声表面波滤波器及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种声表面波滤波器，具有一个以上的谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：复合压电衬底，该复合压电衬底具有：基底层，该基底层由具有特定切型的石英晶体形成；及压电层，该压电层形成在所述基底层之上；以及叉指电极，该叉指电极形成在所述压电层之上,所述特定切型是从40
°‑
90
°
yx、40
°‑
90
°
y90
°
x、以及40
°‑
90
°
y50
°
x中选择得到的任一个切型。2.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基底层与所述压电层通过键合方式形成所述复合压电衬底。3.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述压电层由lt/ln构成，其中，lt的切型是从36
°
yx、42
°
yx中选择得到的任一个切型，ln的切型是从64
°
yx、128
°
yx中选择得到的任一个切型。4.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基底层的厚度为50-500μm。5.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述压电层的厚度在20λ以下，λ是所述叉指电极激发的声波波长。6.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述叉指电极由ti、al、cu、cr、au、pt、ag、pd、ni中的任一种金属、或它们的合金、或它们的层叠体构成。7.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括形成于所述叉指电极表面的保护层。8.如权利要求7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述保护层由sio2,si3n4,sifo,sioc中的任一个形成。9.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，适用于normal-saw、tc-saw、ihp-saw滤波器。10.一种声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：准备基底层，该基底层由具有特定切型的石英晶体形成，所述特定切型是从40
°‑
90
°
yx、40
°‑
90
°
y90
°
x、以及40
°‑
90
°
y50
°
x中选择得到的任一个切型；在所述基底层之上形成压电层从而得到复合压电衬底；在所述压电层上形成叉指电极。11.如权利要求10所述的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述基底层与所述压电层通过键合方式形成所述复合压电衬底。12.如权利要求10所述的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述压电层由lt/ln构成，其中，lt的切型是从36
°
yx、42
°
yx中选择得到的任一个切型，ln的切型是从64
°
yx、128
°
yx中选择得到的任一个切型。13.如权利要求10所述的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述基底层的厚度为50-500μm。14.如权利要求10所述的声表面波滤波器的制造方法，其特征在于，所述压电层的厚度在20λ以下，λ是所述叉指电极激发的声波波长。

技术总结
本发明涉及一种声表面波滤波器及其制造方法，得到具有高品质因数、良好的TCF特性、低插入损耗以及寄生效应得以抑制的高性能的声表面波滤波器，并且能够实现工艺的简化以及成本的降低。本发明的声表面波滤波器具有一个以上的谐振器，该谐振器包括复合压电衬底，该复合压电衬底具有：基底层，该基底层由具有特定切型的石英晶体形成；及压电层，该压电层形成在基底层之上；以及叉指电极，该叉指电极形成在压电层之上,所述特定切型是从40


技术研发人员：许欣
受保护的技术使用者：广东广纳芯科技有限公司
技术研发日：2022.03.21
技术公布日：2022/6/10