一种非常规尺寸芯片的刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：s11将非常规尺寸芯片粘附在带有牺牲层的衬底上形成待刻蚀件；s12将所述待刻蚀件置入刻蚀设备中进行刻蚀，得到刻蚀件；s13所述刻蚀件放置在加热板上进行加热后，将所述晶圆与所述非常规尺寸芯片分离；s14采用有机溶剂清洁所述非常规尺寸芯片，得到目标芯片。2.根据权利要求1所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述将非常规尺寸芯片粘附在带有牺牲层的衬底上形成待刻蚀件，包括以下步骤：s111在所述衬底的至少一个平面涂覆一层与所述衬底紧密黏附的牺牲层；s112采用有机结合剂将所述非常规芯片黏附在所述牺牲层上，得到所述待刻蚀件。3.根据权利要求2所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述将非常规尺寸芯片粘附在带有牺牲层的衬底上形成待刻蚀件，还包括以下步骤：s113将所述非常规芯片顺时针或逆时针旋转一定角度。4.根据权利要求3所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述将非常规尺寸芯片粘附在带有牺牲层的衬底上形成待刻蚀件，还包括以下步骤：s114将所述衬底上多余的有机结合剂清除干净。5.根据权利要求2或3所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述将所述待刻蚀件置入刻蚀设备中进行刻蚀，得到刻蚀件之前，还包括步骤：s115将所述待刻蚀件放在表面平整的金属冷却块上进行降温处理。6.根据权利要求1所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述加热板的温度为100-120℃。7.根据权利要求2所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，，其特征在于，所述有机结合剂为高导热性材料。8.根据权利要求1任一所述的多层堆叠阳极键合结构，其特征在于，所述有机结合剂为高温硅油或者高温蜡。9.根据权利要求1所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述牺牲层通过化学气相沉积法、旋涂固烘法、粘贴法中的一种方法形成。10.根据权利要求1所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述牺牲层为的厚度小于10微米。11.根据权利要求1所述的非常规尺寸芯片的刻蚀方法，其特征在于，所述牺牲层为抗腐蚀能力强的薄膜材料。

技术总结
本发明提供了一种非常规尺寸芯片的刻蚀方法，通过选用与刻蚀设备加工型号相匹配的衬底作为后续所需装载芯片的托盘，同时在该衬底上涂覆抗刻蚀能力强的薄膜材料作为后续刻蚀芯片区域以外的牺牲层，将所需刻蚀芯片粘附在衬底的牺牲层上，既固定了所需刻蚀芯片的位置，又使之与刻蚀设备型号兼容，从而顺利进行刻蚀加工工艺。刻蚀加工工艺。刻蚀加工工艺。


技术研发人员：徐岩 薛刚
受保护的技术使用者：苏州原位芯片科技有限责任公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/6/10