显示基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种显示基板及显示面板。


背景技术：

2.各大面板厂正在积极开发微型发光二极管显示面板(minled面板或microled面板)，微型发光二极管显示面板有望作为下一代显示面板的核心技术。
3.然而，微型发光二极管显示面板当前存在出光效率低的问题，led芯片上设置透明胶材后，由于折射率的差异，led芯片发出的部分光线在透明胶材的表面会发生全反射，降低了出光效率，使得微型发光二极管显示面板的亮度较低。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示基板及显示面板，可以解决微型发光二极管显示面板中光线在透明胶材的表面发生全反射，led芯片出光效率较低，显示面板亮度较低的问题。
5.本技术实施例提供了一种显示基板，包括：
6.驱动基板；
7.多个led芯片，阵列设置于所述驱动基板上；
8.光学胶层，设置于所述驱动基板上且覆盖所述led芯片；
9.其中，所述光学胶层远离所述led芯片的表面上包括多个微结构，每一所述微结构包括凸起或凹陷。
10.可选地，在本技术的一些实施例中，所述微结构与所述光学胶层为一体成型结构。
11.可选地，在本技术的一些实施例中，所述微结构为形成在所述光学胶层表面的光提取层，所述光提取层的材料不同于所述光学胶层的材料。
12.可选地，在本技术的一些实施例中，所述光提取层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。
13.可选地，在本技术的一些实施例中，所述微结构的截面形状包括弧形、三角形、梯形中的至少一种。
14.可选地，在本技术的一些实施例中，多个所述微结构相邻设置。
15.可选地，在本技术的一些实施例中，多个所述微结构间隔设置。
16.可选地，在本技术的一些实施例中，所述光学胶层的材料包括oca、ocr、白色油墨中的至少一种。
17.可选地，在本技术的一些实施例中，所述微结构通过曝光、刻蚀的方法形成。
18.相应地，本技术实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例中任一项所述的显示基板，所述显示基板用作所述显示面板的背光，或所述显示基板的所述led芯片用作所述显示面板的显示像素。
19.本技术实施例中，提供了一种显示基板及显示面板，显示基板包括：驱动基板；多个led芯片，阵列设置于驱动基板上；光学胶层，设置于驱动基板上且覆盖led芯片；其中，光
学胶层远离led芯片的表面上包括多个微结构，每一微结构包括凸起或凹陷。本技术通过在光学胶层表面设置多个微结构，微结构用以提升led芯片的出光效率，可以减少光线在透明胶材的表面发生的全反射，提升了led芯片出光效率，提高了显示面板亮度。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为本技术实施例提供的一种显示基板的第一种截面结构示意图；
22.图2为本技术实施例提供的一种显示基板的第二种截面结构示意图；
23.图3为本技术实施例提供的一种显示基板的第三种截面结构示意图；
24.图4为本技术实施例提供的一种显示基板的第四种截面结构示意图；
25.图5为本技术实施例提供的一种显示基板的第五种截面结构示意图；
26.图6为本技术实施例提供的一种显示基板的第六种截面结构示意图。
27.图7为本技术实施例提供的一种显示面板的第一种截面结构示意图；
28.图8为本技术实施例提供的一种显示面板的第二种截面结构示意图。
具体实施方式
29.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
30.本技术实施例提供了一种显示基板，包括：驱动基板；多个led芯片，阵列设置于驱动基板上；光学胶层，设置于驱动基板上且覆盖led芯片；其中，光学胶层远离led芯片的表面上包括多个微结构，每一微结构包括凸起或凹陷。本技术实施例还提供了包括前述显示基板的显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
31.实施例一
32.请参阅图1至图6，图1为本技术实施例提供的一种显示基板100的第一种截面结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种显示基板100的第二种截面结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种显示基板100的第三种截面结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种显示基板100的第四种截面结构示意图；图5为本技术实施例提供的一种显示基板100的第五种截面结构示意图；
33.图6为本技术实施例提供的一种显示基板100的第六种截面结构示意图。
34.本技术实施例提供了一种显示基板100，显示基板100包括驱动基板10、多个led芯
片20、光学胶层30，多个led芯片20阵列设置于驱动基板10上；光学胶层30设置于驱动基板10上且覆盖led芯片20；其中，光学胶层30远离led芯片的表面上包括多个微结构31，每一微结构31包括凸起或凹陷。
35.具体地，驱动基板10可以包括任意材质的基底，例如驱动基板10可以包括玻璃材质的基底，驱动基板10可以为阵列基板，驱动基板10可以包括驱动led芯片的走线或/和薄膜晶体管。
36.具体地，通过在光学胶层30的表面设置多个微结构31，微结构31用以提升led芯片的出光效率，可以减少光线在透明胶材(光学胶层30)的表面发生的全反射，提升了led芯片20出光效率，提高了显示面板亮度。
37.在一些实施例中，微结构31与光学胶层30为一体成型结构。
38.具体地，如图1、图3至图6所示，微结构31与光学胶层30为一体成型结构。
39.具体地，可以在光学胶层30上通过涂布光阻，然后进行显影、刻蚀等工艺形成微结构31。
40.在一些实施例中，微结构31为形成在光学胶层30表面的光提取层311，光提取层311的材料不同于光学胶层30的材料。
41.具体地，如图2所示，微结构31为形成在光学胶层30表面的光提取层311，光提取层311的材料不同于光学胶层30的材料。
42.在一些实施例中，光提取层311的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。
43.具体地，如图2所示，光提取层311的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。
44.具体地，可以先在光学胶层30表面形成氮化硅、氧化硅等材料的膜层，然后，通过刻蚀的方法，将氮化硅、氧化硅等材料的膜层刻蚀成微结构31。
45.需要说明的是，虽然图1、图3至图6示意了微结构31与光学胶层30为一体成型结构，但图1、图3至图6中的微结构也可以是形成在光学胶层30表面的光提取层311。
46.在一些实施例中，微结构31的截面形状包括弧形、三角形、梯形中的至少一种。
47.具体地，如图1至图6所示，微结构31的截面形状包括弧形、三角形、梯形中的至少一种。
48.具体地，微结构31为凸起时，凸起的截面形状包括弧形、三角形、梯形中的至少一种。
49.具体地，微结构31为凹陷时，凹陷的截面形状包括弧形、三角形、梯形中的至少一种。
50.在一些实施例中，多个微结构31相邻设置。
51.具体地，如图6所示，多个微结构31相互接触的相邻设置。
52.具体地，微结构31为凸起时，多个凸起相互接触的相邻设置。
53.具体地，微结构31为凹陷时，多个凹陷相互接触的相邻设置。
54.需要说明的是，图1至图5中的多个微结构31也可以相互接触的相邻设置。
55.在一些实施例中，多个微结构31间隔设置。
56.具体地，如图1至图5所示，多个微结构31间隔设置，即多个微结构31间隔不相互接触设置。
57.具体地，微结构31为凸起时，多个凸起间隔设置，即多个凸起间隔不相互接触设
置。
58.具体地，微结构31为凹陷时，多个凹陷间隔设置，即多个凹陷间隔不相互接触设置。
59.在一些实施例中，光学胶层30的材料包括oca、ocr、白色油墨中的至少一种。
60.具体地，光学胶层30还可以包括oca、ocr、白色油墨之外的透明材料。
61.在一些实施例中，微结构通过曝光、刻蚀的方法形成。
62.具体地，微结构31与光学胶层30为一体成型结构时，可以在光学胶层30上通过涂布光阻，然后进行显影、刻蚀等工艺形成微结构31。
63.具体地，微结构31为形成在光学胶层30表面的光提取层311，光提取层311的材料不同于光学胶层30的材料时，可以先在光学胶层30表面形成氮化硅、氧化硅等材料的膜层，然后，通过刻蚀的方法，将氮化硅、氧化硅等材料的膜层刻蚀成微结构31。
64.在本技术实施例中，提供了一种显示基板，显示基板包括：驱动基板；多个led芯片，阵列设置于驱动基板上；光学胶层，设置于驱动基板上且覆盖led芯片；其中，光学胶层远离led芯片的表面上包括多个微结构，每一微结构包括凸起或凹陷。本技术实施例通过在光学胶层表面设置多个微结构，微结构用以提升led芯片的出光效率，可以减少光线在透明胶材的表面发生的全反射，提升了led芯片出光效率，提高了显示面板亮度。
65.具体地，如图4所示，图4举例示意了通过微结构31增强了出射光101的强度，减少了全反射光102的强度。
66.实施例二
67.请参阅图7和图8，图7为本技术实施例提供的一种显示面板200的第一种截面结构示意图；图8为本技术实施例提供的一种显示面板200的第二种截面结构示意图。
68.本技术实施例提供了一种显示面板200，显示面板200包括上述实施例中任一项的显示基板100。显示基板100用作显示面板200的背光，或显示基板100的led芯片20用作显示面板200的显示像素。
69.在一些实施例中，如图7所示，显示面板200包括显示基板100，显示基板100用作显示面板200的背光。
70.具体地，显示基板100用作显示面板200的背光中的部件，显示基板100的出光侧或光学胶层30远离驱动基板10的一侧还设置有显示面板本体300，显示面板本体300用于显示图像，显示基板100用作显示面板本体300的光源。
71.具体地，显示面板本体300可以为液晶显示面板，液晶显示面板的类型在此不做限定，例如液晶显示面板可以为垂直配向型液晶显示面板(va模式液晶显示面板)、边缘场开关型液晶显示面板(ffs模式或ips模式液晶显示面板)、扭曲向列相型液晶显示面板(tn模式液晶显示面板)。
72.在一些实施例中，如图8所示，显示基板100的led芯片20用作显示面板200的显示像素。
73.具体地，显示基板100的led芯片20用作显示面板200的显示像素，显示基板100直接显示图像。
74.具体地，led芯片20可以包括发出不同颜色的光的第一led芯片、第二led芯片、第三led芯片，例如第一led芯片、第二led芯片、第三led芯片可以分别发出红光、绿光、蓝光，
以使得显示面板200能够显示彩色图像。
75.需要说明的是，在上述实施例中，led芯片20(微型发光二极管)可以为minled或microled。
76.以上对本技术实施例所提供的一种显示基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。