掩模的制作方法

掩模
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月01日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0165946号的优先权；通过引入将韩国专利申请并入。
技术领域
3.技术领域涉及掩模，例如，光掩模。


背景技术：

4.现代显示设备(比如，有机发光显示设备或液晶显示设备)通常包括用于控制电流的薄膜晶体管。形成晶体管可要求多个掩模。


技术实现要素：

5.一个或多个实施方式可涉及用于形成薄膜晶体管、存储电容器和/或布线的掩模。
6.根据实施方式，掩模包括基板和基板下方的电致变色层，电致变色层包括电致变色材料。
7.掩模可进一步包括基板和电致变色层之间的第一电极，其中第一电极在基板下方并且具有网格结构。
8.第一电极可与电致变色层直接接触。
9.电致变色层可透射或阻挡入射光。
10.掩模可进一步包括电致变色层下方的折射层。
11.折射层可包括第一材料和第二材料，第一材料具有第一折射率并且第二材料具有不同于第一折射率的第二折射率。
12.折射层可使已经穿过电致变色层的光集中或分散。
13.掩模可进一步包括围绕折射层的至少一部分的隔离壁。
14.掩模可进一步包括电致变色层下方的第二电极，其中第一电极和第二电极可各自包括透明电极。
15.掩模可进一步包括围绕第二电极的表膜。
16.表膜可与第二电极分开。
17.根据实施方式，掩模包括：基板；基板下方的折射层，折射层包括具有第一折射率的第一材料和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料；以及围绕折射层的至少一部分的隔离壁。
18.掩模可进一步包括基板和折射层之间的电致变色层，电致变色层包括电致变色材料。
19.电致变色层可透射或阻挡入射光。
20.折射层可使已经穿过电致变色层的光集中或分散。
21.掩模可进一步包括基板和电致变色层之间的第一电极，以及折射层下方的第二电
极。
22.第一电极和第二电极可各自包括透明电极。
23.第一电极可与电致变色层直接接触。
24.掩模可进一步包括围绕第二电极的表膜。
25.表膜可与第二电极分开。
26.实施方式可涉及掩模(例如，光掩模)。掩模可包括基板以及包括电致变色材料的电致变色层。基板和电致变色层可彼此重叠。
27.掩模可包括位于基板和电致变色层之间的第一电极。第一电极可具有网格结构。
28.第一电极可直接接触电致变色层。
29.电致变色层可包括与基板等距的第一电致变色构件和第二电致变色构件。第一电致变色构件可透射入射光的第一部分。第二电致变色构件可阻挡入射光的第二部分。
30.掩模可包括折射层。电致变色层可位于基板和折射层之间。
31.折射层可包括第一材料和第二材料。第一材料、第二材料和基板可彼此重叠。第一材料可具有第一折射率。第二材料可具有不等于第一折射率的第二折射率。
32.折射层可包括与基板等距的第一折射构件和第二折射构件。第一折射构件可使已经穿过电致变色层的第一光集中。第二折射构件可使已经穿过电致变色层的第二光分散。
33.掩模可包括围绕折射层的至少一部分的隔离壁。
34.掩模可包括第二电极。电致变色层可位于第一电极和第二电极之间。第一电极可包括第一透明电极。第二电极可包括第二透明电极。
35.掩模可包括围绕第二电极的表膜。
36.表膜可与第二电极隔开。
37.实施方式可涉及掩模(例如，光掩模)。掩模可包括基板、折射构件和隔离壁。折射层可包括第一材料和第二材料。第一材料、第二材料和基板可彼此重叠。第一材料可具有第一折射率。第二材料可具有不等于第一折射率的第二折射率。隔离壁可围绕折射层的至少一部分。
38.掩模可包括位于基板和折射层之间并且包括电致变色材料的电致变色层。
39.电致变色层可包括与基板等距的第一电致变色构件和第二电致变色构件。第一电致变色构件可透射入射光的第一部分。第二电致变色构件可阻挡入射光的第二部分。
40.折射层可包括与基板等距的第一折射构件和第二折射构件。第一折射构件可使已经穿过电致变色层的第一光集中。第二折射构件可使已经穿过电致变色层的第二光分散。
41.掩模可包括位于基板和电致变色层之间的第一电极。掩模可包括第二电极。折射层可位于第一电极和第二电极之间。
42.第一电极可包括第一透明电极。第二电极可包括第二透明电极。
43.第一电极可直接接触电致变色层。
44.掩模可包括围绕第二电极的表膜。
45.表膜可与第二电极隔开。
附图说明
46.图1为根据实施方式的显示设备的透视图。
47.图2为根据实施方式的显示设备的截面图。
48.图3为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
49.图4为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
50.图5为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
51.图6为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
52.图7为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
53.图8为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
54.图9为部分地示出根据实施方式的掩模的截面图。
具体实施方式
55.参考所附附图描述示例实施方式，其中相同的附图标记可指相同的元件。实际实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于示例实施方式。
56.尽管术语“第一”、“第二”等可用于描述各种元件，但是这些元件不应受术语的限制。术语可用于区分一个元件与另一个元件。在不背离一个或多个实施方式的教导的情况下，第一元件可称为第二元件。作为“第一”元件的元件的描述可不要求或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等可用于区分不同类别或组的元件。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
57.以单数形式使用的表述可囊括复数形式的表述。
58.术语“包括”、“具有”和“包含”可指示存在陈述的特征并且可不排除一个或多个其他特征。
59.术语“在
……
上”可意指“直接在
……
上”(没有居间元件)或“间接在
……
上”(有一个或多个居间元件)。
60.为了方便解释，可放大附图中的尺寸。
61.如果元件描述为“在指定的方向上延伸”，则元件的纵向方向为(在)指定的方向(上)。
62.术语“连接”可意指“电连接”或“通过没有居间晶体管的电连接”。术语“绝缘”可意指“电绝缘”或“电分离”。(适用的)材料/方法/特征的列举可意指列举的(适用的)材料/方法/特征中的至少一种。
63.图1为根据实施方式的显示设备1的透视图。
64.参考图1，显示设备1可包括显示区da和邻近显示区da的外周区pa。外周区pa可围绕显示区da。显示装置1可使用从显示区da中的像素p发射的光根据输入信号而显示图像。外周区pa可根据输入信号不显示图像。
65.显示设备1可为/包括有机发光显示设备、无机发光显示器(或无机电致发光(el)显示设备)或量子点发光显示设备。例如，显示设备1中包括的显示元件的发光层可包括有机材料，无机材料，量子点，有机材料和量子点，或无机材料和量子点。
66.显示设备1可具有平坦的显示表面、三维显示表面和/或弯曲的显示表面。
67.当显示设备1包括三维显示表面，例如，多棱柱型显示表面时，显示设备1包括不同地定向的多个显示区。当显示设备1包括弯曲的显示表面时，显示设备1可为/包括柔性显示设备、可折叠显示设备、可卷曲显示设备等中的一种或多种。
68.显示设备1可应用于移动终端。移动终端可包括与显示设备1一起安装在支架/壳体中的主板上的电子模块、照相机模块、电源模块等。显示设备1可应用于大型电子设备，比如电视或监视器。显示设备1可应用于中小型电子设备，比如平板终端、汽车导航系统、游戏控制台或智能手表。
69.显示设备1的显示区da可具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状(比如，矩形形状、三角形形状或五边形形状)。
70.显示设备1包括显示区da中的多个像素p。多个像素p中的每一个可包括用于发射红光、绿光、蓝光或白光的有机发光二极管oled(见图2)。
71.图2为根据实施方式的显示设备1的像素p的截面图。图2示出了沿着图1的线i-i’截取的显示设备1的截面。
72.参考图2，显示基板100可包括聚合物树脂。包括聚合物树脂的显示基板100可为柔性的、可卷曲的或可弯曲的。显示基板100可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等中的至少一种。显示基板100可包括聚酰亚胺。例如，显示基板100可包括透明的聚酰亚胺。
73.显示基板100可包括第一基板和第二基板。第一基板和第二基板可包括相同的材料。例如，第一基板和第二基板可都包括聚酰亚胺。第一基板和第二基板可分别包括不同的材料。
74.缓冲层107可在显示基板100上。缓冲层107在显示基板100上，以减少或阻挡杂质、水分或外部空气从显示基板100的渗入，并且在显示基板100上提供平坦的表面。缓冲层107可包括无机绝缘材料，比如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno
x
)。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。缓冲层107可包括氧化硅(sio
x
)或氮化硅(sin
x
)。缓冲层107可具有包括氧化硅(sio
x
)和氮化硅(sin
x
)的多层结构。
75.薄膜晶体管tft可在缓冲层107上。薄膜晶体管tft可包括半导体层134、与半导体层134重叠的栅电极136以及电连接至半导体层134的连接电极。薄膜晶体管tft连接至有机发光二极管oled，以驱动有机发光二极管oled。
76.半导体层134在缓冲层107上，可包括与栅电极136重叠的沟道区域131，并且可包括在沟道区域131的相对侧处并且具有比沟道区域131的杂质浓度更高的浓度的杂质的源区域132和漏区域133。杂质可包括n型杂质或p型杂质。源区域132和漏区域133可电连接至连接电极。
77.半导体层134可包括氧化物半导体和/或硅半导体。当半导体层134包括氧化物半导体时，半导体层134可包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中的至少一种的氧化物材料。例如，半导体层134可包括itzo(insnzno)、igzo(ingazno)等。当半导体层134包括硅半导体时，半导体层134可包括，例如，非晶硅(a-si)或通过使a-si结晶而获得的低温多晶硅(lpts)。
78.第一绝缘层109可在半导体层134上。第一绝缘层109可包括选自氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种无机绝缘材料。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。第一绝缘层109可具有单层或多层结构。
79.栅电极136可在第一绝缘层109上。栅电极136可具有包括选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中的一种或多种金属的单层结构或多层结构。栅电极136可连接至将电信号施加至栅电极136的栅线。
80.第二绝缘层111可在栅电极136上。第二绝缘层111可包括选自氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种无机绝缘材料。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。第二绝缘层111可具有单层或多层结构。
81.存储电容器cst可在第一绝缘层109上。存储电容器cst可包括下电极144和与下电极144重叠的上电极146。第二绝缘层111可位于下电极144和上电极146之间。
82.存储电容器cst的下电极144与薄膜晶体管tft的栅电极136重叠，并且存储电容器cst的下电极144可与薄膜晶体管tft的栅电极136整体提供。存储电容器cst的下电极144可与薄膜晶体管tft的栅电极136隔开并且可作为独立元件在第一绝缘层109上。
83.存储电容器cst的上电极146可包括，例如，铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可具有单层或多层结构。
84.第三绝缘层113可在存储电容器cst的上电极146上。第三绝缘层113可包括选自氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种无机绝缘材料。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。第三绝缘层113可具有单层或多层结构。
85.作为连接电极的源电极137和漏电极138可在第三绝缘层113上。源电极137和漏电极138可包括导电材料，该导电材料包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等中的至少一种，并且可具有单层或多层结构。源电极137和漏电极138可各自具有ti-al-ti多层结构。
86.第一平坦化层117可在源电极137和漏电极138上。第一平坦化层117可包括包含有机材料或无机材料的单层或多层结构。第一平坦化层117可包括通用聚合物(比如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物和其掺混物。第一平坦化层117可包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)、氧化锌(zno
x
)等。氧化锌(zno
x
)可以是zno和/或zno2。在布置第一平坦化层117之后，可进行化学和机械抛光，以提供平坦的上表面。
87.接触金属层cm可在第一平坦化层117上。接触金属层cm可包括铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可具有单层或多层结构。接触金属层cm可具有ti-al-ti多层结构。
88.第二平坦化层119可在接触金属层cm上。第二平坦化层119可包括包含有机材料或无机材料的单层或多层结构。第二平坦化层119可包括与第一平坦化层117的材料相同的材料。第二平坦化层119可包括与第一平坦化层117的材料不同的材料。在形成第二平坦化层119之后，可进行化学和机械抛光，以提供平坦的上表面。第二平坦化层119可为任选的。
89.包括像素电极210、中间层220和相对电极230的有机发光二极管oled可位于第二平坦化层119上。像素电极210可经穿透第二平坦化层119的接触孔电连接至接触金属层cm，
并且接触金属层cm可经接触孔电连接至源电极137或漏电极138，使得有机发光二极管oled可电连接至薄膜晶体管tft。
90.像素电极210可在第二平坦化层119上。像素电极210可包括透明电极、半透明电极和/或反射电极。像素电极210可包括包含下述中的至少一种的反射层：铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)和一些上述金属的合金，并且可包括反射层上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可包括选自氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种电极材料。像素电极210可包括ito-ag-ito堆叠结构。
91.像素限定层180可在第二平坦化层119上，并且像素限定层180可包括至少部分地暴露像素电极210的开孔。由像素限定层180的开孔暴露的区域可为发射区ea。发射区ea的外周为非发射区nea，并且非发射区nea可围绕发射区ea。显示区da包括多个发射区ea并且包括围绕多个发射区ea的非发射区nea。像素限定层180增加了像素电极210与像素电极210上的相对电极230之间的距离，以防止在像素电极210的边缘处电弧的生成。像素限定层180可包括有机绝缘材料，比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、酚醛树脂等，并且可通过旋涂方法等制造。间隔件(未示出)可进一步在像素限定层180上。
92.中间层220可在至少部分地经像素限定层180暴露的像素电极210上。中间层220可包括发射层220b，并且可包括在发射层220b下方的第一功能层220a和在发射层220b上的第二功能层220c。
93.中间层220可直接接触通过像素限定层180暴露的像素电极210的一部分。
94.第一功能层220a可在发射层220b下方，并且第二功能层220c可在发射层220b上。第一功能层220a和第二功能层220c可为有机功能层。
95.第一功能层220a可包括空穴注入层(hil)和/或空穴传输层(htl)，并且第二功能层220c可包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。
96.发射层220b可包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。发射层220b可包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。
97.当发射层220b包括低分子量有机材料时，中间层220可以以单层结构或多层结构包括hil、htl、发射层220b、etl和eil，并且低分子量有机材料的示例可包括酞菁铜(cupc)、n,n
’‑
二(萘-1-基)-n,n
’‑
二苯基-联苯胺(npb)和三-8-羟基喹啉铝(alq3)。
98.当发射层220b包括聚合物有机材料时，中间层220可包括htl和发射层220b。htl可包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot)，并且发射层220b可包括聚苯撑乙烯(ppv)类或聚芴类聚合物材料。发射层220b可使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(liti)方法等形成。
99.相对电极230可在中间层220上。相对电极230在中间层220上，并且相对电极230可完全覆盖中间层220。相对电极230可在显示区da上并且可完全覆盖显示区da。可遍及整个显示区da整体提供相对电极230，以便通过使用开放掩模覆盖显示区da中的像素p。
100.相对电极230可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或一些上述金属的合金的半透明层或透明层。相对电极230可包括半透明层或透明层
上的ito、izo、zno或in2o3的层。
101.图3为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。电极(比如栅电极136、上电极146、源电极137、漏电极138、像素电极210等)以及第一绝缘层109、第二绝缘层111、第一平坦化层117等中的接触孔可通过使用掩模300的曝光工艺而图案化。
102.参考图3，掩模300可包括基板310、第一电极320、电致变色层330、折射层340、隔离壁350和第二电极360。基板310可包括石英玻璃等。基板310可透射光。基板310可划分成多个区。
103.在形成显示设备1的元件的工艺期间，电致变色层330可在基板310下方。电致变色层330可被图案化，以包括分别对应于基板310的区的区。可整体提供电致变色层330，而没有分割的区。
104.电致变色层330可透射或阻挡入射光，例如，紫外(uv)光。电致变色层330可包括电致变色材料。当施加电压时，根据电场的方向而颜色可逆地改变的现象称为电致变色，并且光学性质可根据电化学氧化还原反应可逆地改变的材料称为电致变色材料。当没有电场施加至电致变色材料时，电致变色材料不具有颜色，但是当施加电场时，电致变色材料可具有颜色。
105.电致变色材料可包括氧化钨、氧化镍、氧化钛、氧化钒、普鲁士蓝等。电致变色材料可包括紫罗碱、聚苯胺、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot)等。
106.第一电极320可在基板310和电致变色层330之间。第一电极320可具有网格结构和/或阵列/矩阵结构。电压可经第一电极320的网格结构施加至分别对应于基板310的区的电致变色层330的区。
107.第一电极320可为透明电极。例如，第一电极320可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。
108.在形成显示设备1的元件的工艺期间，折射层340可在电致变色层330下方。折射层340可使透射通过电致变色层330的光集中和/或分散。折射层340可包括具有第一折射率的第一材料341，并且可包括具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料343。第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。
109.第一材料341和第二材料343可各自以液相提供。第一材料341和第二材料343可不彼此混合。第一材料341可包括非极性材料，并且第二材料343可包括极性材料。例如，第一材料341可包括油并且第二材料343可包括水。
110.折射层340的构件可被隔离壁350围绕。隔离壁350可至少部分地围绕折射层340的构件。隔离壁350的一些部分或没有部分可在电致变色层330和折射层340之间。隔离壁350的一些部分或没有部分可在折射层340和第二电极360之间。因为折射层340被隔离壁350围绕，所以折射层340中包括的第一材料341和第二材料343可不流动超过掩模300。
111.折射层340的构件可分别与电致变色层330的区重叠和对应并且可分别与基板310的区重叠和对应。例如，折射层340的一个构件可对应于电致变色层330的一个区/部分。
112.在形成显示设备1的元件的工艺期间，第二电极360可在折射层340下方。与第一电极320类似，第二电极360可具有网格结构。电压可经第二电极360的网格结构施加至分别对应于基板310的区的电致变色层330的构件。电压可经第一电极320和/或第二电极360施加
至折射层340。当没有隔离壁350的部分居间时，第一电极320和/或第二电极360可与折射层340直接接触。电压可经第二电极360施加至折射层340。当没有隔离壁350的部分居间时，第二电极360可与折射层340直接接触。
113.第二电极360可为透明电极。例如，第二电极360可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。
114.图4为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。图4图示了电致变色层330透射或阻挡入射光并且折射层340使入射光集中或分散。在图4中，与图3的附图标记相同的附图标记表示类似的构件或同样的构件。
115.参考图4，光400可经曝光装置入射到掩模300。入射到掩模300中的光400可为包括uv射线的uv光。因为基板310透射光，所以入射到掩模300中的光400可透射通过基板310。因为第一电极320包括透明材料，所以透射通过基板310的光400可透射通过第一电极320。
116.电致变色层330可包括第一电致变色层/构件330a和第二电致变色层/构件330b。电致变色层330的构件当不接收(预定的)电压时可透射入射光，并且当接收(预定的)电压时，可阻挡入射光。当不接收(预定的)电压时，第一电致变色层330a和第二电致变色层330b中的每一个可透射入射光。当接收(预定的)电压时，第一电致变色层330a和第二电致变色层330b中的每一个可阻挡入射光。
117.在图4中，(预定的)电压经第一电极320和/或第二电极360施加至第二电致变色层330b，并且第二电致变色层330b阻挡光，使得第二电致变色层330b可用作阻光层。
118.在图4中，当无(预定的)电压施加至第一电致变色层330a时，第一电致变色层330a可透射入射光。
119.基板310和第一电极320可透射入射到掩模300中的光400。
120.穿过基板310和第一电极320的光可部分地透射通过第一电致变色层330a，但是可部分地被第二电致变色层330b阻挡。
121.折射层340可在电致变色层330下方(并且与电致变色层330重叠)。在图4中，隔离壁350在电致变色层330和折射层340之间。隔离壁350可不位于电致变色层330和折射层340之间；电致变色层330和折射层340可彼此直接接触。在图4中，部分隔离壁350位于折射层340和第二电极360之间。隔离壁350可不位于折射层340和第二电极360之间。折射层340可包括第一折射层/构件340a和第二折射层/构件340b。第一折射层/构件340a可对应于第一电致变色层/构件330a，并且第二折射层/构件340b可对应于第二电致变色层/构件330b。
122.第一折射层340a和第二折射层340b可各自包括具有第一折射率的第一材料341并且包括具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料343。
123.当无(预定的)电压施加至折射层340时，第一材料341可在第二材料343上/上方，并且第二材料343可在第一材料341下方。当(预定的)电压施加至折射层340时，第一材料341可朝着施加电压的一侧移动。当电压经第一电极320和/或第二电极360施加至折射层340时，第一材料341可邻近第二电极360放置。或者，当电压经第二电极360施加至折射层340时，第一材料341可邻近第二电极360放置。
124.透射通过透光的第一电致变色层330a的光可被第一折射层340a折射。
125.第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。当第一材料341在第二材料343上方时并且当第一材料341朝着第二材料343凸出时，从第一材料341入射到第
二材料343的光在第一材料341和第二材料343之间的界面处被折射，使得光可集中在预设位置。因此，在其中光集中的位置处的光的强度可增加。
126.在实施方式中，(第一材料341的)第一折射率可小于(第二材料343的)第二折射率。在该情况下，第一材料341在第二材料343上/上方，并且第二材料343可向上凸出。因为具有更小折射率的第一材料341在第二材料343上并且第二材料343向上凸出，所以从第一材料341入射到第二材料343的光可在第一材料341和第二材料343之间的界面处被折射并且可集中在预设位置上。
127.(预定的)电压可经第一电极320和/或第二电极360施加至第二电致变色层330b和第二折射层340b。当电压施加至第二电致变色层330b时，第二电致变色层330b可阻挡入射到第二电致变色层330b的大部分光，但是仍可透射入射到第二电致变色层330b的部分光。
128.透射通过阻光的第二电致变色层330b的光可被第二折射层340b折射。第二折射层340b可包括具有第一折射率的第一材料341并且可包括具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料343。(第一材料341的)第一折射率可大于(第二材料343的)第二折射率。
129.当第二材料343在第一材料341上方/上时并且当第二材料343向下凸出时，从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射，使得从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射和分散。结果，在对应于第二电致变色层330b的位置处的光的强度可减少(劣化)，使得在显示基板100(见图2)的其中光基本上透射的位置处的光的强度与在显示基板100(见图2)的其中光明显地被阻挡的位置处的光的强度之间的差可进一步增加。有利地，可改善图案化准确度(精度)，并且可使最小线宽度最小化。
130.在实施方式中，(第一材料341的)第一折射率可小于(第二材料343的)第二折射率。在该情况下，第二材料343在第一材料341上/上方，并且第一材料341可向上凸出。因为具有更低折射率的第一材料341在第二材料343下方并且第一材料341向上凸出，所以从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射和分散。
131.图5为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。图5图示了电致变色层330透射或阻挡入射光并且折射层340集中或分散入射光。在图5中，与图4的附图标记相同的附图标记表示类似的构件或同样的构件。
132.电致变色层330可包括第一电致变色层/构件330a和第二电致变色层/构件330b。电致变色层330当不接收(预定的)电压时可阻挡入射光，并且当接收(预定的)电压时可透射入射光。当不接收(预定的)电压时，第一电致变色层330a和第二电致变色层330b中的每一个可阻挡入射光。当接收(预定的)电压时，第一电致变色层330a和第二电致变色层330b中的每一个可透射入射光。
133.在图5中，(预定的)电压经第一电极320和/或第二电极360施加至第二电致变色层330b，并且第二电致变色层330b透射光。
134.如在图5中示出，当无(预定的)电压施加至第一电致变色层330a时，第一电致变色层330a可阻挡入射光并且可用作阻光层。
135.基板310和第一电极320透射入射到掩模300中的光400，并且透射通过基板310和第一电极320的光可部分地透射通过第二电致变色层330b，但是可部分地被第一电致变色
层330a阻挡。
136.折射层340可在电致变色层330下方(并且与电致变色层330重叠)。折射层340可包括第一折射层/构件340a和第二折射层/构件340b。第一折射层340a可对应于第一电致变色层330a，并且第二折射层340b可对应于第二电致变色层330b。
137.第一折射层340a和第二折射层340b可各自包括具有第一折射率的第一材料341并且包括具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料343。
138.当无(预定的)电压施加至折射层340时，第一材料341可在第二材料343上/上方，并且第二材料343可在第一材料341下方。当(预定的)电压施加至折射层340时，第一材料341可朝着施加电压的一侧移动。例如，当电压经第一电极320和/或第二电极360施加至折射层340时，第一材料341可邻近第二电极360放置。或者，当电压经第二电极360施加至折射层340时，第一材料341可邻近第二电极360放置。
139.尽管入射到阻光第一电致变色层330a中的光明显地被阻挡，但可仍有透射通过第一电致变色层330a的光。
140.透射通过阻光第一电致变色层330a的光可被第一折射层340a折射。在第一折射层340a中，第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。
141.当第一材料341在第二材料343上/上方时并且当第二材料343向上凸出时，从第一材料341入射到第二材料343的光可在第一材料341和第二材料343之间的界面处被折射和分散。因此，在对应于第一电致变色层330a的位置处的光的强度可减少(劣化)，使得在其中光明显地被阻挡的位置处的光的强度与在其中光明显地未被阻挡的部分处的光的强度之间的差可进一步增加。鉴于显示基板100(见图2)上增加的光强度差，可改善图案化准确度(精度)，并且可减少用于显示设备1的元件的最小线宽度。
142.第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。在该情况下，第一材料341在第二材料343上，并且第一材料341可向下凸出。因为具有更低折射率的第一材料341在第二材料343上/上方并且因为第一材料341向下凸出，所以从第一材料341入射到第二材料343的光可在第一材料341和第二材料343之间的界面处被折射和分散。
143.(预定的)电压可经第一电极320和/或第二电极360施加至第二电致变色层330b和第二折射层340b。当(预定的)电压施加至第二电致变色层330b时，第二电致变色层330b可透射光。透射通过第二电致变色层330b的光可被第二折射层340b折射。在第二折射层340b中，第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。
144.当第一材料341在第二材料343下方时并且当第一材料341向上凸出时，从第二材料343入射到第一材料341中的光在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射并且可集中到预设位置上。透射通过透光的第二电致变色层330b的光可被第二折射层340b折射并且可集中在预设位置上。在其中光集中的位置处的光的强度可增加(改善)。
145.第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。在该情况下，第一材料341在第二材料343下方，并且第二材料343可向下凸出。因为具有更小折射率的第一材料341在第二材料343下方并且因为第二材料343向下凸出，所以从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射并且可集中在预设位置处。
146.图6为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。在图6中，与图4的附图标记
相同的附图标记表示类似的构件或同样的构件。
147.参考图6，光400可经曝光装置入射到掩模300。入射到掩模300中的光400可为包括uv射线的uv光。入射到掩模300中的光400可透射通过基板310和第一电极320。
148.电致变色层330可包括第一电致变色层/构件330a、第二电致变色层/构件330b和第三电致变色层/构件330c。电致变色层330当不接收(预定的)电压时可透射入射光，并且当接收(预定的)电压时可阻挡入射光。当不接收(预定的)电压时，电致变色层330a、330b和330c中的每一个可透射入射光。当接收(预定的)电压时，电致变色层330a、330b和330c中的每一个可阻挡入射光。根据接收的电压的大小，电致变色层330可为半透射的/半透明的。
149.在图6中，(预定的)电压经第一电极320和/或第二电极360施加至第二电致变色层330b，使得第二电致变色层330b为半透射的/半透明的，并且(预定的)电压经第一电极320和/或第二电极360施加至第三电致变色层330c，使得第三电致变色层330c基本上是阻光的。
150.在图6中，当无(预定的)电压施加至第一电致变色层330a时，第一电致变色层330a可透射入射光。(预定的)电压可施加至电致变色层330b和330c。根据经第一电极320和/或第二电极360施加的电压的大小，第二电致变色层330b可为半透射的(比第一电致变色层330a更阻光并且比第三电致变色层330c更透光)，并且第三电致变色层330c可基本上是阻光的(比第二电致变色层330b更阻光)。第二电致变色层330b可用作半透射层，并且第三电致变色层330c可用作阻光层。
151.基板310和第一电极320可透射入射到掩模300中的光400。
152.穿过基板310和第一电极320的光可基本上透射通过第一电致变色层330a，可半透射通过第二电致变色层330b，并且可基本上被第三电致变色层330c阻挡。
153.在形成显示设备1的元件的工艺期间，折射层340可在电致变色层330下方(并且与电致变色层330重叠)。折射层340可包括第一折射层/构件340a、第二折射层/构件340b和第三折射层/构件340c。第一折射层340a可对应于第一电致变色层330a，第二折射层340b可对应于第二电致变色层330b，并且第三折射层340c可对应于第三电致变色层330c。
154.第一折射层340a、第二折射层340b和第三折射层340c可各自包括具有第一折射率的第一材料341并且包括具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料343。
155.当无(预定的)电压施加至折射层340时，第一材料341可在第二材料343上/上方并且第二材料343可在第一材料341下方。当(预定的)电压施加至折射层340时，第一材料341可朝着施加电压的一侧移动。例如，当电压经第一电极320和/或第二电极360施加至折射层340时，第一材料341可邻近第二电极360放置。或者，当电压经第二电极360施加至折射层340时，第一材料341可邻近第二电极360放置。
156.透射通过透光的第一电致变色层330a的光可被第一折射层340a折射。在第一折射层340a中，第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。
157.当第一材料341在第二材料343上/上方时并且当第一材料341向下凸出时，从第一材料341入射到第二材料343的光在第一材料341和第二材料343之间的界面处被折射，使得光可集中在预设位置上。透射通过具有透光性质的第一电致变色层330a的光可被第一折射层340a折射并且集中在预设位置处。在其中光集中的位置处的光的强度可增加(改善)。
158.第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。在该情况下，第一
材料341在第二材料343上，并且第二材料343可向上凸出。因为具有更低折射率的第一材料341在第二材料343上并且因为第二材料343向上凸出，所以从第一材料341入射到第二材料343的光可在第一材料341和第二材料343之间的界面处被折射并且集中在预设位置上。
159.(预定的)电压可经第一电极320和/或第二电极360施加至第二电致变色层330b和第二折射层340b。当(预定的)电压施加至第二电致变色层330b时，第二电致变色层330b可为半透射的，使得入射到第二电致变色层330b的一些光可被透射并且其他的光可被阻挡。
160.透射通过半透射的第二电致变色层330b的光可被第二折射层340b折射。在第二折射层340b中，第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。
161.当第二材料343在第一材料341上时并且当第一材料341向上凸出时，从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射并且可集中到预设位置上。透射通过第二电致变色层330b的光被第二折射层340b折射并且集中在预设位置上。对应于第二电致变色层330b的位置处的光强度小于对应于第一电致变色层330a的位置处的光强度，但是可大于对应于第三电致变色层330c的位置处的光强度。在该情况下，可在显示基板100(见图2)上对应于第二电致变色层330b的位置处进行半色调曝光。
162.第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。在该情况下，第一材料341在第二材料343下方，并且第二材料343可向下凸出。因为具有更低折射率的第一材料341在第二材料343下方并且因为第二材料343向下凸出，所以从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射并且可集中在预设位置处。
163.(预定的)电压可经第一电极320和/或第二电极360施加至第三电致变色层330c和第三折射层340c。当电压施加至第三电致变色层330c时，第三电致变色层330c基本上阻挡入射到第三电致变色层330c的光，但是一些光仍可透射通过第三电致变色层330c。
164.透射通过阻光的第三电致变色层330c的光可被第三折射层340c折射。在第三折射层340c中，第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。
165.当第二材料343在第一材料341上时并且当第二材料343向下凸出时，从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射和分散。当透射通过第三电致变色层330c的光被第三折射层340c折射和分散时，对应于第三电致变色层330c的位置处的光的强度可减少(劣化)，使得其中光基本上被阻挡的位置处的光的强度与其中光基本上被阻挡的位置处的光的强度之间的差可进一步增加。鉴于显示基板100(见图2)上增加的光强度之间的差，可改善图案化准确度(精度)，并且可减少显示设备1的元件的最小线宽度。
166.第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。在该情况下，第二材料343在第一材料341上/上方，并且第一材料341可向上凸出。因为具有更低折射率的第一材料341在第二材料343下方并且因为第一材料341向上凸出，所以从第二材料343入射到第一材料341的光可在第二材料343和第一材料341之间的界面处被折射和分散。
167.如果使用仅包括金属层和/或无机材料层的掩模进行曝光工艺，则减少最小线宽度受到限制，并且使用一个掩模可获得仅一个图案。
168.可通过使用包括包含电致变色材料的电致变色层330和/或折射层340的掩模300
进行曝光工艺，并且可通过施加电压来改变掩模的特性。因此，可通过使用一个掩模来图案化各种形状。因此，替换掩模所要求的成本和/或时间可能不是必需的。有利地，器材操作效率可最大化，和/或用于显示设备的制造成本可最小化。
169.实施方式(例如，掩模300)可增加不同位置处的光强度的差。有利地，可改善图案化准确度(精度)，并且可减少显示设备的元件的最小线宽度，这样，显示设备的分辨率可最大化。
170.图7为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。图7的实施方式与图3的实施方式的不同之处在于掩模300进一步包括表膜370。在图7中，与图3的附图标记相同的附图标记表示类似的构件或同样的构件。
171.参考图7，掩模300可进一步包括表膜370。表膜370可经粘合剂附接至掩模300的一部分。表膜370可包括透光材料。例如，表膜370可具有80％或更大，或90％或更大的透射率。
172.表膜370可围绕第一电极320、电致变色层330、折射层340和/或第二电极360。表膜370可保护第一电极320、电致变色层330、折射层340和/或第二电极360避免外部杂质。表膜370可与第二电极360隔开。
173.当表膜370包括在掩模300的一些部分中时，掩模300的寿命可增加(改善)，掩模300的清洁周期可减少，并且由曝光工艺造成的缺陷可最小化。
174.图8为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。在图8中，与图3的附图标记相同的附图标记表示类似的构件或同样的构件。
175.参考图8，掩模300可包括基板310、第一电极320、电致变色层330和第二电极360。
176.电致变色层330可在基板310下方。电致变色层330可被图案化，以包括分别对应于基板310的区的独立构件。电致变色层330可为整体构件或可包括整体提供的构件。
177.电致变色层330当不接收(预定的)电压时可透射入射光，并且当接收(预定的)电压时可阻挡入射光。
178.当掩模300包括包含电致变色材料的电致变色层330时，可通过将(预定的)电压施加至第一电极320和/或第二电极360，来改变掩模300的特性(例如，由掩模300实现的结构或图案)。因此，可使用一个掩模来图案化各种结构。有利地，用于制造显示设备的元件的成本和时间可最小化。
179.图9为部分地示出根据实施方式的掩模300的截面图。在图9中，与图3的附图标记相同的附图标记表示类似的构件或同样的构件。
180.参考图9，掩模300可包括基板310、第一电极320、折射层340、隔离壁350和第二电极360。
181.折射层340可在基板310下方并且与基板310重叠(在形成显示设备的元件的工艺期间)。折射层340可被图案化，以包括分别对应于基板310的区的独立构件。折射层340可为整体构件或可包括整体提供的构件。
182.折射层340可集中或分散光。折射层340可包括具有第一折射率的第一材料341，和具有不同于(即，不等于)的第一折射率的第二折射率的第二材料。第一材料341的第一折射率可大于第二材料343的第二折射率。第一材料341的第一折射率可小于第二材料343的第二折射率。
183.折射层340可被隔离壁350围绕。因为折射层340被隔离壁350围绕，所以可防止折
射层340中包括的第一材料341和第二材料343的潜在渗漏。
184.折射层340可增加其中光明显地未被阻挡的位置处的光强度与其中光明显地被阻挡的位置处的光强度之间的差。有利地，可改善图案化准确度(精度)，并且可减少显示设备组件的最小线宽度。
185.根据实施方式，掩模包括电致变色层(包括电致变色材料)和/或折射层。有利地，可使用仅一个掩模形成各种结构。
186.所描述的示例实施方式应以说明性意义考虑，并且不用于限制的目的。实施方式中的特征或方面的描述可应用于其他实施方式中的特征或方面。在不背离由所附权利要求限定的范围的情况下，可在所描述的示例实施方式中作出形式和细节上的各种改变。