用于离子植入的等离子体浸渍方法与流程

技术特征：
1.一种离子植入方法，其包括：将工件支撑在腔室中；从包含第一前驱物及不同于所述第一前驱物的至少一种额外前驱物的前驱物混合物产生等离子体，其中所述等离子体包含至少两种不同的等离子体离子物种，及所述至少两种不同的等离子体离子物种包括所选原子物种及一或多种额外原子物种；向所述工件施加电势，使所述至少两种不同的等离子体离子物种朝向所述工件加速，以引起所述所选原子物种及所述一或多种额外原子物种植入到所述工件表面上；其中所述至少一种额外前驱物引起增加量的所选原子物种植入到所述工件中。2.根据权利要求1所述的方法，其中植入所述工件中的所述所选原子物种的量比通过缺少所述一或多种额外前驱物的方法植入的所述所选原子物种的量高至少5％。3.根据权利要求1所述的方法，其中植入所述工件中的所述所选原子物种的量为植入的原子物种的总量的至少20％。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述所选原子物种是硼或氟，所述一或多种额外的原子物种包含硼、氟、氢或这些的组合，及所述第一前驱物及所述一或多种额外的前驱物包含：选自a、b、c、d或e组的第一前驱物，及不同于所述第一前驱物的来自a、b、c或d组的第二前驱物，其中：a组包括氟化硼气体诸如bf3、b2f4或b
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f
y
b组包括氢化硼气体诸如b2h6或b
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c组包括混合的氟化氢硼气体诸如bhf2、bh2f或b
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d组包括硼气体诸如bcl3或b
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a
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(其中a是除氢或氟外的元素)e组包括氟或氟化物气体诸如hf、f2、sif4、si2f6、gef4、ge2f6、cf4、c2f6、xef2、pf3、pf5、asf3、asf5、nf3、sf6及a
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f
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(其中a是除硼外的元素)。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述前驱物混合物包含不同于所述第一及第二前驱物的第三前驱物，所述第三前驱物选自a、b、c、d或e组。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述前驱物混合物包含不同于所述第一、第二及第三前驱物的第四前驱物，所述第四前驱物选自a、b、c、d或e组。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述前驱物混合物包含不同于所述第一、第二、第三及第四前驱物的第五前驱物，所述第五前驱物选自a、b、c、d或e组。8.根据权利要求1中任一权利要求所述的方法，其中所述前驱物混合物包含一或多种来自f、g或h组的前驱物，其中：f组包括惰性气体诸如he、ne、ar、kr、xe或n2，g组包括氢及氢化物气体诸如h2、sih4、si2h6、geh4、ge2h6、ph3、ash3、ch4、c2h6、nh3及a
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h
y
，(其中a是除硼或氟外的元素)h组包括氧及氧化物气体：o2、o3、n2o、n4o、no2、n2o3、n2o4、n2o5、co、co2及a
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o
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，其中a是除氧外的元素。9.根据权利要求1中任一权利要求所述的方法，其中所述所选原子物种是硼，及植入所述工件中的硼的量为植入的原子物种的总量的至少20％。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述所选原子物种是硼，及所述一或多种额外原子物种包含氟、氢或两者，且其中：所述第一前驱物是bf3、b2f4或b2h6，及所述一或多种额外前驱物不同于所述第一前驱物且选自bf3、b2f4及b2h6。11.根据权利要求9所述的方法，其中：所述第一前驱物是bf3及所述第二前驱物是b2f4，或所述第一前驱物是bf3及所述第二前驱物是b2h6，或所述第一前驱物是b2f4及所述第二前驱物是b2f6。12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一前驱物是b2f4，所述第二前驱物是b2h6，及所述前驱物混合物进一步包含氢气。13.根据权利要求9所述的方法，其中第一前驱物与第二前驱物的相对量是在10:90到90:10(摩尔)的范围内。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述所选原子物种是氟，及植入所述工件中的氟的量可为植入原子物种总量的至少40％。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一前驱物是选自hf、f2、sif4、si2f6、gef4、ge2f6、cf4、c2f6、xef2、pf3、pf5、asf3、asf5、nf3、sf6及a
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(其中a是除硼外的元素)。16.根据权利要求14所述的方法，其中：所述第一前驱物是f2、hf、nf3、bf3，及所述一或多种额外前驱物不同于所述第一前驱物及选自f2、hf、bf3、b2f4、cf4及b2h6。17.根据权利要求14所述的方法，其中第一前驱物与第二前驱物的相对量是在10:90到90:10(摩尔)的范围内。18.一种等离子体浸渍离子植入系统，其包含：腔室，其包含：包含rf天线的等离子体产生器，工件支撑件，及电极，第一前驱物的来源，及不同于所述第一前驱物的至少一种额外前驱物的来源，其中所述系统适于：将工件支撑在所述工件支撑件上；从所述前驱物产生等离子体，其中所述等离子体包含至少两种不同的等离子体离子物种，及所述两种等离子体离子物种包括所选原子物种及一或多种额外原子物种；及使所述至少两种不同的等离子体离子物种朝向所述工件加速，以引起所述所选原子物种及所述一或多种额外原子物种植入到所述工件表面上；其中所述至少一种额外前驱物引起增加量的所选原子物种植入到所述工件中。19.根据权利要求1所述的系统，其中所述所选原子物种是硼或氟，所述一或多种额外原子物种包含硼、氟、氢，或这些的组合，及所述第一前驱物及所述一或多种额外前驱物是选自：选自a、b、c、d或e组的所述第一前驱物，及
不同于所述第一前驱物的选自a、b、c或d组的所述第二前驱物，其中：a组包括氟化硼气体诸如bf3、b2f4或b
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b组包括氢化硼气体诸如b2h6或b
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c组包括混合的氟化氢硼气体诸如bhf2、bh2f或b
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d组包括硼气体诸如bcl3或b
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(其中a是除氢或氟外的元素)e组包括氟或氟化物气体诸如hf、f2、sif4、si2f6、gef4、ge2f6、cf4、c2f6、xef2、pf3、pf5、asf3、asf5、nf3、sf6及a
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(其中a是除硼外的元素)。

技术总结
本发明涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特別是出于相对于在植入过程中也植入工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。


技术研发人员：唐瀛 B
受保护的技术使用者：恩特格里斯公司
技术研发日：2020.09.17
技术公布日：2022/6/7