显示屏及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示屏及电子设备。


背景技术：

2.有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light emitting diode，amoled)显示技术是有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)领域中应用最广的分支。amoled显示屏由于具有高对比度、响应快速和高色域等优点，在电子设备中的应用日渐凸显。电子设备的amoled显示屏通常具有自动亮度调节功能。传统的电子设备通常通过在amoled显示屏上设置独立的环境光传感器或设置于屏内的光电二极管来检测环境光强，但独立的环境光传感器占用较大的显示屏空间，不利于降低电子设备的屏占比(显示屏的有效显示区域与整个显示屏正面区域的比值)；而设置于屏内的光电二极管的驱动电路较复杂，不利于应用推广。


技术实现要素：

3.本技术提供一种显示屏及电子设备，以提高电子设备的屏占比。
4.第一方面，本技术提供了一种显示屏，包括显示面板，所述显示面板包括：
5.显示区；
6.非显示区，所述非显示区围绕所述显示区，所述非显示区内设置有光敏电路，所述光敏电路用于检测环境光强；
7.所述光敏电路包括光敏电阻层，所述光敏电阻层嵌入所述非显示区内。
8.通过本实施例提供的方案，采用内嵌的方式，将用于检测环境光强的光敏电路嵌入到显示面板的非显示区内，可以在显示面板各层结构的制备过程中，完成光敏电路的制备，无需在非显示区上开设额外的空间放置环境光传感器，从而提高电子显示设备的显示屏屏占比。
9.在一种可能的设计中，所述显示面板还包括有机发光二极管及触控封装层，所述光敏电阻层设置于所述有机发光二极管的一侧或者所述光敏电阻层设置于所述触控封装层。
10.在一种可能的设计中，所述光敏电路还包括第一引线及第二引线，所述光敏电阻层一侧与所述有机发光二极管的阳极连接，另一侧分别与所述第一引线及所述第二引线连接。
11.在一种可能的设计中，所述显示面板还包括第一信号线及第二信号线，所述第一信号线包括源漏极信号线，所述第二信号线包括栅极信号线，所述第一引线与所述第一信号线同层设置，所述第二引线与所述第二信号线同层设置。通过本实施例提供的方案，第二引线可以与第二信号线在同一道工艺中完成，无需增加额外的工艺，可以简化显示面板的工艺制程，节约成本。
12.在一种可能的设计中，所述显示面板还包括第一信号线及第三信号线，所述第一
信号线包括源漏极信号线，所述第三信号线包括参考电压信号线，所述第一引线与所述第一信号线同层设置，所述第二引线与所述第三信号线同层设置。通过本实施例提供的方案，第二引线可以与第三信号线在同一道工艺中完成，无需增加额外的工艺，可以简化显示面板的工艺制程，节约成本。
13.在一种可能的设计中，所述有机发光二极管的阳极的材料为透明导电材料。通过本实施例提供的方案，有机发光二极管的阳极采用透明导电材料，能够提高光敏电路对环境光检测的精度。
14.在一种可能的设计中，所述第二引线的电阻率小于所述第一引线的电阻率。通过本实施例提供的方案，采用阻值较小的第二电阻检测环境光强，可以降低环境光检测的消耗功率，从而降低显示屏的功耗。
15.在一种可能的设计中，所述光敏电路还包括第三引线及第四引线，所述光敏电阻层包括第一光敏电极、第二光敏电极及光敏材料，所述光敏材料设置于所述第一光敏电极与所述第二光敏电极之间，所述第三引线与所述第一光敏电极连接，所述第四引线与所述第二光敏电极连接。
16.在一种可能的设计中，所述第三引线及所述第四引线设置于所述触控封装层。
17.在一种可能的设计中，所述显示面板还包括红外滤波层，所述红外滤波层设置于所述光敏电阻层上。通过本实施例提供的方案，红外滤波层能够滤除红外光，避免红外光对光敏电阻层检测环境可见光造成干扰，提高光敏电阻层的检测精度。
18.在一种可能的设计中，所述第一光敏电极及所述第二光敏电极为蛇形电极。
19.在一种可能的设计中，所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层设置于所述有机发光二极管与所述触控封装层之间。通过本实施例提供的方案，薄膜封装层可以防止氧气和水分进入oled。
20.在一种可能的设计中，所述显示面板还包括封装玻璃及封框胶，所述封装玻璃覆盖所述有机发光二极管，所述封框胶围绕所述显示区一周设置，所述封框胶与所述封装玻璃相接触，所述触控封装层设置于所述封装玻璃上。
21.第二方面，本技术提供一种电子设备，包括壳体及第一方面所述的显示屏；所述显示屏安装于所述壳体上。
附图说明
22.图1为光电二极管设置于显示屏内的结构示意图；
23.图2为光电二极管设置于显示屏内的结构示意图；
24.图3为本技术一实施例提供的电子设备的分解示意图；
25.图4为本技术一实施例提供的显示面板的俯视示意图；
26.图5a为图2所示的显示面板的一种结构示意图；
27.图5b为图2所示的显示面板的另一种结构示意图；
28.图5c为图2所示的显示面板的另一种结构示意图；
29.图6为本技术一实施例提供的oled的结构示意图；
30.图7为本技术一实施例提供的显示面板的结构示意图；
31.图8为本技术一实施例提供的tft驱动电路与光敏电路的电路图；
32.图9为本技术另一实施例提供的显示面板的结构示意图；
33.图10为本技术一实施例提供的像素界定层的结构示意图；
34.图11为本技术一实施例提供的薄膜封装层的结构示意图；
35.图12为本技术一实施例提供的显示屏的结构示意图；
36.图13为本技术另一实施例提供的显示面板的结构示意图；
37.图14为本技术另一实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
38.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
39.在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；除非另有规定或说明，术语“多个”是指两个或两个以上；术语“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，或电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
40.amoled显示屏由于具有高对比度、响应快速和高色域等优点，在电子设备中的应用日渐凸显。电子设备如手机，续航能力有限，显示屏持续的高亮度显示会严重影响电池电量的使用时间，因此，移动电子设备通常具有自动亮度调节功能。传统的电子设备通常通过在amoled显示屏上设置独立的环境光传感器或设置于屏内的光电二极管来检测环境光强。
41.常见的环境光传感器采用双光电二极管架构，其中一个光电二极管用于检测环境光全光谱，另一个用于检测红外光分量，环境光传感器的可见光检测结果为两个光电二极管检测结果的差值。为了保证环境光传感器的灵敏度和准确性，需要采用体积较大的光电二极管，占用较大的显示屏空间，同时为了保证环境光收光视角大于》90度，环境光传感器的需求空间进一步增大，不利于降低电子设备的屏占比。
42.光电二极管在反向电压作用下工作，照射于光电二极管的光强度越大，光电二极管产生的反向电流越大。当没有光照射于光电二极管时，光电二极管的反向电流极其微弱，此时光电二极管产生的反向电流，称为暗电流；当有光照射于光电二极管时，光电二极管产生的反向电流，称为光电流。
43.请参考图1及图2，设置于屏内的光电二极管也称屏内光电二极管(photo diode，pd)技术，屏内光电二极管技术中的光电二极管嵌入设置于显示屏内，光电二极管为由一个pn结组成的半导体器件。屏内光电二极管技术中，通常将光电二极管的pn结面积设置得较大，以增加接收的环境光，提高光电二极管的灵敏度和信噪比。屏内光电二极管技术通过检测光电二极管产生的光电流来获取环境光的强度。但屏内光电二极管技术，需要较复杂的驱动电路，因此，屏内光电二极管技术不利于应用推广。
44.本技术实施例提供一种电子设备，该电子设备可以为手机、显示器、平板电脑、车载电脑等具有显示界面的产品，以及智能手表、智能手环等智能显示穿戴产品。本技术实施例对上述电子设备的具体形式不做特殊限制。以下实施例为了方便说明，均是以如图1所示
的电子设备01为手机为例进行的举例说明。
45.如图3所示，上述电子设备01，主要包括显示屏10、用于承载显示屏10的中框11以及壳体12。显示屏10通过中框11安装于壳体12上。上述中框11背离显示屏10的一侧，可以设置中央处理器(central processing unit，cpu)13等。显示屏10可以是柔性的、可弯曲的或可折叠的。
46.以下对上述显示屏10的结构进行说明。
47.如图4所示，显示屏10包括显示面板100，显示面板100包括显示区101、围绕显示区101的非显示区102，非显示区102内设置有光敏电路(图4未示)，光敏电路用于检测环境光强。光敏电路包括光敏电阻层，光敏电阻层嵌入非显示区102。
48.显示区101是指可以显示画面的区域，非显示区102是指不能显示画面的区域。红外镜头、泛光感应元件、距离感应器、扬声器、麦克风、摄像头及点阵投影器等可以设置于非显示区102。随着全面屏概念的发展，手机正面的显示区101所占手机正面的比例越来越高。本技术采用内嵌的方式，将光敏电路嵌入非显示区102中，无需在非显示区102上开设额外区域放置环境光传感器，从而提高电子显示设备的显示屏10屏占比。
49.光敏电路例如可以设置于非显示区102的r角边界或扬声器的边界或摄像头的边界或非显示区102远离显示区101的边界部分等，其中，r角为非显示区102远离显示区101的圆角边框区域。
50.显示面板100包括多个像素21及多个有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)30。多个像素21及多个oled 30位于显示区101内。
51.请参考图5a，每个像素21可以包括三个子像素211，三个子像素211分别发出红(red，r)光、蓝(green，g)光以及蓝光(blue，b)。或者，如图5b所示，上述三个子像素211分别发出青色(cyan，c)光、品红色(magenta，m)光以及黄光(yellow，y)。又或者，在本技术的另一些实施例中，如图5c所示，每个像素21可以包括四个子像素211，四个子像素211分别发出红光、绿光、蓝光，以及白(white，w)光。本技术对每个像素21的子像素211个数以及发光颜色组合不做限定。
52.每个oled 30与一个子像素211相对应，且每个oled 30位于与该oled 30对应的子像素211内。
53.请参考图6，oled 30包括有机发光层31及分别位于有机发光层31两侧的阳极32和阴极33。向分别位于有机发光层31两侧的阳极32和阴极33施加电压后，阳极32和阴极33中的载流子在有机发光层31中相遇，并激发出光子，从而使得有机发光层31发光。此时，上述oled 30发光，具有多个上述oled 30的显示屏10进行画面显示。
54.其中，同一个像素21中，不同的子像素211中的oled 30的有机发光层31的材料不同，从而可以使得上述不同子像素211中的oled 30发出颜色不同的光，例如红光、绿光或蓝光。
55.为了提高阳极32和阴极33中的载流子在有机发光层31中相遇的几率，以提高oled30的发光效率，如图6所示，上述oled 30还包括空穴传输层34、空穴注入层35、电子传输层36、电子注入层37。其中，空穴传输层34、空穴注入层35位于有机发光层31朝向阳极32一侧，且依次靠近阳极32。电子传输层36、电子注入层37位于有机发光层31朝向阴极33一侧，且依次靠近阴极33。
56.基于此，为了驱动上述多个oled 30发光，上述显示面板100还包括薄膜晶体管(thin film transistor，tft)背板40。
57.以下对光敏电路嵌入显示面板的设置方式进行举例说明。
58.示例一
59.请参考图7，tft背板40包括基板41、缓冲层42、栅极绝缘层43、栅介质层44、中间绝缘层45、平坦化层46及多个tft驱动电路47。
60.基板41的材质可以是玻璃材质或者是塑料材质，基板41用于承载显示面板10包括的元器件，例如tft，电容，电极，oled 30等。
61.缓冲层42设置于基板41上，缓冲层42可以减少或防止外来材料、水汽或氧气渗透到tft驱动电路47，保护tft，同时也可以给基板41提供一个平坦的表面。缓冲层42可以由氧化硅、氮化硅等无机材料制成。缓冲层42也可以由一个或多个无机层交替堆叠的多层形成。
62.每个tft驱动电路47包括多个tft和至少一个电容，用于控制一个oled 30发光。其中，图8是以tft驱动电路47为7t1c结构，即tft驱动电路47包括七个tftt1-t7，以及一个电容c1为例进行的说明。
63.光敏电路48包括光敏电阻层481、第一引线482及第二引线483。光敏电阻层481设置于oled 30的一侧。
64.图8中的连接端s1和s2分别与显示面板的扫描线连接，连接端vdata与显示面板的数据线连接，连接端ydd与电源连接，连接端cm与发射信号线连接、连接端ct及v1分别与cpu13连接，连接端vref与参考电压信号线连接，用于接收参考电压vref，连接端elvss用于接收电压elvss。d1为oled 30，r1为光敏电阻层481的等效电阻，r2为第一引线482的等效电阻，r3为第二引线483的等效电阻。参考电压vref的电压值固定。
65.需要说明的是，图8所示的7t1c结构的tft驱动电路47仅仅是示例性的，其他类型的tft电路结构同样适用，显示屏还可以采用2t1c、6t1c或5t2c等结构。
66.tft驱动电路47的其中一个tft(如图8中的t6)包括半导体层49、栅极、源极及漏极。半导体层49设置于缓冲层42上，半导体层49可以由低温多晶硅(p-si)或非晶硅(a-si)制成。
67.栅极绝缘层43设置于半导体层49上。栅极绝缘层43可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料制成。栅极绝缘层43上可以形成第一金属层，图案化所述第一金属层，形成第二信号线402。栅介质层44设置于第二信号线402上。栅介质层44可以由氧化硅、氮化硅等材料制成。栅介质层44上可以形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成第三信号线403。中间绝缘层45设置于第三信号线403上。中间绝缘层45可以由氧化硅、氮化硅等材料制成。中间绝缘层45上可以形成第三金属层，图案化所述第三金属层，形成第一信号线401及所述第一引线482，即第一引线482与第一信号线401同层设置。
68.第一信号线401包括源漏极信号线及电源信号线。第二信号线402包括栅极信号线，第三信号线403包括参考电压信号线。
69.可采用湿刻工艺或等离子干刻工艺去除中间绝缘层45、栅介质层44和栅极绝缘层43部分形成接触孔，使得第一信号线401与所述半导体层49接触。
70.光敏电阻层481设置于第一引线482上。光敏电阻层481可以是硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌中的任意一种。可采用溅射光刻工艺或丝网印刷工艺在第一
引线482上形成光敏电阻层481。
71.平坦化层46设置于光敏电阻层481上，覆盖第一信号线401、第一引线482及光敏电阻层481。平坦化层46可以保护tft并提供平坦表面。平坦化层46可以由有机化合物如有机玻璃或无机物如硅化合物或金属氧化物构成。可采用湿刻工艺或等离子干刻工艺去除光敏电阻层481背离第一引线482一侧上的平坦化层46，使得光敏电阻层481背离第一引线482的一侧露出于平坦化层46。
72.每个oled 30设置于平坦化层46上，且每个oled 30的阳极32与位于其下方的tft驱动电路47中的至少一个tft的漏极连接，其中一个oled 30的阳极32覆盖露出于平坦化层46的光敏电阻层481一侧上，即光敏电阻层481的该侧与该oled 30的阳极32连接。多个oled 30的阳极32电压可以相互独立，因此，可以单独控制oled 30的发光亮度。
73.构成oled 30的阳极32的材料为透明导电材料，例如，氧化铟锡(indium tin oxide，ito)、氧化铟锌(indium zinc oxide，izo)。构成oled 30的阴极33的材料为金属材料，例如铝(al)、锰(mg)等。在此情况下，阳极32透光，环境光穿透oled 30阳极32入射至光敏电阻层481。oled 30的阳极32采用透明导电材料，能够提高光敏电路48对环境光检测的精度。在此情况下，oled 30阴极33的透光率很小，因此oled 30发出的光线由阳极32所在的一侧出射。此时，oled 30为底发射型发光器件。
74.在一些实施例中，露出于平坦化层46的光敏电阻层481的一侧上也可以不覆盖oled 30的阳极32，露出于平坦化层46的光敏电阻层481的一侧上可以覆盖透明导电材料，该透明导电材料电连接至显示面板上的电极。
75.光敏电阻层481另一侧分别与第一引线482及第二引线483连接。第一引线482及第二引线483远离光敏电阻层481的一端与cpu13连接。
76.在一些实施例中，第二引线483与第二信号线402同层设置。具体的，对栅极绝缘层43上的第一金属层进行图案化处理，还形成第二引线483，采用去除中间绝缘层45和栅介质层44部分形成第一过孔，光敏电阻层481另一侧通过该第一过孔与第二引线483接触。该实施例中，第二引线483可以与第二信号线402在同一道工艺中完成，无需增加额外的工艺，可以简化显示面板100的工艺制程，节约成本。
77.请参考图9，在另一些实施例中，第二引线483与第三信号线403同层设置。具体的，对栅介质层44上的第二金属层进行图案化处理，还形成第二引线483，采用去除中间绝缘层45部分形成第二过孔，光敏电阻层481另一侧通过该第二过孔与第二引线483接触。该实施例中，第二引线483可以与第三信号线403在同一道工艺中完成，无需增加额外的工艺，可以简化显示面板100的工艺制程，节约成本。
78.光敏电阻层481等效为第一电阻r1，第一引线482等效为第二电阻r2，第二引线483等效为第三电阻r3。
79.每个tft驱动电路47用于驱动与其连接的一个oled 30的发光。
80.与光敏电阻层481一侧连接的oled 30的阳极为光敏电阻层481提供第一电位，通过第二电阻r2与光敏电阻层481另一侧连接的连接端v1，为光敏电阻层481提供第二电位，第一电位和第二电位使得光敏电阻层481通电工作，光敏电阻层481在不同光强的环境光照射下，第一电阻r1的阻值不同，当环境光通过透明导电材料入射至光敏电阻层481时，第一电阻r1的阻值发生变化，从而流过第三电阻r3的电流发生变化，cpu13通过检测第三电阻r3
的电流，得到第三电阻r3两端的电压，并根据第三电阻r3两端的电压的计算得到电子设备所处环境的环境光强，从而根据环境光强调节显示屏10的亮度。
81.当与光敏电阻层481一侧连接的透明导电材料为不是oled 30的阳极的其他透明导电材料时，显示面板通过该透明导电材料提供第三电位，通过第二电阻r2与光敏电阻层481另一侧连接的连接端v1，为光敏电阻层481提供第二电位，第三电位和第二电位使得光敏电阻层481通电工作。
82.第三电阻r3的阻值小于第二电阻r2的阻值。第二引线483的电阻率小于第一引线482的电阻率。采用阻值较小的第三电阻r3检测环境光强，可以降低环境光检测的消耗功率，从而降低显示屏10的功耗。
83.请参考图10，上述显示面板100还包括位于tft背板40上的像素界定层(pixel define layer，pdl)51。该像素界定层51上设置有多个开口511。像素界定层51可以通过干法刻蚀、湿法刻蚀、纳米压印等方法处理，形成开口511，开口511的宽度可以考虑显示屏10的分辨率、像素21密度和子像素211密度。开口511的形状可以是凹陷结构，其纵截面呈“凹”字型结构或堤坝结构。另外像素界定层51表面也可以形成多种凹陷结构，如三角锥、棱锥、半圆等等。可选的，像素界定层51可以设置平坦化层46上。像素界定层51可以由多种技术形成，例如喷墨印刷、丝网印刷、层合、旋涂等。像素界定层51可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，例如丙烯酸树脂、氧化硅、氮化硅、苯丙环丁烯等。
84.每个开口511与一个子像素211相对应，每个开口511位于该开口511所对应的子像素211内。在此情况下，每个oled 30与一个开口511相对应，oled 30的有机发光层31位于该oled30所对应的开口511内。
85.相邻两个开口511之间具有挡墙。挡墙将相邻两个不同子像素211中的oled 30的有机发光层31间隔开，使得各个oled 30的发光颜色能够独立。
86.此外，各个oled 30的阴极33通常连接相同的电压，例如电压elvss。因此，如图7和图9所示，各个oled30的阴极33可以电连接在一起，为一体结构，形成一层阴极33层。该阴极33层覆盖所有oled30的有机发光层31。
87.在一些实施例中，基板41可以为采用柔性材料，例如聚对苯二甲酸类塑料(polyethyleneterephthalate，pet)构成的柔性树脂基板41。
88.在此情况下，上述显示面板100可以为柔性显示面板100。采用薄膜封装(thin film encapsulation，tfe)技术能够对该柔性显示面板100进行封装。基于此，如图7和图9所示，显示面板100还包括覆盖各个oled 30的薄膜封装层60。薄膜封装技术是一种在oled30阴极33层上叠加无机层和有机层的技术，可以防止氧气和水分进入。薄膜封装层60可以适用于可折叠、可弯曲的amoled显示屏10。薄膜封装层60可以由一个有机封装层62和至少一个无机封装层组成。无机封装层可以用来隔离氧气和水分，但是无机封装层的性质不均匀，此时可以在无机封装层上设置有机封装层62用来稳定无机封装层。薄膜封装层60可以采用低温原子层沉积技术(ald)或者电感耦合等离子增强化学气相沉积技术(icp-cvd)方式制作。
89.示例性的，如图11所示，薄膜封装层60由第一无机封装层61、有机封装层62、第二无机封装层63组成。其中，第一无机封装层61覆盖oled30阴极33，由无机材料构成(例如氧化硅sio2)。有机封装层62设置在第一无机封装层61上方，可以由聚乙烯对苯二酸酯(pet)、
聚甲醛(polyoxymethylene)等材料制成。第二无机封装层63覆盖有机封装层62。第二无机封装层63可以由氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)等材料构成。需要说明的是，本技术实施例所示的薄膜封装层60仅仅是示例性的，薄膜封装层60还可以由11层无机封装层和有机封装层62叠加而成。随着技术的发展，薄膜封装层60也可以由一层材料构成，本技术实施例对薄膜封装层60的结构不做限定。
90.在另一些实施例中，基板41还可以为玻璃基板、硬质的树脂基板。在此情况下，显示面板100为硬质屏幕，屏幕无法实现弯折。为了对显示面板100中的各个oled 30进行封装，如图12所示，显示面板100还包括封装玻璃91及封框胶92。封装玻璃91覆盖各个oled 30，封框胶92围绕显示面板100的显示区101一周设置。封装玻璃91与封框胶92相接触。构成封装玻璃91的材料可以包括玻璃、透明的硬质树脂或者蓝宝石等。
91.示例二
92.请参考图13，显示面板100还包括触控封装层70。本示例中，tft背板40的结构与示例一相同，不同之处在于，本示例中，光敏电路48设置于触控封装层70内。触控封装层70设置于各个oled 30上。
93.请参考图14，光敏电路48包括光敏电阻层491、第三引线492及第四引线493。光敏电阻层491包括第一光敏电极4911、第二光敏电极4912及光敏材料4913。光敏材料4913设置于第一光敏电极4911与第二光敏电极4912之间。第三引线492与第一光敏电极4911连接，第四引线493与第二光敏电极4912连接。
94.光敏材料4913的制作材料可以为硫化镉、硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋中的任意一种。光敏材料4913可以采用丝网印刷工艺覆盖于第一光敏电极4911与第二光敏电极4912之间的区域。
95.第三引线492及第四引线493还与cpu13连接，其中，cpu13通过第三引线492或第四引线493为光敏电路48供电。光敏电阻层491在不同光强的环境光照射下，其阻值不同。当环境光入射至光敏电阻层491时，cpu13通过检测光敏电路48回路中的电流，得到电子设备所处环境的环境光强，从而根据环境光强调节显示屏10的亮度。
96.第一光敏电极4911及第二光敏电极4912为蛇形电极。第一光敏电极4911及第二光敏电极4912可以采用低温金属蒸镀工艺形成于触控封装层70中。
97.在一些实施例中，显示面板100还包括红外滤波层，红外滤波层设置于光敏电阻层491上。红外滤波层能够滤除红外光，避免红外光对光敏电阻层491检测环境可见光造成干扰，提高光敏电阻层491的检测精度。
98.在一些实施例中，基板41可以为采用柔性材料，例如聚对苯二甲酸类塑料(polyethyleneterephthalate，pet)构成的柔性树脂基板41。
99.在此情况下，上述显示面板100可以为柔性显示面板100。采用薄膜封装(thin film encapsulation，tfe)技术能够对该柔性显示面板100进行封装。基于此，如图10所示，显示面板100还包括薄膜封装层60，薄膜封装层60设置于oled30与触控封装层70之间，可以理解，薄膜封装层60覆盖各个oled30且位于oled30阴极33层上方。
100.薄膜封装技术是一种在oled30阴极33层上叠加无机层和有机层的技术，可以防止氧气和水分进入。薄膜封装层60可以适用于可折叠、可弯曲的amoled30显示屏10。薄膜封装层60可以由一个有机封装层62和至少一个无机封装层组成。无机封装层可以用来隔离氧气
和水分，但是无机封装层的性质不均匀，此时可以在无机封装层上设置有机封装层62用来稳定无机封装层。薄膜封装层60可以采用低温原子层沉积技术(ald)或者电感耦合等离子增强化学气相沉积技术(icp-cvd)方式制作。
101.示例性的，薄膜封装层60由第一无机封装层61、有机封装层62、第二无机封装层63组成。其中，第一无机封装层61覆盖oled30阴极33层，由无机材料构成(例如氧化硅sio2)。有机封装层62设置在第一无机封装层61上方，可以由聚乙烯对苯二酸酯(pet)、聚甲醛(polyoxymethylene)等材料制成。第二无机封装层63覆盖有机封装层62。第二无机封装层63可以由氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)等材料构成。需要说明的是，本技术实施例所示的薄膜封装层60仅仅是示例性的，薄膜封装层60还可以由11层无机封装层和有机封装层62叠加而成。随着技术的发展，薄膜封装层60也可以由一层材料构成，本技术实施例对薄膜封装层60的结构不做限定。
102.请再参考图12，在另一些实施例中，基板41还可以为玻璃基板、硬质的树脂基板。在此情况下，显示面板100为硬质屏幕，屏幕无法实现弯折。为了对显示面板100中的各个oled30进行封装，如图12所示，显示面板100还包括封装玻璃91及封框胶92。封装玻璃91覆盖各个oled30。封框胶92围绕显示区101一周设置，封框胶92与封装玻璃91相接触。构成封装玻璃91的材料可以包括玻璃、透明的硬质树脂或者蓝宝石等。触控封装层70设置于所述封装玻璃91上。
103.上述显示屏10还可以包括偏光片901、光学胶902以及盖板903。偏光片901设置于触控封装层70的上方，偏光片901可以抵消外界光线进入显示屏10内部产生的反射光，从而降低外界光线反射产生的干扰，增强显示屏10的对比度。盖板903设置于偏光片901的上方，光学胶902设置于偏光片901与盖板903，用于将盖板903粘接于偏光片901上。
104.综上所述，本技术通过采用内嵌的方式，将用于检测环境光强的光敏电路嵌入到显示面板100的非显示区102内，可以在显示面板各层结构的制备过程中，完成光敏电路的制备，无需在非显示区102上开设额外的空间放置环境光传感器，从而提高电子显示设备的显示屏10屏占比。
105.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
106.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。