显示面板及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及电子设备。


背景技术：

2.有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode,amoled)显示技术以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应以及柔性显示等优势，在显示领域、智能穿戴等领域有广泛的应用。
3.目前，oled面板有顶发射和底发射两种结构类型，由于顶发射结构能够实现更高的开口率，可以降低对oled发光材料寿命的要求。顶发射oeld器件对于阴极的透过率要求较高，然而阴极的透过率以及阴极的电阻均与阴极的厚度成反比，阴极的厚度越小，阴极的透过率也就越大，电阻也就越大，因此无法兼顾阴极的透过率与阴极的电阻。由于阴极电阻的存在，显示面板点亮后，会因为电流流过阴极造成的电压降(ir-drop)，使得显示面板中央的亮度低于显示面板边缘的亮度，影响显示面板的亮度均一性。
4.综上所述，现有顶发光oled显示面板存在由于阴极的电阻较大导致显示面板亮度不均的问题。故，有必要提供一种显示面板及电子设备来改善这一缺陷。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种显示面板及电子设备，用于在保证阴极的透过率的同时，减小阴极的电阻，从而提升顶发光oled显示面板的亮度均一性。
6.本技术实施例提供一种显示面板，包括：
7.衬底基板；
8.电源低压信号总线，设置于所述衬底基板上；
9.发光器件层，设置于所述衬底基板上，所述发光器件层包括发光层以及覆盖所述发光层的阴极，所述阴极电性连接于所述电源低压信号总线；以及
10.公共电极，设置于所述发光器件层背离所述衬底基板的一侧，所述公共电极电性连接于所述电源低压信号总线。
11.根据本技术一实施例，所述显示面板还包括：
12.保护层，设置于所述公共电极背离所述衬底基板的一侧；以及
13.密封层，设置于所述发光器件层的外围，并且位于所述保护层与所述衬底基板之间；
14.其中，所述密封层具有导电性，所述密封层的相对两端分别电性连接于所述公共电极和所述电源低压信号总线。
15.根据本技术一实施例，所述密封层的材料包括树脂以及导电粒子。
16.根据本技术一实施例，所述密封层包括粘合部以及导电部，所述导电部设置于所述粘合部靠近所述发光器件层的一侧，所述导电部的相对两端分别电性连接于所述公共电极和所述电源低压信号总线。
17.根据本技术一实施例，所述显示面板还包括用于吸收水分的吸收层，所述吸收层设置于所述发光器件层与所述密封层之间。
18.根据本技术一实施例，所述衬底基板包括：
19.基板；
20.薄膜晶体管阵列层，设置于所述基板上，所述薄膜晶体管阵列层包括栅极、源极以及电源低压信号走线；
21.其中，所述电源低压信号走线的相对两端分别电性连接于所述密封层和所述电源低压信号总线，所述电源低压信号走线与所述源极设置于同一层，并且与所述源极的材料相同。
22.根据本技术一实施例，所述阴极的材料包括金属、合金或者金属氧化物中的任意一种；或者，所述阴极为金属氧化物与金属叠加形成的叠层结构。
23.根据本技术一实施例，所述公共电极整面覆盖所述保护层靠近所述衬底基板的一侧。
24.根据本技术一实施例，所述发光器件层包括呈阵列分布的多个发光器件，所述公共电极具有与多个所述发光器件一一对位设置的开口。
25.本技术实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上述实施例所述的显示面板。
26.本技术实施例的有益效果：本技术实施例提供一种显示面板及电子设备，所述电子设备包括显示面板，所述显示面板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的电源低压信号总线、设置于所述衬底基板上的发光器件层以及设置于所述发光器件层背离所述衬底基板一侧的公共电极，所述阴极和所述公共电极均电性连接于所述电源低压信号总线，通过在阴极上并联一个公共电极，可以降低阴极的阻抗，从而提升显示面板的亮度均一性。
附图说明
27.为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为本技术实施例提供的显示面板的平面结构示意图；
29.图2为本技术实施例提供的第一种显示面板沿a-a方向的截面示意图；
30.图3为本技术实施例提供的第二种显示面板沿a-a方向的截面示意图。
具体实施方式
31.以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0032]
下面结合附图和具体实施例对本技术做进一步的说明。
[0033]
本技术实施例提供一种显示面板，如图1所示，图1为本技术实施例提供的显示面
板的平面结构示意图，所述显示面板100包括显示区aa以及设置于所述显示区aa外围并且环绕所述显示区aa的非显示区na。
[0034]
如图2所示，图2为本技术实施例提供的第一种显示面板沿a-a方向的截面示意图，所述显示面板100包括衬底基板10以及设置于所述衬底基板10上的发光器件层20。
[0035]
所述衬底基板10包括基板11、设置于所述基板11上的薄膜晶体管阵列层12，所述基板11可以为玻璃基板或者聚酰亚胺基板。所述薄膜晶体管阵列层12内设置有多个薄膜晶体管、电容以及多条信号走线，所述薄膜晶体管与所述电容以及所述信号走线构成驱动显示器件进行发光的像素驱动电路。
[0036]
所述发光器件层20包括多个发光器件，所述发光器件可以为有机发光二极管。具体的，所述发光器件层20包括设置于所述衬底基板10上的平坦层21、像素定义层22、阳极(图中未示出)、发光层23、以及覆盖所述像素定义层22和所述发光层23的阴极24。所述发光层23包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
[0037]
所述阴极24的材料包括金属、合金或者金属氧化物中的任意一种；或者，所述阴极为金属氧化物与金属叠加形成的叠层结构。
[0038]
具体的，金属材料可以为银(ag)或铝(al)，合金材料可以为镁银合金(mgag)，金属氧化物材料可以为氧化铟锌(izo)。所述阴极24可以是银、铝、镁银合金以及氧化铟锌中的任意一种材料形成的单层金属结构，也可以是由氧化铟锌和银依次叠加形成的双层金属结构。
[0039]
所述显示面板100还包括封装层30，所述封装层30覆盖所述发光器件层20以及所述衬底基板10。所述封装层30设置于所述显示区aa以及位于所述显示区aa外周缘的非显示区na，以防止外界的水汽和氧气侵入发光器件层20内对发光器件造成损坏。
[0040]
在本技术实施例中，所述显示面板100为顶发光刚性oled显示面板在，所述封装层30可以是由无机材料通过等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition,pecvd)制备形成的一层无机封装层。所述无机材料具体可以为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的任意一种。
[0041]
在实际应用中，所述封装层30的结构不仅限于上述实施例中的一层无机封装层，也可以是由多层无机封装层形成的叠层结构或者无机封装层与有机封装层叠加形成的叠层结构。
[0042]
所述显示面板100还包括填充层40以及保护层50，所述填充层40设置于所述保护层50与所述封装层30之间，并且覆盖所述封装层30，以填充所述保护层50与所述封装层30之间的间隙，并支撑所述保护层50。
[0043]
在本技术实施例中，所述保护层50为封装玻璃，所述填充层40可以为透明的树脂胶材。在实际应用中，所述保护层50也可以由其他透明硬质材料制备形成。
[0044]
所述显示面板100还包括电源低压信号总线(vss busline)13，所述电源低压信号总线13设置于所述显示区aa一侧的非显示区na内，所述电源低压信号总线13通过信号走线电性连接于所述发光器件层20内的阴极24，以向所述阴极24提供电源低压信号。
[0045]
在本技术实施例中，所述电源低压信号总线13可以设置于所述显示区aa下方的非显示区na内。在实际应用中，所述电源低压信号总线13也可以设置于位于所述显示区aa左
侧、右侧以及上侧中的任意一侧的非显示区na内。
[0046]
所述显示面板100还包括电源高压信号总线14以及虚拟信号线15，所述电源高压信号总线14设置于所述电源低压信号总线13远离所述显示区aa的一侧，所述电源高压信号总线14可以通过信号走线电性连接于所述发光器件层20中的阳极，并向所述阳极提供电源高压信号。所述虚拟信号总线15设置于所述电源高压信号总线14背离所述显示区aa的一侧，所述虚拟信号总线15可以为浮置走线，不接受任何信号。
[0047]
在本技术实施例中，所述薄膜晶体管阵列层12与所述电源低压信号总线13之间还设置有过渡部16，所述过渡部16内设置有多条虚拟信号线，所述虚拟信号线均为浮置走线，不接受任何信号。
[0048]
进一步的，所述显示面板100还包括公共电极60，所述公共电极60设置于所述发光器件层20背离所述衬底基板10的一侧，所述公共电极60电性连接于所述电源低压信号总线13。
[0049]
如图2所示，所述公共电极60设置于所述保护层50靠近所述衬底基板10的一侧上，并且位于保护层50与所述填充层40之间。需要说明的是，所述公共电极60具有一定的电阻，通过将所述公共电极60电性连接于所述电源低压信号线，相当于在所述阴极24上并联一个电阻，如此可以降低阴极24的阻抗，从而可以有效提高显示面板100的亮度均一性。
[0050]
进一步的，所述显示面板100还包括密封层70以及吸收层80，所述密封层70设置于所述发光器件层20的外围，所述吸收层80设置于所述发光器件层20与所述密封层70之间，所述密封层70和所述吸收层80均位于所述保护层50与所述衬底基板10之间。所述密封层70和所述吸收层80均环绕所述发光器件层20、所述封装层30以及所述填充层40，以与所述衬底基板10以及所述保护层50围合形成容纳所述发光器件层20、所述封装层30以及所述填充层40的密闭空间，所述密封层70用于阻挡外界环境中的水汽和氧气侵入发光器件层20，所述吸收层80的材料包括氧化钙(cao)，以用于外界环境中的水汽，避免水汽侵入发光器件层20内造成发光器件失效。
[0051]
进一步的，所述密封层70具有导电性，所述密封层70的相对两端分别电性连接于所述公共电极60和所述电源低压信号总线13。
[0052]
如图2所示，所述薄膜晶体管阵列层12还包括电源低压信号走线121，所述电源低压信号走线121设置于所述非显示区na，所述电源低压信号走线121的相对两端分别电性连接于所述密封层70和所述电源低压信号总线13，以利用具有导电性的密封层70，将所述电源低压信号总线13输出的电源低压信号通过所述密封层70传递至所述公共电极60。
[0053]
进一步的，所述薄膜晶体管阵列层12包括源极，所述电源低压信号走线121与所述源极设置于同一层，并且与所述源极的材料相同。
[0054]
在本技术实施例中，如图2所示，所述薄膜晶体管阵列层12包括依次层叠设置的第一金属层、阻挡层122和第二金属层，所述第一金属层包括图案化的栅极，所述电源低压信号总线13也设置于所述第一金属层。所述第二金属层包括图案化的源极和漏极，所述电源低压信号总线和所述源极以及漏极设置于所述第二金属层，并且与所述源极和所述漏极的材料相同，所述电源低压信号走线121可以通过贯穿所述阻挡层122的过孔与所述电源低压信号总线13连接。所述第二金属层上方覆盖有钝化保护层123，所述钝化保护层123仅覆盖部分所述电源低压信号走线121，电源低压信号走线121未被所述钝化保护层123覆盖的部
分连接于所述密封层70。
[0055]
在实际制备过程中，可以在所述阻挡层122上沉积第二金属层的金属材料，然后对该层金属材料进行图案化工艺，形成所述电源低压信号走线121、所述源极和所述漏极。
[0056]
进一步的，所述电源低压信号走线121的材料为金属，所述金属材料可以是铝或者铜。
[0057]
在其中一个实施例中，所述密封层70的材料包括树脂以及导电粒子。
[0058]
如图2所示，所述密封层70可以包括树脂层71以及均匀分布于所述树脂层71中的导电粒子72，以使所述密封层70具有导电性。所述导电粒子72可以为现有技术常用的导电粒子，此处不做限制。
[0059]
在其中一个实施例中，如图3所示，图3为本技术实施例提供的第二种显示面板沿a-a方向的截面示意图，所述密封层70包括粘合部73以及导电部74，所述导电部74设置于所述粘合部73靠近所述发光器件层20的一侧，所述导电部74的相对两端分别电性连接于所述公共电极60和所述电源低压信号总线13。具体的，所述导电部74的相对两端分别连接于所述公共电极60和所述电源低压信号走线121，以将所述电源低压信号总线13输出的电源低压信号传输至所述公共电极60。
[0060]
所述粘合部73的材料为环氧树脂，所述导电部74的材料可以为金属，所述金属材料具体可以为铜(cu)或者铝(al)。在实际应用中，可以通过溅镀(sputter)工艺在所述吸收层的外围边缘溅射一圈金属材料以形成所述导电部74。
[0061]
在其中一个实施例中，所述公共电极60整面覆盖所述保护层50靠近所述衬底基板10的一侧。
[0062]
如图2所示，所述公共电极60为整面覆盖所述保护层50靠近所述衬底基板10一侧的透明导电电极，所述公共电极60的材料可以为金属氧化物，所述金属氧化物具体可以为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)以及氧化铟镓锌(igzo)中的任意一种。
[0063]
在实际应用中，可以先在所述保护层50上通过溅镀的方式沉积一层透明金属氧化物材料，以形成所述公共电极60。然后在所述公共电极60上涂布胶材形成所述填充层，然后将所述保护层50上形成有所述公共电极60的一侧与所述衬底基板10上形成有所述发光器件层20的一侧进行贴合，以形成所述显示面板100。
[0064]
在其中一个实施例中，所述发光器件层20包括呈阵列分布的多个发光器件，所述公共电极60具有与多个所述发光器件一一对位设置的开口。
[0065]
具体的，所述发光器件层20包括呈阵列分布的多个发光器件，所述公共电极60具有多个与所述发光器件一一对位设置的开口，多个开口呈阵列分布，以使所述公共电极60形成网格状，所述发光器件发出的光线可以通过所述开口射出，且不会被所述公共电极60所遮挡，如此可以保证所述显示面板的透过率。
[0066]
在本技术实施例中，所述公共电极60的材料不仅限于上述实施例中内的金属氧化物，还可以金属材料，所述金属材料可以为铝或者铜等金属材料。在实际应用中，可以现在所述保护层50上沉积一层金属氧化物或者金属材料，然后对所述金属氧化物材料或金属材料进行图案化工艺，形成网格状的公共电极60。
[0067]
依据本技术上述实施例提供的显示面板以及显示面板的制作方法，本技术实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述实施例提供的显示面板，所述电子设备可以
是移动终端，例如彩色电子纸、彩色电子书、智能手机等，电子设备也可以是可穿戴式终端，例如智能手表、智能手环等，电子设备也可以是固定终端，例如彩色电子广告牌、彩色电子海报等。
[0068]
本技术实施例的有益效果：本技术实施例提供一种显示面板及电子设备，所述电子设备包括显示面板，所述显示面板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的电源低压信号总线、设置于所述衬底基板上的发光器件层以及设置于所述发光器件层背离所述衬底基板一侧的公共电极，所述阴极和所述公共电极均电性连接于所述电源低压信号总线，通过在阴极上并联一个公共电极，可以降低阴极的阻抗，从而提升显示面板的亮度均一性。
[0069]
综上所述，虽然本技术以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本技术的保护范围以权利要求界定的范围为基准。