可饱和吸收体及其制备方法和应用的激光器

1.本发明主要涉及光学元件领域，尤其涉及一种可饱和吸收体及其制备方法、应用的激光器。


背景技术：

2.可饱和吸收体在超快光纤激光器中产生超短脉冲起着至关重要的作用，相比于其它基于非线性克尔效应的人造式可饱和吸收体，基于纳米材料的物理式可饱和吸收体具有种类多，结构紧凑，自启动的优势。
3.传统的基于纳米材料的物理式可饱和吸收体大部分与聚合物结合制备成纳米材料聚合物复合体，用两个光纤连接头和一个光纤法兰连接住，应用在光纤激光器中。还有研究者直接将纳米材料转移到光纤连接头上制备成可饱和吸收体。但是纳米材料与激光的直接相互作用，首先降低了可饱和吸收体的损伤阈值，不适用于高功率光纤激光器中；其次光纤连接头长时间的机械挤压，会造成纳米材料的物理损伤；另外微米级别的纤芯极大地降低了激光与纳米材料相互作用的有效性。
4.因而部分研究者利用光纤中的倏逝场效应间接地与纳米材料相互作用，形成可饱和吸收体，这样的作用机制能够提高纳米材料的损伤阈值，并且达到完整的全光纤结构。目前基于光纤的倏逝场效应包含空芯光纤，光子晶体光纤，光纤微通道，微纳光纤和d型光纤等。其中空芯光纤，光子晶体光纤和光纤微通道制备工艺复杂，微纳光纤容易断裂，d型光纤脆性很大，器件容易损坏，而且具有很强的偏振依赖特性。
5.为解决上述问题，实现易于制备，具有高度兼容性，性能稳定的可饱和吸收体，并且基于此器件搭建一台全光纤自启动超快光纤激光器，是本领域亟待研究和探索的课题。


技术实现要素：

6.本发明要解决的技术问题是提供一种可饱和吸收体及其制备方法和应用的激光器，具有便于制备、兼容性高且性能稳定的优势。
7.为解决上述技术问题，本发明提供了一种可饱和吸收体，包括：
8.光纤光栅，所述光纤光栅包括包层和由所述包层包裹的纤芯，且所述纤芯上刻写有光栅；
9.填充材料，所述填充材料包括纳米材料；以及
10.封装体，用于装载所述光纤光栅和所述填充材料，且在所述封装体中，所述填充材料包围所述光纤光栅。
11.在本发明的一实施例中，所述光栅的周期大于100微米，且所述光栅的长度为1～5厘米。
12.在本发明的一实施例中，所述封装体为石英方槽。
13.在本发明的一实施例中，还包括固化胶，用于将所述光纤光栅固定在所述封装体中。
14.在本发明的一实施例中，所述纳米材料包括单壁碳纳米管、石墨烯以及二维过渡金属硫族化合物中的一种或多种。
15.在本发明的一实施例中，所述填充材料还包括聚合物，所述聚合物的折射率根据所述包层的特性参数决定。
16.在本发明的一实施例中，所述聚合物为包括聚2,2,2-甲基丙烯酸三氟乙酯。
17.为了解决上述的技术问题，本发明还提供了一种可饱和吸收体的制备方法，包括如下步骤：
18.在光纤的纤芯上刻写光栅，以得到光纤光栅；
19.将所述光纤光栅固定在所述封装体中；以及
20.将包括有纳米材料的填充材料装入所述封装体中，并对装载有所述光纤光栅和所述填充材料的封装体进行热处理，以获得可饱和吸收体。
21.在本发明的一实施例中，所述封装体为凹槽型，具有开放且相对的两个开口，将所述光纤光栅固定在所述封装体中的步骤具体包括，将所述光纤光栅放置在第一位置后所述光纤光栅的两端从所述两个开口分别延伸至所述封装体外，同时利用紫外线灯照射紫外线固化胶，以封装所述封装体的所述两个开口，从而将所述光纤光栅固定在所述封装体中的第一位置。
22.在本发明的一实施例中，还包括在将所述光纤光栅放置在所述第一位置后，测量所述光纤光栅在所述第一位置的第一传输光谱，若所述第一传输光谱不符合预期，则通过调整架调整所述光纤光栅的位置，直至获得符合预期的传输光谱。
23.在本发明的一实施例中，还包括在将填充材料倒入封装有所述光纤光栅的所述封装体中之前，利用超声将纳米材料分散在溶剂中，对混合有纳米材料的混合溶剂进行真空过滤或离心处理，去除未分散和/或大尺寸的纳米材料及杂质，以得到均匀分散的纳米材料分散液，从而获得具有所述纳米材料的所述填充材料。
24.在本发明的一实施例中，还包括在得到所述均匀分散的纳米材料分散液后，将聚合物溶解于所述分散液，以获得具有纳米材料和聚合物的所述填充材料，其中，所述光纤光栅还包括包层，所述聚合物的折射率根据所述包层的特性参数决定。
25.在本发明的一实施例中，对装载有所述光纤光栅和所述填充材料的封装体进行热处理的步骤具体包括，将所述封装体放入干燥箱中，并设定所述干燥箱温度为40～80℃，干燥时间为30～90小时。
26.本发明的另一方面还提出了一种全光纤激光器，包括依次连接的泵浦源、波分复用器或合束器、增益光纤、光纤耦合器、偏振控制器、上述的可饱和吸收体和偏振无关隔离器。
27.在本发明的一实施例中，所述泵浦源、波分复用器或合束器、增益光纤、光纤耦合器、偏振控制器、所述的可饱和吸收体和偏振无关隔离器之间均通过单模光纤连接，以形成环形光纤谐振腔结构。
28.在本发明的一实施例中，所述可饱和吸收体中的光纤光栅的谐振波长和对比度，根据所述全光纤激光器的工作波长决定。
29.在本发明的一实施例中，所述可饱和吸收体中纳米材料的能带带隙选择对应的吸收波长与所述全光纤激光器的工作波长对应。
30.与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明提供的基于过耦合长周期光纤光栅的新型可饱和吸收体具有制备简易，结构稳定，较高的损伤阈值等优势。本发明的方案适用于多种低维纳米材料，具备普遍通用性。另外，厘米级别长度的过耦合长周期光纤光栅增加了光与纳米材料的相互作用长度，高效率式的纤芯模和高阶次包层模间的耦合效率增强了光与纳米材料的相互作用强度，从而提高了可饱和吸收体的非线性光学性能和全光纤超快光纤激光器的稳定性。
附图说明
31.包括附图是为提供对本技术进一步的理解，它们被收录并构成本技术的一部分，附图示出了本技术的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中：
32.图1是本发明一实施例的一种可饱和吸收体的结构示意图；
33.图2是本发明一实施例的一种可饱和吸收体中光纤光栅的结构示意图；
34.图3是本发明一实施例的一种可饱和吸收体中光纤光栅的传输光谱的示意图；
35.图4是本发明一实施例的一种可饱和吸收体的制备方法的流程示意图；
36.图5是本发明一实施例的一种可饱和吸收体所应用的全光纤激光器的结构示意图；以及
37.图6是本发明一实施例的一种可饱和吸收体所应用的全光纤激光器的传输光谱的示意图。
具体实施方式
38.为了更清楚地说明本技术的实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本技术应用于其他类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
39.如本技术和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
40.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
41.在本技术的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关
系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
42.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
43.此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，尽管本技术中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本技术说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本技术。
44.应当理解，当一个部件被称为“在另一个部件上”、“连接到另一个部件”、“耦合于另一个部件”或“接触另一个部件”时，它可以直接在该另一个部件之上、连接于或耦合于、或接触该另一个部件，或者可以存在插入部件。相比之下，当一个部件被称为“直接在另一个部件上”、“直接连接于”、“直接耦合于”或“直接接触”另一个部件时，不存在插入部件。同样的，当第一个部件被称为“电接触”或“电耦合于”第二个部件，在该第一部件和该第二部件之间存在允许电流流动的电路径。该电路径可以包括电容器、耦合的电感器和/或允许电流流动的其它部件，甚至在导电部件之间没有直接接触。
45.本发明的一实施例参照图1提出了一种可饱和吸收体10，具有便于制备、兼容性高且性能稳定的优势。
46.如图1所示，本发明一实施例提出的一种可饱和吸收体10主要包括光纤光栅11、填充材料12和封装体13。
47.首先，为了更清楚的说明光纤光栅11的结构，具体可以参考图2所示，光纤光栅11包括包层111和由包层包裹的纤芯112，且纤芯上刻写有光栅110。示例性的，在本发明的包括图1的一些实施例中，光栅110的周期大于100微米，且光栅的长度为1～5厘米。在本发明的通常实施例中，光栅110的周期在100微米～1毫米之间。例如，如图2所示，在光纤光栅11中，110’为使用二氧化碳激光器在纤芯112上刻写的折射率调制，光栅110的周期λ为315微米，周期数为100(图2仅示例性的展示了其中的一部分)，光栅长度l为周期λ与周期数的乘积，光栅长度l具体为3.15厘米，具有如此参数特征的光纤光栅11，也可以理解为本领域中过耦合长周期光纤光栅。
48.长周期光纤光栅作为一种周期大于100微米的透射性带阻光纤光栅，具有宽带宽，无后向反射，成本低廉，制备简单等优点，受到了学术界和工业界的广泛研究关注。长周期光纤光栅的特点是将符合相位匹配条件的纤芯模耦合到同向传输的高阶次包层模中，并且
快速泄露到包层外而与外界环境发生相互作用，从而实现传感检测，在传输谱上表现为相应谐振波长处出现一个损耗峰。过耦合长周期光纤光栅则是在普通长周期光纤光栅的基础上继续增加周期性折射率的变化，将耦合到同向传输的高阶次包层模的能量重新耦合到纤芯中。此种作用机制使得泄露到包层外的高阶次包层模与纳米材料相互作用之后，可以重新耦合到纤芯中，从而为本发明的可饱和吸收体实现其特有的技术效果提供了有利的支撑。
49.示例性的，如图3所示，是如图1和图2所示的光纤光栅11的传输光谱。通过测量得出，光纤光栅11的谐振波长为1608nm，对比度为1.26db。这表示在1608nm波长处，纤芯模全部耦合到同向传输的高阶次包层模中后，有74.82％的高阶次包层模重新耦合到纤芯模中。
50.进一步的，在如图1所示的实施例中，填充材料12包括纳米材料120。示例性的，在本发明的一些实施例中，纳米材料包括单壁碳纳米管、石墨烯以及二维过渡金属硫族化合物中的一种或多种。可以理解的是，本发明虽然在一些实施例中对于纳米材料的种类进行了一些举例，但是这并不意味着本发明的方案中所选用的纳米材料就以这些被列举的种类为限。具体来说，任何具有可饱和吸收效应的纳米材料均可以被用于本发明的可饱和吸收体的方案中，因此，采用了本发明可饱和吸收体的其他技术特征而仅对于纳米材料做出一些不同的种类的选取仍然属于本发明的精神和范围。
51.优选地，为了提升光纤光栅11在封装体13中的稳定性，填充材料12还包括聚合物，具体的，聚合物的折射率根据包层的特性参数决定。也即，聚合物的折射率要与包层的折射率匹配，采用折射率低于包层折射率的聚合物，从而保证可饱和吸收体10的有效性。示例性的，在本发明的一些实施例中，低折射率的聚合物可以选用聚2,2,2-甲基丙烯酸三氟乙酯，但是本发明不以这样的选择为限，其他具有较低折射率的聚合物也属于本发明的保护范围。
52.更具体的，聚合物的设计可以考虑如下的因素。首先，聚合物的低折射率小于包层111折射率，从而在满足光传输的波导条件下，使固化后的聚合物可以起到保护光纤光栅11不受外界环境影响的作用。其次，原本过耦合长周期光纤光栅的外界环境为空气，折射率为1，在包裹了低折射率的纳米材料聚合物之后，过耦合长周期光纤光栅的谐振波长和对比度都会发生相应的变化。因此，需要对过耦合长周期光纤光栅进行精确的谐波波长和对比度的设计，保证在与纳米材料低折射率聚合物复合体相互作用之后，其最终的谐振波长和对比度满足具体应用场景，如全光纤激光器(将在下文进一步说明)设计的要求。
53.进一步参考图1，在可饱和吸收体10中，封装体13用于装载光纤光栅11和填充材料12，且在封装体13中，填充材料12包围光纤光栅11。
54.示例性的，在本发明的一些实施例中，封装体为石英方槽。另外，在如图1所示的实施例中，在封装体13的两端，还包括固化胶14，固化胶14用于将光纤光栅11固定在封装体13中。示例性的，在本发明的一些实施例中，固化胶13为紫外线固化胶，在将光纤光栅11放入封装体13后，光纤光栅11的两端分别从封装体13相对的两个开口131和132延伸至封装体外。此时，再通过紫外线固化灯照射位于封装体13两端的紫外线固化胶，即可以实现对封装体13的封装。可以理解的是，图1以及关于固化胶14的说明仅示例性的展示了本发明一实施例中的关于封装体13的封装方法，但是本发明不对于封装体13的具体形状、材质以及使用何种方法进行封装做出限制。
55.参照图1～3说明的可饱和吸收体10采用光纤光栅(优选地为过耦合长周期光纤光栅)和纳米材料相结合，使之与现有技术相比具有诸多优势。相比于其他倏逝场型的可饱和吸收体，本发明提出的可饱和吸收体具有明显的特点和有益的技术效果。第一，制备简单，可重复性高，集成性好，可以耦合到全光纤激光器中；第二，具有原有光纤的直径和物理结构，保证了优秀的机械性能，不会轻易断裂和损坏；第三，可以提高可饱和吸收体的热损伤阈值，工作在高功率状态下；第四，可以实现超高效率的(》95％)纤芯膜和高阶次包层模之间的相互耦合，并且厘米级别的光栅长度可以实现纳米材料和高阶次包层模的充分相互作用，形成高质量的可饱和吸收体。
56.参照图4，本发明的另一方面还提出了一种可饱和吸收体的制备方法40(以下简称“制备方法40”)。本技术中使用了流程图用来说明根据本技术的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或下面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
57.参照图4，制备方法40主要包括如下的步骤：
58.步骤41：在光纤的纤芯上刻写光栅，以得到光纤光栅；
59.步骤42：将光纤光栅固定在封装体中；以及
60.步骤43：将包括有纳米材料的填充材料装入封装体中，并对装载有光纤光栅和填充材料的封装体进行热处理，以获得可饱和吸收体。
61.首先，可以采用二氧化碳激光器在光纤上刻写光栅，示例性的，参考上述对于可饱和吸收体10的说明，优选地，光栅的周期和长度可以满足一定的参数特征(如周期大于100微米，光栅长度在1～5厘米)从而制得过耦合长周期光纤光栅。如上所述，刻写光栅的方法可以选择二氧化碳激光器，但是本发明不以此为限，例如，还可以采用紫外以及飞秒激光等刻写方式，本发明不对此做出限制。
62.进一步的，在步骤42中，将光纤光栅固定在封装体中的方式可以依据封装体的结构特征不同而有所变化。示例性的，如图4所示的制备方法40可以制备如图1所示的可饱和吸收体10。在这样的实施例中，参考图1，封装体13为凹槽型，具有开放且相对的两个开口131和132。
63.基于如图1所示的封装体13结构制备可饱和吸收体10，上述参照图4的步骤42具体包括如下的操作。将光纤光栅11放置在第一位置(例如是第一次放置光纤光栅的初始位置)后，光纤光栅11的两端从上述两个开口131和132分别延伸至封装体13外，同时利用紫外线灯照射紫外线固化胶14，以将封装体13的两个开口131和132，从而将光纤光栅11固定在封装体13中该第一位置。
64.在本发明的一些实施例中，可以理解的是，上述的第一位置可能不是光纤光栅11在封装体13中的较佳位置，例如，处于该第一位置的光纤光栅11的传输光谱不符合预期，示例性的，可以将如图3所示的传输光谱作为符合预期的传输光谱作为比较时的参照。此时，本发明提出的可饱和吸收体的制备方法还包括如下具体的步骤：在将光纤光栅放置在第一位置后，测量光纤光栅在第一位置的第一传输光谱，若第一传输光谱不符合预期，则通过调整架调整光纤光栅的位置，直至获得符合预期的传输光谱。示例性的，具体调整的方式可以选用三维调整架以及z轴调整架配合调整，其中，三维调整架用于对光纤光栅11在封装体13
中的位置进行微调，如保持光纤光栅的平坦无弯折等，通过三维调整架不断调整光纤光栅并测量传输光谱直至传输光谱符合预期。此时，再利用z轴调整架使封装体13调整至可以包裹定位后的光纤光栅所在的位置，从而最终获得位于合理位置的光纤光栅和封装体。
65.进一步的，在本发明的一些实施例中，在执行如图4所示的步骤43将填充材料倒入封装有光纤光栅的封装体中之前，还包括处理纳米材料的步骤。示例性的，在本发明的一些实施例中，在执行步骤43之前，还包括利用超声将纳米材料分散在溶剂中，对混合有纳米材料的混合溶剂进行真空过滤或离心处理，去除未分散和/或大尺寸的纳米材料及杂质，从而得到均匀分散的纳米材料分散液，并由此获得具有纳米材料的填充材料。如上所述，这样的溶剂可以选择n-甲基吡咯烷酮，但是本发明不以此为限。
66.进一步优选地，还包括在得到均匀分散的纳米材料-n-甲基吡咯烷酮分散液后，将低折射率聚合物溶解于分散液，以获得具有纳米材料和低折射率聚合物的填充材料。
67.总的来说，对于本发明中的溶剂，需要其具有可以容纳利用超声分散的纳米材料的特性，而当在一些优选的实施例中需要加入低折射率聚合物时，溶剂还需要具有可溶解聚合物的特性。任何具备这样特性的溶剂都可以被选用而执行步骤43，因此也均属于本发明的精神和范围。
68.最后，在执行步骤43时，还涉及热处理的步骤，从而可以固化封装体中包括有纳米材料的填充材料，以最终获得成型的可饱和吸收体。在本发明的一些实施例中，对装载有光纤光栅和填充材料的封装体进行热处理的步骤具体包括，将封装体放入干燥箱中，并设定干燥箱温度为40～80℃，干燥时间为30～90小时。优选地，当上述的聚合物为聚2,2,2-甲基丙烯酸三氟乙酯时，可以设定干燥箱温度为60℃，且干燥时间为72小时。
69.本发明的一实施例参照图5还提出了一种全光纤激光器50。根据图5，全光纤激光器50包括依次连接的泵浦源51、波分复用器52、增益光纤53、光纤耦合器54、偏振控制器55，本发明参照图1～3说明的可饱和吸收体56和偏振无关隔离器57。示例性的，可饱和吸收体如采用上述参照图1的实施例，即可饱和吸收体10。但是本发明不因此做出限定。例如，在本发明一些其他的实施例中，对于一些特定种类的光纤，如大功率的双包层光纤，可以将图5中的波分复用器52替换为合束器，从而实现更好的全光纤激光器的应用效果。
70.在如图5所示的实施例中，泵浦源51、波分复用器52、增益光纤53、光纤耦合器54、偏振控制器55、可饱和吸收体56和偏振无关隔离器57之间均通过单模光纤500连接，以形成环形光纤谐振腔结构，但是本发明不以此为限，在本发明的一些其他的实施例中，连接各个元件的光纤种类可以是单模光纤以外的其他种类光纤。
71.优选地，可饱和吸收体56中的光纤光栅的谐振波长和对比度，根据全光纤激光器50的工作波长决定。可以理解的是，上述增益光纤53可以为掺镱光纤、掺铒光纤、掺铥光纤以及其他类型的激光产生光纤等。具体的，当选择不同种类的增益光纤53时，波分复用器52、光纤耦合器54、可饱和吸收体56、偏振无关隔离器57的工作波长为相应增益光纤53的工作波长。另外，在本发明的一些实施例中，可饱和吸收体56中纳米材料的能带带隙选择对应的吸收波长与全光纤激光器50的工作波长对应。
72.具体来说，泵浦源51与波分复用器52的泵浦端(反射端)连接，以将泵浦光输入到光纤谐振腔中，波分复用器52的公共端(透射端)与增益光纤53的一端连接，增益光纤53的另一端与耦合比10:90的光纤耦合器54的输入端连接，10％输出端用于输出光信号，90％输
出端与可饱和吸收体56的一端连接。而可饱和吸收体56的另一端则与偏振无关隔离器57的输入端连接，偏振无关隔离器57的输出端与波分复用器52的信号端连接。偏振控制器55为挤压光纤型偏振控制器，将偏振控制器55安装与光纤耦合器54的90％输出端和可饱和吸收体56之间的单模光纤上。可饱和吸收体56具有非线性光学吸收特性，使全光纤激光器50产生超快激光脉冲。
73.示例性的，参照图6，是本发明的如图5所示的全光纤激光器的传输光谱显示。举例来说，在本发明的一实施例中，泵浦源输出的泵浦光中心波长为980nm，全光纤激光器50所输出的激光的中心波长为1554.26nm。但是本发明不以这样的实施结果为限，例如，当全光纤激光器50中的增益光纤53发生改变时，上述的波长数值也会发生相应的改变。本发明并不对这样的应用示例的应用条件做出限制。
74.与现有技术的一些全光纤激光器相比，现有的一些全光纤激光器量子点薄膜层覆盖在d型光纤的底部作为可饱和吸收体，但是其利用的是d型光纤的泄露模和量子点薄膜层相互作用，制备工艺较为复杂，具有较大的插入损耗。而相比之下，基于本发明的上述可饱和吸收体的全光纤激光器制备简单、可重复性好，在有效节省成本的基础上，还可以保证优秀的机械性能，同时具有较高的热损伤阈值。
75.上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本技术的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本技术进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本技术中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本技术示范实施例的精神和范围。
76.同时，本技术使用了特定词语来描述本技术的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本技术至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本技术的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
77.同理，应当注意的是，为了简化本技术披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本技术实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本技术对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
78.一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明数字允许有
±
20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本技术一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
79.虽然本技术已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本技术，在没有脱离本技术精神的情况下还可作出各种等效的变化或替换，因此，只要在本技术的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本技术的权利要求书的范围内。