半导体存储器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体存储器件，包括：在基板上的位线，所述位线在垂直方向上延伸；晶体管主体，包括第一源极-漏极区、单晶沟道层和第二源极-漏极区，所述第一源极-漏极区、所述单晶沟道层和所述第二源极-漏极区在第一水平方向上依次布置，所述晶体管主体连接到所述位线；栅电极层，在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极电介质层，在所述栅电极层和所述晶体管主体的一部分之间，所述栅极电介质层覆盖所述单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及单元电容器，在所述第一水平方向上在所述晶体管主体的与所述位线相反的一侧，所述单元电容器连接到所述第二源极-漏极区，所述单元电容器包括下电极层、电容器电介质层和上电极层。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述晶体管主体具有扩展部，所述扩展部具有在所述第二水平方向上凸起地突出的平面形状，并且所述扩展部的一部分包括所述单晶沟道层的一部分。3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中所述扩展部的其余部分包括所述第二源极-漏极区的一部分。4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在所述第二水平方向上，所述栅电极层具有一体地覆盖所述单晶沟道层的所述上表面和所述下表面以及所述单晶沟道层的侧表面的全环绕栅极形状。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述栅电极层在平面上具有t形，在该t形中上部水平线与所述第二源极-漏极区对准，并且垂直线与所述第一源极-漏极区对准。6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述栅电极层在平面图中具有矩形形状，该矩形形状具有四个凹入地凹陷的拐角。7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一源极-漏极区、所述单晶沟道层和所述第二源极-漏极区中的每个包括单晶半导体材料。8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述单晶沟道层包括单晶半导体材料，以及所述第一源极-漏极区和所述第二源极-漏极区中的每个包括掺有杂质的多晶半导体材料。9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在所述第一水平方向上，所述下电极层具有中空的圆筒形状，所述圆筒形状具有面对所述第二源极-漏极区的封闭部分和面对与所述第二源极-漏极区相反的方向的开口部分，以及所述电容器电介质层在所述上电极层和所述下电极层之间，所述上电极层填充所述下电极层的所述圆筒形状的内部。10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述电容器电介质层和所述上电极层覆盖所述下电极层的内部侧表面、所述下电极层的内部底表面的全部和所述下电极层的外部侧表面的至少一部分。11.一种半导体存储器件，包括：多个晶体管主体，在基板上在垂直方向上彼此间隔开，所述多个晶体管主体在第一水
平方向上彼此平行地延伸，所述多个晶体管主体的每个包括在所述第一水平方向上依次布置的第一源极-漏极区、单晶沟道层和第二源极-漏极区，所述多个晶体管主体的每个具有在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上凸起地突出的平面形状的扩展部；多条位线，在所述基板上在所述第二水平方向上彼此间隔开，所述多条位线在所述垂直方向上彼此平行地延伸，所述多条位线连接到所述多个晶体管主体的所述第一源极-漏极区；多个栅电极层，在所述垂直方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上彼此平行地延伸；在所述多个栅电极层和所述单晶沟道层之间的栅极电介质层，所述栅极电介质层覆盖所述多个晶体管主体的所述单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及多个单元电容器，分别连接到所述多个晶体管主体的所述第二源极-漏极区，并且每个包括下电极层、电容器电介质层和上电极层。12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中在所述多个晶体管主体的每个中的所述扩展部的一部分包括所述单晶沟道层的一部分，并且所述扩展部的其余部分包括所述第二源极-漏极区的一部分。13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中所述多个栅电极层中的每个在平面图中具有t形，该t形在上部水平线和垂直线之间凹入地圆化。14.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中在所述多个晶体管主体的每个中的整个所述扩展部是所述单晶沟道层的一部分。15.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，在所述多个晶体管主体当中，在所述垂直方向上靠近所述基板的第一晶体管主体在所述第一水平方向上的长度与在所述垂直方向上远离所述基板的第二晶体管主体在所述第一水平方向上的长度相同。16.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，在所述多个单元电容器中的所述下电极层当中，在所述垂直方向上远离所述基板的第一下电极层在所述第一水平方向上的长度小于在所述垂直方向上靠近所述基板的第二下电极层在所述第一水平方向上的长度。17.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述多个单元电容器中的所述下电极层的每个具有90度旋转的u形垂直截面，在该u形垂直截面中开口部分面对与所述第二源极-漏极区相反的方向。18.一种半导体存储器件，包括：多个晶体管主体，在基板上在垂直方向上彼此间隔开，在第一水平方向上彼此平行地延伸，每个包括第一源极-漏极区、单晶沟道层和第二源极-漏极区，所述第一源极-漏极区、所述单晶沟道层和所述第二源极-漏极区在所述第一水平方向上依次布置，所述多个晶体管主体的每个具有扩展部分，所述扩展部分具有在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上凸起地突出的平面形状，所述扩展部分的一部分包括所述单晶沟道层的一部分；多条位线，在所述基板上在所述第二水平方向上彼此间隔开，在所述垂直方向上彼此平行地延伸，并且连接到所述多个晶体管主体的所述第一源极-漏极区；多个栅电极层，在所述垂直方向上彼此间隔开，在所述第二水平方向上彼此平行地延伸；在所述多个栅电极层和所述单晶沟道层之间的栅极电介质层，所述栅极电介质层分别
覆盖所述单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及多个单元电容器，分别连接到所述多个晶体管主体的所述第二源极-漏极区，并包括多个下电极层、覆盖所述多个下电极层的上电极层、以及在所述多个下电极层和所述上电极层之间的电容器电介质层，所述多个下电极层的每个具有在所述第一水平方向上的中空的圆筒形状，所述中空的圆筒形状具有面对所述第二源极-漏极区的封闭部分和面对与所述第二源极-漏极区相反的方向的开口部分。19.根据权利要求18所述的半导体存储器件，其中所述上电极层覆盖所述下电极层的内部侧表面、所述下电极层的内部底表面的全部以及所述下电极层的外部侧表面的至少一部分，并填充所述下电极层的所述中空的圆筒形状的内部。20.根据权利要求18所述的半导体存储器件，其中所述第一源极-漏极区和所述第二源极-漏极区中的每个包括掺有杂质的多晶硅，所述第一源极-漏极区限定从所述位线朝向所述第一源极-漏极区的内部延伸的第一接缝，所述第二源极-漏极区限定从所述下电极层朝向所述第二源极-漏极区的内部延伸的第二接缝。

技术总结
一种半导体存储器件包括：位线，在基板上在垂直方向上延伸；晶体管主体部分，包括在第一水平方向上依次布置的第一源极-漏极区、单晶沟道层和第二源极-漏极区，并且连接到位线；栅电极层，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极电介质层，在栅电极层和单晶沟道层之间并覆盖单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及单元电容器，包括下电极层、电容器电介质层和上电极层，在第一水平方向上在晶体管主体的与位线相反的一侧并且连接到第二源极-漏极区。漏极区。漏极区。


技术研发人员：崔贤根 李基硕 郑承宰 慎重赞 安泰炫 郑文泳 韩相然
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.11.12
技术公布日：2022/6/4