瞬态降噪滤波系统的制作方法

技术特征：
1.一种瞬态降噪滤波器，包括：包括一个或多个双绞线导体的电缆；以及第一共模扼流圈cmc，所述第一cmc包括第一多匝电缆。2.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述一个或多个双绞线导体中的每一个在所述双绞线的第一导体上承载数据信号，并且在所述双绞线的第二导体上承载接地。3.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述电缆是美国国家标准协会/电信行业协会标准ansi/tia-568 6、6a、7或8类电缆。4.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述电缆包括在一个或多个双绞线导体周围的法拉第屏蔽。5.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述第一cmc还包括磁芯，并且其中，所述多匝电缆缠绕在所述磁芯上。6.根据利要求5所述的瞬态降噪滤波器，其特征在于，所述磁芯为高频低磁导率铁氧体磁芯。7.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述第一cmc是空芯cmc。8.根据利要求1所述的瞬态降噪滤波器，还包括：第二cmc，所述第二cmc包括第二多匝电缆。9.根据权利要求8所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述第一多匝和所述第二多匝之间的电缆的一部分超过一米长。10.根据权利要求8所述的瞬态降噪滤波器，其中，第一cmc还包括磁芯，并且其中，所述多匝电缆缠绕在所述磁芯上。11.根据权利要求10所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述磁芯为低频高磁导率铁氧体磁芯。12.根据权利要求8所述的瞬态降噪滤波器，还包括：第三cmc，所述第三cmc包括第二多匝电缆。13.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述电缆向电源模块提供电力和至少一个信号，所述电源模块包括：高速半导体功率开关，和保护电路，所述保护电路被配置为检测电源开关中的过流、短路或去饱和状态，并且作为响应，在不到一微秒的时间内启动电源开关的关闭周期。14.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述电缆向电源模块提供电力和至少一个信号，所述电源模块包括：一个高速半导体功率开关，以及保护电路，所述保护电路被配置为检测电源开关的过压或雪崩击穿，并且作为响应，在不到十纳秒的时间内打开电源开关。15.根据权利要求1所述的瞬态降噪滤波器，其中，所述电缆向电子模块提供电力和至少一个信号，所述电力模块包括在所述模块上产生共模电磁干扰的情况下能够达到微伏或毫伏精度的传感电路。
16.一种在包括双绞线导体的电缆上提供瞬态降噪的方法，包括：通过形成所述第一多匝电缆来提供第一共模扼流圈cmc。17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第一多匝电缆包括形成在磁芯周围的所述第一多匝电缆。18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第一多匝电缆包括形成在非磁性芯周围的所述第一多匝电缆。19.根据权利要求14所述的方法，还包括：通过形成在第一磁芯周围的所述第一多匝电缆来形成所述第一多匝电缆；以及通过形成在第二磁芯周围的第二多匝电缆来提供第二cmc，其中，所述第一磁芯具有与所述第二磁芯不同的磁导率、与所述第二磁芯不同的带宽，或两者兼有。20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述双绞线导体用于传送差分信号，并且其中，所述瞬态降噪被提供给所述差分信号。

技术总结
瞬态降噪滤波器包括电缆，该电缆包括一个或多个双绞线导体和一个或多个共模扼流圈(CMC)。所述一个或多个CMC由相应的多匝电缆形成。每个CMC可以是磁性CMC，其中，多匝电缆缠绕在磁芯上；或者每个CMC可以是空芯CMC，其中，多匝电缆不缠绕在磁芯上，而是设置在非磁性材料(例如，空芯)周围。空芯)周围。空芯)周围。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：模拟电力转换有限责任公司
技术研发日：2020.09.08
技术公布日：2022/6/4