一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置。


背景技术：

2.在oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)显示装置中加入cpl层(capping layer，光取出层)可以改善显示装置的出光模式，使原本被限制在装置内部的光线能够射出显示装置，表现出更高的光取出效率。但是，目前的cpl层无法非常高效的提高显示装置的出光效率，导致用户体验差。
3.因此，亟需一种cpl层，以解决上述问题。


技术实现要素：

4.本发明的实施例提供一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置，该光取出材料的极化率较高，从而可以大幅提高光取出材料的折射率。
5.为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
6.一方面，提供了一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置，该光取出材料包括：芳胺类化合物，所述芳胺类化合物包括至少三个多环结构a，相邻所述多环结构a通过氨基键合；
7.所述多环结构a包括至少两个通过单键键合的基团，其中一个基团为杂芳环，所述杂芳环包括至少一个氮；另一个基团为多元环。
8.可选的，所述多环结构a包括三个基团，所述多环结构a的结构通式为：
[0009][0010]
其中，r3为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种；
[0011]
x1为氧或硫；
[0012]
z1-z4各自独立地为氮或碳，且z1-z4中的至少一个为氮；
[0013]
为与所述氨基或r4连接的键；其中，r4为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种。
[0014]
可选的，所述多环结构a包括两个基团，所述多环结构a的结构通式为：
[0015][0016]
其中，x1为氧或硫；
[0017]
x2为氧、硫、碳、氮中的任一种，且至少一个为氮；
[0018]
y1-y7各自独立地为氮或碳，且y1-y7中的至少一个为氮。
[0019]
可选的，所述芳胺类化合物的结构通式为：
[0020][0021]
其中，r1和r2各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种。
[0022]
可选的，所述r1和所述r2的结构通式均为：
[0023][0024]
其中，为与所述氨基或r4连接的键；r4为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种。
[0025]
可选的，所述光取出材料的化学结构式包括：
[0026]
[0027][0028]
中的任一种。
[0029]
另一方面，提供了一种光取出层，包括上述的光取出材料。
[0030]
再一方面，提供了一种发光器件，包括上述的光取出层。
[0031]
可选的，所述发光器件还包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极；所述光取出层设置在所述阴极远离所述发光层的一侧。
[0032]
又一方面，提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
[0033]
本发明的实施例提供了一种光取出材料，该光取出材料包括芳胺类化合物，芳胺类化合物包括至少三个多环结构a，相邻多环结构a通过氨基键合；多环结构a包括至少两个
通过单键键合的基团，其中一个基团为杂芳环，杂芳环包括至少一个氮；另一个基团为多元环。从而使得一方面，通过光取出材料的杂芳环包括至少一个氮，使得杂芳环将与多环结构所在平面之间的二面角的角度大幅降低，从而使得多芳环的结构较为平面化；另一方面，使得光取出材料分子在保持较高极化率的情况下体积较小，从而得到高折射率的光取出材料；再一方面，将本发明实施例提供的光取出材料制成的光取出层用于发光器件，可以明显提高发光器件的出光效率，获得更高的外量子效率，减少光在发光器件内部的损耗，进而提高发光器件的效率。
[0034]
上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。
附图说明
[0035]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]
图1为本发明实施例提供的一种光取出材料1的构型；
[0037]
图2为本发明实施例提供的一种对比例1的构型；
[0038]
图3为本发明实施例提供的一种光取出材料2的构型；
[0039]
图4为本发明实施例提供的一种对比例2的构型；
[0040]
图5为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0041]
图6为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
[0042]
图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0043]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0044]
在本发明的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，“至少一个”的含义是一个或一个以上，“至少三个”的含义是三个或三个以上，除非另有明确具体的限定。
[0045]
随着科技的发展，oled显示器得到越来越广泛的应用。相关技术中，通常会在顶发射型oled显示器(oled显示器包括依次层叠设置的阳极、有机发光功能层和阴极，且光线从显示器阴极出射的称之为顶发射型oled显示器)的阴极上设置一层高折射率的材料，以提高顶发射型oled显示器的光提取率，这一材料层被称为光取出层。光取出层在oled显示器中具体为一层折射率较高的有机或无机透明材料层，在可见光范围内基本没有吸收范围。设置光取出层的发光器件可以改善出光模式，使原本被限制在oled显示器内部的光线能够射出该器件，从而使得oled显示器表现出更高的光取出效率。
[0046]
但是，目前的光取出材料仍存在折射率较低的问题，导致oled显示器的光取出效
果不够好，无法满足日益提升的市场需求。
[0047]
基于此，本发明实施例提供了一种光取出材料，该光取出材料包括：芳胺类化合物，芳胺类化合物包括至少三个多环结构a，相邻多环结构a通过氨基键合；多环结构a包括至少两个通过单键键合的基团，其中一个基团为杂芳环，杂芳环包括至少一个氮；另一个基团为多元环。
[0048]
上述芳胺类化合物包括至少三个多环结构a是指：该芳胺类化合物可以包括三个多环结构a，此时芳胺类化合物可以通过结构通式表示；或者，该芳胺类化合物可以包括四个或更多数量的多环结构a，这里不做具体限定。
[0049]
上述相邻多环结构a通过氨基键合。这里对于氨基上被取代的氢的数量不做具体限定，示例的，氨基上被取代的氢的数量可以为两个，即氨基上键合两个多环结构a；或者，氨基上被取代的氢的数量可以为三个，即氨基上键合两个多环结构a、以及一个取代基。
[0050]
上述多环结构a包括至少两个通过单键键合的基团是指：该多环结构a可以包括两个通过单键键合的基团，此时多环结构a可以通过结构通式(其中x和y构成一个基团，z为一个基团)表示；或者，该多环结构a可以包括三个及三个以上通过单键键合的基团，此时多环结构a可以通过结构通式(a、b、c分别代表一个基团，且a、b、c中至少两个是不同的基团)表示，这里不做具体限定。
[0051]
在上述多环结构a包括三个及三个以上通过单键键合的基团的情况下，可以是三个及三个以上的基团全部相同；或者，三个及三个以上的基团全部不同；或者，部分基团相同、且部分基团不同，这里不做具体限定。在部分基团相同、且部分基团不同的情况下，可以是相邻的基团相同，也可以是相同基团间隔一个或多个不同的基团设置，具体以实际应用为准。现以结构通式为例进行说明：在基团a、基团b和基团c中，可以是基团b为杂芳环、基团a和基团c均为多元环，其中，基团a和基团c可以为相同的多元环或不同的多元环；或者，可以是基团b为多元环、基团a和基团c均为杂芳环，其中，基团a和基团c可以为相同的杂芳环或不同的杂芳环。当选择基团b为杂芳环、基团a和基团c均为多元环时，基团b所在平面与基团a所在平面之间的二面角较小，从而使得光取出材料的分子极化率较高，进而可以有效提升光取出材料的折射率。
[0052]
上述杂芳环包括至少一个氮是指：该杂芳环可以包括一个氮，例如或者，该杂芳环可以包括两个及两个以上氮，例如这里不做具体限定。
[0053]
下面提供了两组本发明实施例提供的光取出材料与对比例中，每一组光取出材料与对比例的结构式、构型和相邻基团所在平面之间的二面角的对比情况。其中，上述二面角为两个平面所构成的角度。
[0054]
第一组：光取出材料1的结构式为其中一种构型如图1所示，可
以看到光取出材料1的结构式满足结构通式测得光取出材料1中基团a所在平面与基团b所在平面之间的二面角为28.80
°
，基团b所在平面与基团c所在平面之间的二面角为0.48
°
。
[0055]
对比例1的结构式为其中一种构型如图2所示，可以看到对比例1的结构式满足结构通式测得对比例1中基团a所在平面与基团b所在平面之间的二面角为46.73
°
，基团b所在平面与基团c所在平面之间的二面角为0.98
°
。
[0056]
将光取出材料1与对比例1的结构式进行对比后发现，光取出材料1和对比例1中基团a和基团c相同，光取出材料1中基团b为含氮杂芳环，而对比例1中基团b的苯环不含氮。将光取出材料1与对比例1的基团之间的二面角进行对比后发现，光取出材料1中基团a所在平面与基团b所在平面之间的二面角小于对比例1中基团a所在平面与基团b所在平面之间的二面角，光取出材料1中基团b所在平面与基团c所在平面之间的二面角小于对比例1中基团b所在平面与基团c所在平面之间的二面角。
[0057]
第二组：光取出材料2的结构式为其中一种构型如图3所示，可以看到光取出材料2的结构式满足结构通式测得光取出材料2中基团x-y所在平面与基团z所在平面之间的二面角为29.05
°
。
[0058]
对比例2的结构式为其中一种构型如图4所示，可以看到对比例2的结构式满足结构通式测得对比例2中基团x-y所在平面与基团z所在平面之间的二面角为47.74
°
。
[0059]
将光取出材料2与对比例2的结构式进行对比后发现，光取出材料2和对比例2中基团z相同，光取出材料2中基团x-y为含氮杂芳环，而对比例2中基团b的基团x-y不含氮。将光取出材料2与对比例2的基团之间的二面角进行对比后发现，光取出材料2中基团x-y所在平面与基团z所在平面之间的二面角小于对比例2中基团x-y所在平面与基团z所在平面之间的二面角。
[0060]
对上述光取出材料1、对比例1、光取出材料2和对比例2进行测试，分别得到各个化合物的分子极化率、分子体积和分子折射率，如下表一所示。
[0061]
表一
[0062]
化合物极化率(c
·
m2/v)体积(bohr3)折射率光取出材料1192.221709.5781.916对比例1192.081756.3571.880光取出材料2227.081790.6742.097对比例2220.771835.2112.012
[0063]
由表一可以得出：光取出材料1与对比例1、以及光取出材料2与对比例2相比，光取出材料的分子极化率均高于对应的对比例的分子极化率，光取出材料的分子体积均小于对应的对比例的分子体积，光取出材料的折射率均高于对应的对比例的折射率。
[0064]
本发明的实施例提供了一种光取出材料，该光取出材料包括芳胺类化合物，芳胺类化合物包括至少三个多环结构a，相邻多环结构a通过氨基键合；多环结构a包括至少两个通过单键键合的基团，其中一个基团为杂芳环，杂芳环包括至少一个氮；另一个基团为多元环。从而使得一方面，通过光取出材料的杂芳环包括至少一个氮，使得杂芳环将与多环结构所在平面之间的二面角的角度大幅降低，从而使得多芳环的结构较为平面化；另一方面，使得光取出材料分子在保持较高极化率的情况下体积较小，从而得到高折射率的光取出材料；再一方面，将本发明实施例提供的光取出材料制成的光取出层用于发光器件，可以明显提高发光器件的出光效率，获得更高的外量子效率，减少光在发光器件内部的损耗，进而提高发光器件的效率。
[0065]
可选的，多环结构a包括三个基团，多环结构a的结构通式为：其中，r3为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种；x1为氧或硫；z1-z4各自独立地为氮或碳，且z1-z4中的至少一个为氮；为与氨基或r4连接的键；其中，r4为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种。
[0066]
本发明的实施例提供的光取出材料中，含氮杂芳环设置在两个五元杂环之间，从而使得含氮杂芳环分别与任一五元杂环所在平面之间的二面角的角度均较小，进而使得光取出材料分子在保持较高极化率的情况下体积较小，折射率较高。
[0067]
可选的，多环结构a包括两个基团，多环结构a的结构通式为：其中，x1为氧或硫；x2为氧、硫、碳、氮中的任一种，且至少一个为氮；y1-y7各自独立地为氮或碳，且y1-y7中的至少一个为氮。
[0068]
本发明的实施例提供的光取出材料中，含氮杂芳环与五元杂环键合，从而使得含氮杂芳环与五元杂环所在平面之间的二面角的角度较小，进而使得光取出材料分子在保持较高极化率的情况下体积较小，折射率较高。
[0069]
可选的，芳胺类化合物的结构通式为：其中，r1和r2各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种。
[0070]
本发明的实施例提供的芳胺类化合物中，在多环结构中有杂芳环，杂芳环中包括至少一个氮原子，从而使得含氮杂芳环与多元环所在平面之间的二面角的角度均较小，使得多环结构较为平面化；同时，多环结构之间通过氨基相连，且芳胺类化合物中包含至少3个该多环结构，使得芳胺类化合物分子在保持较高极化率的情况下体积较小，得到高折射率的芳胺类化合物化合物。
[0071]
可选的，r1和r2的结构通式均为：其中，为与氨基或r4连接的键；r4为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的硫醚基、取代或未取代的c1～c50的芳基、由取代或未取代的c2～c9的环结构形成的c2～c50的杂芳基中的任一种。从而使得芳胺类化合物的极化率更高，得到更高折射率的化合物。并且，该r1和r2合成工艺较为简单，成本更低。
[0072]
可选的，光取出材料的化学结构式包括：
[0073][0074]
中的任一种。
[0075]
下面将分别详细说明化合物下面将分别详细说明化合物
[0076]
的制备过程。
[0077]
以下是化合物1的具体制备过程如下：
[0078][0079]
首先在反应瓶中加入0.3mol化合物1-1和0.3mol化合物1-2，然后再在反应瓶中加
入500ml甲苯、乙醇和碳酸钾的水溶液。对反应瓶抽真空充氮气，并加入0.003mol四(三苯基膦)钯，继续抽真空充氮气，加热回流搅拌反应4个小时，然后加水搅拌，降温至室温后减压过滤得到中间物。对中间物依次使用热水和丙酮冲洗，确保滤液ph值约为7，然后加入氯仿溶解该中间物，再浓缩滤液后加入少量甲醇重结晶，减压过滤得到固体，即得到中间体化合物1-3，产率约为88％。
[0080][0081]
首先在反应瓶中加入400ml甲苯溶剂，然后依次加入0.3mol化合物1-3、0.15mol原料化合物1-4以及0.1mol叔丁醇钠，接着向反应瓶中充氮气后加入0.002mol醋酸钯，再进行氮气充气，并加入0.007mol三叔丁基膦的甲苯溶液，然后重复氮气充气过程，回流2小时。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液，滤液浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，即得到固体化合物1，产率约为76％。
[0082]
以下是化合物2的具体制备过程如下：
[0083][0084]
首先在反应瓶中加入0.3mol化合物1-1和0.3mol化合物1-2，然后再在反应瓶中加入500ml甲苯、乙醇和碳酸钾的水溶液。对反应瓶抽真空充氮气，并加入0.003mol四(三苯基膦)钯，继续抽真空充氮气，加热回流搅拌反应4个小时，然后加入水搅拌，降温至室温后减压过滤得到中间物。对中间物依次使用热水和丙酮冲洗，确保滤液ph值约为7，然后加入氯仿溶解该中间物，再浓缩滤液后加入少量甲醇重结晶，减压过滤得到固体，即得到中间体化合物1-3，产率约为88％。
[0085][0086]
首先在反应瓶中加入400ml甲苯溶剂，然后依次加入0.3mol化合物1-3、0.15mol原料化合物2-1以及0.1mol叔丁醇钠，接着向反应瓶中充氮气后加入0.002mol醋酸钯，再进行氮气充气，并加入0.007mol三叔丁基膦的甲苯溶液，然后重复氮气充气过程，回流2小时。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液，滤液浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，即得到固体化合物1，产率约为76％。
[0087]
以下是化合物3的具体制备过程如下：
[0088][0089]
首先在反应瓶中加入0.3mol化合物1-1和0.3mol化合物1-2，然后再在反应瓶中加入500ml甲苯、乙醇和碳酸钾的水溶液。对反应瓶抽真空充氮气，并加入0.003mol四(三苯基膦)钯，继续抽真空充氮气，加热回流搅拌反应4个小时，然后加入水搅拌，降温至室温后减压过滤得到中间物。对中间物依次使用热水和丙酮冲洗，确保滤液ph值约为7，然后加入氯仿溶解该中间物，再浓缩滤液后加入少量甲醇重结晶，减压过滤得到固体，即得到中间体化合物1-3，产率约为88％。
[0090]
首先在反应瓶中加入0.3mol化合物1-1和0.3mol化合物3-1，然后再在反应瓶中加入500ml甲苯、乙醇和碳酸钾的水溶液。对反应瓶抽真空充氮气，并加入0.003mol四(三苯基膦)钯，继续抽真空充氮气，加热回流搅拌反应4个小时，然后加入水搅拌，降温至室温后减压过滤得到中间物。对中间物依次使用热水和丙酮冲洗，确保滤液ph值约为7，然后加入氯仿溶解该中间物，再浓缩滤液后加入少量甲醇重结晶，减压过滤得到固体，即得到中间体化合物1-3，产率约为75％。
[0091][0092]
首先在反应瓶中加入400ml甲苯溶剂，然后依次加入0.3mol化合物3-2、0.15mol原料化合物2-1以及0.1mol叔丁醇钠，接着向反应瓶中充氮气后加入0.002mol醋酸钯，再进行氮气充气，并加入0.007mol三叔丁基膦的甲苯溶液，然后重复氮气充气过程，回流2小时。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液，滤液浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，即得到固体化合物1，产率约为76％。
[0093]
以下是化合物4的具体制备过程如下：
[0094][0095]
首先在反应瓶中加入化合物4-1和化合物4-2，然后在可见光照射下，在h2o/etoh以3:1的比例混合的溶剂混合物，以及ag@cu2o nps催化下进行反应。使用100w钨丝灯泡作为照射源，将反应瓶浸入水浴中以防止光热效应。反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，即得到固体化合物4-3。
[0096][0097]
首先在反应瓶中加入400ml甲苯溶剂，然后依次加入0.3mol化合物3-2、0.15mol原料化合物4-3以及0.1mol叔丁醇钠，接着向反应瓶中充氮气后加入0.002mol醋酸钯，再进行氮气充气，并加入0.007mol三叔丁基膦的甲苯溶液，然后重复氮气充气过程，回流2小时。反
应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液，滤液浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，即得到固体化合物4，产率约为76％。
[0098]
分别对于对比例3(结构式为)、对比例4(结构式为)、化合物1、化合物2、化合物3和化合物4进行测试，得到各化合物在热重和不同波长下的折射率，如下表二所示。
[0099]
表二
[0100][0101]
由表二可以得出：化合物1-4在任一波长下的折射率均高于对比例3-4在对应波长下的折射率。化合物1、2、4的热重均小于对比例3的热重，化合物1-4的热重均大于对比例2的热重。
[0102]
本发明实施例还提供了一种光取出层，包括上述的光取出材料。
[0103]
本发明实施例提供的光取出层中，一方面，通过光取出材料的杂芳环包括至少一个氮，使得杂芳环将多环结构所在平面之间的二面角的角度大幅降低，使得多芳环的结构较为平面化；另一方面，使得光取出材料分子在保持较高极化率的情况下体积较小，得到高折射率的光取出材料；再一方面，将本发明实施例提供的光取出层应用于发光器件，可以明显提高发光器件的出光效率，获得更高的外量子效率，减少光在发光器件内部的损耗，进而提高发光器件的效率。
[0104]
本发明实施例又提供了一种发光器件，包括上述的光取出层。
[0105]
本发明实施例提供的发光器件中，一方面，通过光取出材料的杂芳环包括至少一个氮，使得杂芳环将多环结构所在平面之间的二面角的角度大幅降低，使得多芳环的结构较为平面化；另一方面，使得光取出材料分子在保持较高的极化率情况下体积较小，得到高折射率的化合物；再一方面，可以明显提高发光器件的出光效率，获得更高的外量子效率，减少光在发光器件内部的损耗，进而提高发光器件的效率。
[0106]
可选的，参考图5所示，发光器件还包括依次层叠设置的阳极1、发光层2和阴极3；光取出层4设置在阴极3远离发光层2的一侧。
[0107]
参考图5所示，发光器件还包括：电子阻挡层5和空穴阻挡层6，电子阻挡层5位于阳极1和发光层2之间，空穴阻挡层6位于阴极3和发光层2之间。
[0108]
这里对于上述发光器件的制备工艺不做具体限定，示例的，该发光器件可以采用真空蒸镀制备发光器件中的各膜层。
[0109]
这里对于上述发光器件的类型不做具体限定，示例的，该发光器件可以包括顶发射型发光器件。
[0110]
这里对于上述发光层的材料不做具体限定，示例的，该发光层的材料可以包括主体材料和客体材料；或者，该发光层的材料可以包括一种材料。示例的，该发光层的材料可以是芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、胺衍生物等。示例的，主体材料可以是bh，其化学结构式为客体材料可以是bd，其化学结构式为
[0111]
上述阳极的材料不做具体限定，示例的，该阳极的材料可以包括ito(indium tin oxides，铟锡氧化物)。
[0112]
上述电子阻挡层的材料可以是具有空穴传输特性的物质，例如芳胺类化合物、二甲基芴或者咔唑材料及其衍生物中的任一种。示例的，电子阻挡层的材料可以是cbp，其化学结构式为
[0113]
上述空穴阻挡层的材料可以是芳族杂环化合物，例如苯并咪唑、三嗪、嘧啶、吡啶、吡嗪、喹喔啉、喹啉、二唑、二氮杂磷杂环戊二烯、氧化膦、芳族酮、内酰胺、硼烷的化合物及其衍生物的任一种或两种以上的组合。示例的，该空穴阻挡层的材料可以是tpbi，tpbi的中文名称为1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯，其化学结构式为
[0114]
上述电子阻挡层能够阻挡发光层中的电子穿出发光层，保证更多地电子在发光层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。上述空穴阻挡层能够阻挡发光层中的空穴穿出发光层，保证更多地空穴在发光层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。
[0115]
可选的，参考图6所示，发光器件还包括位于阳极1和电子阻挡层5之间的空穴注入层7、空穴传输层8，以及位于阴极3和空穴阻挡层6之间的电子注入层9和电子传输层10；其中，空穴注入层7位于阳极1和空穴传输层8之间，电子注入层9位于阴极3和电子传输层10之间。
[0116]
上述空穴注入层的材料可以是无机的氧化物、强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物，例如六氰基六氮杂三亚苯基；2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(f4tcnq)，其化学结构式为1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷；4,4
′
,4
″‑
三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)，其化学结构式为等。
[0117]
上述空穴传输层的材料可以是具有空穴传输特性的物质，例如芳胺类化合物、二甲基芴或者咔唑材料及其衍生物中的任一种。示例的，该空穴传输层的材料可以是m-mtdata。
[0118]
上述电子注入层的材料可以是碱金属或者金属，例如lif、yb、mg、ca或者它们的化合物等。这里lif的中文名称为氟化锂；yb的中文名称为镱。
[0119]
上述电子传输层的材料可以是芳族杂环化合物，例如苯并咪唑、三嗪、嘧啶、吡啶、吡嗪、喹喔啉、喹啉、二唑、二氮杂磷杂环戊二烯、氧化膦、芳族酮、内酰胺、硼烷的化合物及其衍生物的任一种或两种以上的组合。示例的，该电子传输层的材料可以是bcp，bcp的中文名称为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉。
[0120]
下面提供一具体实施例和对比例，以说明提升效果。
[0121]
发光器件结构为：
[0122]
ito(70nm)/m-mtdata:f4tcnq(10nm,3％)/m-mtdata(110nm)/cbp(5nm)/bh:bd(20nm,5％)/tpbi(5nm)/bcp:liq(30nm,1:1)/yb(1nm)/mg ag(13nm)/cpl(65nm)
[0123]
上述结构中，第一电极(作为阳极)的材料为ito，厚度为70nm；蓝光空穴型的主体材料为m-mtdata，蓝光空穴型的客体材料为f4tcnq，蓝光空穴型的客体材料的掺杂浓度为5％，厚度为10nm；空穴传输层的材料为m-mtdata，厚度为110nm；电子阻挡层的材料为cbp，厚度为5nm；蓝光发光层的主体材料为bh，蓝光发光层的客体材料为bh，蓝光发光层的客体材料的掺杂浓度为5％，厚度为20nm；空穴阻挡层的材料为tpbi，厚度为5nm；蓝光电子型的主体材料为bcp，蓝光电子型的客体材料为liq，蓝光电子型的主体材料与蓝光电子型的客体材料的掺杂比例为1：1，厚度为30nm；电子注入层的材料为yb，厚度为1nm；第二电极(作为阴极)的材料为mg、ag合金，厚度为13nm；光取出层的厚度为65nm。
[0124]
本发明实施例提供的发光器件结构中的光取出层的材料为化合物1-4，对比例中光取出层的材料为对比例3-4。对本发明实施例提供的化合物1-4形成的光取出层得到的发光器件和对比例提供的对比例3-4形成的光取出层得到的发光器件分别进行电压、eqe和寿命测试，得到如下表三。
[0125]
表三
[0126]
光取出层电压(％)eqe(％)寿命(％)
对比例3100100100对比例499102103化合物199106108化合物2100110108化合物399113109化合物499118103
[0127]
表三中，eqe表示光取出层的外部量子效率。
[0128]
从表三可以得出：采用本发明实施例提供的化合物1-4形成的光取出层制备得到的发光器件比采用对比例3-4形成的光取出层得到的发光器件的折射率更高，光取出效率更高，稳定性得到了一定提升，器件寿命都得到了大幅改善。
[0129]
需要说明的是，表三中的电压、外部量子效率和寿命的数值均不是实际数值，这里以电压为例进行说明，假设实际测量得到的对比例4形成的光取出层制备得到的发光器件的电压为0.99v，那么实际测量得到的本实施例化合物2形成的光取出层制备得到的发光器件的电压为1v，其他参数均以此为例，这里不再赘述。
[0130]
上述发光器件可以应用于显示装置中，这里对于显示装置的具体结构不做限定。
[0131]
示例的，显示装置可以包括显示基板和发光器件。显示基板包括阵列排布的多个像素单元，发光器件包括阵列排布的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，红色子像素与红色发光器件电连接，绿色子像素与绿色发光器件电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件电连接。
[0132]
参考图7所示，红色子像素与红色发光器件100电连接，绿色子像素与绿色发光器件200电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件300电连接。参考图7所示，以位于最左端的红色子像素为例说明具体结构，红色子像素包括：位于衬底2上的依次层叠设置的缓冲层11、有源层210、栅绝缘层12、栅极金属层(包括栅极110和第一电极212)、绝缘层13、电极层(包括第二电极213)、层间介质层14、源漏金属层(包括源极111和漏极112)、平坦层15、像素界定层302。其中，第一电极212和第二电极213用于形成存储电容。像素界定层302包括开口，开口内设置有红色发光器件100，红色发光器件100的阳极1与薄膜晶体管的漏极112电连接。显示基板还包括位于像素界定层302之上的隔垫物34。需要说明的是，该显示基板中，可以是部分像素界定层上设置有隔垫物，也可以是全部像素界定层上设置有隔垫物，这里不做限定。
[0133]
红色发光器件100包括阳极1、以及位于阳极1上的依次层叠设置的空穴注入层7、空穴传输层8、电子阻挡层5、红色发光层113、空穴阻挡层6、电子传输层10、电子注入层9、阴极3和光取出层4。
[0134]
需要说明的是，图7所示的绿色发光器件200和蓝色发光器件300的发光层与红色发光器件100的发光层的材料不同，绿色发光器件的发光层用于发出绿光，蓝色发光器件的发光层用于发出蓝光，红色发光器件的发光层用于发出红光。另外，绿色发光器件和蓝色发光器件的电子阻挡层与红色发光器件的电子阻挡层的材料也不同。除发光层和电子阻挡层以外，绿色发光器件、蓝色发光器件包括的其它膜层均与红色发光器件相同，这里不再赘述。
[0135]
参考图7所示，该显示装置还可以包括覆盖发光器件的第一无机层421、有机层43、
第二无机层422，第一无机层421、有机层43和第二无机层422可以起到封装作用，保护发光器件，延长使用寿命。
[0136]
本发明实施例另提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
[0137]
上述显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示屏)，这里不做限定。上述显示装置可以是oled显示装置，还可以是lcd(liquid crystal display，液晶显示装置)显示装置。上述显示装置可以是电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件；上述显示装置还可以应用于身份识别、医疗器械等领域，已推广或具有很好推广前景的产品包括安防身份认证、智能门锁、医疗影像采集等。该显示装置具有光取出效率高、显示效果好、寿命长、稳定性高、对比度高、成像质量好、产品品质高等优点。
[0138]
本文中所称的“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本技术的至少一个实施例中。
[0139]
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本技术的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
[0140]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。