显示装置的制作方法

1.公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着多媒体的发展，显示装置正在变得越来越重要。因此，正在开发诸如有机发光显示器和液晶显示器的各种类型的显示装置。
3.显示装置可以包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板作为显示装置的用于显示图像的装置。其中，作为发光显示面板，显示面板可以包括诸如发光二极管(led)的发光元件。例如，led可以是使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(oled)，或者可以是使用无机材料作为发光材料的无机led。
4.应当理解的是，本背景技术部分在一定程度上旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括想法、概念或认识，所述想法、概念或认识在这里公开的主题的相应有效提交日期之前不是相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分。


技术实现要素：

5.公开的方面提供了一种具有改善的发光效率的显示装置。
6.应当注意的是，公开的目的不限于上述目的，并且通过以下描述，公开的其他目的对于本领域技术人员将是明显的。
7.根据实施例，显示装置可以包括：第一过孔层，设置在基底上，并且包括从第一过孔层的上表面凹进的沟槽部；第一电极和第二电极，设置在第一过孔层上，并且彼此间隔开；第二过孔层，设置在第一过孔层上并且包括：第一开口，使第一电极部分地暴露；以及第二开口，使第二电极部分地暴露；发光元件，设置在第二过孔层的第一开口中，并且在一定方向上延伸；以及第三电极，设置在第二过孔层上，其中，发光元件中的每个可以包括：第一端，电连接到第一电极；以及第二端，电连接到第三电极，并且发光元件中的每个可以设置为使得发光元件的延伸方向与基底的上表面不平行。
8.由发光元件的延伸方向和与基底的上表面垂直的方向形成的角度可以在约0度至约60度的范围内。
9.第一开口可以在厚度方向上与沟槽部叠置。
10.第一开口中的每个的直径可以从第二过孔层的上表面朝向第二过孔层的底表面减小，并且第一开口中的每个的最大直径可以小于第二过孔层的第二开口的最大直径。
11.第一开口中的每个的内壁的一部分可以直接接触发光元件中的每个的外表面的一部分，并且第二过孔层可以围绕发光元件中的每个的一部分。
12.所述显示装置还可以包括：导电层，设置在第一过孔层与基底之间，其中，第一过孔层还可以包括穿透第一过孔层并且使导电层部分地暴露的接触孔，并且沟槽部中的每个的第一深度可以小于接触孔中的每个的第二深度。
13.沟槽部中的每个的第一深度和第二过孔层的厚度中的每个可以小于每个发光元
件在延伸方向上的长度，并且发光元件的第一端可以插置到沟槽部中。
14.第三电极可以直接接触通过第二过孔层的第二开口暴露的第二电极。
15.第一电极可以直接接触发光元件的第一端，并且第三电极可以直接接触发光元件的第二端。
16.所述显示装置还可以包括：第一连接电极，设置在第一电极上；以及第二连接电极，设置在第三电极与第二过孔层之间，其中，第一连接电极可以直接接触发光元件的第一端和第一电极，并且第二连接电极可以直接接触发光元件的第二端和第二电极。
17.第一过孔层和第二过孔层可以均包括有机绝缘材料，并且第二过孔层可以包括与第一过孔层的有机绝缘材料不同的有机绝缘材料。
18.第一过孔层可以包括聚酰亚胺，并且第二过孔层可以包括硅氧烷类有机绝缘材料。
19.根据实施例，显示装置可以包括：第一过孔层，设置在基底上，并且包括从第一过孔层的上表面凹进的沟槽部；第一电极和第二电极，设置在第一过孔层上，并且彼此间隔开；第二过孔层，设置在第一过孔层上并且包括基体部、与沟槽部叠置的形成在基体部中的第一开口、使第二电极部分地暴露的第二开口、以及从基体部的上表面突出并且彼此间隔开的堤部；发光元件，设置在第二过孔层的第一开口中；子电极，设置在第二过孔层的堤部上；以及第三电极，设置在第二过孔层和子电极上。
20.第一开口可以形成在堤部之间并且在厚度方向上与沟槽部叠置。
21.第一开口中的每个的直径可以从第二过孔层的上表面朝向第二过孔层的底表面减小，并且第一开口中的每个的最大直径可以小于第二开口的最大直径。
22.第一开口中的每个的内壁的一部分可以直接接触发光元件中的每个的外表面的一部分，并且第二过孔层可以围绕发光元件中的每个的一部分。
23.第一开口中的每个的最大直径可以小于堤部之间的间隙。
24.发光元件中的每个可以包括：第一端，电连接到第一电极；以及第二端，电连接到第三电极，发光元件中的每个可以设置为使得发光元件的延伸方向与基底的上表面不平行，并且由发光元件的延伸方向和与基底的上表面垂直的方向形成的角度可以在约0度至约60度的范围内。
25.第二过孔层的基体部的厚度可以小于第二过孔层的其中可以设置有堤部的部分的厚度，并且其中可以设置有堤部的部分的厚度可以大于每个发光元件在延伸方向上的长度。
26.第一过孔层可以包括聚酰亚胺，并且第二过孔层可以包括硅氧烷类有机绝缘材料。
附图说明
27.通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的以上和其他方面及特征将变得更加明显，在附图中：
28.图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
29.图2是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
30.图3是沿着图2的线q1-q1'截取的示意性剖视图；
31.图4是示出图2的第一子像素中的第一开口和第二开口的布置的示意性平面图；
32.图5是示出形成在图3的第一过孔层和第二过孔层中的多个接触孔和多个开口的示意性剖视图；
33.图6是根据实施例的发光元件的示意图；
34.图7是示出由根据实施例的显示装置的发光元件产生的光通过其发射的路径的示意图；
35.图8至图15是顺序地示出根据实施例的制造显示装置的工艺的示意性剖视图；
36.图16是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
37.图17是根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
38.图18是沿着图17的线q2-q2'截取的示意性剖视图；
39.图19是示出形成在图18的第一过孔层和第二过孔层中的多个接触孔和多个开口的示意性剖视图；
40.图20至图24是顺序地示出在制造图18的显示装置的工艺中的操作的示意性剖视图；
41.图25是根据实施例的显示装置的子像素的示意性剖视图；以及
42.图26是根据实施例的显示装置的子像素的示意性剖视图。
具体实施方式
43.现在将在下文中参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达公开的范围。
44.在附图中，为了易于描述和清楚起见，可以夸大元件的大小、厚度、比率和尺寸。同样的标号始终表示同样的元件。
45.如这里所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地说明。
46.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以被理解为意味着“a、b或者a和b”。术语“和”和“或”可以以连接或分离的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
47.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“……
中的至少一个(种/者)”旨在包括“从
……
的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种/者)”可以被理解为意味着“a、b或者a和b”。
48.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
49.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
50.为了易于描述，这里可以使用空间相对术语“在
……
下方”、“在
……
之下”、“下(下部)”、“在
……
上方”或“上(上部)”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或
组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以位于所述另一装置“上方”。因此，说明性术语“在
……
下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其他方向上定向，因此空间相对术语可以根据方位而不同地解释。
51.术语“叠置”或“叠置的”意味着第一对象可以在第二对象上方或下方或者在第二对象的侧面，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层、堆叠、面对及其变型、在其上延伸、覆盖或部分地覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
52.当元件被描述为与另一元件“不叠置”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
53.术语“面对”及其变型意味着第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接地相对，但是仍然彼此面对。
54.将理解的是，当元件(或区域、层或部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接设置在上述另一元件上、连接到或结合到上述另一元件，或者居间元件可以设置在它们之间。
55.将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括物理连接或物理结合或者电连接或电结合。
56.当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型、“包含”和/或其变型、“具有”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
57.短语“在平面图中”意味着从顶部观看对象，并且短语“在示意性剖视图中”意味着观看对象的从侧面竖直切割的剖面。
58.考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“大约(约)”或“大致上(大致)”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
59.除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义进行解释，除非在这里明确如此定义。
60.在下文中，将参照附图描述实施例。
61.图1是根据实施例的显示装置10的示意性平面图。
62.参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指包括显示屏的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏机、数码相机和摄像机等，所有这些都包括显示屏。
63.显示装置10可以包括包含显示屏的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极
管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。下面将描述应用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例的情况，但是公开不限于此，并且在公开的精神和范围内其他显示面板也可以是可适用的。
64.可以对显示装置10的形状进行各种修改。例如，显示装置10可以具有各种形状，诸如基本上水平长的矩形、基本上竖直长的矩形、基本上正方形、具有圆角(顶点)的基本上四边形、其他多边形和基本上圆形。显示装置10的显示区域dpa的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，显示装置10可以被成形为基本上类似于在第二方向dr2上长的矩形。
65.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa可以是可以显示屏幕的区域，非显示区域nda可以是不显示屏幕的区域。显示区域dpa也可以被称为有效区域，非显示区域nda也可以被称为无效区域。显示区域dpa可以大体上占据显示装置10的中心。
66.显示区域dpa可以包括多个像素px。像素px可以以矩阵形式布置或设置。像素px中的每个在平面图中可以是基本上矩形或正方形。然而，公开不限于此，并且像素px中的每个也可以呈具有相对于一定方向倾斜的每条边的基本上菱形的平面形状。像素px可以以条纹型或型布置或设置。像素px中的每个可以包括发射特定或给定波段的光以显示特定或给定颜色的一个或更多个发光元件。
67.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa周围。非显示区域nda可以完全或部分地围绕显示区域dpa或者可以与显示区域dpa相邻。显示区域dpa可以是基本上矩形，非显示区域nda可以设置为与显示区域dpa的四条边相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。在每个非显示区域nda中，可以设置包括在显示装置10中的布线或电路驱动器，或者可以安装外部装置。
68.图2是根据实施例的显示装置10的像素px的示意性平面图。在图2中，一起示出了在第一方向dr1上相邻的多个像素px(pxa和pxb)。
69.参照图2，显示装置10的像素px中的每个可以包括多个子像素pxn(其中，n为1至6)。例如，第一像素pxa可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3，第二像素pxb可以包括第四子像素px4、第五子像素px5和第六子像素px6。第一子像素px1和第四子像素px4可以发射第一颜色的光，第二子像素px2和第五子像素px5可以发射第二颜色的光，第三子像素px3和第六子像素px6可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，公开不限于此，并且子像素pxn也可以发射相同颜色的光。尽管在图2中，一个像素pxa或pxb可以包括三个子像素pxn，但是公开不限于此，并且像素px也可以包括更多数量的子像素pxn。
70.显示装置10的每个子像素pxn可以包括发射区域和非发射区域。发射区域可以是其中设置有发光元件ed以发射特定或给定波段的光的区域，非发射区域可以是其中未设置发光元件ed的区域，并且因为从发光元件ed发射的光不会到达该区域，所以没有光从其输出。发射区域可以包括其中设置有发光元件ed的区域以及与发光元件ed相邻并且从发光元件ed发射的光输出到其的区域。
71.然而，公开不限于此，并且发射区域还可以包括从发光元件ed发射的光在被其他构件反射或折射之后从其输出的区域。多个发光元件ed可以设置在每个子像素pxn中，设置
有发光元件ed的区域和与该区域相邻的区域可以形成发射区域。
72.图3是沿着图2的线q1-q1'截取的示意性剖视图。图4是示出图2的第一子像素px1中的第一开口op1和第二开口op2的布置的示意性平面图。
73.图5是示出形成在图3的第一过孔层via1和第二过孔层via2中的多个接触孔和多个开口的示意性剖视图。图3示出了穿过设置在第一子像素px1中的第一电极e1至第三电极e3和发光元件ed的剖面。图4示出了多个沟槽部tp、第一开口op1和第二开口op2相对于设置在第一子像素px1中的第一电极e1和第二电极e2的相对布置。
74.结合图2参照图3至图5，显示装置10可以包括第一基底sub以及设置在第一基底sub上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。
75.第一基底sub可以是绝缘基底。在公开的精神和范围内，第一基底sub可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂等的绝缘材料制成。在公开的精神和范围内，第一基底sub可以是刚性基底，但也可以是可以弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
76.第一导电层可以设置在第一基底sub上。第一导电层可以包括底部金属层bml，并且底部金属层bml可以与第一晶体管t1的有源层act叠置。底部金属层bml可以包括遮光材料以防止光进入第一晶体管t1的有源层act。然而，也可以省略底部金属层bml。
77.缓冲层bl可以设置在底部金属层bml和第一基底sub上。缓冲层bl可以形成或设置在第一基底sub上，以保护像素px的晶体管免受通过第一基底sub引入的湿气的影响并且可以执行表面平坦化功能，第一基底sub可能易于湿气渗透。
78.半导体层可以设置在缓冲层bl上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act。有源层act可以与稍后将描述的第二导电层的栅电极g1部分地叠置。
79.在公开的精神和范围内，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体等。在实施例中，半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以是包含铟(in)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟镓锌锡(igzto)中的至少一种。
80.虽然在附图中在显示装置10的每个子像素pxn中设置有一个第一晶体管t1，但是公开不限于此。显示装置10也可以包括更多数量或任意数量的晶体管。
81.第一栅极绝缘层gi可以设置在半导体层和缓冲层bl上。第一栅极绝缘层gi可以用作第一晶体管t1的栅极绝缘膜。
82.第二导电层可以设置在第一栅极绝缘层gi上。第二导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1。栅电极g1可以在作为厚度方向的第三方向dr3上与有源层act的沟道区叠置。
83.第一层间绝缘层il1可以设置在第二导电层上。第一层间绝缘层il1可以用作第二导电层与设置在第二导电层上的其他层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
84.第三导电层可以设置在第一层间绝缘层il1上。第三导电层可以包括第一电压布线vl1、第二电压布线vl2和第一导电图案cdp。
85.供应给第一电极e1的高电位电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压布线vl1，供应给第二电极e2的低电位电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压布线vl2。第一电压布线vl1的一部分可以通过穿透第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔接触第一晶体管t1的有源层act。第一电压布线vl1可以用作第一晶体管t1的第一漏电极d1。
86.第一导电图案cdp可以通过穿透第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔接触第一晶体管t1的有源层act。第一导电图案cdp可以通过另一接触孔接触底部金属层bml。第一导电图案cdp可以用作第一晶体管t1的第一源电极s1。
87.上述缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1中的每个可以由彼此交替堆叠的多个无机层组成。例如，缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1中的每个可以是其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少任意一种的无机层可以彼此堆叠的双层，或者可以是其中所述无机层可以彼此交替堆叠的多层。然而，公开不限于此，并且缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1中的每个也可以是包括上述绝缘材料中的任意一种的一个无机层。在实施例中，第一层间绝缘层il1可以由诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料制成。
88.第二导电层和第三导电层中的每个可以是但不限于由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)及其合金中的任意一种或更多种制成的单层或多层。
89.第一过孔层via1可以设置在第三导电层上。第一过孔层via1可以设置在整个显示区域dpa中，而不管像素px和子像素pxn如何。第一过孔层via1可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料并且执行表面平坦化功能。
90.根据实施例，第一过孔层via1可以包括从第一过孔层via1的上表面的部分凹陷或凹进的多个沟槽部tp。沟槽部tp可以在每个子像素pxn中在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。沟槽部tp可以在每个子像素pxn中设置为岛状图案。设置在每个子像素pxn中的多个发光元件ed可以设置为与第一过孔层via1的沟槽部tp对应。在一个沟槽部tp中，可以根据沟槽部tp的宽度设置至少一个发光元件ed。由于沟槽部tp中的每个可以从第一过孔层via1的上表面凹陷或凹进至预定深度ht1，因此发光元件ed可以设置为使得发光元件ed中的每个的端部可以插置到沟槽部tp中。在实施例中，沟槽部tp可以形成为具有与每个发光元件ed的形状对应的基本上圆形的平面形状。然而，公开不限于此。
91.第一过孔层via1可以包括穿透第一过孔层via1以使设置在第一过孔层via1下面或下方的导电层的部分暴露的多个接触孔ct1和ct2。接触孔ct1和ct2可以使第三导电层的第一导电图案cdp和第二电压布线vl2暴露，并且稍后将描述的第一电极e1和第二电极e2可以分别通过接触孔ct1和ct2电连接或直接电连接到第三导电层。在形成第一过孔层via1的工艺中，可以通过使用半色调掩模的图案化工艺来形成第一过孔层via1中的沟槽部tp和接触孔ct1和ct2。第一过孔层via1可以具有大体上平坦的上表面，但是第一过孔层via1的上表面可以由于沟槽部tp而台阶化，或者第一过孔层via1可以在厚度方向上被接触孔ct1和ct2穿透。
92.在实施例中，第一过孔层via1的每个沟槽部tp的第一深度ht1可以小于接触孔ct1和ct2中的每个的第二深度ht2。在使用半色调掩模的图案化工艺中形成的第一过孔层via1可以根据位置而具有不同的厚度。第一过孔层via1可以具有大体上平坦的上表面，但是第一过孔层via1的上表面可以在其中可以形成有沟槽部tp和接触孔ct1和ct2的部分中凹陷或凹进，或者第一过孔层via1可以由于被穿透而台阶化。可以形成第一过孔层via1的沟槽部tp以确保稍后将描述的发光元件ed可以插置到其中的空间，可以形成接触孔ct1和ct2以使第三导电层的设置在接触孔ct1和ct2下面或下方的部分暴露。第一过孔层via1的沟槽部tp以及接触孔ct1和ct2可以根据它们的功能而具有不同的深度ht1和ht2。例如，沟槽部tp
可能需要一定的深度或确定的深度，使得发光元件ed可以插置到沟槽部tp中，但是考虑到发光元件ed的长度和设置在第一过孔层via1上的层的厚度，沟槽部tp可以具有适于使设置在沟槽部tp上的层的台阶最小化的第一深度ht1。
93.第一电极e1和第二电极e2可以设置在第一过孔层via1上。第一电极e1和第二电极e2可以设置为与每个像素px的每个子像素pxn对应。例如，第二电极e2可以设置在每个子像素pxn的中心的右侧上(其是第二方向dr2的一侧)，并且第一电极e1可以在第二方向dr2上与第二电极e2间隔开。设置在多个子像素pxn中的多个第一电极e1可以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。类似地，第二电极e2也可以与设置在其他子像素pxn中的第二电极e2间隔开。第一电极e1和第二电极e2可以沿着第二方向dr2交替且重复地设置，并且多个第一电极e1和多个第二电极e2可以沿着第一方向dr1以间隔重复地设置。
94.第一电极e1可以通过包括在第一方向dr1上延伸的侧边和在第二方向dr2上延伸的其他侧边而在平面图中具有基本上成角度的形状。然而，公开不限于此，并且第一电极e1也可以相对于一定方向倾斜，或者可以具有带有弯曲的外表面的基本上圆形的形状。第一电极e1的尺寸不受具体限制，而是可以根据显示装置10的每个子像素pxn的面积而变化。如附图中所示，第一电极e1可以形成为比每个子像素pxn小，使得第一电极e1可以在与其他邻近或相邻的子像素pxn的边界处与其他第一电极e1间隔开，并且第一电极e1可以在整个显示区域dpa中设置为岛状图案。
95.第二电极e2也可以通过包括在第一方向dr1上延伸的侧边和在第二方向dr2上延伸的其他侧边而在平面图中具有基本上成角度的形状。然而，与第一电极e1相比，第二电极e2可以看起来更像在第一方向dr1上延伸。例如，第二电极e2的在第二方向dr2上测量的宽度可以小于第一电极e1的在第二方向dr2上测量的宽度，并且第二电极e2可以在整个显示区域dpa中设置为具有小宽度的岛状图案。第二电极e2也可以相对于一定方向倾斜，或者可以具有带有弯曲的外表面的基本上圆形的形状。第二电极e2的尺寸不受具体限制，而是可以根据显示装置10的每个子像素pxn的面积而变化。
96.第一电极e1和第二电极e2可以分别通过形成在每个子像素pxn中的第一过孔层via1中的第一接触孔ct1和第二接触孔ct2电连接到第三导电层。第一电极e1可以通过第一接触孔ct1接触第一导电图案cdp，第一接触孔ct1穿透设置在第一电极e1下面或下方的第一过孔层via1。第二电极e2可以通过第二接触孔ct2接触第二电压布线vl2，第二接触孔ct2穿透设置在第二电极e2下面或下方的第一过孔层via1。第一电极e1可以通过第一导电图案cdp电连接到第一晶体管t1以接收第一电源电压，第二电极e2可以电连接到第二电压布线vl2以接收第二电源电压。
97.根据实施例，第一电极e1可以设置为覆盖第一过孔层via1的沟槽部tp或与第一过孔层via1的沟槽部tp叠置。第一电极e1可以覆盖形成在每个子像素pxn中的第一过孔层via1中的所有沟槽部tp或与形成在每个子像素pxn中的第一过孔层via1中的所有沟槽部tp叠置，并且可以在沟槽部tp上具有台阶形状。发光元件ed中的每个的端部可以通过由沟槽部tp形成的台阶而插置到沟槽部tp中，并且可以电连接到设置在沟槽部tp上的第一电极e1。尽管在图3中设置在沟槽部tp上的第一电极e1接触或直接接触发光元件ed，但是公开不限于此。第一电极e1也可以通过另一构件电连接到发光元件ed。
98.与第一电极e1类似，第二电极e2也可以电连接到每个发光元件ed。第二电极e2可
以通过稍后将描述的第三电极e3电连接到发光元件ed，并且第一电极e1和第二电极e2可以将从它们下面或下方的导电层接收的电信号传输到发光元件ed。
99.第一电极e1和第二电极e2可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极e1和第二电极e2可以包括诸如银(ag)、铜(cu)或铝(al)的金属作为具有高反射率的材料，或者可以是包括铝(al)、镍(ni)或镧(la)的合金。例如，第一电极e1可以将从设置在其上的发光元件ed发射的光朝向第一过孔层via1上方反射。
100.然而，公开不限于此，并且第一电极e1和第二电极e2还可以包括透明导电材料。例如，第一电极e1和第二电极e2可以包括诸如ito、izo或itzo的材料。在实施例中，第一电极e1和第二电极e2中的每个可以具有如下结构：在该结构中透明导电材料和具有高反射率的金属层可以均以一个或更多个层堆叠或者可以形成为包括它们的单层。例如，第一电极e1和第二电极e2可以具有ito/ag/ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo的堆叠结构。
101.第二过孔层via2可以设置在第一过孔层via1、第一电极e1和第二电极e2上。与第一过孔层via1类似，第二过孔层via2可以设置在整个显示区域dpa中，而不管像素px和子像素pxn如何。例如，第一过孔层via1和第二过孔层via2也可以设置于在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此相邻的子像素pxn的边界处。与第一过孔层via1类似，第二过孔层via2可以使一些或若干区域的上表面平坦化。
102.根据实施例，第二过孔层via2可以包括与第一过孔层via1不同的透光有机绝缘材料。第二过孔层via2可以是设置在第一过孔层via1上的层，并且第一过孔层via1和第二过孔层via2可以与发光元件ed具有不同的位置关系。第一过孔层via1可以是设置在发光元件ed下面或下方的层，并且可以不需要透射从发光元件ed发射的光。然而，第二过孔层via2可以是与发光元件ed设置在同一层上的层或设置在发光元件ed上的层。因此，第二过孔层via2可能需要透射从发光元件ed发射的光。
103.在实施例中，第一过孔层via1可以包括聚酰亚胺作为有机绝缘材料，第二过孔层via2可以包括硅氧烷类有机绝缘材料。对于特定或给定波段，硅氧烷类有机绝缘材料可以具有比聚酰亚胺的透光率高的透光率。例如，对于作为显示装置10的光源的发射可见光区域中的光的发光元件ed，硅氧烷类有机绝缘材料对于从发光元件ed发射的光可以具有比聚酰亚胺的透射率高的透射率。第二过孔层via2可以包括有机绝缘材料以起到表面平坦化作用，但是可以包括与第一过孔层via1的材料不同的材料以透射从发光元件ed发射的光。
104.第二过孔层via2可以包括第一开口op1和第二开口op2。第一开口op1和第二开口op2可以形成在每个子像素pxn中。第一开口op1可以在厚度方向上与第一电极e1叠置并且使第一电极e1的上表面的部分暴露。第二开口op2可以在厚度方向上与第二电极e2叠置，并且使第二电极e2的上表面的一部分暴露。
105.根据实施例，第一开口op1可以形成为分别与第一过孔层via1的沟槽部tp对应。在每个子像素pxn中，第一开口op1可以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。第一开口op1可以在每个子像素pxn中设置为岛状图案。
106.第一开口op1可以与第一过孔层via1的沟槽部tp一起形成其中可以设置有发光元件ed的空间。第一开口op1可以使第一电极e1的部分暴露，发光元件ed可以插置到第一开口op1和沟槽部tp中以接触或直接接触或电连接到第一电极e1。在实施例中，第一开口op1在平面图中可以具有基本上圆形的形状，并且每个第一开口op1的最大直径wo1可以大于每个
沟槽部tp的直径。每个第一开口op1的直径可以从第二过孔层via2的上表面朝向第二过孔层via2的底表面减小，每个第一开口op1的下端的直径可以与每个沟槽部tp的直径近似。
107.第二开口op2可以设置在第二电极e2上以在一定方向上延伸。第二开口op2可以在第二电极e2沿其延伸的第一方向dr1上延伸，并且可以具有与第二电极e2的形状类似的形状。在平面图中第二开口op2在第一方向dr1上的长度可以大于第二开口op2在第二方向dr2上的宽度，但是第二开口op2的长度和宽度可以小于第二电极e2的长度和宽度。然而，公开不限于此，并且第二开口op2也可以在第一方向dr1上延伸为与设置于在第一方向dr1上相邻的子像素pxn中的第二电极e2叠置。第二开口op2可以使第二电极e2的上表面的一部分暴露，并且稍后将描述的第三电极e3可以通过第二开口op2电连接到第二电极e2。
108.发光元件ed可以设置在第二过孔层via2的第一开口op1中。设置在第一电极e1上并且在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开的第一开口op1可以定位或设置在每个子像素pxn中，并且设置在第一开口op1中的发光元件ed可以彼此间隔开。尽管在附图中在一个第一开口op1中设置一个发光元件ed，但是公开不限于此，并且也可以在每个第一开口op1中设置更多个发光元件ed。
109.根据实施例，发光元件ed可以在一定方向上延伸，并且发光元件ed延伸所沿的方向可以不平行于第一基底sub的上表面。第一开口op1中的发光元件ed可以具有插置到第一过孔层via1的沟槽部tp中的第一端，并且可以在与第一基底sub的上表面垂直的方向上或在与第一基底sub的上表面不垂直的方向上竖立或设置在第一开口op1中。在实施例中，第二过孔层via2的每个第一开口op1的最大直径wo1可以小于每个发光元件ed在发光元件ed的延伸方向上的长度。第二过孔层via2的每个第一开口op1可以具有最大直径wo1，最大直径wo1仅允许每个发光元件ed的一端插置到第一开口op1中，而不是允许发光元件ed完全设置在第一开口op1的内部。
110.根据实施例，第二过孔层via2的每个第一开口op1的内壁可以部分地接触发光元件ed的外表面。每个第一开口op1可以在与第二过孔层via2的上表面接触的部分处具有最大直径wo1，并且直径可以从第二过孔层via2的上表面朝向第二过孔层via2的底表面减小。每个第一开口op1的直径可以减小直至到内壁与发光元件ed的外表面接触的部分，并且内壁与发光元件ed的外表面接触的部分的直径可以基本上等于发光元件ed的直径。第二过孔层via2可以形成为使得每个第一开口op1的内壁的部分围绕发光元件ed的外表面，并且可以将发光元件ed固定在发光元件ed竖立或设置在第一基底sub上所沿的方向上。尽管在附图中发光元件ed可以沿与第一基底sub的上表面垂直的方向设置，但是公开不限于此。发光元件ed也可以至少沿与第一基底sub的上表面不平行的方向设置，并且根据制造工艺的工艺条件，发光元件ed中的一些或若干个可以沿与第一基底sub的上表面垂直的方向设置。
111.每个第一开口op1的深度可以由第二过孔层via2的厚度ht3确定，并且可以根据每个发光元件ed的长度和第一过孔层via1的每个沟槽部tp的第一深度ht1而变化。根据实施例，每个沟槽部tp的第一深度ht1和第二过孔层via2的厚度ht3中的每个可以小于每个发光元件ed在发光元件ed的延伸方向上的长度。如上所述，每个沟槽部tp可以具有允许发光元件ed的端部的一部分插置到沟槽部tp中的深度。第二过孔层via2的厚度ht3可以在如下范围内调整，在该范围内，设置在第二过孔层via2上的层的台阶可以通过第一开口op1和发光元件ed而最小化。如果第二过孔层via2的厚度ht3大于每个发光元件ed的长度，则设置在第
二过孔层via2上的层的上表面的一部分会凹陷或凹进，从而形成台阶。在第二过孔层via2的厚度ht3太小的情况下，每个发光元件ed的端部会在第二过孔层via2的上表面上方突出。因此，设置在第二过孔层via2上的层会台阶化。第一过孔层via1的每个沟槽部tp的第一深度ht1和第二过孔层via2的厚度ht3可以根据每个发光元件ed的长度在如下范围内各种调整，在该范围内，设置在沟槽部tp和第二过孔层via2中的每个上的层的台阶可以最小化。例如，每个沟槽部tp的第一深度ht1可以是每个发光元件ed的长度的约25％，第二过孔层via2的厚度ht3可以是每个发光元件ed的长度的约75％。然而，公开不限于此。
112.在放置发光元件ed之后，第二过孔层via2的第一开口op1可以在通过热处理使用于形成第二过孔层via2的有机绝缘材料层固化的工艺中形成以接触发光元件ed。在使用半色调掩模的图案化工艺中形成的有机绝缘材料层可以包括具有比第一开口op1的直径大的直径的开口。发光元件ed可以设置在开口中的每个中，并且可以在倾斜状态下设置在开口的倾斜内壁上。在热处理工艺中使有机绝缘材料层固化的情况下，当有机绝缘材料流动性地流动时，会发生材料回流。因此，可以减小每个开口的宽度或直径。在该工艺中，每个开口的内壁可以接触发光元件ed的外表面的一部分，并且将发光元件ed固定在发光元件ed竖立或设置在第一基底sub的上表面上所沿的方向上。
113.由发光元件ed产生的光可以没有方向性地发射，但是光中的大部分可以通过两端(例如，在发光元件ed的延伸方向上的第一端和第二端)发射。由于发光元件ed在与第一基底sub的上表面不平行的方向上延伸，因此至少通过发光元件ed的第二端发射的光可以在第一基底sub上方被向上引导或直接向上引导。在根据实施例的显示装置10中，可以通过使有机绝缘材料回流来形成第二过孔层via2的第一开口op1，并且第二过孔层via2可以将发光元件ed固定为竖直地竖立或竖直地设置。即使显示装置10可以包括通过在发光元件ed的延伸方向上的两端发光的发光元件ed，也可以改善显示装置10的发光效率。例如，由于可以从显示装置10中省略反射从发光元件ed发射的光的结构，所以在每个子像素pxn的制造工艺和结构设计中具有确保空间的优势。
114.第二开口op2也可以在用于形成第一开口op1且固定发光元件ed的回流工艺中形成。由于发光元件ed不会设置在第二开口op2中，因此根据热处理工艺的条件也可能不形成第二开口op2，并且有机绝缘材料会替代地覆盖第二电极e2或与第二电极e2叠置。为了防止这种情况，根据实施例，第二开口op2的最大直径wo2可以大于每个第一开口op1的最大直径wo1。在用于形成第二过孔层via2的有机绝缘材料层中，可以形成多个子开口op1_c和op2_c(见图10)以分别形成第一开口op1和第二开口op2。在它们之中，用于形成第二开口op2的子开口op2_c可以具有比用于形成第一开口op1的子开口op1_c的最大直径大的最大直径。在使用于形成第二过孔层via2的有机绝缘材料层固化的工艺中，可以以恒定速率减小子开口op1_c和op2_c中的每个的直径。发光元件ed可以设置在用于在固化工艺中引起回流以形成每个第一开口op1的任意一个子开口op1_c中。其他子开口op2_c的直径可以以恒定速率减小。然而，由于子开口op2_c的初始直径可以是大的，因此可以在可以使第二电极e2暴露的状态下使子开口op2_c固化。有机绝缘材料层的子开口op1_c和op2_c可以均在固化工艺中减小直径，并且可以形成第一开口op1和第二开口op2。
115.发光元件ed中的每个可以包括多个半导体层，并且可以基于任意一个半导体层来限定第一端和与第一端相对的第二端。发光元件ed的第一端可以面对第一电极e1，第二端
可以在第二过孔层via2上方面向上。发光元件ed可以具有电连接到第一电极e1的第一端和电连接到第二电极e2的第二端，以接收电信号来发光。在实施例中，发光元件ed的第一端可以接触或直接接触并且电连接到第一电极e1，第二端可以接触或直接接触第三电极e3并因此可以电连接到第二电极e2。半导体层的一部分可以在延伸方向上在每个发光元件ed的端表面上被暴露，并且被暴露的半导体层可以接触或直接接触第一电极e1或第三电极e3。然而，公开不限于此，并且发光元件ed也可以接触其他构件，并且可以通过所述构件电连接到第一电极e1和第二电极e2。
116.设置在不同子像素pxn中的发光元件ed可以根据形成半导体层的材料而发射不同波段的光。然而，公开不限于此，并且设置在不同子像素pxn中的发光元件ed也可以发射相同颜色的光，例如，蓝光。
117.第三电极e3可以设置在第二过孔层via2和发光元件ed上。第三电极e3可以设置为与每个像素px的每个子像素pxn对应。例如，第三电极e3可以足够大以覆盖每个子像素pxn的第一电极e1和第二电极e2或与每个子像素pxn的第一电极e1和第二电极e2叠置。因此，由每个子像素pxn占据的面积可以几乎与第三电极e3的面积近似。第三电极e3可以形成为比每个子像素pxn小，使得第三电极e3可以在与其他邻近的子像素pxn的边界处与其他第三电极e3间隔开，第三电极e3可以在整个显示区域dpa中设置为岛状图案。然而，公开不限于此，并且第三电极e3也可以设置为覆盖多个子像素pxn或与多个子像素pxn叠置，并且在一些情况下，第三电极e3可以遍及整个显示区域dpa而设置为一个电极。
118.第三电极e3可以通过形成在第二过孔层via2中的第一开口op1电连接到发光元件ed，并且可以通过第二开口op2电连接到第二电极e2。例如，第三电极e3可以接触或直接接触发光元件ed的设置在第一开口op1中的第二端，并且可以接触或直接接触第二电极e2的通过第二开口op2暴露的上表面的一部分。然而，公开不限于此，并且第三电极e3也可以通过设置在第三电极e3与第二过孔层via2之间的另一构件电连接到发光元件ed和第二电极e2。
119.根据实施例，与第一电极e1和第二电极e2不同，第三电极e3可以包括透明导电材料。第三电极e3可以是设置在发光元件ed上的层，并且类似于第二过孔层via2，可以包括透射从发光元件ed发射的光的材料。例如，第三电极e3可以包括诸如ito、izo或itzo的透明材料或诸如ag/mg的材料。从发光元件ed发射的光中的一部分可以穿过第二过孔层via2和第三电极e3以在第一基底sub上方向上行进，并且光中的另一部分可以被第一电极e1反射以穿过第二过孔层via2和第三电极e3。
120.第一绝缘层pas1可以设置在第二过孔层via2和第三电极e3上。第一绝缘层pas1可以完全设置在第二过孔层via2上，并且可以保护设置在第一基底sub上的构件免受外部环境的影响。第一绝缘层pas1可以包括但不限于用于透射从发光元件ed发射的光的透明无机绝缘材料或透明有机绝缘材料。
121.图6是根据实施例的发光元件ed的示意图。
122.参照图6，发光元件ed可以是发光二极管。例如，发光元件ed可以是具有在纳米至微米的范围内的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。在彼此面对的两个电极之间沿特定或给定方向形成电场的情况下，发光元件ed可以在其中形成有极性的两个电极之间对准。
123.根据实施例的发光元件ed可以在一定方向上延伸。在公开的精神和范围内，发光元件ed可以基本上成形为类似于圆柱、棒、线或管等。然而，发光元件ed的形状不限于此，并且发光元件ed也可以具有包括诸如立方体、长方体和六角棱柱的基本上多边形棱柱的各种形状以及在一定方向上延伸并具有部分倾斜的外表面的形状。
124.发光元件ed可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号并且发射特定或给定波段的光。发光元件ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
125.第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层31可以是n型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的任意一种或更多种。在公开的精神和范围内，用于对第一半导体层31掺杂的n型掺杂剂可以是si、ge或sn等。
126.第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上，且发光层36介于它们之间。第二半导体层32可以是p型半导体。第二半导体层32可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层32可以是p型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的任意一种或更多种。在公开的精神和范围内，用于对第二半导体层32掺杂的p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、sr或ba等。
127.尽管在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个由一层组成，但是公开不限于此。第一半导体层31和第二半导体层32中的每个也可以包括更多数量的层，例如，根据发光层36的材料，还可以包括包覆层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
128.发光层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36可以包括具有多量子阱结构的材料的情况下，它可以具有其中多个量子层和多个阱层可以彼此交替堆叠的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号通过电子-空穴对的结合而发光。发光层36可以包括诸如algan或algainn的材料。举例来说，在发光层36具有其中量子层和阱层可以彼此交替堆叠的多量子阱结构的情况下，例如，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。
129.发光层36也可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料可以彼此交替堆叠的结构，或者可以根据发光层36发射的光的波段而包括不同的iii族至v族半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波段中的光。在一些情况下，发光层36可以发射红色或绿色波段中的光。
130.电极层37可以是欧姆连接电极。然而，公开不限于此，并且电极层37也可以是肖特基连接电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层37。发光元件ed可以包括一个或更多个电极层37。然而，公开不限于此，并且也可以省略电极层37。
131.在发光元件ed在显示装置10中电连接到电极或连接电极的情况下，电极层37可以减小发光元件ed与电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)中的至少任意一种。
132.绝缘膜38围绕上述半导体层31和32和电极层37的外表面。例如，绝缘膜38可以围绕至少发光层36的外表面，但是可以使发光元件ed的在纵向方向上的两端暴露。在与发光
元件ed的至少一端相邻的区域中，绝缘膜38的上表面在剖面中可以是基本上圆形的。
133.绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)或氧化铝(alo
x
)。尽管在附图中绝缘膜38被示出为单层，但是公开不限于此。在实施例中，绝缘膜38可以形成为其中多个层可以彼此堆叠的多层结构。
134.绝缘膜38可以保护上述构件。绝缘膜38可以防止在发光层36接触或直接接触电信号通过其传输到发光元件ed的电极的情况下可能在发光层36中发生的电短路。绝缘膜38可以防止发光元件ed的发光效率降低。
135.可以处理绝缘膜38的外表面。多个发光元件ed可以在它们分散在预定墨中的状态下喷射到电极上，并且可以对准。这里，绝缘膜38的表面可以被疏水处理或亲水处理，使得每个发光元件ed在墨中与其他相邻发光元件ed保持分离，而不与它们聚集。
136.图7是示出由根据实施例的显示装置10的发光元件ed产生的光通过其发射的路径的示意图。
137.参照图7，根据实施例的显示装置10可以包括设置在第一开口op1中的发光元件ed，发光元件ed可以在与第一基底sub的上表面垂直的方向上延伸。在发光元件ed中，光可以由发光层36产生，并且可以沿随机方向发射而没有方向性。在由发光元件ed产生的光中，通过第二端发射的第一光l1可以穿过第三电极e3和第一绝缘层pas1以在第一基底sub上方向上行进。
138.在由发光元件ed产生的光中，通过发光元件ed的侧表面发射的第二光l2可以入射在第二过孔层via2上。根据实施例，第二过孔层via2可以通过包括硅氧烷类有机绝缘材料作为透明有机绝缘材料而对具有可见光区域中的波长的光具有高透射率。例如，在其中发光元件ed发射蓝光的实施例中，与聚酰亚胺相比，硅氧烷类有机绝缘材料可以具有优异的透光率。通过发光元件ed的侧表面发射的第二光l2可以穿过第二过孔层via2、第三电极e3和第一绝缘层pas1以在第一基底sub上方向上行进。
139.在由发光元件ed产生的光中，通过发光元件ed的第一端发射的第三光l3可以入射在第一电极e1上。第一电极e1可以包括具有高反射率的材料，并且第三光l3可以被第一电极e1反射到第二过孔层via2。第三光l3也可以穿过第二过孔层via2、第三电极e3和第一绝缘层pas1以在第一基底sub上方向上行进。
140.在根据实施例的显示装置10中，在一定方向上延伸的发光元件ed可以沿与第一基底sub垂直的方向设置。发光元件ed可以在第二过孔层via2的第一开口op1中设置在第一过孔层via1的沟槽部tp上，并且可以通过第二过孔层via2被竖立或直立地固定或设置。由发光元件ed产生的光可以通过延伸方向上的两端发射，但是光的一部分可以通过侧表面发射。这里，通过沿与第一基底sub垂直的方向设置的发光元件ed的两端发射的光中的大部分可以在第一基底sub上方向上行进。由于第二过孔层via2可以包括具有高透光率的材料，因此通过发光元件ed的侧表面发射的光也可以在第一基底sub上方向上行进。因此，显示装置10可以具有优异的发光效率。
141.现在将进一步参照其他附图描述制造显示装置10的工艺。
142.图8至图15是顺序地示出根据实施例的制造显示装置的工艺的示意性剖视图。图8至图15示意性地示出了形成显示装置10的每个层的工艺。下面将详细描述形成每个层的顺序，并且将描述形成每个层的工艺或方法。
143.首先，参照图8，可以在第一基底sub上形成第一导电层、缓冲层bl、半导体层、第一栅极绝缘层gi、第二导电层、第一层间绝缘层il1、第三导电层和第一过孔层via1。可以通过使用掩模的图案化工艺来形成第一导电层、半导体层、第二导电层和第三导电层。可以通过诸如化学气相沉积(cvd)方法的沉积工艺或在公开的精神和范围内的其他工艺来形成缓冲层bl、第一栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层il1。
144.第一过孔层via1可以包括有机绝缘材料，并且可以使用半色调掩模通过图案化工艺形成。第一过孔层via1可以具有大体上平坦的上表面并且执行表面平坦化功能，但是可以包括设置在每个子像素pxn中的多个沟槽部tp以及第一接触孔ct1和第二接触孔ct2。第一接触孔ct1和第二接触孔ct2可以形成为比沟槽部tp深，以使第三导电层的在第一接触孔ct1和第二接触孔ct2下面或下方的部分暴露。沟槽部tp可以从第一过孔层via1的上表面的部分凹陷或凹进，并且每个沟槽部tp的深度可以根据每个发光元件ed的长度而被调节。
145.参照图9，可以在第一过孔层via1上形成第一电极e1和第二电极e2。第一电极e1可以覆盖沟槽部tp或与沟槽部tp叠置，并且可以通过第一接触孔ct1接触或直接接触第三导电层。第二电极e2可以与第一电极e1间隔开，并且可以通过第二接触孔ct2接触或直接接触第三导电层。
146.参照图10，可以在第一过孔层via1上形成第二子过孔层via2_c。与第一过孔层via1类似，可以使用半色调掩模通过图案化工艺来形成第二子过孔层via2_c。然而，与第一过孔层via1不同，第二子过孔层via2_c可以由硅氧烷类有机绝缘材料制成，并且可以包括分别使第一电极e1和第二电极e2的上表面部分地暴露的第一子开口op1_c和第二子开口op2_c。第一子开口op1_c可以形成为与第一过孔层via1的沟槽部tp对应。在随后的工艺中，可以将发光元件ed的端部在第一子开口op1_c中插置到沟槽部tp中。
147.每个第一子开口op1_c的最大直径wo1_c可以小于第二子开口op2_c的最大直径wo2_c。可以在后续工艺中通过热处理工艺使第二子过孔层via2_c固化，以形成图3的第二过孔层via2。在热处理工艺中，可以通过有机绝缘材料的回流来减小第一子开口op1_c和第二子开口op2_c的宽度或直径。第一子开口op1_c和第二子开口op2_c中的每个的直径可以减小预定尺寸。由于第二子开口op2_c具有比第一子开口op1_c的最大直径大的最大直径，因此形成在第二过孔层via2中的第一开口op1和第二开口op2可以具有不同的直径。这可以允许第二过孔层via2对设置在第一开口op1中的发光元件ed进行固定，同时防止第二过孔层via2下面或下方的第二电极e2被有机绝缘材料覆盖或与有机绝缘材料叠置而不是在第二开口op2中暴露。
148.参照图11至图14，可以将发光元件ed放置在第一子开口op1_c中。在实施例中，可以在发光元件ed分散在墨ink中的状态下准备发光元件ed，并且可以通过喷墨印刷工艺将发光元件ed喷射到每个子像素pxn。可以将墨ink喷射到第二子过孔层via2_c的第一子开口op1_c上，并且可以将发光元件ed安装在第一子开口op1_c上。
149.墨ink可以从外围或表面开始干燥，而不是从中心开始干燥。如图12中所示，当墨ink干燥时，墨介质或墨分子可以朝向中心移动。因此，分散在墨ink中的发光元件ed也可以移动。发光元件ed中的一些或若干可以沿着由第二子过孔层via2_c的第一子开口op1_c形成的斜坡放置在第一子开口op1_c中。
150.作为示例，发光元件ed中的每个可以通过包括用不同导电类型的掺杂剂掺杂的半
导体层而具有偶极子，并且发光元件ed的位置和取向方向可以通过在墨ink中产生的电场而改变。如图13中所示，在第一子开口op1_c上方的外部电场产生器egd与第一电极e1产生电场el的情况下，发光元件ed可以接收由电场el引起的力。当分散在墨ink中的发光元件ed的位置和取向方向通过由外部电场产生器egd和第一电极e1产生的电场el而改变时，发光元件ed可以放置在第一子开口op1_c中。例如，根据电场el的方向，发光元件ed可以被放置为使得发光元件ed的特定端或给定端(例如，第一端)面对第一电极e1。
151.如图14中所示，在发光元件ed放置在第一子开口op1_c中的情况下，使墨ink干燥。在附图中，示出了仅一个第一子开口op1_c，以示出设置在第一子开口op1_c中的一个发光元件ed。然而，如上所述，由于多个沟槽部tp和多个第一开口op1形成在每个子像素pxn中，因此可以在第二子过孔层via2_c中形成多个第一子开口op1_c，使得多个发光元件ed可以设置在第一子开口op1_c中。作为示例，多个发光元件ed可以设置在一个第一子开口op1_c中。
152.参照图15，可以通过经由热处理工艺使第二子过孔层via2_c固化来形成第二过孔层via2。在第二子过孔层via2_c被热处理的情况下，形成第二子过孔层via2_c的硅氧烷类有机绝缘材料可以流动性地回流，并且第二子过孔层via2_c的形状可以部分地改变。例如，有机绝缘材料可以移动，使得由第一子开口op1_c和第二子开口op2_c暴露的空间变窄。随着第一子开口op1_c的直径减小，第一子开口op1_c的内壁可以接触发光元件ed。当有机绝缘材料随着有机绝缘材料的移动而固化时，发光元件ed可以被固定在与第一基底sub的上表面垂直的方向上。第一开口op1的通过材料的固化而形成的内壁可以部分地接触发光元件ed，并且每个第一开口op1的最大直径wo1可以小于每个第一子开口op1_c的最大直径wo1_c。
153.类似地，随着第二子开口op2_c的直径减小，第二子开口op2_c的宽度可以减小至与每个第一子开口op1_c的宽度相同的程度。通过材料的固化形成的第二开口op2可以使第二电极e2暴露，并且第二开口op2的最大直径wo2可以小于第二子开口op2_c的最大直径wo2_c但是大于每个第一开口op1的最大直径wo1。
154.在执行用于形成第二过孔层via2的固化工艺之前，可以通过热处理对第二子过孔层via2_c执行初始固化工艺。由于用于形成第二过孔层via2的固化工艺是将尚未完全固化的第二子过孔层via2_c固化的工艺，因此可以控制有机绝缘材料的回流程度。然而，公开不限于此，并且也可以通过经由一个热处理工艺对尚未执行初始固化工艺的未固化的第二子过孔层via2_c执行固化工艺来形成第二过孔层via2。例如，在需要大流量的有机绝缘材料使得内侧壁如在第一开口op1中那样接触发光元件ed的外表面的情况下，可以仅执行用于形成第二过孔层via2的固化工艺。可以根据第一开口op1和第二开口op2的尺寸以及材料的物理性质在优化的条件下执行在形成第二过孔层via2的工艺之前执行的初始固化工艺。
155.尽管未在附图中示出，但是可以在第二过孔层via2上形成第三电极e3和第一绝缘层pas1，以产生根据实施例的显示装置10。
156.现在将进一步参照其他附图来描述显示装置10的各种实施例。
157.图16是根据实施例的显示装置10_1的像素的示意性平面图。
158.参照图16，在根据实施例的显示装置10_1中，第三电极e3_1可以设置为覆盖一个或更多个子像素pxn或像素px或者与一个或更多个子像素pxn或像素px叠置。一个第三电极
e3_1可以设置在多个子像素pxn之上，并且可以接触设置在每个子像素pxn中的第二电极e2。图16的显示装置10_1可以在第三电极e3_1的形状上与图2的实施例不同。
159.第三电极e3_1可以在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸超过邻近或相邻的子像素pxn的边界。第三电极e3_1在平面图中的面积可以大于一个子像素pxn的面积，并且第三电极e3_1可以设置在其他子像素pxn之上。尽管在附图中一个第三电极e3_1设置在多个子像素pxn或者第一像素pxa和第二像素pxb之上，但是公开不限于此，并且第三电极e3_1也可以遍及整个显示区域dpa而覆盖所有像素px或与所有像素px叠置。
160.如上所述，设置在每个子像素pxn中的第三电极e3可以通过第二电极e2电连接到第二电压布线vl2，并且同一电信号可以传输到第三电极e3。在一个一体化第三电极e3_1设置在多个子像素pxn中的情况下，可以通过第二电压布线vl2将第二电源电压同时施加到多个发光元件ed。然而，由于至少第一电极e1可以针对每个子像素pxn单独地设置，因此可以根据传输到第一电极e1的电信号来确定对应的子像素pxn的发光。在根据实施例的显示装置10_1中，由于一个第三电极e3_1设置为覆盖多个子像素pxn或与多个子像素pxn叠置，因此可以相对简化形成第三电极e3_1的工艺。
161.图17是根据实施例的显示装置10_2的像素的示意性平面图。图18是沿着图17的线q2-q2'截取的示意性剖视图。图19是示出形成在图18的第一过孔层via1和第二过孔层via2_2中的多个接触孔和多个开口的示意性剖视图。
162.参照图17至图19，在根据实施例的显示装置10_2中，第二过孔层via2_2还可以包括从第二过孔层via2_2的上表面突出的堤部bp1和bp2，并且还可以包括设置在第二过孔层via2_2的堤部bp1和bp2上的多个子电极rme1_2和rme2_2。设置在第二过孔层via2_2上的子电极rme1_2和rme2_2可以用于在放置发光元件ed的工艺中产生电场。
163.第二过孔层via2_2可以包括基体部bp3以及从基体部bp3的上表面的部分突出的堤部bp1和bp2。在第二过孔层via2_2中，第一开口op1和第二开口op2可以形成在每个子像素pxn的基体部bp3中，并且堤部bp1和bp2可以彼此间隔开，且第一开口op1介于它们之间。
164.第二过孔层via2_2可以包括形成在第一开口op1中的任意一个的一侧上的第一堤部bp1以及在第二方向dr2上与第一堤部bp1间隔开的第二堤部bp2。在平面图中，第一堤部bp1和第二堤部bp2可以在每个子像素pxn中沿第一方向dr1延伸。第一堤部bp1和第二堤部bp2可以在第二方向dr2上彼此间隔开，并且多个第一开口op1和多个沟槽部tp可以布置或设置在第一堤部bp1与第二堤部bp2之间。根据实施例，第一堤部bp1与第二堤部bp2之间在第二方向dr2上的间隙wo3可以大于第一开口op1中的每个的最大直径wo1。多个发光元件ed可以设置于在第二方向dr2上彼此间隔开的第一堤部bp1与第二堤部bp2之间的空间中。
165.尽管在附图中示出了一个第一堤部bp1和一个第二堤部bp2，但是还可以在第二堤部bp2的在第二方向dr2上的一侧上设置另一个第一堤部bp1。如图17中所示，在发光元件ed布置或设置为第一方向dr1上的一列并且布置或设置为与该列在第二方向dr2上间隔开的另一列的情况下，第二堤部bp2可以设置在每个子像素pxn的中心中，并且第一堤部bp1可以设置在第二堤部bp2的在第二方向dr2上的两侧上。第一堤部bp1和第二堤部bp2在第一方向dr1上的长度可以小于第一电极e1_2在第一方向dr1上的长度。第一堤部bp1和第二堤部bp2可以形成为在第二方向dr2上与形成其中设置有发光元件ed的第一开口op1的部分相邻，并且可以形成为不在第一电极e1_2的在第一方向dr1上的两侧附近。然而，公开不限于此，并
且第一堤部bp1和第二堤部bp2也可以在多个子像素pxn之上在第一方向dr1上延伸，并且可以在整个显示区域dpa中设置为线性图案。
166.基体部bp3可以是第二过孔层via2_2的其中可以不形成有第一堤部bp1和第二堤部bp2的部分，并且可以是具有相对平坦的上表面的部分。第一开口op1和第二开口op2可以形成在基体部bp3中。第一堤部bp1和第二堤部bp2可以从基体部bp3的上表面向上突出。突出的第一堤部bp1和第二堤部bp2可以具有基本上倾斜或基本上弯曲的侧表面。在实施例中，第二过孔层via2_2的其中定位有或设置有第一堤部bp1和第二堤部bp2的部分的厚度ht4可以大于基体部bp3的厚度ht3。第二过孔层via2_2的其中可以定位有或设置有第一堤部bp1和第二堤部bp2的部分的厚度ht4可以大于每个发光元件ed的长度，并且基体部bp3的厚度ht3可以小于每个发光元件ed的长度。由于第一堤部bp1和第二堤部bp2的上表面可以高于基体部bp3的上表面，因此可以在第一堤部bp1与第二堤部bp2之间形成谷部。在制造显示装置10_2的工艺中，可以将墨ink喷射到第一堤部bp1与第二堤部bp2之间的谷部，并且可以顺利地将发光元件ed放置在第一开口op1中。
167.子电极rme1_2和rme2_2可以分别设置在第一堤部bp1和第二堤部bp2上。第一子电极rme1_2可以包括设置在第一堤部bp1上并且在第一方向dr1上延伸的部分以及将所述部分连接并且在第二方向dr2上延伸的部分。第二子电极rme2_2可以设置在第二堤部bp2上，并且可以在第一方向dr1上延伸。第一子电极rme1_2的在第一方向dr1上延伸的部分可以在第二方向dr2上与第二子电极rme2_2间隔开，并且第一子电极rme1_2的在第二方向dr2上延伸的部分可以在第一方向dr1上与第二子电极rme2_2间隔开。在平面图中，第一子电极rme1_2可以大体上围绕第二子电极rme2_2。
168.第一子电极rme1_2和第二子电极rme2_2可以分别具有比第一堤部bp1和第二堤部bp2的宽度大的宽度，并且也可以设置在第一堤部bp1和第二堤部bp2的倾斜侧表面上。从设置在第一开口op1中的发光元件ed发射的光的至少一部分可以朝向第一堤部bp1和第二堤部bp2的倾斜侧表面行进。在实施例中，第一子电极rme1_2和第二子电极rme2_2可以包括具有高反射率的材料，并且朝向第一堤部bp1和第二堤部bp2的倾斜侧表面行进的光可以被子电极rme1_2和rme2_2向上反射。
169.子电极rme1_2与rme2_2之间在第二方向dr2上的间隙可以小于第一堤部bp1与第二堤部bp2之间的间隙。子电极rme1_2和rme2_2中的每个的至少一部分可以设置在第二过孔层via2_2的基体部bp3上或直接设置在第二过孔层via2_2的基体部bp3上。因此，子电极rme1_2和rme2_2可以位于同一平面中，或者可以共面。
170.第三电极e3_2可以设置在第二过孔层via2_2上，并且可以覆盖子电极rme1_2和rme2_2或者与子电极rme1_2和rme2_2叠置。在实施例中，第三电极e3_2可以接触或直接接触子电极rme1_2和rme2_2，并且子电极rme1_2和rme2_2可以通过第三电极e3_2电连接到第二电极e2_2和第二电压布线vl2。
171.根据实施例，显示装置10_2还可以包括在第二方向dr2上延伸并且设置于在第一方向dr1上相邻的子像素pxn的边界处的多条电极线rms1_2和rms2_2。电极线rms1_2和rms2_2可以包括在第一方向dr1上与每个子像素pxn的第一子电极rme1_2间隔开的第一电极线rms1_2以及在第一方向dr1上与每个子像素pxn的第二子电极rme2_2间隔开的第二电极线rms2_2。第一电极线rms1_2和第二电极线rms2_2可以在第二方向dr2上跨多个子像素
pxn延伸。第一电极线rms1_2可以设置在相应的子像素pxn的作为第一方向dr1的一侧的下侧上，并且第二电极线rms2_2可以设置在相应的子像素pxn的作为第一方向dr1的另一侧的上侧上。第一电极线rms1_2和第二电极线rms2_2可以在第一方向dr1上彼此间隔开，并且可以沿着第一方向dr1交替地布置或设置。子像素pxn的第一电极e1_2和第二电极e2_2可以设置在一条第一电极线rms1_2与在第一方向dr1上与该第一电极线rms1_2不相邻且间隔开的第二电极线rms2_2之间。在彼此相邻设置且间隔开的第一电极线rms1_2与第二电极线rms2_2之间可以不设置其他构件。
172.如上所述，第一子电极rme1_2和第二子电极rme2_2可以用于在制造显示装置10_2的工艺期间产生用于放置发光元件ed的电场。第一电极线rms1_2和第二电极线rms2_2可以分别电连接到第一子电极rme1_2和第二子电极rme2_2以传输用于产生电场的电信号，并且可以在放置发光元件ed之后通过分离部cb与子电极rme1_2和rme2_2分离。例如，第一电极线rms1_2和第二电极线rms2_2可以是用于在制造工艺期间传输电信号然后被断开的布线。
173.根据当前实施例的显示装置10_2可以与图2和图3的实施例的不同之处在于，第二过孔层via2_2还可以包括第一堤部bp1和第二堤部bp2，并且还可以包括子电极rme1_2和rme2_2。由于显示装置10_2还可以包括用于产生电场并且能够反射从发光元件ed发射的光的构件，因此放置发光元件ed的工艺变得简化，并且可以进一步改善向上的发光效率。
174.图20至图24是依次示出制造图18的显示装置10_2的工艺中的操作的示意性剖视图。图20至图24示意性地示出了形成显示装置10_2的每个层的工艺。下面将详细描述形成每个层的顺序，并且将描述形成每个层的工艺或方法。
175.首先，参照图20，可以在第一基底sub上形成第一导电层、缓冲层bl、半导体层、第一栅极绝缘层gi、第二导电层、第一层间绝缘层il1、第三导电层、第一过孔层via1、第一电极e1_2、第二电极e2_2、第二子过孔层via2_c和多个子电极rme1_2和rme2_2。在第一过孔层via1中，可以如上所述地形成多个沟槽部tp和多个接触孔ct1和ct2。第二子过孔层via2_c可以包括其中形成有第一子开口op1_c和第二子开口op2_c的基体部bp3以及从基体部bp3的上表面突出的第一堤部bp1和第二堤部bp2。子电极rme1_2和rme2_2可以分别形成在第一堤部bp1和第二堤部bp2上。
176.将发光元件ed放置在第一子开口op1_c中。
177.参照图21，可以在将发光元件ed分散在墨ink中的状态下准备发光元件ed，并且可以通过喷墨印刷工艺将发光元件ed喷射到每个子像素pxn。可以将墨ink喷射在第二子过孔层via2_c的第一堤部bp1与第二堤部bp2之间或者喷射到第一子开口op1_c上。
178.参照图22，通过将电信号传输到第一子电极rme1_2和第二子电极rme2_2来在第一子电极rme1_2与第二子电极rme2_2之间产生第一电场el1。第一子电极rme1_2和第二子电极rme2_2可以在第二方向dr2上间隔开以彼此面对，并且第一电场el1可以面对与第一基底sub的上表面平行的方向。墨ink中的发光元件ed可以通过第一电场el1在水平方向上定向。
179.参照图23，使用外部电场产生器egd和第一电极e1_2产生第二电场el2。第二电场el2可以面对与第一基底sub的上表面垂直的方向，并且发光元件ed可以通过第二电场el2在墨ink中在竖直方向上定向。在墨ink中随机分散的发光元件ed可以随着它们的位置和取向方向因第一电场el1和第二电场el2改变而放置在第一子开口op1_c中。与图12和图13的实施例相比，在当前实施例中，可以在将发光元件ed移动到第一子开口op1_c中之前通过在
水平方向上产生第一电场el1来使发光元件ed初步定向。在发光元件ed沿一定方向定向的情况下，与发光元件ed在墨ink中随机分散的情况相比，发光元件ed可以通过第二电场el2的产生更容易地移动到第一子开口op1_c中。
180.参照图24，通过经由热处理工艺使第二子过孔层via2_c固化来形成第二过孔层via2_2。在第二子过孔层via2_c被热处理的情况下，形成第二子过孔层via2_c的硅氧烷类有机绝缘材料可以流动性地回流，并且第二子过孔层via2_c的形状可以部分地改变。如上所述，在当前工艺中可以减小第一子开口op1_c和第二子开口op2_c的相应直径。结果，可以形成第一开口op1和第二开口op2。
181.根据实施例，可以在外部电场产生器egd和第一电极e1_2已经产生第二电场el2的状态下执行用于形成第二过孔层via2_2的固化工艺。在已经产生第二电场el2的状态下执行固化工艺的情况下，有机绝缘材料可以在发光元件ed的取向被固定的同时流动。在该工艺中，与通过有机绝缘材料的流动而在竖直方向上固定发光元件ed的情况相比，发光元件ed可以更容易地在竖直方向上定向。
182.尽管在附图中未示出，但是可以在第二过孔层via2_2上形成第三电极e3_2和第一绝缘层pas1以产生根据实施例的显示装置10_2。
183.图25是根据实施例的显示装置10_3的子像素的示意性剖视图。
184.参照图25，根据实施例的显示装置10_3还可以包括多个连接电极cn1_3和cn2_3。连接电极cn1_3和cn2_3可以设置在第一电极e1_3与发光元件ed之间或第三电极e3_3与发光元件ed之间。连接电极cn1_3和cn2_3可以包括与第一电极e1_3和第三电极e3_3的材料不同的材料，以减小与发光元件ed的接触电阻。图25的显示装置10_3与图18的实施例的不同之处可以在于其还可以包括连接电极cn1_3和cn2_3。
185.第一连接电极cn1_3可以设置在第一电极e1_3上。第一连接电极cn1_3可以设置为与第一电极e1_3的形状基本上相同的形状，但是可以覆盖第一电极e1_3或与第一电极e1_3叠置，因为第一连接电极cn1_3在平面图中的面积大于第一电极e1_3的面积。第一连接电极cn1_3也可以设置在沟槽部tp上，并且发光元件ed的第一端可以接触或直接接触第一连接电极cn1_3。第一连接电极cn1_3可以接触发光元件ed的第一端和第一电极e1_3，并且发光元件ed可以通过第一连接电极cn1_3电连接到第一电极e1_3。然而，第一连接电极cn1_3可以不必设置为覆盖第一电极e1_3或不必设置为与第一电极e1_3叠置。在实施例中，第一连接电极cn1_3可以仅设置在第一电极e1_3的覆盖沟槽部tp或与沟槽部tp叠置的部分上，以与其中设置有发光元件ed的沟槽部tp对应。
186.第二连接电极cn2_3可以设置在第二过孔层via2_3和多个子电极rme1_3和rme2_3上。第二连接电极cn2_3可以设置为与第三电极e3_3的形状基本上相同的形状，但是第二连接电极cn2_3在平面图中的面积可以小于第三电极e3_3的面积，并且第三电极e3_3可以覆盖第二连接电极cn2_3或与第二连接电极cn2_3叠置。第二连接电极cn2_3可以设置在第一开口op1和第二开口op2上，并且可以接触或直接接触发光元件ed的第二端和第二电极e2_3。发光元件ed可以通过第二连接电极cn2_3电连接到第三电极e3_3和第二电极e2_3。
187.连接电极cn1_3和cn2_3可以包括诸如ito、izo、itzo或铝(al)的导电材料。例如，连接电极cn1_3和cn2_3可以包括透明导电材料，从发光元件ed发射的光可以穿过连接电极cn1_3和cn2_3并且可以被第一电极e1_3反射，或者可以穿过第三电极e3_3以在第一基底
sub上方向上行进。由于连接电极cn1_3和cn2_3可以通过包括与第一电极e1_3或第三电极e3_3的材料不同的材料来减小与发光元件ed的接触电阻，因此可以进一步改善发光效率。
188.在上述实施例中，已经描述了发光元件ed与第一基底sub的上表面垂直地放置的情况。然而，在制造显示装置10的工艺中，可以在使用于形成第二过孔层via2的有机绝缘材料固化的工艺中竖立或设置发光元件ed。在该工艺中，发光元件ed可以不必与第一基底sub的上表面垂直地放置，而是也可以以特定或给定角度倾斜。
189.图26是根据实施例的显示装置10_4的子像素的示意性剖视图。
190.参照图26，在根据实施例的显示装置10_4中，发光元件ed_4可以设置为面对与第一基底sub的上表面不平行的方向。发光元件ed_4可以大体上竖立或设置在第一基底sub上，但是可以设置在垂直于且至少不平行于第一基底sub的上表面的方向上或从该方向倾斜的方向上。
191.根据实施例，在显示装置10_4中，发光元件ed_4可以从与第一基底sub的上表面垂直的方向以第一角度或角度θc倾斜，并且第一角度或角度θc可以在形成第二过孔层via2的工艺中根据固化工艺的条件来调节。例如，考虑到显示装置10_4的视角，第一角度或角度θc可以是约60度或更小的锐角，例如，在约0度至约60度的范围内。尽管发光元件ed_4在附图中向一侧倾斜，但是由于第一开口op1在平面图中是圆形的，因此发光元件ed_4倾斜所沿的方向不受具体限制。根据发光元件ed_4倾斜所沿的方向计算的第一角度或角度θc可以被限定为从与第一基底sub的上表面垂直的方向测量的锐角。
192.在用于形成第二过孔层via2的有机绝缘材料被固化的情况下，如果通过适当地控制工艺条件使子开口的宽度均匀地减小，则发光元件ed可以竖直地竖立或设置。然而，发光元件ed可以不必竖直地竖立或设置，而是可以由于工艺条件中的误差或根据发光元件ed_4的初始取向而倾斜。然而，考虑到显示装置10_4的视角，发光元件ed_4可以沿与第一基底sub的上表面不平行的方向设置，并且可以设置为使得至少第一角度或角度θc具有约60度或更小的锐角。
193.在根据实施例的显示装置中，在一定方向上延伸的发光元件可以是直立的或设置在基底上。通过发光元件的两端发射的光和通过发光元件的侧表面发射的光可以在基底上方顺利地向上行进，并且显示装置可以具有优异的发光效率。
194.在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离公开的原理的情况下，可以对实施例做出许多变化和修改。因此，所公开的实施例仅以一般和描述性意义使用，而不是为了限制的目的。