晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.在晶圆曝光过程中，由于曝光系统一次曝光的面积大小是有限的，因此在曝光时需要将一个晶圆划分为多个曝光单元分别进行曝光成像，这些曝光单元包括非完整曝光单元和完整曝光单元，其中，完整曝光单元完全落在晶圆范围以内，非完整曝光单元部分未落在晶圆范围以内。另外，每个曝光单元中可能会包含多个小的曝光晶粒(die)。
3.目前，晶圆曝光布局主要通过在设备上进行曝光并根据曝光结果测量完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，以获得最大数量完整曝光单元的曝光布局，但是该方式必须在设备上进行操作，且复杂度较高，影响工作效率。因此，如何提供一种简便快捷的方式确定晶圆曝光场布局和曝光路径，进而使待曝光晶圆中完整的曝光晶粒数量最多，从而提高晶圆产品良率，成为了亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术的目的在于提供一种晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质，能够通过设置步进偏移量多次移动曝光栅格区域，每移动一次计算目标曝光区域内曝光晶粒的数量，将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光，简化了实际操作步骤，使完整曝光晶粒数量达到最多，在提高晶圆产品良率的同时提高了晶圆曝光过程的工作效率。
5.本技术主要包括以下几个方面：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种晶圆曝光布局的计算方法，所述计算方法包括：
7.将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；
8.根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；
9.根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
10.进一步的，通过以下步骤建立的曝光栅格区域：
11.根据曝光需求确定每个曝光栅格单元的尺寸；
12.将所述待曝光晶圆的中心位置作为坐标系原点，确定每个曝光栅格单元在所述坐标系中的位置；
13.根据历史数据设置待曝光晶圆的边缘清除量，确定清除区域，并将所述待曝光晶圆去除清除区域之后的内部区域确定为目标曝光区域；
14.根据清除区域、目标曝光区域、每个曝光栅格单元的尺寸以及在所述坐标系中的位置，建立曝光栅格区域。
15.进一步的，所述步进偏移量包括水平方向的步进偏移量和垂直方向的步进偏移量；所述水平方向的步进偏移量为曝光晶粒水平方向尺寸的1/n，所述垂直方向的步进偏移量为曝光晶粒垂直方向尺寸的1/m；n和m为整数。
16.进一步的，所述根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量的步骤，包括：
17.根据移动后的曝光栅格区域，确定待曝光晶圆中全部曝光晶粒的中心位置；
18.根据每个曝光晶粒的中心位置，确定所述曝光晶粒四个角的位置；
19.根据所述曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒是否在目标曝光区域内；
20.若在，则将所述目标曝光区域中的曝光晶粒数量加一，执行下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内的确定步骤，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，计算所述目标曝光区域中曝光晶粒的数量；
21.若不在，执行下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内的确定步骤，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，计算所述目标曝光区域中曝光晶粒的数量。
22.进一步的，所述根据所述曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒是否在目标曝光区域内的步骤，包括：
23.根据曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒与所述待曝光晶圆的中心位置的位置距离；
24.获取待曝光晶圆的半径以及所述清除区域的边缘清除量，将所述待曝光晶圆的半径与所述边缘清除量的差值确定为目标检测值；
25.检测所述位置距离是否小于所述目标检测值；
26.若小于，则确定该曝光晶粒在目标曝光区域内；
27.若不小于，则确定该曝光晶粒不在目标曝光区域内。
28.进一步的，所述计算方法，还包括：
29.将所述目标曝光布局按照曝光栅格单元划分为内场和外场；其中，所述内场是所述曝光栅格单元均在目标曝光布局区域内；所述外场是所述曝光栅格单元跨越目标曝光布局区域与清除区域；
30.在内场中以相邻最短的距离为目标路径，采用预设类型路径，对每个曝光栅格单元进行从小到大的编号；
31.在外场中按照极坐标排序对所述外场中每个曝光栅格单元接着内场编号的顺序继续进行编号；
32.将按照内场编号以及外场编号顺序连接各个曝光栅格单元确定出的路径，确定为目标曝光路径。
33.第二方面，本技术实施例还提供了一种晶圆曝光布局的计算装置，所述计算装置包括：
34.移动模块，用于将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置
的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；
35.计算模块，用于根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；
36.确定模块，用于根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
37.进一步的，所述计算装置，还包括建立模块；所述建立模块，用于：
38.根据曝光需求确定每个曝光栅格单元的尺寸；
39.将所述待曝光晶圆的中心位置作为坐标系原点，确定每个曝光栅格单元在所述坐标系中的位置；
40.根据历史数据设置待曝光晶圆的边缘清除量，确定清除区域，并将所述待曝光晶圆去除清除区域之后的内部区域确定为目标曝光区域；
41.根据清除区域、目标曝光区域、每个曝光栅格单元的尺寸以及在所述坐标系中的位置，建立曝光栅格区域。
42.第三方面，本技术实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的晶圆曝光布局的计算方法的步骤。
43.第四方面，本技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如上述的晶圆曝光布局的计算的步骤。
44.本技术实施例提供的一种晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质，所述计算方法包括：将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
45.这样，采用本技术提供的技术方案能够通过设置步进偏移量多次移动曝光栅格区域，每移动一次计算目标曝光区域内曝光晶粒的数量，将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光，简化了实际操作步骤，使完整曝光晶粒数量达到最多，在提高晶圆产品良率的同时提高了晶圆曝光过程的工作效率。
46.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
47.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对
范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
48.图1示出了本技术实施例所提供的一种晶圆曝光布局的计算方法的流程图；
49.图2示出了本技术实施例所提供的另一种晶圆曝光布局的计算方法的流程图；
50.图3示出了本技术实施例所提供的目标曝光路径的示意图；
51.图4示出了本技术实施例所提供的一种晶圆曝光布局的计算装置的结构示意图之一；
52.图5示出了本技术实施例所提供的一种晶圆曝光布局的计算装置的结构示意图之二；
53.图6示出了本技术实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
54.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本技术中的附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本技术的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本技术中使用的流程图示出了根据本技术的一些实施例实现的操作。应当理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本技术内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
55.另外，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例，都属于本技术保护的范围。
56.为了使得本领域技术人员能够使用本技术内容，结合特定应用场景“计算晶圆的曝光布局”，给出以下实施方式，对于本领域技术人员来说，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用场景。
57.本技术实施例下述方法、装置、电子设备或计算机可读存储介质可以应用于任何需要进行计算晶圆曝光布局的场景，本技术实施例并不对具体的应用场景作限制，任何使用本技术实施例提供的一种晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质的方案均在本技术保护范围内。
58.值得注意的是，在晶圆曝光过程中，由于曝光系统一次曝光的面积大小是有限的，因此在曝光时需要将一个晶圆划分为多个曝光单元分别进行曝光成像，这些曝光单元包括非完整曝光单元和完整曝光单元，其中，完整曝光单元完全落在晶圆范围以内，非完整曝光单元部分未落在晶圆范围以内。另外，每个曝光单元中可能会包含多个小的曝光晶粒(die)。
59.目前，晶圆曝光布局主要通过在设备上进行曝光并根据曝光结果测量完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，以获得最大数量完整曝光单元的曝光布局，但是该方式必须在设备上进行操作，且复杂度较高，影响工作效率。因此，如何提供一种
简便快捷的方式确定晶圆曝光场布局和曝光路径，进而使待曝光晶圆中完整的曝光晶粒数量最多，从而提高晶圆产品良率，成为了亟待解决的问题。
60.基于此，本技术提出了一种晶圆曝光布局的计算方法、装置、电子设备及存储介质，所述计算方法包括：将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
61.这样，采用本技术提供的技术方案能够通过设置步进偏移量多次移动曝光栅格区域，每移动一次计算目标曝光区域内曝光晶粒的数量，将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光，简化了实际操作步骤，使完整曝光晶粒数量达到最多，在提高晶圆产品良率的同时提高了晶圆曝光过程的工作效率。
62.为便于对本技术进行理解，下面结合具体实施例对本技术提供的技术方案进行详细说明。
63.请参阅图1，图1为本技术实施例所提供的一种晶圆曝光布局的计算方法的流程图，如图1中所示，所述计算方法，包括：
64.s101、将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；
65.该步骤中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域，清除区域用于修正待曝光晶圆的边缘，使其变得平整，是曝光栅格区域中去除的区域，不用于进行曝光；目标曝光区域是有效曝光区域，即待曝光晶圆真正进行曝光操作的区域，也就是待曝光晶圆去除清除区域后的内部区域；这里，在将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中时，需要说明的是，建立曝光栅格区域的步骤请参阅图2，图2为本技术实施例所提供另一种晶圆曝光布局的计算方法的流程图，如图2中所示，通过以下步骤建立的曝光栅格区域：
66.s201、根据曝光需求确定每个曝光栅格单元的尺寸；
67.该步骤中，根据曝光需求，例如掩膜版上的图形大小确定每个曝光栅格单元的尺寸。
68.s202、将所述待曝光晶圆的中心位置作为坐标系原点，确定每个曝光栅格单元在所述坐标系中的位置；
69.该步骤中，将待曝光晶圆的中心位置作为坐标系原点建立坐标系，根据步骤s201确定的每个曝光栅格单元的尺寸，从而确定每个曝光栅格单元在该坐标系中的位置，生成初始，即无偏移的晶圆布局。
70.s203、根据历史数据设置待曝光晶圆的边缘清除量，确定清除区域，并将所述待曝光晶圆去除清除区域之后的内部区域确定为目标曝光区域；
71.该步骤中，由于待曝光晶圆的边缘不是完全平整的，导致曝光结果不理想，所以要设置边缘清除量来修整待曝光晶圆的边缘，边缘清除量设置的大小是通过分析历史数据确定出的，通过设置好的边缘清除量将待曝光晶圆的部分边缘进行清除，所清除的区域确定
为清除区域，该清除区域为圆环状区域，将待曝光晶圆去除清除区域之后的内部区域确定为目标曝光区域。
72.s204、根据清除区域、目标曝光区域、每个曝光栅格单元的尺寸以及在所述坐标系中的位置，建立曝光栅格区域。
73.该步骤中，根据确定出的清除区域、目标曝光区域、每个曝光栅格单元的尺寸以及在坐标系中的位置，建立曝光栅格区域，该曝光栅格区域是可移动的，按照步进偏移量移动该曝光栅格区域，以此获得最佳的曝光布局作为目标曝光布局对该待曝光晶圆进行曝光，进而提高晶圆的产品良率。
74.这里，在步骤s101中所述步进偏移量包括水平方向的步进偏移量和垂直方向的步进偏移量；所述水平方向的步进偏移量为曝光晶粒水平方向尺寸的1/n，所述垂直方向的步进偏移量为曝光晶粒垂直方向尺寸的1/m；n和m为整数。
75.示例性的，分别以曝光晶粒的水平方向尺寸的1/5作为曝光栅格区域水平方向的步进偏移量，和曝光晶粒的垂直向尺寸的1/5作为曝光栅格区域垂直方向的步进偏移量，按照步进偏移量每移动一次曝光栅格区域就生成有偏移的晶圆布局。
76.s102、根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；
77.该步骤中，每移动一次曝光栅格区域，需要计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量，直到移动完成后，统计每次移动后目标曝光区域中曝光晶粒的数量，将数量最大的那次移动所对应的曝光栅格区域确定为目标曝光区域。
78.这里，根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量的步骤，包括：
79.s1021、根据移动后的曝光栅格区域，确定待曝光晶圆中全部曝光晶粒的中心位置；
80.该步骤中，按照步进偏移量移动曝光栅格区域后，根据曝光栅格单元的尺寸(c
x
，cy)、曝光晶粒的尺寸(d
x
，dy)以及设置的步进偏移量，计算曝光晶粒的中心位置，具体公式如下：
81.d
cx
＝[(rw±sx
)
÷cx-1]
×cx
d
x
×
a-d
x
÷
2；
[0082]dcy
＝[(rw±
sy)
÷cy-1]
×cy
dy×
b-dy÷
2；
[0083]
其中，(d
cx
，d
cy
)是曝光晶粒的中心位置，rw是待曝光晶圆的半径，s
x
为水平方向的偏移量，a为整数，取值范围是(1，c
x
/d
x
)，sy为垂直方向的偏移量，b为整数，取值范围是(1，cy/dy)。
[0084]
s1022、根据每个曝光晶粒的中心位置，确定所述曝光晶粒四个角的位置；
[0085]
该步骤中，根据每个曝光晶粒的中心位置(d
cx
，d
cy
)以及曝光晶粒的尺寸(d
x
，dy)，计算曝光晶粒四个角的位置(d
cox
，d
coy
)，具体公式如下：
[0086]dcox
＝d
cx
±dx
÷
2；
[0087]dcoy
＝d
cy
±dy
÷
2；
[0088]
s1023、根据所述曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒是否在目标曝光区域内；
[0089]
这里，根据所述曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒是否在目标曝光区域内
的步骤，包括：
[0090]
1)、根据曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒与所述待曝光晶圆的中心位置的位置距离；
[0091]
该步骤中，根据曝光晶粒四个角的位置(d
cox
，d
coy
)，确定该曝光晶粒与待曝光晶圆的中心位置(0，0)的位置距离l，具体公式如下：
[0092][0093]
2)、获取待曝光晶圆的半径以及所述清除区域的边缘清除量，将所述待曝光晶圆的半径与所述边缘清除量的差值确定为目标检测值；
[0094]
该步骤中，获取待曝光晶圆的半径rw以及清除区域的边缘清除量rc，将待曝光晶圆的半径与边缘清除量的差值确定为目标检测值。
[0095]
3)、检测所述位置距离是否小于所述目标检测值；
[0096]
该步骤中，可以通过以下公式检测位置距离是否小于目标检测值：
[0097]
l《r
w-rc；
[0098]
其中，l是曝光晶粒与待曝光晶圆的中心位置(0，0)的位置距离，rw是待曝光晶圆的半径，rc是清除区域的边缘清除量。
[0099]
4)、若小于，则确定该曝光晶粒在目标曝光区域内；
[0100]
该步骤中，若上述步骤3)检测的位置距离小于目标检测值，则确定该曝光晶粒在目标曝光区域内，则进入步骤s1024。
[0101]
5)、若不小于，则确定该曝光晶粒不在目标曝光区域内。
[0102]
该步骤中，若上述步骤3)检测的位置距离不小于目标检测值，则确定该曝光晶粒不在目标曝光区域内，则进入步骤s1025。
[0103]
s1024、若在，则将所述目标曝光区域中的曝光晶粒数量加一，执行下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内的确定步骤，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，计算所述目标曝光区域中曝光晶粒的数量；
[0104]
该步骤中，若检测的曝光晶粒在目标曝光区域内，则将目标曝光区域中的曝光晶粒数量加一，继续判断下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，统计该曝光栅格区域偏移量下的目标曝光区域中曝光晶粒的数量。
[0105]
s1025、若不在，执行下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内的确定步骤，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，计算所述目标曝光区域中曝光晶粒的数量。
[0106]
该步骤中，若检测的曝光晶粒不在目标曝光区域内，则继续判断下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，统计该曝光栅格区域偏移量下的目标曝光区域中曝光晶粒的数量。
[0107]
s103、根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
[0108]
该步骤中，根据曝光栅格区域移动的次数以及设置的步进偏移量，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值；若未超过，则将移动次数加一，根据步进偏移量再次移动曝光栅格区域，重新统计该曝光栅格区域中目标曝光区域内曝光晶粒的数量；示例性的，预设阈值为曝光栅格单元尺寸的1/2，水平方向的步进偏移量是曝光晶粒水平方向尺
寸的1/5，垂直方向的步进偏移量是曝光晶粒垂直方向尺寸的1/5；例如步进偏移量(1/5,1/5)，预设阈值1/2，第一次水平方向移动1/5，未超过1/2，则将曝光栅格区域在水平方向上再次移动1/5，重新统计总偏移量为2/5时该曝光栅格区域中目标曝光区域内曝光晶粒的数量；直到总偏移量超过曝光栅格单元尺寸的1/2，根据不同步进偏移量得到的目标曝光区域中曝光晶粒的数量，选择数量最多的总偏移量对应的曝光栅格区域，将其应用为目标曝光布局，以按照目标曝光布局对待曝光晶圆进行曝光。
[0109]
这里，在确定目标曝光布局之后，所述计算方法，还包括：
[0110]
1)、将所述目标曝光布局按照曝光栅格单元划分为内场和外场；
[0111]
该步骤中，根据得到的目标曝光布局规划目标曝光路径以获得最佳产率；其中，内场是曝光栅格单元均在目标曝光布局区域内；外场是曝光栅格单元跨越目标曝光布局区域与清除区域。
[0112]
2)、在内场中以相邻最短的距离为目标路径，采用预设类型路径，对每个曝光栅格单元进行从小到大的编号；
[0113]
该步骤中，内场采用预设类型路径，例如s型路径，可以将目标曝光布局中每个曝光栅格单元进行编号，以相邻最短的距离为目标路径按预设类型路径进行从小到大的编号。
[0114]
3)、在外场中按照极坐标排序对所述外场中每个曝光栅格单元接着内场编号的顺序继续进行编号；
[0115]
该步骤中，接着内场最后一个编号对外场中每个曝光栅格单元按照极坐标排序继续进行从小到大的编号。
[0116]
4)、将按照内场编号以及外场编号顺序连接各个曝光栅格单元确定出的路径，确定为目标曝光路径。
[0117]
该步骤中，按照内场编号以及外场编号顺序连接各个曝光栅格单元，将连接确定出的路径，确定为目标曝光路径；示例性的，目标曝光路径请参阅图3，图3为本技术实施例所提供的目标曝光路径的示意图，如图3中所示，在目标曝光布局上规划目标曝光路径，方形区域为曝光栅格区域，曝光栅格区域中多个小矩形为曝光栅格单元，圆形区域内为目标曝光区域，圆形为待曝光的晶圆，每个曝光栅格单元中具有多个曝光晶粒，目标曝光区域内每个曝光栅格单元中都有一个三角形作为曝光标识，内场路径是从编号1到2的s型路径，外场路径是编号3到4的极坐标路径，将编号1-2-3-4所组成的路径确定为目标曝光路径。
[0118]
这里，规划目标曝光路径并计算所需的曝光时间，得到晶圆的产率，从而计算出不同步进偏移下的最佳产率的目标曝光布局，通过计算得到的目标曝光布局和目标曝光路径，不仅满足晶圆的最佳产率，同时提高了工作效率。
[0119]
本技术实施例提供的一种晶圆曝光布局的计算方法，所述计算方法包括：将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
[0120]
这样，采用本技术提供的技术方案能够通过设置步进偏移量多次移动曝光栅格区域，每移动一次计算目标曝光区域内曝光晶粒的数量，将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光，简化了实际操作步骤，使完整曝光晶粒数量达到最多，在提高晶圆产品良率的同时提高了晶圆曝光过程的工作效率。
[0121]
基于同一申请构思，本技术实施例中还提供了与上述实施例提供一种晶圆曝光布局的计算方法对应的一种晶圆曝光布局的计算装置，由于本技术实施例中的装置解决问题的原理与本技术上述实施例一种晶圆曝光布局的计算方法相似，因此装置的实施可以参见方法的实施，重复之处不再赘述。
[0122]
请参阅图4、图5，图4为本技术实施例所提供的一种晶圆曝光布局的计算装置的结构示意图之一，图5为本技术实施例所提供的一种晶圆曝光布局的计算装置的结构示意图之二，如图4、图5中所示，所述计算装置410包括：
[0123]
移动模块411，用于将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；
[0124]
计算模块412，用于根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；
[0125]
确定模块413，用于根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
[0126]
可选的，如图5所示，所述计算装置410，还包括建立模块414；所述建立模块414，用于：
[0127]
根据曝光需求确定每个曝光栅格单元的尺寸；
[0128]
将所述待曝光晶圆的中心位置作为坐标系原点，确定每个曝光栅格单元在所述坐标系中的位置；
[0129]
根据历史数据设置待曝光晶圆的边缘清除量，确定清除区域，并将所述待曝光晶圆去除清除区域之后的内部区域确定为目标曝光区域；
[0130]
根据清除区域、目标曝光区域、每个曝光栅格单元的尺寸以及在所述坐标系中的位置，建立曝光栅格区域。
[0131]
可选的，所述移动模块411中所述步进偏移量包括水平方向的步进偏移量和垂直方向的步进偏移量；所述水平方向的步进偏移量为曝光晶粒水平方向尺寸的1/n，所述垂直方向的步进偏移量为曝光晶粒垂直方向尺寸的1/m；n和m为整数。
[0132]
可选的，所述计算模块412具体用于：
[0133]
根据移动后的曝光栅格区域，确定待曝光晶圆中全部曝光晶粒的中心位置；
[0134]
根据每个曝光晶粒的中心位置，确定所述曝光晶粒四个角的位置；
[0135]
根据所述曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒是否在目标曝光区域内；
[0136]
若在，则将所述目标曝光区域中的曝光晶粒数量加一，执行下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内的确定步骤，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，计算所述目标曝光区域中曝光晶粒的数量；
[0137]
若不在，执行下一个曝光晶粒是否在目标曝光区域内的确定步骤，直至遍历完待曝光晶圆中全部的曝光晶粒，计算所述目标曝光区域中曝光晶粒的数量。
[0138]
可选的，所述计算模块412在用于根据所述曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒是否在目标曝光区域内时，所述计算模块412具体用于：
[0139]
根据曝光晶粒四个角的位置，确定该曝光晶粒与所述待曝光晶圆的中心位置的位置距离；
[0140]
获取待曝光晶圆的半径以及所述清除区域的边缘清除量，将所述待曝光晶圆的半径与所述边缘清除量的差值确定为目标检测值；
[0141]
检测所述位置距离是否小于所述目标检测值；
[0142]
若小于，则确定该曝光晶粒在目标曝光区域内；
[0143]
若不小于，则确定该曝光晶粒不在目标曝光区域内。
[0144]
可选的，如图5所示，所述计算装置410，还包括路径规划模块415；所述路径规划模块415，用于：
[0145]
将所述目标曝光布局按照曝光栅格单元划分为内场和外场；其中，所述内场是所述曝光栅格单元均在目标曝光布局区域内；所述外场是所述曝光栅格单元跨越目标曝光布局区域与清除区域；
[0146]
在内场中以相邻最短的距离为目标路径，采用预设类型路径，对每个曝光栅格单元进行从小到大的编号；
[0147]
在外场中按照极坐标排序对所述外场中每个曝光栅格单元接着内场编号的顺序继续进行编号；
[0148]
将按照内场编号以及外场编号顺序连接各个曝光栅格单元确定出的路径，确定为目标曝光路径。
[0149]
本技术实施例提供的一种晶圆曝光布局的计算装置，所述计算装置包括：移动模块，用于将待曝光晶圆放置在预先建立的曝光栅格区域中，根据预先设置的步进偏移量移动曝光栅格区域；其中，曝光栅格区域中包括目标曝光区域以及清除区域；计算模块，用于根据移动后的曝光栅格区域，计算待曝光晶圆中的曝光晶粒在所述目标曝光区域中的数量；确定模块，用于根据曝光栅格区域移动的次数，确定曝光栅格区域移动的总偏移量是否超过预设阈值，若超过，则将所述数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光。
[0150]
这样，采用本技术提供的技术方案能够通过设置步进偏移量多次移动曝光栅格区域，每移动一次计算目标曝光区域内曝光晶粒的数量，将数量最大的曝光晶粒所对应的曝光栅格区域作为待曝光晶圆的目标曝光布局，以按照目标曝光布局对所述待曝光晶圆进行曝光，简化了实际操作步骤，使完整曝光晶粒数量达到最多，在提高晶圆产品良率的同时提高了晶圆曝光过程的工作效率。
[0151]
请参阅图6，图6为本技术实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。如图6中所示，所述电子设备600包括处理器610、存储器620和总线630。
[0152]
所述存储器620存储有所述处理器610可执行的机器可读指令，当电子设备600运行时，所述处理器610与所述存储器620之间通过总线630通信，所述机器可读指令被所述处理器610执行时，可以执行如上述图1以及图2所示方法实施例中的晶圆曝光布局的计算方
法的步骤，具体实现方式可参见方法实施例，在此不再赘述。
[0153]
本技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时可以执行如上述图1以及图2所示方法实施例中的晶圆曝光布局的计算方法的步骤，具体实现方式可参见方法实施例，在此不再赘述。
[0154]
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0155]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0156]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0157]
另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
[0158]
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0159]
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本技术的具体实施方式，用以说明本技术的技术方案，而非对其限制，本技术的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。