半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备的制作方法

1.本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备。


背景技术：

2.近来随着信息媒介的使用增加，对半导体存储器元件的需求也大幅增加。生产半导体产品的设备运行平稳、对优质产品的批量生产等提出了要求。为了保证产品质量,进行半导体工艺的工艺腔应保持一定压力。
3.为了使半导体工艺设备的工艺腔中压力保持恒定，就需要保持泵产生真空的能力稳定。然而，工艺腔中进行反应会产生的副产物会沉积在泵内，会降低了真空泵的性能。在这种情况会导致工艺腔压力变得不稳定，进而导致薄膜质量差。


技术实现要素：

4.鉴于现有技术上述问题，本发明实施例提供了一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备。
5.第一方面，本发明实施例提供一种应用于半导体工艺的抽真空装置，包括真空泵本体和加热装置，其中，所述加热装置包括：
6.外部电源，设置于所述真空泵本体外；
7.充电板，设置于所述真空泵本体内，通过所述外部电源对所述充电板进行充电；
8.发热结构，设置于所述真空泵本体内，且所述发热结构与所述充电板连接，通过所述充电板提供使所述发热结构发热的电源输入。
9.可选地，所述装置还包括：
10.温度控制器，设置于所述真空泵本体内，用于控制所述发热结构的发热温度。
11.可选地，所述温度控制器用于控制所述发热结构的发热温度在80～250℃范围内。
12.可选地，所述充电板具体为：与所述外部电源之间无线连接的无线充电板。
13.可选地，所述发热结构设置于所述真空泵本体的电机转子上。
14.可选地，所述发热结构具体为：发热线圈，所述发热线圈环绕在所述电机转子上，或者
15.所述发热结构具体为：发热片或者发热丝，沿着所述电机转子的长度方向延伸。
16.第二方面，本发明实施例提供一种半导体工艺设备，包括：主体设备以及如第一方面任一实现方式所述的抽真空装置；
17.其中，所述主体设备包括工艺腔，所述抽真空装置用于对所述工艺腔内抽真空，以形成所述工艺腔内的恒定真空度。
18.第三方面，本发明实施例提供一种基于第二方面所述半导体工艺设备进行的半导体加工方法，包括：
19.在主体设备的工艺腔内对晶圆进行目标加工工艺时，通过所述真空泵本体对所述
工艺腔内进行抽真空；并在所述真空泵本体进行抽真空过程中，同步通过所述加热装置对所述真空泵本体的电机转子进行加热。
20.可选地，所述在主体设备的工艺腔内对晶圆进行目标加工工艺时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空，包括：
21.在所述工艺腔内对所述晶圆进行沉积处理或者刻蚀处理时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空。
22.可选地，通过所述加热装置对所述真空泵本体的电机转子进行加热，包括：
23.通过所述加热装置将所述真空泵本体的电机转子加热至80～250℃。
24.本发明实施例提供的一个或多个技术方案，至少实现了如下技术效果或者优点：
25.通过在真空泵本体内设置加热装置直接产生热量，使泵内部温度上升，以防止工艺腔内产生的副产物在真空泵内和电机转子上的累积，则能够防止副产物积聚而导致真空泵本体的真空性能下降，从而保持了真空泵本体产生真空的能力恒定，也就能够保证工艺腔内压力保持恒定，进而保证工艺腔内进行的工艺稳定，以防止工艺不稳定导致的产品缺陷。
26.并且，通过控制副产物在真空泵内和电机转子上的积聚，能够防止真空泵本体的自动停泵，以降低功耗并延长泵的使用周期。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
28.图1为本发明实施例中抽真空装置的结构示意图。
29.在图1中，1为真空泵本体，2为外部电源，3为充电板，4为发热结构， 5为温度控制器。
具体实施方式
30.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本发明实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
31.第一方面，本发明实施例提供一种应用于半导体工艺的抽真空装置，参考图1所示，该抽真空装置包括真空泵本体1和加热装置，其中，加热装置包括：外部电源2，设置于真空泵本体1外；充电板3，设置于真空泵本体1 内，通过外部电源2对充电板3进行充电；发热结构4，设置于真空泵本体1 内，且发热结构4与充电板3连接，通过充电板3提供使发热结构4发热的电源输入。
32.为了准确控制发热结构4的发热温度，继而准确控制对真空泵本体1内进行加热的温度。本发明实施例提供的抽真空装置还包括：温度控制器5，温度控制器5设置于真空泵本
体1内，用于控制发热结构4的发热温度。
33.具体的，通过温度控制器5控制发热结构4的发热温度在80～250℃范围内。或者通过温度控制器5控制发热结构4的发热温度维持在100℃以上。
34.具体的，本发明实施例中的充电板3具体使用无线充电板，无线充电板与外部电源2之间进行无线连接，从而实现了外部电源2对设置于真空泵本体1内的充电板3进行无线充电。
35.具体的，充电板3可以设置于真空泵本体1内的端部位置并环套在电机转子11上，以在真空泵本体1内合理放置充电板3。
36.进一步的，为了无线充电效果，外部电源2设置于真空泵本体1外的一端端部，且于无线充电板处于真空泵本体1的同一端。
37.比如，外部电源2可以是用于给真空泵本体1的电机供电的电源，或者是与给真空泵本体1的电机供电的电源不同的新增电源。
38.本发明实施例中的发热结构4可以为发热线圈或者发热片，以保证对电机转子11整体进行加热。如果发热结构4是发热线圈，则热线圈环绕在电机转子11上。如果发热结构4是发热片，则发热片沿着电机转子11延伸。
39.第二方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供一种半导体工艺设备，包括主体设备以及前述实施例所描述的抽真空装置，其中，主体设备包括工艺腔，抽真空装置用于对主体设备的工艺腔内进行抽真空，以形成工艺腔内的恒定真空度。
40.具体的，抽真空装置的真空泵本体1的进气口12与主体设备的工艺腔连接，以对工艺腔进行抽真空。抽真空装置的结构已经在第一方面实施例中进行了详细描述，为了说明书的简洁，在此不再赘述。在具体实施时，主体设备可以是对晶圆进行沉积处理的设备或刻蚀处理的设备。
41.第三方面，基于同一发明构思，本发明实施例提供一种半导体加工方法，基于第二方面的半导体工艺设备进行半导体加工。该半导体加工方法包括：在工艺腔内对晶圆进行目标处理工艺时，通过真空泵本体1对主体设备的工艺腔内进行抽真空处理；在真空泵本体1进行抽真空处理过程中，通过加热装置对真空泵本体1的电机转子11进行加热。具体的，在工艺腔内对晶圆进行沉积处理或者刻蚀处理时，通过真空泵本体1对工艺腔进行抽真空，以形成工艺腔内的恒定真空度。具体的，通过加热装置对真空泵本体1的电机转子11进行加热至80～250℃。
42.本发明实施例提供的上述一个或者多个技术方案，通过在真空泵本体内设置加热装置直接产生热量，使泵内部温度上升，以防止工艺腔内产生的副产物在真空泵内和电机转子上的累积，则能够防止副产物积聚而导致真空泵本体的真空性能下降，从而保持了真空泵本体产生真空的能力恒定，也就能够保证工艺腔内压力保持恒定，进而保证工艺腔内进行的工艺稳定，以防止工艺不稳定导致的产品缺陷。并且，通过控制副产物在真空泵内和电机转子上的积聚，能够防止真空泵本体的自动停泵，以降低功耗并延长泵的使用周期。
43.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
44.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精
神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。