套刻偏差的测量方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻偏差的测量方法。


背景技术：

2.套刻偏差(overlay，ovl)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置的偏差。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层相加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作。因此，在形成当层的过程中，减小套刻偏差、确保套刻偏差在偏差范围内是极为重要的一件事情。
3.在现有技术中，通常采用基于光学衍射的套刻测量(diffraction-based overlay，简称dbo)代替传统的基于图形的套刻测量(image-based overlay，简称ibo)，基于光学衍射的套刻测量使用的套刻标记为周期性结构，标记分别位于硅片的参考层和当前的光刻胶层上。如果这两层标记完全对准，那么在照明光下的 1和-1阶衍射光强应当是完全相等的。如果套刻偏差不为零，那么 1和-1阶光强会存在差别。通过计算，我们可以定量得到套刻偏差和 /-1阶光强差之间的关系。反射谱的强度是照明光波长λ和光栅位置x的函数。当套刻偏差存在时，一阶衍射光的光强差和套刻偏差值成良好的线性关系。测量设备通过获取光强差，便可以求得不同工艺层之间的套刻状况。
4.然而，现有技术中采用基于光学衍射的套刻测量仍存在诸多问题。


技术实现要素：

5.本发明解决的技术问题是提供一种套刻偏差的测量方法，能够有效提升第二批次晶圆的测量精度，同时提升测量效率。
6.为解决上述问题，本发明提供一种套刻偏差的测量方法，包括：提供第一批次晶圆，所述第一批次晶圆中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组，所述第一测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第一测量值；采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组，所述第二测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量值；获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组，所述偏差值组中包括若干与所述第一测量点对应的偏差值；提供第二批次晶圆，所述第二批次晶圆中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量点；采用所述第一波长光源对所述第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组，所述第三测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第三测量值；将所述第三测量值组与所述偏差值组相加，获取第四测量值组，所述第四测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第四测量值。
7.可选的，所述第一波长光源包括：单波长光源或双波长光源。
8.可选的，所述第二波长光源包括：多波长光源，所述多波长光源中的波长数量为n，且n≥3。
9.可选的，所述多波长光源中的波长数量n为4或5。
10.可选的，所述多波长光源的获取方法包括：在预设光波的波长范围内，获取若干第一级波长，所述第一级波长为预设光波的波峰处波长和波谷处波长。
11.可选的，所述多波长光源的获取方法还包括：当多波长光源所需的波长数量大于所述第一级波长的数量时，在预设光波的波长范围内，获取若干第二级波长，所述第二级波长为预设光波的
±
1/2振幅处的波长。
12.可选的，所述多波长光源的获取方法还包括：当多波长光源所需的波长数量大于第一级波长数量和第二级波长数量总和时，在预设光波的波长范围内，获取若干第三级波长，所述第三级波长为预设光波的
±
3/4振幅处的波长。
13.可选的，获取第一测量值组的方法包括：采用第一波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值集，所述第一测量值集中包括若干与所述第一测量点对应的初始第一测量值；去除所述第一测量值集中的若干第一异常测量值，获取初始第一测量值组；提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述初始第一测量值组进行数据拟合运算，获取与所述第一异常测量值对应的第一拟合值，由所述第一拟合值和所述初始第一测量值组成所述第一测量值组。
14.可选的，获取所述第一拟合值的方法包括：获取与所述第一异常测量值对应的第一测量点作为第一异常点；获取与所述第一异常点相邻的所述第一测量点作为第一拟合参考点；获取与所述第一拟合参考点对应的初始第一测量值作为第一拟合参考值；对若干所述第一拟合参考值进行所述数据拟合运算，获取所述第一拟合值。
15.可选的，获取所述第一异常测量值的方法包括：获取所述第一异常测量值的方法包括：获取所述第一测量值集的第一标准差sigma1；获取第一取值参考范围，所述第一取值参考范围为4倍第一标准差sigma1～6倍第一标准差sigma1；在所述第一取值参考范围以外的所述初始第一测量值为所述第一异常测量值。
16.可选的，获取第二测量值组的方法包括：采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值集，所述第二测量值集中包括若干与所述第一测量点对应的初始第二测量值；去除所述第二测量值集中的若干第二异常测量值，获取初始第二测量值组；提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述初始第二测量值组进行数据拟合运算，获取与所述第二异常测量值对应的第二拟合值，由所述第二拟合值和所述初始第二测量值组成所述第二测量值组。
17.可选的，获取所述第二拟合值的方法包括：获取与所述第二异常测量值对应的第一测量点作为第二异常点；获取与所述第二异常点相邻的所述第一测量点作为第二拟合参考点；获取与所述第二拟合参考点对应的初始第二测量值作为第二拟合参考值；对若干所述第二拟合参考值进行所述数据拟合运算，获取所述第二拟合值。
18.可选的，获取所述第二异常测量值的方法包括：获取所述第二测量值集的第二标准差sigma1；获取第二取值参考范围，所述第二取值参考范围为4倍第二标准差sigma2～6倍第二标准差sigma2；在所述第二取值参考范围以外的所述初始第二测量值为所述第二异常测量值。
19.可选的，获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组的方法包括：将所述第二测量值与对应的所述第一测量值进行作差处理，获取若干所述偏差值，由若干所述偏差值组成所述偏差值组。
20.可选的，获取所述第二测量值组的方法包括：采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取测量值集，所述测量值集中包括若干初始第二测量值；对所述测量值集进行运算处理，获取每个所述第一测量点对应的理想测量值，以所述理想测量值作为所述第二测量值，由若干所述第二测量值组成所述第二测量值组。
21.可选的，获取所述测量值集的方法包括：获取所述测量值集的方法包括：采用n个具有不同波长数量的多波长光源对p个所述第一测量点分别进行测量，每个多波长光源的波长数量为i，且1≤i≤n，获取每个所述第一测量点的n个初始第二测量值，p个所述第一测量点共获取p*n个所述初始第二测量值，由p*n个所述初始第二测量值组成所述测量值集。
22.可选的，获取每个所述第一测量点对应的理想测量值的方法包括：对p*n个所述初始第二测量值求取线性回归，在所述线性回归上获取每个所述第一测量点对应的线性回归值，并将所述线性回归值作为所述理想测量值。
23.可选的，在获取每个所述第一测量点的理想测量值之后，还包括：根据所述理想测量值获取每个所述第一测量点在测量时的最佳波长数量。
24.可选的，获取每个所述第一测量点在测量时的最佳波长数量的方法包括：在每个所述第一测量点中的n个所述初始第二测量值中获取最佳测量值，并将所述最佳测量值所对应的波长数量作为最佳波长数量。
25.可选的，获取最佳测量值的方法包括：将与所述理想测量值差值最小所述初始第二测量值作为所述最佳测量值。
26.可选的，在获取所述第四测量值之后，还包括：对所述偏差值进行检测，获取检测结果；根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量。
27.可选的，根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量的方法包括：提供检测阈值；将所述偏差值与所述检测阈值进行对比；当所述偏差阈值大于所述检测阈值时，则需要对所述套刻偏差进行重新测量。
28.可选的，在对所述套刻偏差进行重新测量时，所述多波长光源中的波长数量采用所述最佳波长数量。
29.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
30.本发明技术方案的形成方法中，提供第一批次晶圆，所述第一批次晶圆中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组，所述第一测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第一测量值；采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组，所述第二测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量值。由于采用第一波长光源的测量效率高但是测量精度较低，采用第二波长光源的测量精度高但是测量效率低，因此获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组，所述偏差值组中包括若干与所述第一测量点对应的偏差值，通过获取的偏差值组对后续第二批次晶圆采用第一波长光源测量时进行相加补偿，使得所述第二批次晶圆在具有高测量效率的同时，测量精度也有效提升。
31.进一步，获取所述第二测量值组的方法包括：采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取测量值集，所述测量值集中包括若干初始第二测量值；对所述测量值集进行运算处理，获取每个所述第一测量点对应的理想测量值，以所述理想测量值作为所述第二测量值，由若干所述第二测量值组成所述第二测量值组。由于所述第一批次晶圆包括
中心区和边缘区，所述中心区和所述边缘区的结构存在较大的差异，若采用统一的测量标准获取中心区和边缘区的测量值并不是最合理的，因此通过对所述测量值集进行运算处理，针对所述中心区和所述边缘区的差异获取每个所述第一测量点对应的理想测量值，并以所述理想值作为第二测量值，使得获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组更加的精确，进而能够进一步的提升测量精度。
32.进一步，在获取所述第四测量值之后，还包括：对所述偏差值进行检测，获取检测结果；根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量。通过定时检测能够保证稳定测量精度，进而提升生产品质。
33.进一步，在对所述套刻偏差进行重新测量时，所述多波长光源中的波长数量采用所述最佳波长数量。通过采用最佳波长数量，避免了再采用具有1～n个波长数量的多波长光源对p个所述第一测量点分别进行测量，有效提升了测量效率。
附图说明
34.图1是本发明实施例的套刻偏差的测量方法流程图；
35.图2至图11是本发明套刻偏差的测量方法一实施例各步骤结构示意图；
36.图12至图13是本发明套刻偏差的测量方法另一实施例各步骤结构示意图。
具体实施方式
37.正如背景技术所述，现有技术中采用基于光学衍射的套刻测量仍存在诸多问题。以下将进行具体说明。
38.研究表明，在基于光学衍射的套刻测量的过程中，使用双波长(以下简称dw，dual-wavelength)的测量精度优于单波长(以下简称sw，single-wavelength)，多波长(以下简称mw，multi-wavelength)的衍射式测量精度要优于双波长的测量结果。因此，在更小的节点上，dw/mw逐步被推广使用。
39.sw选择的单个波长是基于某个特定的膜层状态选取的最佳条件，该波长可以适用膜层图案变动较小的情况，但是sw难以应对膜层图案的较大不对称性、晶圆内部较大的膜层均匀度差异以及晶圆与晶圆之间的膜层堆叠差异性较大的情况。尤其在新工艺研发阶段，工艺制程的变化通常会超出sw的有效区间，量产阶段的晶圆边缘区域通常也可能超出sw的有效区间。mw是目前最有效的解决方案。
40.然而，随着波长数量的增加，mw的测量意味着晶圆要在所有选择的波长上都测量一遍，时间是成倍率增长的，这个对产能的影响非常大，不能适应量产需求。
41.在此基础上，本发明提供一种套刻偏差的测量方法，采用所述第一波长光源对所述第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组，所述第三测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第三测量值；将所述第三测量值组与所述偏差值组相加，获取第四测量值组，所述第四测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第四测量值。由于采用第一波长光源进行测量虽然效率高，但是测量精度较低，通过将之前获取的偏差值组与所述第三测量值组进行相加补偿，使得所述第三测量值组的测量精度有效提升，进而能够有效提升对所述第二批次晶圆的测量精度，同时提升对所述第二批次晶圆的测量效率。
42.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明
的具体实施例做详细地说明。
43.图1是本发明实施例的套刻偏差的测量方法流程图，包括：
44.步骤s11，提供第一批次晶圆，所述第一批次晶圆中包括若干第一测量点；
45.步骤s12，采用第一波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第一测量值组，所述第一测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第一测量值；
46.步骤s13，采用第二波长光源对所述第一批次晶圆进行测量，获取第二测量值组，所述第二测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量值；
47.步骤s14，获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组，所述偏差值组中包括若干与所述第一测量点对应的偏差值；
48.步骤s15，提供第二批次晶圆，所述第二批次晶圆中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量点；
49.步骤s16，采用所述第一波长光源对所述第二批次晶圆进行测量，获取第三测量值组，所述第三测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第三测量值；
50.步骤s17，将所述第三测量值组与所述偏差值组相加，获取第四测量值组，所述第四测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第四测量值。
51.以下将结合附图对所述测量方法的各个步骤进行详细说明。
52.图2至图10是本发明实施例的套刻偏差的测量方法各步骤的结构示意图。
53.请参考图2，提供第一批次晶圆100，所述第一批次晶圆100中包括若干第一测量点。
54.在本实施例中，所述第一批次晶圆100中的每个所述第一测量点上均存在套刻偏差的问题，这些套刻偏差形成的原因在于：在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置出现偏差而形成的。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层相加而成，如果当层图形和前层图形没有对准的话，芯片将无法正常工作。
55.因此，要通过精确的测量出套刻偏差的大小，进而在后续的制程中，对所述套刻偏差进行补偿，确保最终经过补偿之后的套刻偏差在偏差范围内。
56.请参考图3，采用第一波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取第一测量值组，所述第一测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第一测量值101。
57.在本实施例中，所述第一波长光源包括：单波长光源或双波长光源。
58.虽然单波长光源或双波长光源的测量效率高，但是单波长光源或双波长光源的测量精度较低，如果仅通过单波长光源或双波长光源进行测量，会使得最终的经过偏差补偿后的晶圆良率降低。
59.在本实施例中，获取第一测量值组的方法包括：采用第一波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取第一测量值集，所述第一测量值集中包括若干与所述第一测量点对应的初始第一测量值；去除所述第一测量值集中的若干第一异常测量值，获取初始第一测量值组；提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述初始第一测量值组进行数据拟合运算，获取与所述第一异常测量值对应的第一拟合值，由所述第一拟合值和所述初始第一测量值组成所述第一测量值组。
60.在本实施例中，获取所述第一拟合值的方法包括：获取与所述第一异常测量值对应的第一测量点作为第一异常点；获取与所述第一异常点相邻的所述第一测量点作为第一
拟合参考点；获取与所述第一拟合参考点对应的初始第一测量值作为第一拟合参考值；对若干所述第一拟合参考值进行所述数据拟合运算，获取所述第一拟合值。
61.在本实施例中，获取所述第一异常测量值的方法包括：获取所述第一测量值集的第一标准差sigma1；获取第一取值参考范围，所述第一取值参考范围为4倍第一标准差sigma1～6倍第一标准差sigma1；在所述第一取值参考范围以外的所述初始第一测量值为所述第一异常测量值。
62.请参考图4，采用第二波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取第二测量值组，所述第二测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量值102。
63.所述第二波长光源包括：多波长光源，所述多波长光源中的波长数量为n，且n≥3。
64.虽然多波长光源的测量精度高，但是多波长光源的测量效率较低，如果仅通过多波长光源进行测量，会影响生产效率。
65.在本实施例中，获取第二测量值组的方法包括：采用第二波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取第二测量值集，所述第二测量值集中包括若干与所述第一测量点对应的初始第二测量值；去除所述第二测量值集中的若干第二异常测量值，获取初始第二测量值组；提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述初始第二测量值组进行数据拟合运算，获取与所述第二异常测量值对应的第二拟合值，由所述第二拟合值和所述初始第二测量值组成所述第二测量值组。
66.在本实施例中，获取所述第二拟合值的方法包括：获取与所述第二异常测量值对应的第一测量点作为第二异常点；获取与所述第二异常点相邻的所述第一测量点作为第二拟合参考点；获取与所述第二拟合参考点对应的初始第二测量值作为第二拟合参考值；对若干所述第二拟合参考值进行所述数据拟合运算，获取所述第二拟合值。
67.在本实施例中，获取所述第二异常测量值的方法包括：获取所述第二测量值集的第二标准差sigma1；获取第二取值参考范围，所述第二取值参考范围为4倍第二标准差sigma2～6倍第二标准差sigma2；在所述第二取值参考范围以外的所述初始第二测量值为所述第二异常测量值。
68.请参考图5，获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组，所述偏差值组中包括若干与所述第一测量点对应的偏差值103。
69.在本实施例中，获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组的方法包括：将所述第二测量值102与对应的所述第一测量值101进行作差处理，获取若干所述偏差值103，由若干所述偏差值103组成所述偏差值组。
70.通过多波长光源、以及单波长光源或双波长光源对所述第一批次晶圆100进行分别测量，进而得出两次测量结果的偏差值组，通过所述偏差值组用于相加补偿后续仅采用单波长光源或双波长光源测量第二批次晶圆200所获得的第三测量值组，使得对所述第二批次晶圆200的测量既可以有较高的测量效率，同时也具有较高的测量精度。
71.请参考图6，经过大量的测量数据得知：当多波长光源中的波长数量到达一定的数值时，再增加多波长光源中的波长数量进行测量，所获取的第二测量值102的精度增加的却很小，对应的每个所述第一测量点的偏差值103的增加也很小。但是每增加一个波长数量进行测量，却会消耗大量的测量时间。因此，为了保证较高测量效率且不过多的降低测量精度，在本实施例中，所述多波长光源中的波长数量n为4或5。
72.请参考图7，在本实施例中，所述多波长光源的获取方法包括：在预设光波的波长范围内，获取若干第一级波长，所述第一级波长为预设光波的波峰处波长和波谷处波长。
73.在预设光波中首先选取波峰处波长和波谷处波长的目的在于：波峰处波长和波谷处波长的变化率最低，测量结果更加稳定。
74.在本实施例中，所述多波长光源的获取方法还包括：当多波长光源所需的波长数量大于所述第一级波长的数量时，在预设光波的波长范围内，获取若干第二级波长，所述第二级波长为预设光波的
±
1/2振幅处的波长。
75.在本实施例中，所述多波长光源的获取方法还包括：当多波长光源所需的波长数量大于第一级波长数量和第二级波长数量总和时，在预设光波的波长范围内，获取若干第三级波长，所述第三级波长为预设光波的
±
3/4振幅处的波长。
76.请参考图8，提供第二批次晶圆200，所述第二批次晶圆200中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量点。
77.在本实施例中，所述第二批次晶圆200的每个第二测量点上同样存在套刻偏差的问题，通过所述第一批次晶圆100获取的偏差值组用于相加补偿所述第二批次晶圆200的测量，使得第二批次晶圆200的测量在获取较高测量效率的同时也具有较高的测量精度。
78.请参考图9，采用所述第一波长光源对所述第二批次晶圆200进行测量，获取第三测量值组，所述第三测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第三测量值201。
79.采用第一波长光源对所述第二批次晶圆200进行测量的过程和采用第一波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量的过程一样，具体可参考图3以及相关说明所述，在此不再赘述。
80.请参考图10，将所述第三测量值组与所述偏差值组相加，获取第四测量值组，所述第四测量值组中包括若干与所述第二测量点对应的第四测量值202。
81.在本实施例中，通过提供第一批次晶圆100，所述第一批次晶圆100中包括若干第一测量点；采用第一波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取第一测量值组，所述第一测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第一测量值101；采用第二波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取第二测量值组，所述第二测量值组中包括若干与所述第一测量点对应的第二测量值102。由于采用第一波长光源的测量效率高但是测量精度较低，采用第二波长光源的测量精度高但是测量效率低，因此获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组，所述偏差值组中包括若干与所述第一测量点对应的偏差值103，通过获取的偏差值组对后续第二批次晶圆200采用第一波长光源测量时进行相加补偿，获取所述第四测量值组202，使得所述第二批次晶圆200在具有高测量效率的同时，测量精度也有效提升。
82.请参考图11，在获取所述第四测量值202之后，对所述偏差值103进行检测，获取检测结果；根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量。
83.在本实施例中，根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量的方法包括：提供检测阈值；将所述偏差值103与所述检测阈值进行对比；当所述偏差阈值大于所述检测阈值时，则需要对所述套刻偏差进行重新测量。通过定时检测能够保证稳定测量精度，进而提升生产品质。
84.然而，在本实施例中，所述第二波长光源在进行测量时所选用的波长数量是固定
的，但是所述第一批次晶圆100包括中心区和边缘区，所述中心区和所述边缘区的结构存在较大的差异，若采用固定的波长数量获取中心区和边缘区的测量值并不是最合理的，因此为了进一步提高套刻偏差的测量精度，本发明还提出了另一实施例的套刻偏差的测量方法。
85.图12至图13是本发明另一实施例的套刻偏差的测量方法的各步骤结构示意图。
86.本实施例是在上述实施例的基础上继续对套刻偏差的测量方法进行说明，本实施例和上述实施例的不同点在于：获取所述第二测量值组的方法包括：采用第二波长光源对所述第一批次晶圆100进行测量，获取测量值集，所述测量值集中包括若干初始第二测量值；对所述测量值集进行运算处理，获取每个所述第一测量点对应的理想测量值，以所述理想测量值作为所述第二测量值102，由若干所述第二测量值组成所述第二测量值组。具体过程请参考图12至图13。
87.请参考图12，采用n个具有不同波长数量的多波长光源对p个所述第一测量点分别进行测量，每个多波长光源的波长数量为i，且1≤i≤n，获取每个所述第一测量点的n个初始第二测量值104，p个所述第一测量点共获取p*n个所述初始第二测量值104，由p*n个所述初始第二测量值104组成所述测量值集。
88.在本实施例中，每次采用相同波长数量的多波长光源所述获取的若干初始第二测量值同样需要进行去除异常点和数据拟合运算，具有过程请参考图xx以及相关说明所述，在此将不再赘述。
89.在本实施例中，p*n个所述初始第二测量值104组成所述测量值集通过矩阵a表示，即：
[0090][0091]
请参考图13，对p*n个所述初始第二测量值104求取线性回归，在所述线性回归上获取每个所述第一测量点对应的线性回归值，并将所述线性回归值作为所述理想测量值。
[0092]
在本实施例中，所述线性回归值的获取方法包括：
[0093]
提供坐标系数模型x，所述x为参数矩阵，使得a
·
x总可以得到最精确的值，由于测量时受到所述第一批次晶圆100表面规律的影响，x中的每一项显然都是一个关于坐标的方程，即：
[0094][0095]
其中，(l
x
，ly)表示所述第一批次晶圆100的各个所述第一测量点的坐标；
[0096]
对所述参数矩阵x中的方程做泰勒展开，即：
[0097]fn
(l
x
，ly)＝k
n00
k
n10
·
l
x
k
n01
·
ly
…
r
[0098]
由于所述第一批次晶圆100的坐标范围总是在晶圆上[-150,150]，因此，总是可以在这个范围上展开为多项式。
[0099]
若对a
·
x展开为五阶多项式得到a’·
x’，则其中a’将会是一个p*21n大小的矩阵，
即：
[0100][0101]
由于在每个所述第一测量点的n个初始第二测量值104中，最佳测量值105的精度总是最接近与理想测量值，因此对a
·
x＝[ov
mw
]求回归，其中ov
mw
为各个所述第一测量点对应的最佳测量值105，[ov
mw
]＝[ov] r，其中ov为所述理想测量值，r为所述理想测量值与所述最佳测量值105之间的余量。
[0102]
在本实施例中，获取最佳测量值105的方法包括：将与所述理想测量值差值最小所述初始第二测量值104作为所述最佳测量值，即在：
[0103]fn
(l
x
，ly)＝k
n00
k
n10
·
l
x
k
n01
·
ly
…
r
[0104]
公式中，r值最小所对应的初始第二测量值104为最佳测量值105。
[0105]
因此，在本实施例中，通过对所述测量值集进行运算处理，针对所述中心区和所述边缘区的差异获取每个所述第一测量点对应的理想测量值，并以所述理想值作为第二测量值102，使得获取所述第二测量值组与所述第一测量值组之间的偏差值组更加的精确，进而能够进一步的提升测量精度。
[0106]
在本实施例中，在获取每个所述第一测量点的理想测量值之后，还包括：根据所述理想测量值获取每个所述第一测量点在测量时的最佳波长数量。
[0107]
在本实施例中，获取每个所述第一测量点在测量时的最佳波长数量的方法包括：在每个所述第一测量点中的n个所述初始第二测量值中获取最佳测量值，并将所述最佳测量值所对应的波长数量作为最佳波长数量。
[0108]
请继续参考图11，在获取所述第四测量值202之后，对所述偏差值103进行检测，获取检测结果；根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量。
[0109]
在本实施例中，根据所述检测结果决定是否对所述套刻偏差进行重新测量的方法包括：提供检测阈值；将所述偏差值103与所述检测阈值进行对比；当所述偏差阈值大于所述检测阈值时，则需要对所述套刻偏差进行重新测量。通过定时检测能够保证稳定测量精度，进而提升生产品质。
[0110]
在本实施例中，在对所述套刻偏差进行重新测量时，所述多波长光源中的波长数量采用所述最佳波长数量。通过采用最佳波长数量，避免了再采用具有1～n个波长数量的多波长光源对p个所述第一测量点分别进行测量，有效提升了测量效率。
[0111]
虽然本发明披露如下，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。