一空穴传输层htl1与第一发光层eml1之间。第一电子阻挡层bil1可以包括空穴传输物质和金属或金属化合物，以防止在第一发光层eml1生成的电子迁移到第一空穴传输层htl1。作为一例，上述的第一空穴传输层htl1和第一电子阻挡层bil1也可以形成为混合各自的材料的单层。
[0099]
第一电子传输层etl1可以位于第一发光层eml1上，并且可以位于第一电荷生成层cgl1与第一发光层eml1之间。作为一例，第一电子传输层etl1可以包括三(8-羟基喹啉)铝(alq3：tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi：1,3,5-tri(1-phenyl-1h-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen：4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz：3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-tertbutylphenyl-1,2,4-triazole)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz：4-(naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4h-1,2,4-triazole)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tbu-pbd：2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(balq：bis(2-methyl-8-quinolinolato-n1,o8)-(1,1'-biphenyl-4-olato)aluminum)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2：berylliumbis(benzoquinolin-10-olate))、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn：9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)及其混合物之类的电子传输物质。然而，本发明不限于上述电子传输物质。
[0100]
第二堆叠体st2可以位于第一电荷生成层cgl1上，并且还可以包括第二空穴传输层htl2、第二电子阻挡层bil2及第二电子传输层etl2。
[0101]
第二空穴传输层htl2可以位于第一电荷生成层cgl1上。第二空穴传输层htl2可以利用与第一空穴传输层htl1相同的物质构成，或者也可以包括选自第一空穴传输层htl1所包括的示例性地提到的物质中的一种以上物质。
[0102]
第二电子阻挡层bil2可以位于第二空穴传输层htl2上，并且可以位于第二空穴传
输层htl2与第二发光层eml2之间。第二电子阻挡层bil2可以利用与第一电子阻挡层bil1相同的物质及相同的结构构成，或者也可以包括选自第一电子阻挡层bil1所包括的示例性地示出的物质中的一种以上物质。
[0103]
第二电子传输层etl2可以位于第二发光层eml2上，并且可以位于第二电荷生成层cgl2与第二发光层eml2之间。第二电子传输层etl2可以利用与第一电子传输层etl1相同的物质构成为相同的结构，或者也可以包括选自第一电子传输层etl1所包括的示例性地提到的物质中的一种以上物质。
[0104]
第二电荷生成层cgl2位于第二堆叠体st2上，并且位于第二堆叠体st2与第三堆叠体st3之间。
[0105]
第二电荷生成层cgl2可以利用与上述第一电荷生成层cgl1相同的结构构成。例如，第二电荷生成层cgl2可以包括更靠近第二堆叠体st2而布置的n型电荷生成层cgl21和更靠近阴极电极ce而布置的p型电荷生成层cgl22。p型电荷生成层cgl22可以布置在n型电荷生成层cgl21上。
[0106]
第二电荷生成层cgl2可以构成为n型电荷生成层cgl21及p型电荷生成层cgl22彼此接触的结构。第一电荷生成层cgl1及第二电荷生成层cgl2可以利用彼此不同的材料构成，也可以利用相同的材料构成。
[0107]
第三堆叠体st3可以位于第二电荷生成层cgl2上，并且还可以包括第三空穴传输层htl3及第三电子传输层etl3。
[0108]
第三空穴传输层htl3可以位于第二电荷生成层cgl2上。第三空穴传输层htl3可以利用与第一空穴传输层htl1相同的物质构成，或者也可以包括选自第一空穴传输层htl1所包括的示例性地提到的物质中的一种以上物质。
[0109]
第三电子传输层etl3可以位于第三发光层eml3上，并且可以位于阴极电极ce与第三发光层eml3之间。第三电子传输层etl3利用与第一电子传输层etl1相同的物质构成为相同的结构，或者也可以包括选自第一电子传输层etl1所包括的示例性地提到的物质中的一种以上物质。
[0110]
图6是示出微型发光元件的一示例的剖视图。
[0111]
参照图6，微型发光元件可以包括位于基板2110上的第一导电型半导体层2121、位于第一导电型半导体层2121上的活性层2122以及位于活性层2122上并与第一导电型半导体层2121重叠的第二导电型半导体层2123。
[0112]
第一导电型半导体层2121可以是n型半导体层，第二导电型半导体层2123可以是p型半导体层。并且，第一导电型半导体层2121及第二导电型半导体层2123可以包括氮化物半导体。第一导电型半导体层2121及第二导电型半导体层2123可以具有al
x
inyga
(1-x-y)
n的组成式(在此，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。第一导电型半导体层2121及第二导电型半导体层2123可以包括选自由gan、algan及ingan构成的群中的一种以上物质。
[0113]
第一导电型半导体层2121可以包括掺杂为n型的氮化物半导体物质，第二导电型半导体层2123可以包括掺杂为p型的氮化物半导体物质。作为一例，第一导电型半导体层2121可以包括掺杂为n型的gan，第二导电型半导体层2123包括掺杂为p型的gan。
[0114]
活性层2122可以通过电子与空穴的复合而发射具有预定能量的光，并且构成为量子阱层与量子阻挡层彼此交替层叠的多量子阱(mqw)结构。在构成为多量子阱结构的情况
下，可以具有ingan/gan结构。第一导电型半导体层2121、活性层2122及第二导电型半导体层2123可以是外延层。
[0115]
第一导电型半导体层2121可以与第一电极2125连接，并且第二导电型半导体层2123可以与第二电极2124连接。第一电极2125及第二电极2124彼此分离，并且不接触。
[0116]
第一电极2125及第二电极2124可以利用在从多个发光元件120a、120b、120c发射的光的波长区域中反射率较高的金属或合金构成。第一电极2125及第二电极2124可以分别包括利用选自au、sn、ni、pb、ag、in、cr、ge、si、ti、w及pt中的单一物质或包含选自其中的至少两种物质的合金构成的单层膜或者利用它们的组合构成的多层膜。
[0117]
微型发光元件的宽度可以为20μm以下，例如15μm以下、10μm以下或者5μm以下，并且可以为0.1μm以上，例如0.5μm以上或者1μm以上，并且可以为0.1μm至20μm，例如0.5μm至10μm或者0.5μm至5μm。微型发光元件的宽度是与光的行进方向大致垂直的方向(图1中的d1或d2方向)的长度。并且，微型发光元件的宽度表示横向及纵向宽度中的更小的宽度。
[0118]
图7及图8是示出纳米发光元件的一示例的立体图及剖视图。
[0119]
虽然图7及图8中图示了圆柱形状的棒形纳米发光元件ld，但是纳米发光元件ld的种类和/或形状不限于此。
[0120]
参照图7及图8，纳米发光元件ld可以包括第一导电型半导体层3011、第二导电型半导体层3013以及夹设于第一导电型半导体层3011与第二导电型半导体层3013之间的活性层3012。例如，纳米发光元件ld可以构成为第一导电型半导体层3011、活性层3012及第二导电型半导体层3013沿一方向依次层叠的层叠体。
[0121]
作为一例，纳米发光元件ld可以是制造成棒形状的棒形发光二极管。在此，棒形状包括诸如圆柱或多棱柱等长度方向上的长度比在宽度方向上的长度更长(即，纵横比大于1)的杆形状(rod-like shape)或条形状(bar-like shape)，其截面的形状不受特别的限制。例如，纳米发光元件ld的长度(l)可以大于其直径(d)(或横截面的宽度)。
[0122]
纳米发光元件ld可以具有纳米级至微米级程度的小尺寸(作为一例，纳米级或微米级范围的直径(d)和/或长度(l))。作为一例，纳米发光元件ld的长度可以为1nm至10μm，例如可以为10nm至10μm或100nm至10μm。另外，纳米发光元件ld的纵横比(aspect ratio)可以为1.2至100。
[0123]
第一导电型半导体层3011可以包括至少一个n型半导体层，第一导电型半导体层3011的厚度可以为50nm至5μm(例如，50nm至500nm)，但不限于此。
[0124]
活性层3012可以布置在第一导电型半导体层3011上，并且形成为单量子阱结构或多量子阱结构。作为一例，在活性层3012的上部和/或下部还可以形成有掺杂有导电性掺杂剂的包覆层(未图示)。活性层3012的厚度可以为10nm至200nm，但不限于此。
[0125]
第二导电型半导体层3013可以布置在活性层3012上，并且包括与第一导电型半导体层3011的类型不同的类型的半导体层。作为一例，第二导电型半导体层3013可以包括至少一个p型半导体层。第二导电型半导体层3013的厚度可以为50nm至500nm，但不限于此。
[0126]
作为一例，纳米发光元件ld还可以包括设置于表面的绝缘性膜inf。绝缘性膜inf可以以至少包围活性层3012的外周面的方式形成在纳米发光元件ld的表面，除此之外，绝缘性膜inf还可以包围第一导电型半导体层3011及第二导电型半导体层3013的一区域。然而，绝缘性膜inf可以暴露具有彼此不同的极性的纳米发光元件ld的两端部。绝缘性膜inf
可以包括sio2、si3n4、al2o3及tio2中的至少一种绝缘物质，但不限于此。
[0127]
作为一例，纳米发光元件ld还可以包括布置在第二导电型半导体层3013的一端侧的至少一个第一电极层3014和/或布置在第一导电型半导体层3011的一端侧的至少一个第二电极层3015。
[0128]
第一电极层3014及第二电极层3015中的每一个可以是欧姆(ohmic)接触电极，但不限于此。第一电极层3014及第二电极层3015可以实质上透明或半透明。据此，从纳米发光元件ld生成的光可以透射第一电极层3014及第二电极层3015而向纳米发光元件ld的外部发射。第一电极层3014及第二电极层3015中的每一个的厚度可以为1nm至200nm，但不限于此。
[0129]
作为一例，除了第一导电型半导体层3011、活性层3012、第二导电型半导体层3013及绝缘性膜inf之外，纳米发光元件ld还可以包括附加的构成要素。例如，纳米发光元件ld可以追加包括布置在第一导电型半导体层3011、活性层3012和/或第二导电型半导体层3013的一端侧的一个以上荧光体层、活性层和/或半导体层。
[0130]
另外，再次参照图2，在多个发光元件120a、120b、120c上可以布置有保护层121。保护层121可以是无机物质或有机物质。在保护层121包括无机物质的情况下，无机物质可以包括氧化硅或氮化硅等。保护层121可以覆盖多个发光元件120a、120b、120c并使上部面平坦化。
[0131]
在保护层121上可以布置有隔壁160。隔壁160可以为沿图1的d1方向及d2方向延伸的网格形态。
[0132]
隔壁160可以包括基体树脂、偶联剂、光引发剂。基体树脂可以利用通常可以称为粘合剂的多种树脂组合物构成。另外，隔壁160可以不包括黑色成分，或者包括黑色成分。黑色成分可以包括黑色染料、黑色颜料。黑色成分可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。在隔壁160包括黑色成分的情况下，以1μm的厚度为基准，隔壁160的吸光度可以为0.15至0.5。
[0133]
隔壁160可以划分第一像素b至第三像素r，从而防止从光发射部120向量子点颜色转换部130供应的光泄漏到其他像素区域，并且引导从第一发光元件120a至第三发光元件120c发射的蓝色光向上部供应。
[0134]
量子点颜色转换部130可以位于由隔壁160隔开的空间。量子点颜色转换部130可以使用量子点3转换从多个发光元件120a、120b、120c入射的光并将其发射。
[0135]
量子点颜色转换部130可以包括将第二蓝色光转换为第三光的第一量子点颜色转换层130g、将第二蓝色光转换为相比于第三光为长波长的第四光的第二量子点颜色转换层130r以及使第一蓝色光透射的透射层140。作为一例，第三光可以是绿色光，第四光可以是红色光。
[0136]
第一量子点颜色转换层130g可以包括绿色量子点3g。据此，可以将入射的蓝色光转换为绿色光而发射。第二量子点颜色转换层130r可以包括红色量子点3r。据此，可以将入射的蓝色光转换为红色光而发射。
[0137]
第一量子点颜色转换层130g或第二量子点颜色转换层130r中所包括的量子点3可以彼此独立地包括iii-vi族半导体化合物、ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、i-ii-iv-vi族半导体化合物、iv族元素
或化合物或者它们的组合。
[0138]
iii-vi族半导体化合物的示例可以包括诸如in2s3的二元素化合物、诸如agins、agins2、cuins、cuins2的三元素化合物或者它们的组合。
[0139]
ii-vi族半导体化合物可以选自以下化合物：选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及它们的混合物的二元素化合物；选自agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及它们的混合物的三元素化合物；以及选自hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及它们的混合物的四元素化合物。ii-vi族半导体化合物还可以包括iii族金属。
[0140]
iii-v族半导体化合物可以选自以下化合物：选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及它们的混合物的二元素化合物；选自ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb及它们的混合物的三元素化合物；以及选自gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、gaalnp及它们的混合物的四元素化合物。iii-v族半导体化合物还可以包括ii族元素。这样的量子点3的示例可以包括inznp。
[0141]
iii-vi族半导体化合物的示例可以包括诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2se3、inte等二元素化合物；诸如ingas3、ingase3等三元素化合物或者它们的组合。
[0142]
iv-vi族半导体化合物可以选自以下化合物：选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及它们的混合物的二元素化合物；选自snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及它们的混合物的三元素化合物；以及snssete、snpbsse、snpbsete、snpbste等四元素化合物。
[0143]
i-iii-vi族半导体化合物的示例可以包括agins、agins2、aggao2、agalo2、cugao2、cuinse2、cuins2、cuingase、cuingas，但不限于此。
[0144]
i-ii-iv-vi族半导体化合物的示例可以包括cuznsnse、cuznsns，但不限于此。
[0145]
iv族元素或半导体化合物可以选自以下化合物：可以是选自si、ge及它们的混合物的单质以及选自sic、sige及它们的混合物的二元素化合物。
[0146]
二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒内，或者分为浓度分布局部不同的状态而存在于同一颗粒内。
[0147]
量子点3可以具有核及壳，所述核包括第一半导体纳米结晶，所述壳布置于核表面的至少一部分(例如整个表面)且包括具有与第一半导体纳米结晶不同的组成的第二半导体纳米结晶。在核与壳的界面可能存在或不存在合金化层(alloyed layer)。合金化层可以为均质合金(homogenesou alloy)，或者可以为梯度合金(gradient alloy)。在梯度合金中，存在于壳的元素的浓度可以具有在半径方向上变化(例如，越向中心越低或越高)的浓度梯度(gradient)。并且，壳可以是包括两个以上层的多层壳，邻近的两个层具有彼此不同的组成。在多层壳中，一个以上的层可以彼此独立地包括单一组成的半导体纳米结晶。在多层壳中，一个以上的层可以彼此独立地包括合金化的半导体纳米结晶。在多层壳中，一个以上的层在半导体纳米结晶的组成方面可以具有在半径方向上变化的浓度梯度。
[0148]
在核壳结构的量子点3中，壳材料的带隙能量可以比核材料的带隙能量更大，但不限于此。壳材料的带隙能量也可以比核材料的带隙能量更小。在多层壳的情况下，最外层材料可以具有比核及壳的内侧层(即，更靠近核的层)的材料更大的能量带隙。在多层壳中，各个层的半导体纳米晶体的带隙可以为了有效地表现出量子限制效应而适当地进行选择。
[0149]
作为一例，量子点3的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合等。金属或非金属氧化物的示例可以包括诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等二元素化合物、诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等的三元素化合物或者它们的组合。半导体化合物的示例可以包括本说明书中记载的iii-vi族半导体化合物、ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或者它们的组合。例如，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或者它们的组合。例如，量子点3可以包括铟、锌或者它们的组合。量子点3可以包括inp、inznp、ingap、zns、znse、znses、znsete或者它们的组合。量子点3可以在壳的最外层包括znse、zns、znses、znsete或者它们的组合。
[0150]
量子点3的发光波长可以适当地进行选择。例如，量子点3的最大光致发光峰值可以存在于紫外线区域至近红外线区域的波长范围内。量子点3的最大光致发光峰值波长可以存在于420nm至750nm(460nm至700nm)的范围内。对发出绿色光的量子点3而言，可以在500nm(例如，510nm)至550nm内呈现最大光致发光峰值波长。对发出红色光的量子点3而言，可以在600nm(例如，610nm)至650nm的范围内呈现最大光致发光峰值波长。对发出蓝色光的量子点3而言，可以在440nm(例如，450nm)至470nm(例如，480nm)的范围内呈现最大光致发光峰值波长。
[0151]
量子点3可以表现出具有相对窄的半峰全宽的光致发光光谱。作为一例，量子点3在其光致发光光谱中可以具有约45nm以下(例如，约44nm以下、约43nm以下、约42nm以下、约41nm以下、约40nm以下、约39nm以下、约38nm以下、约37nm以下、约36nm以下或者约35nm以下)的半峰全宽。量子点3可以具有约10％以上(例如，约20％以上、约30％以上、约40％以上、约50％以上、约60％以上、约70％以上、约80％以上、约90％以上或者甚至约100％)的量子产率(quantum yield)。
[0152]
量子点3可以具有约1nm以上及约100nm以下的尺寸(例如为粒径，或者在非球形的粒子的情况下为根据通过电子显微镜分析确认的二维面积计算的粒径)。作为一例，量子点3可以具有约1nm至约50nm(例如2nm(或3nm)至35nm)的尺寸。作为一例，量子点3的尺寸可以是约1nm以上、约2nm以上、约3nm以上、约4nm以上、约5nm以上、6nm以上、7nm以上、8nm以上、9nm以上或者10nm以上。作为一例，量子点3的尺寸可以为约50nm以下、约40nm以下、约30nm以下、约25nm以下、约20nm以下、约19nm以下、约18nm以下、约17nm以下、约16nm以下或者约15nm以下。
[0153]
量子点3可以具有任意的形状。作为一例，量子点3的形状可以包括球、多面体、金字塔、多槽(multi-pod)、立方体(cubic)、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片、纳米板或者它们的组合。
[0154]
量子点3可以在市场上购买或通过任意方法合成。量子点3可以通过湿式化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与此类似的工艺等合成。作为一例，量
子点3可以是通过湿式化学工艺合成的胶体型粒子。在湿式化学工艺中，在有机溶剂中使前体物质发生反应而使结晶粒子生长，此时有机溶剂或配体化合物自然地配位在量子点3的表面，从而能够调节结晶的生长。当结晶生长时，有机溶剂自然地起到配位在量子点结晶表面的分散剂的作用，并调节上述结晶的生长，因此，相比于有机金属化学气相沉积(mocvd：metal organic chemical vapor deposition)或分子束外延(mbe：molecular beam epitaxy)等气相沉积法更容易，并且可以通过低成本的工艺控制量子点粒子的生长。
[0155]
有机溶剂及配体化合物的具体种类是已知的。在湿式化学工艺中，合成的胶体型量子点的回收可以包括向反应溶液加入非溶剂(non-solvent)，并将最终混合物离心的过程。这样的回收过程可以带来配位在量子点3表面的有机物中的至少一部分的去除。非溶剂的示例包括丙酮、乙醇、甲醇等，但不限于此。
[0156]
量子点3可以具有结合在其表面的有机配体。在一实施例中，有机配体可以具有疏水性残基。有机配体可以包括rcooh、rnh2、r2nh、r3n、rsh、r3po、r3p、roh、rcoor'、rpo(oh)2、r2pooh(在此，r及r'各自独立地为氢、c5至c24的取代或未取代的脂族烃基，例如c5至c24的烷基、c5至c24的烯基或c5至c20的芳族烃基，例如，c6至c20的芳基，但至少一个不是氢)或者它们的组合。
[0157]
有机配体的示例可以包括：甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二硫醇、十六硫醇、十八硫醇、苄基硫醇等硫醇化合物；甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺、三辛胺等胺类；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二酸、十六酸、十八酸、油酸(oleic acid)、苯甲酸等羧酸化合物；甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦、三辛基膦等膦化合物；甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化膦、三辛基氧化膦等膦化合物或者它们的氧化物化合物；二苯基膦、三苯基膦化合物或者它们的氧化物化合物；(单或二)己基次膦酸、(单或二)辛基次膦酸、(单或二)十二烷次膦酸、(单或二)十四烷次膦酸、(单或二)十六烷次膦酸、(单或二)十八烷次膦酸等c5至c20的(单或二)烷基次膦酸(phosphonic acid)等，但不限于此。量子点3可以独立地或者以一种以上混合物的形式包括有机配体。
[0158]
另外，透射层140在不改变入射的光的情况下直接发射入射的光。透射层140例如可以入射蓝色光，并直接发射蓝色光。
[0159]
透射层140可以包括使蓝色光透射的透明的树脂(resin)。位于发射蓝色光的区域的透射层140不包括单独的量子点3而使入射的蓝色光直接透射。
[0160]
虽然未图示，但是透射层140还可以包括染料及颜料中的至少一种。包括染料或颜料的透射层140可以减少外部光反射，并且提供颜色纯度得到提高的蓝色光。
[0161]
透射层140也可以被省略，在这种情况下，外涂层170可以替代地填充透射层140的空余的空间。
[0162]
透射层140对可见光的光透射率可以为50％以上(例如，60％以上、70％以上、80％以上、90％以上或者甚至100％)。
[0163]
第一量子点颜色转换层130g、第二量子点颜色转换层130r及透射层140中的至少任意一个还可以包括散射体(未图示)。第一量子点颜色转换层130g、第二量子点颜色转换
层130r或透射层140中所包括的散射体的含量可以不同。散射体可以增加在第一量子点颜色转换层130g、第二量子点颜色转换层130r或透射层140中转换或通过并发射或接收的光量，并且可以均匀地提供正面亮度及侧面亮度。
[0164]
散射体可以包括用于使入射的光均匀地散射的任何物质。作为一例，散射体可以包括tio2、zro2、al2o3、in2o3、zno、sno2、sb2o3以及ito中的至少一种。
[0165]
作为一例，第一量子点颜色转换层130g、第二量子点颜色转换层130r或透射层140可以包括感光性树脂，并且可以通过光刻工艺形成。
[0166]
在量子点颜色转换部130上可以布置有外涂层170。外涂层170可以为无机物质或有机物质。在外涂层170包括无机物质的情况下，无机物质可以包括氧化硅或氮化硅等。
[0167]
外涂层170的厚度可以根据量子点颜色转换部130的厚度、显示装置100的目标厚度、发光元件120a、120b、120c的亮度和/或发热程度而不同，可以为1μm以上(例如，2μm以上、3μm以上、4μm以上或5μm以上)，并且可以是10μm以下(例如，9μm以下或8μm以下)，并且可以是1μm至10μm(例如，1μm至9μm、1μm至8μm、2μm至8μm、3μm至8μm、4μm至8μm或5μm至8μm)。
[0168]
在外涂层170的厚度满足上述范围的情况下，显示装置100的平坦化容易，并且可以吸收和/或阻断可能从基板110传递的热量，从而可以防止量子点颜色转换部130的劣化。
[0169]
另外，考虑到量子点颜色转换部130的表面形状等，外涂层170也可以被省略。
[0170]
在外涂层170上可以布置有滤色器部190。滤色器部190可以包括能够吸收预定波长区域的可见光的物质。能够吸收预定波长区域的可见光的物质可以是无机物质或有机物质。据此，可以提高从显示装置100的各个像素最终发射的光的颜色纯度。
[0171]
具体而言，从光发射部120发射的蓝色光遇到量子点颜色转换部130的量子点3而转换为绿色光或红色光。此时，第一量子点颜色转换层130g或第二量子点颜色转换层130r中所包括的散射体可以增加下部的蓝色光与量子点3能够相遇的概率，并且透射层140中所包括的散射体可以使大致以直射光发射上来的蓝色光散射，从而实现朗伯发光效应。朗伯发射可以解决视角问题。此时，未与量子点3相遇而直接通过的蓝色光被滤色器部190吸收而去除噪声光，从而能够提高最终的红色光、绿色光、蓝色光发射的颜色纯度。
[0172]
作为一例，滤色器部190可以包括感光性树脂，并且可以通过光刻工艺形成。
[0173]
滤色器部190可以包括位于第一像素b的第一滤色器190b、位于第二像素g的第二滤色器190g或位于第三像素r的第三滤色器190r。
[0174]
第一滤色器190b至第三滤色器190r中的每一个可以以与第一发光元件120a至第三发光元件120c中的每一个重叠的方式布置。第一滤色器190b至第三滤色器190r可以沿d1方向反复布置。
[0175]
第一滤色器190b对于除了蓝色光之外的其余波长区域的可见光的光吸收率可以为50％以上(例如，60％以上、70％以上、80％以上、90％以上或者甚至100％)。
[0176]
第二滤色器190g对于除了绿色光之外的其余波长区域的可见光的光吸收率可以为50％以上(例如，60％以上、70％以上、80％以上、90％以上或者甚至100％)。
[0177]
第三滤色器190r对于除了红色光之外的其余波长区域的可见光的光吸收率可以为50％以上(例如，60％以上、70％以上、80％以上、90％以上或者甚至100％)。
[0178]
第一滤色器190b至第三滤色器190r可以通过黑矩阵191彼此隔开。黑矩阵191可以为沿图1的d1方向及d2方向延伸的网格形态。黑矩阵191可以是有机物质、无机物质或金属。
[0179]
黑矩阵191可以划分第一像素b至第三像素r而防止从量子点颜色转换部130发射的光的混色，并且可以引导供应至第一滤色器190b至第三滤色器190r的光向显示装置100的外部发射。
[0180]
黑矩阵191的高度被图示为低于第一滤色器190b至第三滤色器190r的高度，但不限于此，可以具有等于或大于第一滤色器190b至第三滤色器190r的高度的高度。
[0181]
图9是根据另一实施例的显示装置的示意性的剖视图。
[0182]
参照图9，黑矩阵191可以包括第一黑矩阵层191a和第二黑矩阵层191b。
[0183]
第一黑矩阵层191a可以位于外涂层170上，第二黑矩阵层191b可以位于第一黑矩阵层191a上。
[0184]
第一黑矩阵层191a及第二黑矩阵层191b可以为以能够使第一滤色器190b至第三滤色器190r彼此隔开的方式沿图1的d1方向及d2方向延伸的网格形态。
[0185]
第二黑矩阵层191b可以包括与第一滤色器190b相同的物质。相比于第一黑矩阵层191a与基板的折射率差异，包括与第一滤色器190b相同的物质的第二黑矩阵层191b与基板的折射率差异较小，因此可以降低外部光反射率。
[0186]
在这种情况下，第一滤色器190b也可以被省略，第二黑矩阵层191b可以替代地填充第一滤色器190b的空余的空间。
[0187]
第一黑矩阵层191a可以是通常的黑矩阵。第一黑矩阵层191a可以具有黑色。第一黑矩阵层191a可以包括基体树脂及与基体树脂混合的黑色成分(黑色着色剂：black coloring agent)。第一黑矩阵层191a的吸光度可以以1μm的厚度为基准为1至3。
[0188]
以上对本发明的实施例进行了详细说明，然而本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中所定义的本发明的基本概念而进行的多种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。