技术特征：
1.一种存储器设备，包括：堆叠在三维(3d)阶梯堆叠中的多条字线，包括在所述阶梯堆叠的边缘处的第一字线，该第一字线在一侧有相邻字线，而在相反侧没有相邻字线；以及垂直连接器，所述垂直连接器穿过所述3d阶梯堆叠上的隔离层来将所述3d阶梯堆叠的字线与访问层中的导电线相连接，所述垂直连接器包括在所述第一字线的所述相反侧的至少一个虚设垂直连接器，其中所述虚设垂直连接器不将所述3d阶梯堆叠的字线电连接到所述访问层中的导电线。2.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述虚设垂直连接器没有完全穿过所述隔离层延伸到所述字线。3.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述虚设垂直连接器连接到所述3d阶梯堆叠中的字线，而不连接到所述访问层中的导电线。4.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述虚设垂直连接器包括第一虚设垂直连接器，并且还包括第二虚设垂直连接器，其中所述第二虚设垂直连接器不将所述3d阶梯堆叠的字线电连接到所述访问层中的导电线。5.如权利要求4所述的存储器设备，其中所述第一虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述相反侧并且所述第二虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述一侧。6.如权利要求4所述的存储器设备，其中所述第一虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述相反侧并且所述第二虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述相反侧。7.如权利要求6所述的存储器设备，还包括第三虚设垂直连接器，其中所述第三虚设垂直连接器不将所述3d阶梯堆叠的字线电连接到所述访问层中的导电线，所述第三虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述一侧。8.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一字线是所述3d阶梯堆叠的区域中的顶层。9.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一字线是所述3d阶梯堆叠的区域中的底层。10.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述虚设垂直连接器的直径小于将所述3d阶梯堆叠的字线与访问层中的导电线相连接的垂直连接器的直径。11.如权利要求1所述的存储器设备，其中所述3d阶梯堆叠包括nand闪存存储器设备的字线的3d堆叠。12.一种系统，包括：非易失性(nv)存储器控制器；以及与所述nv存储器控制器相耦合的nv存储器的多个管芯，所述nv存储器管芯包括堆叠在三维(3d)阶梯堆叠中的多条字线，包括在所述阶梯堆叠的边缘处的第一字线，该第一字线在一侧有相邻字线，而在相反侧没有相邻字线；以及垂直连接器，所述垂直连接器穿过所述3d阶梯堆叠上的隔离层来将所述3d阶梯堆叠的字线与访问层中的导电线相连接，所述垂直连接器包括在所述第一字线的所述相反侧的至少一个虚设垂直连接器，其中所述虚设垂直连接器不将所述3d阶梯堆叠的字线电连接到所述访问层中的导电线。13.如权利要求12所述的系统，其中所述虚设垂直连接器没有完全穿过所述隔离层延
伸到所述字线。14.如权利要求12所述的系统，其中所述虚设垂直连接器包括第一虚设垂直连接器，并且还包括第二虚设垂直连接器，其中所述第二虚设垂直连接器不将所述3d阶梯堆叠的字线电连接到所述访问层中的导电线。15.如权利要求14所述的系统，其中所述第一虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述相反侧并且所述第二虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述一侧。16.如权利要求14所述的系统，其中所述第一虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述相反侧并且所述第二虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述相反侧。17.如权利要求16所述的系统，还包括第三虚设垂直连接器，其中所述第三虚设垂直连接器不将所述3d阶梯堆叠的字线电连接到所述访问层中的导电线，所述第三虚设垂直连接器位于所述第一字线的所述一侧。18.如权利要求12所述的系统，其中所述第一字线是所述3d阶梯堆叠的区域中的顶层。19.如权利要求12所述的系统，其中所述第一字线是所述3d阶梯堆叠的区域中的底层。20.如权利要求12所述的系统，其中所述虚设垂直连接器的直径小于将所述3d阶梯堆叠的字线与访问层中的导电线相连接的垂直连接器的直径。21.如权利要求12所述的系统，其中所述3d阶梯堆叠包括nand(与非)存储器设备的字线的3d堆叠。22.如权利要求12所述的系统，还包括以下各项中的一个或多个：与所述多个管芯相耦合的主机处理器设备；与主机处理器通信地耦合的显示器；与主机处理器通信地耦合的网络接口；或者为所述系统供电的电池。
技术总结
具有三维(3D)阶梯存储器堆叠的存储器设备包括邻近半隔离连接器的虚设连接器。存储器设备包括堆叠在3D阶梯堆叠中的多条字线，包括在阶梯的区域的边缘处的字线。存储器设备包括垂直连接器，这些垂直连接器穿过3D阶梯堆叠上的隔离层来将字线与访问层中的导电线相连接。阶梯的区域的边缘处的字线具有垂直连接器，该垂直连接器在一侧将与一连接器相邻，在另一侧则不会。存储器设备包括在边缘上的字线的垂直连接器的边缘侧的至少一个虚设垂直连接器，其中虚设垂直连接器不将3D阶梯堆叠的字线电连接到访问层中的导电线。接到访问层中的导电线。接到访问层中的导电线。
技术研发人员：刘浏 孙川 马洪
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2019.12.12
技术公布日：2022/6/7
再多了解一些
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