阵列基板及其制作方法、显示面板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于衬底上的多个晶体管；所述晶体管包括设置于所述衬底同一侧的有源层和栅极，所述有源层位于所述栅极和所述衬底之间；至少部分所述晶体管中，所述栅极包括沿垂直于所述衬底的方向层叠设置且电连接的第一金属部和第二金属部，所述第二金属部位于所述第一金属部背离所述衬底的一侧；所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一金属部与所述沟道区重合，所述第二金属部与所述沟道区交叠且与所述第一掺杂区不交叠；至少部分所述第二金属部复用作形成所述第一掺杂区的掩膜板。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，其中，所述第一类型晶体管中，所述第二金属部在所述衬底的正投影的面积大于所述第一金属部在所述衬底的正投影的面积；所述第二类型晶体管中，所述第二金属部在所述衬底的正投影的面积小于所述第一金属部在所述衬底的正投影的面积，且所述第二金属部在所述衬底的正投影位于所述第一金属部在所述衬底的正投影内。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管中的有源层均包括第二掺杂区，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度小于所述第一掺杂区的离子掺杂浓度，且所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区和所述沟道区之间。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类型晶体管中，沿垂直于所述衬底的方向，所述第二金属部包括与所述第一金属部不交叠的延伸部，所述延伸部与所述第二掺杂区重合。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管中的所述有源层同时制作，所述第一金属部同时制作、所述第二金属部同时制作。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管还包括第三类型晶体管，所述第三类型晶体管中，所述第二金属部在所述衬底的正投影的面积小于所述第一金属部在所述衬底的正投影的面积，且所述第三类型晶体管的有源层仅包括沟道区和所述第一掺杂区。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类型晶体管、所述第二类型晶体管和所述第三类型晶体管中，所述有源层同时制作，所述第一金属部同时制作、所述第二金属部同时制作。8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至7中任一所述的阵列基板。9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底的一侧形成至少两个同层设置的有源层；在所述有源层背离所述衬底的一侧制作第一绝缘层，并在第一绝缘层背离所述衬底的一侧制作第一金属部，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一金属部与所述有源层交叠，交叠的区域为沟道区；将所述第一金属部作为掩膜板，对所述有源层中未与所述第一金属部交叠的区域进行第一离子掺杂；在所述第一金属部背离所述衬底的一侧制作第二金属部，沿垂直于所述衬底的方向，
所述第二金属部与所述第一金属部交叠且电连接；对所述有源层中已进行第一离子掺杂的至少部分区域进行第二离子掺杂，形成第一掺杂区。10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一金属部背离所述衬底的一侧制作第二金属部时，至少部分第二金属部在所述衬底的正投影的面积大于与其对应的所述第一金属部在所述衬底的正投影的面积，且所述第二金属部在所述衬底的正投影与所述有源层在所述衬底的正投影至少部分不交叠；在进行第二离子掺杂时，将所述第二金属部作为掩膜板，对所述有源层中未与所述第二金属部交叠的区域进行第二离子掺杂，形成所述第一掺杂区；所述有源层中，与所述第二金属部交叠且未与所述第一金属部交叠的区域为第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区中的离子掺杂浓度大于所述第二掺杂区中的离子掺杂浓度。11.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一金属部背离所述衬底的一侧制作第二金属部时，至少部分第二金属部在所述衬底的正投影的面积小于与其对应的所述第一金属部在所述衬底的正投影的面积，且所述第二金属部在所述衬底的正投影位于所述第一金属部在所述衬底的正投影内；在进行第二离子掺杂时，在所述第二金属部背离所述衬底的一侧引入掩膜板，对所述有源层中已进行第一离子掺杂的至少部分区域进行第二离子掺杂，形成第一掺杂区；所述有源层中，与所述掩膜板交叠且未与所述第一金属部交叠的区域为第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区中的离子掺杂浓度大于所述第一掺杂区中的离子掺杂浓度。12.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一金属部背离所述衬底的一侧制作第二金属部时，至少部分第二金属部在所述衬底的正投影的面积小于与其对应的所述第一金属部在所述衬底的正投影的面积，且所述第二金属部在所述衬底的正投影位于所述第一金属部在所述衬底的正投影内；在进行第二离子掺杂时，将所述第一金属部作为掩膜板，对所述有源层中未与所述第一金属部交叠的区域进行第二离子掺杂，形成第一掺杂区。13.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次离子掺杂的过程对不同的所述有源层进行第一离子掺杂；通过一次离子掺杂的过程对不同的所述有源层进行第二离子掺杂。14.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：在第二金属部背离所述衬底的一侧形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成通孔，所述通孔暴露所述第一掺杂区；在所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧形成源极金属和漏极金属，并使所述源极金属和所述漏极金属中的至少部分填充于所述通孔中。

技术总结
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，涉及显示技术领域，阵列基板包括衬底和设置于衬底上的多个晶体管；晶体管包括设置于衬底同一侧的有源层和栅极，有源层位于栅极和衬底之间；至少部分晶体管中，栅极包括沿垂直于衬底的方向层叠设置且电连接的第一金属部和第二金属部，第二金属部位于第一金属部背离衬底的一侧；有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的第一掺杂区，沿垂直于衬底的方向，第一金属部与沟道区重合，第二金属部与沟道区交叠且与第一掺杂区不交叠；至少部分第二金属部复用作形成第一掺杂区的掩膜板。如此，既有利于简化至少部分晶体管的制作工艺，又有利于提升有源层中不同区域的位置精准性。升有源层中不同区域的位置精准性。升有源层中不同区域的位置精准性。


技术研发人员：章凯迪 林柏全 王林志 黄钰坤 龚顺 席克瑞
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
技术研发日：2022.02.16
技术公布日：2022/6/10