一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

显示装置的制作方法

2022-06-01 08:23:36 来源:中国专利 TAG:


1.本发明的实施方式总体涉及显示装置。更具体地,本发明的实施方式涉及包括多个焊盘的显示装置。


背景技术:

2.显示装置包括多个像素和多个焊盘。焊盘结合到电路板(例如,驱动芯片或柔性印刷电路板),并且将信号和/或电压传输到像素。当粘合剂(例如,各向异性导电膜(“acf”))被施加到焊盘并且压力被施加到焊盘和电路板上时,焊盘可以结合到电路板。为了查看焊盘是否正常结合到电路板,压痕检查工艺和返工工艺被执行。压痕检查工艺是检查压力的位置和压力的大小的工艺。返工工艺是移除电路板并清洗焊盘的工艺。


技术实现要素:

3.在执行返工工艺时,焊盘的形状可能变形。例如,在焊盘中包括的导电图案可能被推挤。当被推挤的导电图案接触邻近的焊盘时,焊盘之间可能发生短路缺陷。
4.实施例提供了包括多个焊盘的显示装置。
5.根据实施例的显示装置包括:包括焊盘区的基板,设置在基板的焊盘区上并且在平面图中具有四边形形状的第一导电图案,设置在基板上并且覆盖第一导电图案的绝缘层,以及设置在绝缘层上并且通过限定在绝缘层中的多个接触孔接触第一导电图案的第二导电图案。多个接触孔在平面图中沿四边形形状的对角线方向被布置。
6.根据实施例,四边形形状可以包括在第一方向上延伸的第一边以及在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第二边,并且对角线方向可以在第一方向与第二方向之间。
7.根据实施例,第一边的长度可以小于第二边的长度。
8.根据实施例,第一边的长度可以比多个接触孔中的每个接触孔在第一方向上的长度大至少三倍。
9.根据实施例,绝缘层可以包括:围绕多个接触孔中的每个接触孔并且在平面图中与第一导电图案重叠的重叠部分,以及围绕重叠部分并在平面图中与第一导电图案不重叠并且具有被设置成比重叠部分的顶部低的顶部的非重叠部分。
10.根据实施例,重叠部分的厚度可以与非重叠部分的厚度相同。
11.根据实施例,重叠部分的厚度和非重叠部分的厚度中的每个可以是大约6000埃至大约7000埃。
12.根据实施例,显示装置可以进一步包括:设置在第二导电图案上并且直接接触第二导电图案的第三导电图案。
13.根据实施例,在第二导电图案中包括的材料可以与在第三导电图案中包括的材料相同。
14.根据实施例,第二导电图案和第三导电图案可以各自具有ti/al/ti结构。
15.根据实施例,在第二导电图案中包括的材料可以与在第一导电图案中包括的材料
不同。
16.根据实施例,第一导电图案可以包括钼。
17.根据实施例,基板可以进一步包括与焊盘区邻近的显示区。显示装置可以进一步包括:设置在基板上并且在平面图中与显示区重叠的有源图案,与第一导电图案设置在同一层中并且在平面图中与有源图案重叠的栅电极,与第二导电图案设置在同一层中并且接触有源图案的第一连接电极,与第三导电图案设置在同一层中并且接触第一连接电极的第二连接电极,设置在第二连接电极上并且接触第二连接电极的第一电极,设置在第一电极上的发射层,以及设置在发射层上的第二电极。
18.根据实施例,显示装置可以进一步包括设置在第三导电图案上并且直接接触第三导电图案的第四导电图案。
19.根据实施例,显示装置可以进一步包括:设置在基板上、与焊盘区重叠并且在平面图中与第一导电图案间隔开的第一虚设图案,以及设置在第一虚设图案上并且通过限定在绝缘层中的虚设接触孔接触第一虚设图案的第二虚设图案。
20.根据实施例,在平面图中,虚设接触孔的面积可以与多个接触孔中的每个接触孔的面积不同。
21.根据实施例,虚设接触孔的面积可以大于多个接触孔中的每个接触孔的面积。
22.根据实施例,焊盘区可以包括中心区以及在平面图中与中心区邻近的外部区。第一导电图案可以被设置在中心区中,并且第一虚设图案可以被设置在外部区中。
23.根据实施例,第一虚设图案和第二虚设图案可以各自是电浮置的。
24.根据另一实施例的显示装置包括:包括焊盘区的基板,设置在基板的焊盘区上并且在平面图中具有四边形形状的第一导电图案,设置在基板上并且覆盖第一导电图案的绝缘层,以及设置在绝缘层上并且通过限定在绝缘层中的多个接触孔接触第一导电图案的第二导电图案。多个接触孔包括彼此间隔开的第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔,第一接触孔和第二接触孔沿四边形形状的第一对角线方向被布置,并且第二接触孔和第三接触孔沿与第一对角线方向相交的第二对角线方向被布置。
25.根据实施例,四边形形状可以包括在第一方向上延伸的第一边以及在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第二边,第一对角线方向可以是在第一方向与第二方向之间的方向,并且第二对角线方向可以是在第三方向与第二方向之间的方向,并且第三方向与第一方向相反。
26.根据又一实施例的显示装置包括:包括焊盘区的基板,在基板的焊盘区上的第一导电图案,与第一导电图案设置在同一层中并且与第一导电图案间隔开的第一虚设图案,设置在基板上并且覆盖第一导电图案和第一虚设图案的绝缘层,设置在绝缘层上并且通过限定在绝缘层中的多个接触孔接触第一导电图案的第二导电图案,以及设置在绝缘层上并且通过虚设接触孔接触第一虚设图案的第二虚设图案。虚设接触孔被限定在绝缘层中并且具有与多个接触孔中的每个接触孔的面积不同的面积。
27.根据实施例,虚设接触孔的面积可以大于多个接触孔中的每个接触孔的面积。
28.根据实施例,第一导电图案可以具有四边形形状,并且多个接触孔可以在平面图中沿四边形形状的对角线方向被布置。
29.因此,根据实施例的显示装置可以包括多个焊盘。焊盘中的每个焊盘可以包括第
一导电图案以及通过接触孔接触第一导电图案的第二导电图案。接触孔中的每个接触孔的长度(或面积)可以被设定成显著小于第一导电图案的长度(或面积)。换句话说,第二导电图案可以以点来接触第一导电图案。因此,由于在第二导电图案的上表面上产生的接触孔而引起的台阶差的宽度可以最小化。因此,当执行返工工艺时,焊盘的形状可以不变形,并且可以有效防止焊盘之间的短路缺陷。
30.另外,接触孔可以沿对角线方向被布置。因此,可以容易地执行压痕检查工艺。换句话说,由于接触孔沿对角线方向被布置,因此可以容易地检查施加到端子、导电球和焊盘的压力。
31.应理解,前述概括描述和下面的具体描述两者是示例性和说明性的,并且旨在提供所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
32.被包括以提供本发明的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示了本发明的实施例,并且与描述一起用来解释本发明构思。
33.图1是图示根据实施例的显示装置的平面图。
34.图2是图示在图1的显示装置中包括的像素的电路图。
35.图3是图示在图1的显示装置中包括的焊盘的平面图。
36.图4和图5是图示图1的显示装置的截面图。
37.图6至图11是图示用于制造图1的显示装置的方法的截面图。
38.图12是图示在图1的显示装置中包括的虚设焊盘的平面图。
39.图13是图示图1的显示装置的截面图。
40.图14是图示根据另一实施例的显示装置的平面图。
41.图15是图示根据又一实施例的显示装置的平面图。
42.图16是图示包括根据实施例的显示装置的电子装置的框图。
具体实施方式
43.将理解,当元件被称为在另一元件“上”时,该元件可以直接在另一元件“上”,或者在该元件和另一元件之间可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接”在另一元件“上”时,不存在居间元件。
44.将理解,虽然在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用来描述各种元件、部件、区、层和/或部分,但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分相区分。因此,在不脱离本文中的教导的情况下,以下讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分。
45.本文中使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的,而不旨在限制。如本文中使用的,单数形式“一”和“该(所述)”旨在包括包含“至少一个”的复数形式,除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限定“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的,术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件
和/或部件的存在,但是不排除一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。
46.如本文中使用的,考虑所讨论的测量以及与具体量的测量相关联的误差(即,测量系统的限制),“大约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如,“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内,或者在所陈述的值的
±
30%、
±
20%、
±
10%或
±
5%内。
47.从下面结合附图的详细描述,将更清楚地理解例示性的、非限制性的实施例。
48.图1是图示根据实施例的显示装置的平面图。图2是图示在图1的显示装置中包括的像素的电路图。
49.参考图1,根据实施例的显示装置1000可以被划分为显示区da、非显示区nda和焊盘区pa。例如,显示区da可以具有四边形形状,非显示区nda可以被放置成围绕显示区da,并且焊盘区pa可以被设置成在非显示区nda的一端处邻近非显示区nda。
50.像素px、栅线gl、数据线dl和驱动电压线pl可以被设置在显示装置1000的显示区da中。例如,栅线gl可以在第一方向d1上延伸,并且可以将栅信号gs传输到像素px。数据线dl可以在与第一方向d1垂直的第二方向d2上延伸,并且可以将数据电压data提供到像素px。驱动电压线pl可以在第二方向d2上延伸,并且可以将驱动电压elvdd提供到像素px。数据电压data可以响应于栅信号gs而被写入像素px。像素px可以发射具有基于数据电压data的亮度的光。当像素px发光时,图像可以显示在显示区da中。
51.栅驱动器gdv和公共电压线可以被设置在显示装置1000的非显示区nda中。栅驱动器gdv可以连接到栅线gl和焊盘pd。栅驱动器gdv可以从焊盘pd接收栅控制信号、时钟信号等,并且可以产生栅信号gs。公共电压线可以连接到焊盘pd和第二电极(例如,图4的第二电极cte)。公共电压线可以将来自焊盘pd的公共电压elvss传输到第二电极cte。
52.参考图2,像素电路pc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、存储电容器cst和有机发光二极管oled。
53.第一晶体管t1可以包括第一端子、第二端子和栅端子。第一晶体管t1的第一端子可以接收驱动电压elvdd,第一晶体管t1的第二端子可以连接到有机发光二极管oled,并且第一晶体管t1的栅端子可以连接到第二晶体管t2。第一晶体管t1可以基于数据电压data产生驱动电流id。
54.第二晶体管t2可以包括第一端子、第二端子和栅端子。第二晶体管t2的第一端子可以接收数据电压data,第二晶体管t2的第二端子可以连接到第一晶体管t1,并且第二晶体管t2的栅端子可以接收栅信号gs。第二晶体管t2可以响应于栅信号gs传输数据电压data。
55.存储电容器cst可以包括第一端子和第二端子。存储电容器cst的第一端子可以接收驱动电压elvdd,并且存储电容器cst的第二端子可以连接到第一晶体管t1的栅端子。数据电压data可以存储在存储电容器cst中。
56.有机发光二极管oled可以包括第一端子和第二端子。有机发光二极管oled的第一端子可以连接到第一晶体管t1,并且有机发光二极管oled的第二端子可以接收公共电压elvss。有机发光二极管oled可以基于驱动电流id产生光。
57.然而,根据本发明的像素电路pc的连接结构可以不限于以上描述的连接结构。在
另一实施例中,像素电路pc可以进一步包括至少一个晶体管。例如,像素电路pc可以具有3t1c结构(例如,具有三个晶体管和一个电容器的结构)或7t2c结构(例如,具有七个晶体管和两个电容器的结构)等。
58.返回参考图1,多个焊盘pd和多个虚设焊盘dpd可以被设置在显示装置1000的焊盘区pa中。例如,焊盘pd可以沿第一方向d1被布置,并且可以在第二方向d2上彼此间隔开。虚设焊盘dpd可以沿第一方向d1被布置,并且可以在第二方向d2上彼此间隔开。
59.另外,焊盘区pa可以包括中心区ca和外部区oa。中心区ca可以与显示装置1000的中心部分相对应。外部区oa可以如图1所示的与显示装置1000的左部分和右部分相对应,并且可以与中心区ca邻近。例如,焊盘区pa中的垂直折线是在中心区ca与外部区oa之间的边界线。在平面图中,焊盘pd可以与中心区ca重叠,并且虚设焊盘dpd可以与外部区oa重叠。
60.然而,根据本发明的焊盘pd和虚设焊盘dpd的布置结构不限于此。
61.在实施例中,焊盘pd可以将来自外部装置的信号(例如,电压)传输到显示装置1000。例如,焊盘pd可以包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘。第一焊盘可以电连接到栅驱动器gdv,第二焊盘可以电连接到数据线dl,第三焊盘可以电连接到驱动电压线pl,并且第四焊盘可以电连接到公共电压线。然而,根据本发明的焊盘pd的连接结构不限于此。
62.虚设焊盘dpd可以与在显示装置1000中包括的任意部件电绝缘。换句话说,虚设焊盘dpd可以是电浮置的。
63.在实施例中,焊盘pd可以具有彼此基本相同的堆叠结构。例如,焊盘pd中的每个焊盘pd可以具有在其中多个导电图案被堆叠的结构。另外,焊盘pd可以与像素px一起形成。
64.在实施例中,虚设焊盘dpd可以具有彼此基本相同的堆叠结构。例如,虚设焊盘dpd中的每个虚设焊盘dpd可以具有在其中多个虚设图案被堆叠的结构。另外,虚设焊盘dpd可以与像素px和焊盘pd一起形成。
65.在实施例中,焊盘pd可以电连接到电路板cb。例如,数据驱动器、控制器(例如,时序控制器(“t-con”))或电力管理电路(例如,“pmic”)等可以被设置在电路板cb上。数据驱动器可以产生数据电压data。控制器可以控制栅驱动器gdv、数据驱动器和电力管理电路。电力管理电路可以提供电力以驱动显示装置1000。在实施例中,多个端子cp和多个虚设端子dcp可以被设置在电路板cb上。在平面图中,设置有端子cp的位置可以与设置有焊盘pd的位置相对应。在平面图中,设置有虚设端子dcp的位置可以与设置有虚设焊盘dpd的位置相对应。电路板cb可以结合在焊盘区pa中,使得端子cp物理地或电气地接触焊盘pd。另外,电路板cb可以结合在焊盘区pa中,使得虚设端子dcp物理地或电气地接触虚设焊盘dpd。例如,通过结合工艺,电路板cb可以使用各向异性导电膜(“acf”)结合在焊盘区pa中。各向异性导电膜可以包括多个导电球,并且导电球可以被设置在焊盘pd与端子cp之间,并且可以被设置在虚设焊盘dpd与虚设端子dcp之间。由于导电球具有导电性,因此彼此相对应的焊盘pd和端子cp可以彼此电连接。
66.虚设焊盘dpd可以防止电路板cb在结合工艺期间变形。例如,为了将电路板cb结合到焊盘区pa,压力可以被施加到电路板cb。在此情况下,与施加到电路板cb的中心部分的压力相比,施加到电路板cb的外部部分(例如,形成有虚设端子dcp的位置)的压力可能相对增大,并且电路板cb可能变形。由于虚设焊盘dpd支撑电路板cb的外部部分,因此虚设焊盘dpd
可以防止电路板cb变形。
67.电路板cb可以是驱动芯片或柔性印刷电路板。例如,当显示装置1000具有玻璃上芯片(“cog”)结构或塑料上芯片(“cop”)结构时,电路板cb可以是驱动芯片。当显示装置1000具有膜上芯片(“cof”)结构时,电路板cb可以是柔性印刷电路板。然而,根据本发明的电路板cb不限于此。
68.在结合工艺之后,可以执行压痕检查工艺和返工工艺。压痕检查工艺可以是检查施加在焊盘区pa中的压力的位置或压力的等级等的工艺。施加到端子cp、导电球和焊盘pd的压力可以通过压痕检查工艺来检查。因此,可以查看焊盘pd是否正常连接到端子cp。返工工艺可以是移除电路板cb和清洁焊盘pd的工艺。例如,当焊盘pd不正常地连接到端子cp时,电路板cb可以从焊盘区pa被移除。另外,残留在焊盘pd上的异物(例如,导电球)可以通过返工工艺被移除。
69.由于根据实施例的显示装置1000包括焊盘pd,因此可以有效地防止在返工工艺期间产生的在焊盘pd之间的短路缺陷。另外,由于显示装置1000包括虚设焊盘dpd,因此可以更容易地执行压痕检查工艺。
70.图3是图示在图1的显示装置中包括的焊盘的平面图。图4和图5是图示图1的显示装置的截面图。例如,沿图1的线i-i'截取的第一截面图和沿图3的线ii-ii'截取的第二截面图可以在图4中示出。第二截面图和沿图3的线iii-iii'截取的第三截面图可以在图5中示出。
71.参考图3、图4和图5,基板sub可以包括显示区da和焊盘区pa。基板sub可以由透明或不透明材料形成,或者包括透明或不透明材料。例如,基板sub可以由玻璃、石英或塑料等形成,或者包括玻璃、石英或塑料等。
72.缓冲层bfr可以被设置在基板sub上,并且可以在平面图中与显示区da重叠。换句话说,缓冲层bfr可以被设置在显示区da中。在实施例中,缓冲层bfr可以包括无机材料。例如,缓冲层bfr可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。缓冲层bfr可以防止金属原子或杂质从基板sub扩散到有源图案act中。另外,缓冲层bfr可以在用于形成有源图案act的结晶工艺期间控制供热的速率。
73.有源图案act可以被设置在缓冲层bfr上,并且可以在平面图中与显示区da重叠。在实施例中,有源图案act可以包括硅半导体或氧化物半导体等。例如,有源图案act可以包括非晶硅、多晶硅或金属氧化物。
74.栅绝缘层gi可以覆盖有源图案act,并且可以在平面图中与显示区da重叠。换句话说,栅绝缘层gi可以被设置在显示区da中。在实施例中,栅绝缘层gi可以包括无机绝缘材料。例如,栅绝缘层gi可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。
75.第一栅电极gat1可以被设置在栅绝缘层gi上,并且可以在平面图中与有源图案act重叠。在实施例中,第一栅电极gat1可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第一栅电极gat1可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等。第一栅电极gat1可以与有源图案act一起构成第一晶体管t1(参见图2)。
76.第一层间绝缘层ild1可以覆盖第一栅电极gat1,并且可以在平面图中与显示区da
重叠。在实施例中,第一层间绝缘层ild1可以包括无机绝缘材料。例如,第一层间绝缘层ild1可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。
77.第二栅电极gat2可以被设置在第一层间绝缘层ild1上,并且可以在平面图中与第一栅电极gat1重叠。在实施例中,第二栅电极gat2可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第二栅电极gat2可以与第一栅电极gat1包括相同的材料。第二栅电极gat2可以与第一栅电极gat1一起形成存储电容器cst(参见图2)。
78.第二层间绝缘层ild2可以覆盖第二栅电极gat2,并且可以在平面图中与显示区da重叠。在实施例中,第二层间绝缘层ild2可以包括无机绝缘材料。例如,第二层间绝缘层ild2可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。
79.第一源电极se1和第一漏电极de1(或第一连接电极)可以被设置在第二层间绝缘层ild2上,并且可以接触有源图案act。在实施例中,第一源电极se1和第一漏电极de1可以各自包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第一源电极se1和第一漏电极de1可以各自具有ti/al/ti结构。
80.第一通孔绝缘层via1可以覆盖第一源电极se1和第一漏电极de1,并且可以在平面图中与显示区da重叠。换句话说,第一通孔绝缘层via1可以被设置在显示区da中。在实施例中,第一通孔绝缘层via1可以包括有机绝缘材料。例如,第一通孔绝缘层via1可以包括光刻胶、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。
81.第二漏电极de2(或第二连接电极)可以被设置在第一通孔绝缘层via1上,并且可以接触第一漏电极de1。在实施例中,第二漏电极de2可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第二漏电极de2可以具有ti/al/ti结构。
82.第二通孔绝缘层via2可以覆盖第二漏电极de2,并且可以在平面图中与显示区da重叠。在实施例中,第二通孔绝缘层via2可以包括有机绝缘材料。
83.第一电极ade可以被设置在第二通孔绝缘层via2上,并且可以接触第二漏电极de2。在实施例中,第一电极ade可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第一电极ade可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等。在实施例中,第一电极ade可以具有ito/ag/ito结构。
84.像素限定层pdl可以被设置在第二通孔绝缘层via2和/或第一电极ade上,并且可以在平面图中与显示区da重叠。在实施例中,像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料。暴露第一电极ade的上表面的开口可以被限定在像素限定层pdl中。
85.发射层el可以被设置在开口中。发射层el可以基于驱动电流id(参见图2)产生光。例如,发射层el可以包括有机发光材料。
86.第二电极cte可以被设置在发射层el上。在实施例中,第二电极cte可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。第一电极ade、发射层el和第二电极cte可以构成有机发光二极管oled(参见图2)。
87.在显示装置1000中包括的发光二极管可以不限于有机发光二极管oled。在另一实施例中,例如,发光二极管可以包括微发光二极管(“微led”)、纳米发光二极管(“纳米led”)以及包括量子点(“qd”)和量子棒(“qr”)中的至少一种的发光二极管。
88.封装层enc可以被设置在第二电极cte上。封装层enc可以包括绝缘材料。在实施例中,封装层enc可以是封装基板。例如,封装层enc可以是玻璃基板、塑料基板或封装膜。在另一实施例中,封装层enc可以具有在其中无机层和有机层交替堆叠的结构。封装层enc可以防止异物渗透到发射层el中。
89.感测电极tpe可以被设置在封装层enc上。在实施例中,感测电极tpe可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,感测电极tpe可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等。感测电极tpe可以形成电容,并且用户的触摸可以基于电容中的变化的量被感测。
90.第一下绝缘层100可以被设置在基板sub上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。在实施例中,第一下绝缘层100可以包括无机材料。例如,第一下绝缘层100可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。在实施例中,第一下绝缘层100可以与缓冲层bfr一起形成。
91.第二下绝缘层200可以被设置在第一下绝缘层100上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。在实施例中,第二下绝缘层200可以包括无机材料。第二下绝缘层200可以与栅绝缘层gi一起形成。
92.焊盘pd可以被设置在第二下绝缘层200上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。焊盘pd中的每个焊盘pd可以包括第一导电图案300、第二导电图案500、第三导电图案600和第四导电图案700。
93.第一导电图案300可以被设置在第二下绝缘层200上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。在实施例中,第一导电图案300可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第一导电图案300可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等。第一导电图案300可以与第一栅电极gat1一起形成。
94.在实施例中,如图3中所示,第一导电图案300可以具有四边形形状rs。四边形形状rs可以包括在第一方向d1上延伸的第一边s1以及在第二方向d2上延伸的第二边s2。例如,第一边s1的第一长度lnt1可以小于第二边s2的第二长度lnt2。例如,第一长度lnt1可以是大约10微米(μm),并且第二长度lnt2可以是大约50μm到大约150μm。
95.绝缘层400可以覆盖第一导电图案300,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。绝缘层400可以包括第一绝缘层410和第二绝缘层420。
96.第一绝缘层410可以覆盖第一导电图案300,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。在实施例中,第一绝缘层410可以包括无机绝缘材料。例如,第一绝缘层410可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。第一绝缘层410可以与第一层间绝缘层ild1一起形成。
97.第二绝缘层420可以接触第一绝缘层410,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。在实施例中,第二绝缘层420可以包括无机绝缘材料。例如,第二绝缘层420可以包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅等。第二绝缘层420可以与第二层间绝缘层ild2一起形成。
98.在实施例中,如图3中所示,多个接触孔cnt可以形成在第一绝缘层410和第二绝缘层420中。换句话说,接触孔cnt可以贯穿第一绝缘层410和第二绝缘层420。因此,接触孔cnt
可以暴露第一导电图案300的上表面。
99.在实施例中,接触孔cnt可以包括第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3。第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3可以沿四边形形状rs的对角线方向被布置。如本文中使用的,“四边形形状的对角线方向”包括除四边形形状的垂直边的方向和水平边的方向之外的任意方向。具体地,第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3可以沿在第一方向d1与第二方向d2之间的第一对角线方向dd1被布置。在实施例中,第一对角线方向dd1可以是从四边形形状rs的左下顶点到右上顶点的方向。然而,根据本发明的第一对角线方向dd1不限于此。
100.在实施例中,第一长度lnt1可以大于接触孔cnt中的每个接触孔cnt的在其底部且在第一方向d1上的长度(例如,直径)ltc。例如,第一长度lnt1可以比接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc大至少3倍。第一长度lnt1可以大于大约9微米(μm),并且接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc可以小于大约3μm。另外,在实施例中,接触孔cnt中的每个接触孔cnt的面积可以小于7平方微米(μm2)。在实施例中,第一绝缘层410和第二绝缘层420可以包括重叠部分pp和非重叠部分fp。重叠部分pp可以围绕接触孔cnt,并且可以在平面图中与第一导电图案300重叠。非重叠部分fp的顶部可以被设置成低于重叠部分pp的顶部。在厚度方向(即,第四方向d4)上,重叠部分pp的第一厚度w1可以与非重叠部分fp的第二厚度w2相同。第四方向d4与由第一方向d1和第二方向d2限定的平面垂直。例如,第一厚度w1和第二厚度w2中的每个可以是大约6000埃至大约7000埃。第一绝缘层410的厚度可以是大约1400埃,并且第二绝缘层420的厚度可以是大约5000埃。
101.第二导电图案500可以被设置在第二绝缘层420上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。在实施例中,第二导电图案500可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。在第二导电图案500中包括的材料可以与在第一导电图案300中包括的材料不同。例如,第二导电图案500可以与第一源电极se1和第一漏电极de1一起形成,并且可以具有ti/al/ti结构。
102.在实施例中,第二导电图案500可以通过第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3接触第一导电图案300。
103.第三导电图案600可以被设置在第二导电图案500上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。第三导电图案600可以直接接触第二导电图案500。在实施例中,第三导电图案600可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。在第三导电图案600中包括的材料可以与在第二导电图案500中包括的材料相同。例如,第三导电图案600可以与第二漏电极de2一起形成,并且可以具有ti/al/ti结构。
104.第四导电图案700可以被设置在第三导电图案600上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。第四导电图案700可以直接接触第三导电图案600。在实施例中,第四导电图案700可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第四导电图案700可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等。第四导电图案700可以与感测电极tpe一起形成。
105.显示装置1000可以包括焊盘pd,并且焊盘pd中的每个焊盘pd可以包括第一至第四
导电图案300、500、600和700。第二导电图案500可以通过接触孔cnt接触第一导电图案300。
106.在实施例中,接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc(或面积)可以被设定成显著小于第一导电图案300的第一长度lnt1(或面积)。换句话说,第二导电图案500可以以点来接触第一导电图案300。因此,存在于第二导电图案500的上表面中的台阶区可以被最小化,并且焊盘pd中的每个焊盘pd可以具有基本平坦的上表面。因此,当执行返工工艺时,焊盘pd的形状可以不变形,并且可以防止焊盘pd之间的短路缺陷。
107.另外,在实施例中,接触孔cnt可以在第一对角线方向dd1上被布置。因此,可以容易地执行压痕检查工艺。换句话说,由于接触孔cnt在第一对角线方向dd1上被布置,因此可以容易地检查施加到端子cp(参见图1)、导电球和焊盘pd的压力。
108.图6至图11是图示用于制造图1的显示装置的方法的截面图。
109.参考图1、图4和图6,缓冲层bfr和第一下绝缘层100可以一起形成在基板sub上,并且有源图案act可以被设置在缓冲层bfr上。栅绝缘层gi和第二下绝缘层200可以一起形成,并且第一栅电极gat1和第一导电图案300可以一起形成。例如,在金属层形成在栅绝缘层gi和第二下绝缘层200上之后,该金属层可以被图案化。
110.参考图1、图4和图7,第一层间绝缘层ild1和第一初始绝缘层410'可以一起形成,并且第二栅电极gat2可以形成。第一层间绝缘层ild1可以覆盖第一栅电极gat1,并且第一初始绝缘层410'可以覆盖第一导电图案300。第二层间绝缘层ild2和第二初始绝缘层420'可以一起形成。第二层间绝缘层ild2可以接触第一层间绝缘层ild1,并且第二初始绝缘层420'可以接触第一初始绝缘层410'。
111.参考图1、图4和图8,源接触孔scnt、漏接触孔dncnt和接触孔cnt可以一起形成。源接触孔scnt和漏接触孔dncnt可以穿过栅绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2。源接触孔scnt可以暴露有源图案act的源区,并且漏接触孔dncnt可以暴露有源图案act的漏区。接触孔cnt可以穿过第一初始绝缘层410'和第二初始绝缘层420'。接触孔cnt中的每个接触孔cnt可以将第一导电图案300的上表面暴露出长度ltc。因此,第一绝缘层410和第二绝缘层420可以形成。
112.参考图1、图4和图9,第一源电极se1、第一漏电极de1和第二导电图案500可以一起形成。第一源电极se1和第一漏电极de1可以形成在第二层间绝缘层ild2上。第一源电极se1可以填充源接触孔scnt(参见图8),并且第一漏电极de1可以填充漏接触孔dncnt(参见图8)。第二导电图案500可以形成在第二绝缘层420上,并且可以填充接触孔cnt(参见图8)。因此,第二导电图案500可以接触第一导电图案300。
113.参考图1、图4和图10,第一通孔绝缘层via1可以形成,并且第二漏电极de2和第三导电图案600可以一起形成。第二漏电极de2可以接触第一漏电极de1,并且第三导电图案600可以接触第二导电图案500。
114.参考图1、图4和图11,第二通孔绝缘层via2、第一电极ade、像素限定层pdl、发射层el、第二电极cte和封装层enc可以顺序地形成,并且感测电极tpe和第四导电图案700可以一起形成。第四导电图案700可以接触第三导电图案600,并且可以具有基本平坦的顶表面。
115.图12是图示在图1的显示装置中包括的虚设焊盘的平面图。图13是图示图1的显示装置的截面图。例如,沿图3的线ii-ii'截取的第二截面图和沿图12的线iv-iv'截取的第四截面图可以在图13中示出。
116.虚设焊盘dpd可以被设置在第二下绝缘层200上,并且可以在平面图中与焊盘区pa重叠。虚设焊盘dpd中的每个虚设焊盘dpd可以包括第一虚设图案d300、第二虚设图案d500、第三虚设图案d600和第四虚设图案d700。
117.第一虚设图案d300可以被设置在第二下绝缘层200上,并且可以与焊盘区pa重叠。在实施例中,第一虚设图案d300可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第一虚设图案d300可以与第一导电图案300一起形成,并且可以与第一导电图案300包括相同的材料。
118.在实施例中,如图12中所示,第一虚设图案d300可以具有矩形形状。矩形形状可以与参考图3描述的矩形形状rs基本相同。
119.在实施例中,如图12中所示,单个虚设接触孔dcnt可以形成在第一绝缘层410和第二绝缘层420中。换句话说,虚设接触孔dcnt可以穿过第一绝缘层410和第二绝缘层420。因此,虚设接触孔dcnt可以暴露第一虚设图案d300的顶表面。
120.在实施例中,虚设接触孔dcnt的在第一方向d1上的第一虚设接触孔长度dltc1可以大于接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc。另外,虚设接触孔dcnt的在第二方向d2上的第二虚设接触孔长度dltc2可以大于长度ltc。在实施例中,虚设接触孔dcnt的面积可以大于大约500μm2。换句话说,虚设接触孔dcnt的面积可以大于接触孔cnt中的每个接触孔cnt的面积。
121.第二虚设图案d500可以被设置在第二绝缘层420上,并且可以与焊盘区pa重叠。在实施例中,第二虚设图案d500可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第二虚设图案d500可以与第二导电图案500一起形成,并且可以与第二导电图案500包括相同的材料。
122.在实施例中,第二虚设图案d500可以通过虚设接触孔dcnt接触第一虚设图案d300。
123.第三虚设图案d600可以被设置在第二虚设图案d500上,并且可以与焊盘区pa重叠。第三虚设图案d600可以直接接触第二虚设图案d500。在实施例中,第三虚设图案d600可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第三虚设图案d600可以与第三导电图案600一起形成,并且可以与第三导电图案600包括相同的材料。
124.第四虚设图案d700可以被设置在第三虚设图案d600上,并且可以与焊盘区pa重叠。第四虚设图案d700可以直接接触第三虚设图案d600。在实施例中,第四虚设图案d700可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如,第四虚设图案d700可以与第四导电图案700一起形成,并且可以与第四导电图案700包括相同的材料。
125.显示装置1000可以包括虚设焊盘dpd,并且虚设焊盘dpd中的每个虚设焊盘dpd可以包括第一到第四虚设图案d300、d500、d600和d700。第二虚设图案d500可以通过虚设接触孔dcnt接触第一虚设图案d300。
126.在实施例中,虚设接触孔dcnt的第一虚设接触孔长度dltc1(或第二虚设接触孔长度dltc2)可以被设定成显著大于接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc。换句话说,第二虚设图案d500可以以表面来接触第一虚设图案d300。换句话说,第一绝缘层410和第二绝缘层420的被移除以形成虚设焊盘dpd的面积可以增大。因此,可以减少被堆叠以形成虚设焊盘dpd的层的数量,并且可以提高虚设焊盘dpd的可视性。因此,可以更容易地执行在虚设焊
盘dpd上执行的压痕检查工艺。通过这样,可以更容易地查看焊盘pd的压痕状态。
127.图14是图示根据另一实施例的显示装置的平面图。
128.参考图14,根据另一实施例的显示装置1100可以包括多个焊盘pd'和多个虚设焊盘。然而,显示装置1100可以与参考图1和图3描述的显示装置1000基本相同,除了焊盘pd'之外。
129.焊盘pd'可以包括第一导电图案300、第二导电图案500'、第三导电图案600'和第四导电图案700'。第一导电图案300可以与参考图3和图4描述的第一导电图案300基本相同。然而,由于接触孔cnt的位置改变,第二导电图案500'、第三导电图案600'和第四导电图案700'的布置可以与参考图3和图4描述的第二导电图案500、第三导电图案600和第四导电图案700的布置不同。
130.具体地,在实施例中,接触孔cnt可以包括第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3。第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3可以沿四边形形状rs的对角线方向被布置。例如,第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3可以沿在第三方向d3与第二方向d2之间的第二对角线方向dd2被布置。第三方向d3与第一方向d1相反。在实施例中,第二对角线方向dd2可以是从四边形形状rs的右下顶点到左上顶点的方向。然而,根据本发明的第二对角线方向dd2不限于此。
131.第二导电图案500'可以被设置在第一导电图案300上,并且可以通过第一至第三接触孔cnt1、cnt2和cnt3接触第一导电图案300。第三导电图案600'可以被设置在第二导电图案500'上,并且可以接触第二导电图案500'。第四导电图案700'可以被设置在第三导电图案600'上,并且可以接触第三导电图案600'。
132.图15是图示根据又一实施例的显示装置的平面图。
133.参考图15,根据又一实施例的显示装置1200可以包括多个焊盘pd”和多个虚设焊盘。然而,显示装置1200可以与参考图1和图3描述的显示装置1000基本相同,除了焊盘pd”之外。
134.焊盘pd”可以包括第一导电图案300、第二导电图案500”、第三导电图案600”和第四导电图案700”。第一导电图案300可以与参考图3和图4描述的第一导电图案300基本相同。然而,由于接触孔cnt的位置改变,第二导电图案500”、第三导电图案600”和第四导电图案700”的布置可以与参考图3和图4描述的第二导电图案500、第三导电图案600和第四导电图案700的布置不同。
135.具体地,在实施例中,接触孔cnt可以包括第一接触孔cnt1、第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3。第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2可以沿四边形形状rs的第三对角线方向dd3被布置,并且第二接触孔cnt2和第三接触孔cnt3可以沿四边形形状rs的第四对角线方向dd4被布置。这里,第三对角线方向dd3可以在第一对角线方向dd1与第一方向d1之间,如图15中所示,并且在逆时针方向上,第三对角线方向dd3相对于第一方向d1的角可以小于第一对角线方向dd1相对于第一方向d1的角。第四对角线方向dd4可以在第二对角线方向dd2与第三方向d3之间,如图15中所示,并且在顺时针方向上,第四对角线方向dd4相对于第三方向d3的角可以小于第二对角线方向dd2相对于第三方向d3的角。第三对角线方向dd3可以与第四对角线方向dd4交叉。因此,第一接触孔cnt1和第三接触孔cnt3可以沿第二方向d2并排布置。因此,当在平面图中观察时,第一接触孔cnt1至第三接触孔cnt3可以被布置成三角
形形状。
136.第二导电图案500”可以被设置在第一导电图案300上,并且可以通过第一至第三接触孔cnt1、cnt2和cnt3接触第一导电图案300。第三导电图案600”可以被设置在第二导电图案500”上,并且可以接触第二导电图案500”。第四导电图案700”可以被设置在第三导电图案600”上,并且可以接触第三导电图案600”。
137.根据实施例的显示装置1000、1100或1200可以包括多个焊盘pd、pd'或pd”以及多个虚设焊盘dpd。
138.焊盘pd、pd'或pd”中的每个可以包括第一导电图案300以及通过接触孔cnt接触第一导电图案300的第二导电图案500、500'或500”。接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc(或面积)可以被设定成显著小于第一导电图案300的第一长度lnt1(或面积)。换句话说,第二导电图案500、500'或500”可以以点来接触第一导电图案300。因此,存在于第二导电图案500、500'或500”的上表面中的台阶区可以被最小化,并且焊盘pd、pd'或pd”中的每个可以具有基本平坦的上表面。因此,当执行返工工艺时,焊盘pd、pd'或pd”的形状可以不变形,并且可以防止焊盘pd、pd'或pd”之间的短路缺陷。
139.另外,接触孔cnt可以沿第一对角线方向dd1、第二对角线方向dd2、第三对角线方向dd3和/或第四对角线方向dd4被布置。因此,可以容易地执行压痕检查工艺。换句话说,由于接触孔cnt沿第一对角线方向dd1、第二对角线方向dd2、第三对角线方向dd3和/或第四对角线方向dd4被布置,因此可以容易地检查施加到端子cp(参见图1)、导电球和焊盘pd、pd'或pd”的压力。
140.另外,虚设焊盘dpd中的每个虚设焊盘dpd可以包括第一虚设图案d300以及通过虚设接触孔dcnt接触第一虚设图案d300的第二虚设图案d500。虚设接触孔dcnt的长度dltc1或dltc2(或面积)可以被设定成显著大于接触孔cnt中的每个接触孔cnt的长度ltc(或面积)。换句话说,第二虚设图案d500可以以表面来接触第一虚设图案d300。因此,可以减少被堆叠以形成虚设焊盘dpd的层的数量,并且可以提高虚设焊盘dpd的可视性。因此,可以更容易地执行在虚设焊盘dpd上执行的压痕检查工艺。通过这样,可以更容易地查看焊盘pd、pd'或pd”的压痕状态。
141.图16是图示包括根据实施例的显示装置的电子装置的框图。
142.参考图16,电子装置2100可以包括处理器2110、存储器装置2120、储存装置2130、输入/输出(i/o)装置2140、电源2150和显示装置2160。
143.电子装置2100可以进一步包括能够与视频卡、声卡、存储卡、usb装置或其他系统通信的若干端口。
144.处理器2110可以执行特定的计算或任务。在实施例中,处理器2110可以是微处理器或中央处理单元(“cpu”)等。处理器2110可以通过地址总线、控制总线和数据总线连接到其他部件。在另一实施例中,处理器2110还可以连接到诸如外围部件互连(“pci”)总线的扩展总线。
145.存储器装置2120可以存储电子装置2100的操作所需的数据。例如,存储器装置2120可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(“eprom”)、电可擦除可编程只读存储器(“eeprom”)、快闪存储器、相变随机存取存储器(“pram”)、电阻随机存取存储器(“rram”)、纳米浮栅存储器(“nfgm”)、聚合物随机存取存储器(“poram”)、磁性随机存取存储器
(“mram”)或铁电随机存取存储器(“fram”)的非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(“dram”)、静态随机存取存储器(“sram”)或移动dram等的易失性存储器装置。
146.储存装置2130可以包括固态驱动器(“ssd”)、硬盘驱动器(“hdd”)或cd-rom等。输入/输出装置2140可以包括诸如键盘、小型键盘、触摸板、触摸屏或鼠标的输入装置以及诸如扬声器或打印机的输出装置。电源2150可以供给电子装置2100的操作所需的电力。显示装置2160可以通过总线或其他通信链路连接到其他部件。
147.电子装置2100可以包括移动电话、智能电话、平板计算机、数字tv、3d tv、个人计算机(“pc”)、家用电子装置、膝上型计算机、个人数字助理(“pda”)、便携式多媒体播放器(“pmp”)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机或导航设备等。
148.尽管本文中已经描述了特定示例性实施例和实施方式,但是其它实施例和修改将从该描述中显而易见。因此,本发明构思不限于这样的实施例,而是限于随附权利要求以及如对本领域普通技术人员将是显而易见的各种明显的修改和等同布置的更广泛的范围。
再多了解一些

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