点缺陷模拟器、点缺陷模拟程序、点缺陷模拟方法、单晶硅的制造方法及单晶提拉装置与流程

技术特征：
1.一种点缺陷模拟器，使用对流扩散方程式并通过切克劳斯基法来计算提拉单晶硅过程中的孔隙及晶格间的硅的浓度分布，其特征在于，所述对流扩散方程式具有下述式(a)中记载的热平衡状态下的孔隙的浓度c
veq
及下述式(b)中记载的热平衡状态下的晶格间的硅的浓度c
ieq
，所述点缺陷模拟器具备分析部，所述分析部将所述式(a)中的第1应力系数a
vf
或所述式(b)中的第2应力系数a
if
中的任一个作为拟合参数，以与实验结果一致的方式调整计算结果，其中，在所述式(a)及(b)中，t是温度，p是应力，c
0，v
及c
0，i
是常数，k
b
是玻尔兹曼常数，e
vf
是孔隙的形成能、e
if
是晶格间的硅的形成能，[数式1][数式2]2.根据权利要求1所述的点缺陷模拟器，其中，所述单晶硅与硅熔体的固液界面的形状向上突出。3.根据权利要求1或2所述的点缺陷模拟器，其中，所述单晶硅的直径为300mm以上。4.一种点缺陷模拟程序，其用于使计算机作为权利要求1至3中任一项所述的点缺陷模拟器发挥作用。5.一种点缺陷模拟方法，其特征在于，使用权利要求1至3中任一项所述的点缺陷模拟器来求出单晶硅中的孔隙及晶格间的硅的浓度分布。6.根据权利要求5所述的点缺陷模拟方法，其中，所述单晶硅与所述硅熔体的固液界面的形状向上突出。7.根据权利要求5或6所述的点缺陷模拟方法，其中，所述单晶硅的直径为300mm以上。8.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，对于至少一个单晶提拉装置，通过权利要求1至3中任一项所述的点缺陷模拟器或权利要求5至7中任一项所述的点缺陷模拟方法，求出使用所述单晶提拉装置提拉的单晶硅中的点缺陷的浓度分布，根据所求出的孔隙及晶格间的硅的浓度分布，进行所述单晶提拉装置的设计，使用所述设计的单晶提拉装置制造无缺陷的单晶硅。9.一种单晶提拉装置，其通过权利要求1至3中任一项所述的点缺陷模拟器或权利要求5至7中任一项所述的点缺陷模拟方法，求出单晶硅中的点缺陷的浓度分布，根据所求出的孔隙及晶格间的硅的浓度分布而设计。

技术总结
提出一种点缺陷模拟器，能够考虑培育单晶硅过程中的晶体内的热应力来求出单晶硅中的点缺陷的分布。本发明的点缺陷模拟器(1)使用考虑单晶硅中的热应力的影响的对流扩散方程式，通过CZ法计算提拉单晶硅过程中的孔隙及晶格间的硅的浓度分布，其特征在于，具备分析部(13)，所述分析部(13)将作为应力的项的系数的应力系数作为拟合参数，以与实验结果一致的方式调整计算结果。式调整计算结果。式调整计算结果。


技术研发人员：末若良太
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2020.08.12
技术公布日：2022/6/10