晶圆处理用粘结膜的制作方法

技术特征：
1.一种晶圆处理用粘结膜，其特征在于，包括：多层基材；以及第一粘结剂层，配置在上述多层基材的上表面，上述多层基材形成第二粘结剂层设置于上部基材层与下部基材层之间的夹层式结构，上述下部基材层及上部基材层具有1000mpa以上的模量，上述第二粘结剂层具有10mpa以下的模量。2.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述下部基材层和上部基材层分别包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、全芳香族聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯组成的组中的一种以上。3.根据权利要求2所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述下部基材层及上部基材层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯。4.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述第二粘结剂层的玻璃化转变温度为10℃以下。5.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述第二粘结剂层包含热固性丙烯酸类粘结剂。6.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述第二粘结剂层具有100μm以下的厚度。7.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，在上述上部基材层的上表面、上述上部基材层的下表面及上述下部基材层的上表面中的至少一面还额外形成有底漆层。8.一种晶圆粘结膜组件，其特征在于，在形成有多个半导体芯片的晶圆的表面粘附有根据权利要求1至7中任一项所述的粘结膜。

技术总结
本发明公开晶圆处理用粘结膜，可获得在晶圆处理工序中防止半导体芯片产生碰撞的效果。本发明的晶圆处理用粘结膜包括：多层基材；以及第一粘结剂层，配置在上述多层基材的上表面，上述多层基材形成第二粘结剂层设置于下部基材层与上部基材层之间的夹层式结构。基材层与上部基材层之间的夹层式结构。基材层与上部基材层之间的夹层式结构。


技术研发人员：郑喆 金荣建 朴钟贤 申泛析 金镇范 崔裁原
受保护的技术使用者：利诺士尖端材料有限公司
技术研发日：2021.11.10
技术公布日：2022/5/31