一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法与流程

1.本发明涉及废水处理技术领域，具体而言，涉及一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法。


背景技术：

2.印染企业产生的废水进入污水厂，经过物化、生化处理后，进行ro 膜处理得到淡水和浓水。淡水作为中水回用外供企业，浓水进入趋零排放系统分盐并继续浓缩，以提纯氯化钠和硫酸钠回用到印染企业。在趋零排放系统使用膜设备浓缩氯化钠溶液的过程中，二氧化硅的含量也会随膜浓缩倍数的增加而越来越高，因此必须去除二氧化硅，避免硅对膜的破坏。
3.经过检索发现一些典型的现有技术，如申请号为cn108191106a的专利公开了一种去除废水中二氧化硅的方法，其包括以下步骤：a、调节废水的ph值至10.6-10.9；加入固体氯化镁，搅拌，静置，水中出现絮状沉淀，b、将步骤a得到的废水经陶瓷膜系统过滤，除硅后得到出水。本发明的方法通过在废水中加入氯化镁固体作为除硅剂，使水中的二氧化硅生成絮凝沉淀，并进一步通过陶瓷膜过滤后得到处理后的出水，能够有效去除废水中的二氧化硅，并且可以使出水中悬浮物的含量小于1mg/l；本发明的方法适用于硅含量较高的废水，去除率可以高达97％，并且整个工艺流程简单，处理成本低廉。
4.但是，由此可见，对于其实际应用中的亟待处理的实际问题(目前使用氯化镁进行处硅的方法成本较高)还有很多未提出具体的解决方案。


技术实现要素：

5.为了克服现有技术的不足提供了一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，本发明的具体技术方案如下：
6.一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，包括有以下步骤：
7.s1、在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节ph7.8-8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；
8.s2、将反应池的溶液进行搅拌；
9.s3、将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；
10.s4、将反应液进入过滤池进行过滤。
11.优选的，在步骤s1中，所述三氯化铁的浓度为33％,2000ppm，所述液碱的浓度为32％,1000ppm，所述聚丙的浓度为0.32
‰
,2000ppm。
12.优选的，所述步骤s2中，对高盐印染废水进行搅拌的搅拌时间为1 分钟。
13.优选的，所述步骤s3中，反应液放入斜管池进行沉淀时间为10分钟。
14.优选的，在步骤s1中，所述的反应池中设置有搅拌装置，所述搅拌装置用于搅拌混合药剂以及废水。
15.优选的，将s3反应液放入斜管池以及将s4中反应液放入斜管池，均分别通过加压
泵以及管道进行传输。
16.优选的，所述步骤s3中，所述沉淀池为斜管沉淀池。
17.优选的，所述步骤s4中，所述过滤池为砂滤池。
18.本发明所取得的有益技术效果包括：
19.将反应池中的高盐高硅印染废水(氯化钠溶液，水质指标：tds约 20000-25000mg/l、sio2约80mg/l、ph约8.3)的溶液加入反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节ph7.8-8.5经过反应池进行反应；经过反应、搅拌后产生絮凝、将搅拌后的反应液放入斜管池进行沉淀、将反应液进行过滤后，反应池中的高盐高硅印染废水中的sio2含量能控制在21.9
‑ꢀ
41.4mg/l；同时，硬度不会明显升高，水中铁离子等重金属含量不会明显升高；同时去除相同的高盐印染废水中的二氧化硅，本技术相同量的三氯化铁与传统的氯化镁去除高盐印染废水中的二氧化硅基本一致，但是市场上三氯化铁单价远低于氯化镁的价格，且在实验的过程中使用氯化镁需要将ph调节得更高，即液碱的使用量较多，成本高，而本技术的方式相对氯化镁不需要将ph调节得较高，液碱的使用量较少，并且处理后的硬度更低，处理效果较好，可有效的降低企业处理的成本,此方法是一种安全、稳定、高效、低成本的除硅方法。
附图说明
20.从以下结合附图的描述可以进一步理解本发明。图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在示出实施例的原理上。在不同的视图中，相同的附图标记指定对应的部分。
21.图1为本发明的结构示意图；
具体实施方式
22.为了使得本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合其实施例，对本发明进行进一步详细说明；应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。对于本领域技术人员而言，在查阅以下详细描述之后，本实施例的其它系统、方法和/或特征将变得显而易见。旨在所有此类附加的系统、方法、特征和优点都包括在本说明书内、包括在本发明的范围内，并且受所附权利要求书的保护。在以下详细描述描述了所公开的实施例的另外的特征，并且这些特征根据以下将详细描述将是显而易见的。
23.本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
24.实施例1：
25.一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，包括有以下步骤：
26.s1、在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节ph7.8-8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；
27.s2、将反应池的溶液进行搅拌；
28.s3、将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；
29.s4、将反应液进入过滤池进行过滤。
30.具体的，如图1所示，将反应池中的高盐高硅印染废水(氯化钠溶液，水质指标：tds约20000-25000mg/l、sio2约80mg/l、ph约8.3)的溶液加入反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节ph7.8经过反应池进行反应；经过反应、搅拌后产生絮凝、将搅拌后的反应液放入斜管池进行沉淀、将反应液进行过滤后，反应池中的高盐高硅印染废水中的sio2含量能控制在41.4mg/l；同时，硬度不会明显升高，水中铁离子等重金属含量不会明显升高。
31.进一步的，在步骤s1中，所述三氯化铁的浓度为33％,2000ppm，所述液碱的浓度为32％,1000ppm，所述聚丙的浓度为0.32
‰
,2000ppm。所述步骤s2中，对高盐印染废水进行搅拌的搅拌时间为1分钟秒。反应液放入斜管池进行沉淀时间为10分钟。
32.实施例2：
33.将反应池中的高盐高硅印染废水(氯化钠溶液，水质指标：tds约 20000-25000mg/l、sio2约80mg/l、ph约8.3)的溶液加入反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节ph8.0经过反应池进行反应；经过反应、搅拌后产生絮凝、将搅拌后的反应液放入斜管池进行沉淀、将反应液进行过滤后，反应池中的高盐高硅印染废水中的sio2含量能控制在37.7mg/l；同时，硬度不会明显升高，水中铁离子等重金属含量不会明显升高。
34.进一步的，在步骤s1中，所述的反应池中设置有搅拌装置，所述搅拌装置用于搅拌混合药剂以及废水，搅拌效率更高，降低员工劳动强度。
35.实施例3：
36.将反应池中的高盐高硅印染废水(氯化钠溶液，水质指标：tds约 20000-25000mg/l、sio2约80mg/l、ph约8.3)的溶液加入反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节ph8.5经过反应池进行反应；经过反应、搅拌后产生絮凝、将搅拌后的反应液放入斜管池进行沉淀、将反应液进行过滤后，反应池中的高盐高硅印染废水中的sio2含量能控制在21.9mg/l；同时，硬度不会明显升高，水中铁离子等重金属含量不会明显升高。
37.进一步的，将s3反应液放入斜管池以及将s4中反应液放入斜管池，均分别通过加压泵以及管道进行传输，传输废水更加高效。
38.进一步的，所述步骤s3中，所述沉淀池为斜管沉淀池；所述步骤s4 中，所述过滤池为砂滤池；反应液进行沉淀操作以及过滤更加便捷高效。
39.实施例1-3处理效果对比如下：
[0040][0041][0042]
本技术与传统的高盐高硅印染废水除sio2进行对比如下；
[0043]
氯化镁 液碱对高盐印染废水除硅的实验数据：
[0044][0045]
两种除硅方法的实验效果及成本对比
[0046][0047][0048]
由上述的表可以看出，相同原水(高盐印染废水)用以上两种方法进行除硅实验，去除相同的高盐印染废水中的二氧化硅，相同量的三氯化铁以及氯化镁去除高盐印染废水中的二氧化硅基本一致，但是市场上三氯化铁(33％)单价远低于氯化镁的价格，且在实验的过程中使用氯化镁需要将ph调节得更高，即液碱的使用量较多，成本高，而本技术的方式相对氯化镁不需要将ph调节得较高，液碱的使用量较少，并且处理后的硬度更低，处理效果较好，可有效的降低企业处理的成本,此方法是一种安全、稳定、高效、低成本的除硅方法。
[0049]
虽然上面已经参考各种实施例描述了本发明，但是应当理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以进行许多改变和修改。也就是说上面讨论的方法，系统和设备是示例。各种配置可以适当地省略，替换或添加各种过程或组件。例如，在替代配置中，可以以与所描述的顺序不同的顺序执行方法，和/或可以添加，省略和/或组合各种部件。而且，关于某些配置描述的特征可以以各种其他配置组合，如可以以类似的方式组合配置的不同方面和
元素。此外，随着技术发展其中的元素可以更新，即许多元素是示例，并不限制本公开或权利要求的范围。
[0050]
在说明书中给出了具体细节以提供对包括实现的示例性配置的透彻理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践配置,例如，已经示出了众所周知的电路，过程，算法，结构和技术而没有不必要的细节，以避免模糊配置。该描述仅提供示例配置，并且不限制权利要求的范围，适用性或配置。相反，前面对配置的描述将为本领域技术人员提供用于实现所描述的技术的使能描述。在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对元件的功能和布置进行各种改变。
[0051]
综上，其旨在上述详细描述被认为是例示性的而非限制性的，并且应当理解，在限定本发明的精神和范围。以上这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明的记载的内容之后，技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求所限定的范围。