双向静电放电保护装置的制作方法

技术特征：
1.一种双向静电放电保护装置，其特征在于，包括：至少一个双极性接面晶体管；以及至少一个硅控整流器，串联耦接所述至少一个双极性接面晶体管，其中在静电放电电压施加在所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器时，所述至少一个双极性接面晶体管的崩溃电压的绝对值小于所述至少一个硅控整流器的崩溃电压的绝对值，且所述至少一个双极性接面晶体管的握持电压的绝对值大于所述至少一个硅控整流器的握持电压的绝对值。2.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，在正静电放电电压施加在所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器时，所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器具有一第一代表性电流对电压曲线，在负静电放电电压施加在所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器时，所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器具有一第二代表性电流对电压曲线，所述第一代表性电流对电压曲线与所述第二代表性电流对电压曲线以零电压为中心彼此呈对称或非对称。3.如权利要求2所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述第一代表性电流对电压曲线具有一第一崩溃电压、一第一握持电压与一第一箝位电压，所述第二代表性电流对电压曲线具有一第二崩溃电压、一第二握持电压与一第二箝位电压，所述第一崩溃电压、所述第一握持电压与所述第一箝位电压的绝对值分别等于所述第二崩溃电压、所述第二握持电压与所述第二箝位电压的绝对值。4.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，还包括：一半导体基板，具有第一导电型，所述半导体基板上设有一磊晶层，所述磊晶层具有与所述第一导电型相反的第二导电型，所述至少一个双极性接面晶体管、一第一掺杂阱区与至少一个第二掺杂阱区设于所述磊晶层中，所述第一掺杂阱区与所述至少一个第二掺杂阱区具有所述第一导电型，一第一重掺杂区与一第二重掺杂区设于所述第一掺杂阱区中，所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区分别具有所述第二导电型与所述第一导电型，至少一个第三重掺杂区与至少一个第四重掺杂区设于所述至少一个第二掺杂阱区中，所述至少一个第三重掺杂区与所述至少一个第四重掺杂区分别具有所述第一导电型与所述第二导电型，所述磊晶层、所述第一掺杂阱区、所述至少一个第二掺杂阱区、所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区、所述至少一个第三重掺杂区与所述至少一个第四重掺杂区形成所述至少一个硅控整流器，所述至少一个双极性接面晶体管经由一外部导线耦接所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区；以及一隔离结构，设于所述磊晶层中，并位于所述至少一个硅控整流器与所述至少一个双极性接面晶体管之间，其中所述隔离结构接触所述半导体基板，并将所述至少一个硅控整流器与所述至少一个双极性接面晶体管隔离，所述隔离结构的底部位置等于或深于所述磊晶层的底部位置。5.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述隔离结构设于所述半导体基板中。6.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述隔离结构环绕所述至少一个硅控整流器与所述至少一个双极性接面晶体管。
7.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，还包括一重掺杂埋层，其设于所述半导体基板与所述磊晶层之间，并设于所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器的下方，其中所述重掺杂埋层具有所述第二导电型，所述隔离结构贯穿所述重掺杂埋层。8.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。9.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型。10.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述至少一个双极性接面晶体管包括：至少一个第三掺杂阱区，设于所述磊晶层中；以及至少一个第五重掺杂区与至少一个第六重掺杂区，设于所述至少一个第三掺杂阱区，其中所述至少一个第五重掺杂区与所述至少一个第六重掺杂区的导电型与所述至少一个第三掺杂阱区的导电型相反，所述至少一个第六重掺杂区耦接所述外部导线。11.如权利要求10所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述至少一个第五重掺杂区耦接一第一接脚，所述至少一个第三重掺杂区与所述至少一个第四重掺杂区耦接一第二接脚。12.如权利要求11所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述正静电放电电压施加在所述第一接脚与所述第二接脚时，静电放电电流依序通过所述至少一个第五重掺杂区、所述至少一个第三掺杂阱区、所述至少一个第六重掺杂区、所述外部导线、所述第一重掺杂区、所述第一掺杂阱区、所述磊晶层、所述至少一个第二掺杂阱区与所述至少一个第三重掺杂区。13.如权利要求11所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述负静电放电电压施加在所述第一接脚与所述第二接脚时，静电放电电流依序通过所述至少一个第四重掺杂区、所述至少一个第二掺杂阱区、所述磊晶层、所述第一掺杂阱区、所述第二重掺杂区、所述外部导线、所述至少一个第六重掺杂区、所述至少一个第三掺杂阱区与所述至少一个第五重掺杂区。14.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述至少一个双极性接面晶体管包括多个双极性接面晶体管。15.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述至少一个硅控整流器包括多个硅控整流器。

技术总结
本发明公开一种双向静电放电保护装置，包括至少一个双极性接面晶体管与至少一个硅控整流器。硅控整流器串联耦接双极性接面晶体管。在静电放电电压施加在双极性接面晶体管与硅控整流器时，双极性接面晶体管的崩溃电压的绝对值小于硅控整流器的崩溃电压的绝对值，且双极性接面晶体管的握持(holding)电压的绝对值大于硅控整流器的握持电压的绝对值。值大于硅控整流器的握持电压的绝对值。值大于硅控整流器的握持电压的绝对值。


技术研发人员：陈致维 范美莲 林昆贤
受保护的技术使用者：晶焱科技股份有限公司
技术研发日：2022.02.10
技术公布日：2022/5/31