微机械构件的制作方法

1.本发明涉及一种微机械构件。本发明还涉及一种用于制造微机械构件的方法。


背景技术：

2.在制造表面微机械传感器、例如惯性传感器或压力传感器时，存在以下必要性：必须借助蚀刻通路从腔体区域中去除牺牲层，以便能够制造可自由运动的结构，例如可运动的材料或膜。通常必须在进行去除之后将这些蚀刻通路再次封闭，以便能够实现所定义的腔体内压。
3.然而，例如在压力传感器的情况下，从层系统的上侧直接通向腔体区域中的蚀刻通路可能导致膜稳定性降低。在具有至少一个腔体区域之外的蚀刻通路的变型中，则必须为此确保横向的蚀刻通道横截面足够大，否则现存足够大量的蚀刻通道以便能够保证迅速、均匀和完全地去除功能层系统内的牺牲层。然而在制造功能层系统内的较大蚀刻通道横截面中，经常存在由于实现传感器元件所需的现存层厚度和横向的层尺寸所造成的限制。
4.但由于持续进展的小型化，在功能层系统中可供制造蚀刻通道使用的几何尺寸正在降低。为了在牺牲层蚀刻中避免例如多晶硅印制导线的底切理想地将牺牲层印制导线和功能层系统的其他层沉积在此外相对于如下介质耐刻蚀的电绝缘层上：借助该介质去除蚀刻通道中的和/或腔体区域中的牺牲层。在该蚀刻停止层的下方可以存在构成传感器元件的子结构(unterbau)的其他层。
5.在所述两种蚀刻通路变型中，必须为了制造传感器元件的功能性而从腔体区域出发导引电印制导线。为此，必须使围绕腔体区域的横向蚀刻限界中断。若围绕电印制导线的电绝缘层在此也由一个或多个牺牲层的材料(例如sio2)构成，则也沿着印制导线结构进行电绝缘层的蚀刻/去除。若需要较长蚀刻时间以去除腔体区域中的牺牲层，则也可以在腔体区域之外进行牺牲层材料的大面积去除。由于日益发展的小型化和与此相关的、在相邻构件/传感器之间的短路径，而由此可能产生相邻构件中非期望的腐蚀或非期望的至腔体的通风通路。


技术实现要素：

6.本发明的一个任务是提供一种尤其涉及上述方面的经改善的微机械构件。
7.根据第一方面，该任务以一种微机械构件来解决，该构件具有：
[0008]-覆盖元件；
[0009]-布置在覆盖元件的下方的腔体；
[0010]-至少一个垂直蚀刻通道，其布置在覆盖元件的锚固结构之外；
[0011]-至少一个横向蚀刻通道，其从至少一个垂直蚀刻通道出发设置在蚀刻停止层的下方和腔体的下方，并布置在蚀刻停止层与硅衬底之间；和
[0012]-构造在至少一个横向蚀刻通道与腔体之间的至少一个通路蚀刻通道。
[0013]
根据第二方面，该任务借助一种用于制造微机械构件的方法来解决，该方法具有以下步骤：
[0014]-在覆盖元件的下方构造腔体；
[0015]-构造布置在覆盖元件的锚固结构之外的至少一个垂直蚀刻通道；其中，借助至少一个横向蚀刻通道和通入腔体中的至少一个通路蚀刻通道执行腔体的构造，所述至少一个横向蚀刻通道从垂直蚀刻通道出发设置在蚀刻停止层的下方和腔体的下方并布置在蚀刻停止层与硅衬底之间。
[0016]
以这种方式能够有利地通过延伸到横向蚀刻通路中的唯一垂直蚀刻通路从下方清空覆盖元件的下方的腔体区域。覆盖元件和电印制导线以这种方式能够有利地在很大程度上不受横向蚀刻通道的影响。有利地能够在必要时从垂直蚀刻通道出发设立横向蚀刻通道的交织网(geflecht)，由此能够以简单的方式从下方通向腔体区域中地构造蚀刻通路。
[0017]
以这种方式能够有利地支持：能够在腔体区域的下方和蚀刻停止层的下方的定义的位置处设置有至少一个横向蚀刻通道，从所述至少一个横向蚀刻通道出发能够提供通过蚀刻停止层的至少一个通路蚀刻通道，以用于从下方对腔体区域进行蚀刻技术上的清空。
[0018]
由此能够以高效的方式分布用于清空腔体区域的气态蚀刻介质。以这种方式能够有利地在相对较短的时间内从下方清空腔体区域，而不仅如常规地所设置的那样，由原理所决定地以相对较长的蚀刻时间从侧面而来地清空。
[0019]
以这种方式有利地能够将蚀刻介质非常高效地分布在腔体区域内，其中，蚀刻前端能够从通过蚀刻停止层的至少一个通路蚀刻通道和在蚀刻停止层与衬底之间的至少一个横向蚀刻通道出发开始从下方进入腔体区域。在结果上，以这种方式能够快速而高效地从下方大面积地清空较大的腔体区域。
[0020]
微机械构件的优选扩展方案能够通过在优选实施方式中所列举的措施实现。
[0021]
微机械构件的一种有利扩展方案的特征在于，垂直蚀刻通道构造为缝隙柱形的或管形的。由此有利地得出垂直蚀刻通道的不同几何构型。
[0022]
微机械构件的其他的有利扩展方案的特征在于，在第一二氧化硅层中构造有在横向上对至少一个横向蚀刻通道限界的至少一个能够导电的限界元件和/或电绝缘的限界元件。
[0023]
以这种方式能够构造导电的“si插塞(si-plugs)”，借助其有利地得出多种用于电接通微机械构件的不同元件的可能性。以这种方式也能够经由垂直蚀刻通道实现例如电衬底触点。此外，能够在制造至少一个横向蚀刻通道中将至少一个限界元件设置为横向蚀刻停止结构。在具有不能够导电的限界元件的变型中，同样能够实现所述优点。在两种变型中至关重要的是，所述限界元件是耐蚀刻的或者说相对于用于去除腔体区域中的一个或多个牺牲层的蚀刻介质具有较低的蚀刻速率。
[0024]
微机械构件的另一有利扩展方案的特征在于，垂直蚀刻通道构造为与覆盖元件导电连接或与覆盖元件电绝缘。以这种方式能够实现用于电接通覆盖元件的不同可能性。
[0025]
微机械构件的另一有利扩展方案的特征在于，至少一个横向蚀刻通道在第一二氧化硅层中被至少一个相对于牺牲层蚀刻介质耐蚀刻的导电的限界元件或电绝缘的限界元件限界。以这种方式能够将垂直蚀刻通道与其余的层系统导电连接或与其绝缘。
[0026]
微机械构件的另一有利扩展方案的特征在于，至少一个横向蚀刻通道至少部分地构造在衬底内或至少部分地构造在衬底上方。由此有利地能够为至少一个横向蚀刻通道构造更大的横截面。
[0027]
微机械构件的其他的有利扩展方案的特征在于，从至少一个垂直蚀刻通道出发和/或从至少一个横向蚀刻通道出发构造有多个横向蚀刻通道，其中，所述多个横向蚀刻通道构造为网状的和/或平行的。以这种方式能够有利地实现确定横向蚀刻通道整体的尺寸(dimensionierung)。
附图说明
[0028]
下面基于多个附图以其他特征和优点详细描述本发明。相同的或功能相同的元件在此具有相同的附图标记。附图尤其旨在说明对本发明至关重要的原理并且不一定按正确比例地实施。为清楚起见可以设置为，并未在所有附图中都标明所有附图标记。
[0029]
在附图中示出：
[0030]
图1至3：常规微机械构件的横截面图；
[0031]
图4：所提出的微机械构件的一种实施方式的横截面图；
[0032]
图5至7：用于提供所提出的微机械构件的蚀刻通道的替代变型；
[0033]
图8：所提出的微机械构件的一种实施方式的横截面图；
[0034]
图9：所提出的微机械构件的另一实施方式的横截面图；
[0035]
图10至14：通过所提出的微机械构件的横向蚀刻通道的横截面图；
[0036]
图15至18：通过所提出的微机械构件的横向蚀刻通道的横截面图；
[0037]
图19至23：通过所提出的微机械构件的横向蚀刻通道的横截面图；
[0038]
图24至28：通过所提出的微机械构件的横向蚀刻通道的横截面图；
[0039]
图29至31所提出的微机械构件的实施方式的俯视图；和
[0040]
图32：用于制造所提出的微机械构件的原理性流程。
具体实施方式
[0041]
本发明的核心思想尤其在于实现如下蚀刻通道结构：所述蚀刻通道结构与用于制造传感器元件的功能层系统的层和层厚度无关，并且例如使得能够沿着腔体区域之外的印制导线结构仅对sio2层实施少量腐蚀。
[0042]
为此目的设置，不是在功能层系统内的对于实现传感器元件的机械功能和电功能所必需的层中、而是在它们的子结构中设置蚀刻通道。就此而论，“子结构”理解为处于蚀刻停止层(例如富硅氮化硅，sirin)与硅衬底之间的层系统。
[0043]
在现有技术中，基本上已知两种类型的蚀刻通路。例如已知腔体区域内的从层系统的上侧出发直接通到腔体区域中的蚀刻通路。另外还已知从层系统的上侧、然而是从腔体区域之外经由层系统内的横向蚀刻通道通到腔体区域中的蚀刻通路。在该变型中，横向蚀刻通道通常在功能层系统内正交地被导引通过腔体壁。
[0044]
图1示出通过呈传感器元件形式的常规微机械构件100的横截面，该微机械构件具有si衬底1(硅衬底)和布置在其上的第一二氧化硅层2。在第一二氧化硅层2上布置有蚀刻停止层3。在蚀刻停止层3上存在第一功能层4。在第一功能层4上布置有第二二氧化硅层5，
在该第二二氧化硅层上布置有第二功能层6。在第二功能层6上布置有第三二氧化硅层7，在该第三二氧化硅层上布置有第三功能层8，由该第三功能层随后构成例如呈膜或罩元件形式的覆盖元件10。例如可以将多晶硅、优选将设置有掺杂剂的多晶硅用作功能层4、6、8的材料。
[0045]
至少一个垂直蚀刻通道11导引通过覆盖元件10，所述至少一个垂直蚀刻通道在第三二氧化硅层7上的腔体区域7a(随后的腔体20)中终止。经由至少一个垂直蚀刻通道11，借助例如具有hf的液体或气体的蚀刻介质从腔体区域7a中去除二氧化硅材料。如在图2中所表明的那样，在此或者说由此在覆盖元件10的下方产生腔体20。随后使用封闭元件11a封闭垂直蚀刻通道11。在此有问题的可能是，在借助蚀刻介质沿着第一功能层4的从腔体区域7a引出的电印制导线4a清空腔体区域7a时，沿着印制导线4a并且在功能层系统内可能发生不受控制的蚀刻x。这尤其在即使第一功能层4的电印制导线4a出于电绝缘目的而至少部分地被二氧化硅包围时也出现。
[0046]
所提及的情况的一种改善方案可以在于，如在图3中所表明的那样，将至少一个垂直蚀刻通道11以与覆盖元件10的锚固结构在侧面间隔开的方式布置在腔体20之外的区域中，覆盖元件10由此不再受损。然而在这种情况下仍可能存在如下问题：构造在第一功能层4中的、处于构造在功能层系统中的横向蚀刻通道12a的周围区域中的电印制导线4a不利地受到腐蚀。
[0047]
在现有技术中，来自腔体区域之外的蚀刻通道终止于腔体壁处，并能够从那里出发去除腔体区域7a中的牺牲层。由于在此根据腔体区域7a的大小可能产生较长的蚀刻时间，所以围绕如下印制导线4a的绝缘层尤其长时间地经受蚀刻作用：该印制导线从腔体20引出并处于穿过腔体壁的蚀刻通道的附近或者说其区域中。
[0048]
为了进行改善，提出至少一个横向蚀刻通道12a，所述横向蚀刻通道设置在所提出的例如表面微机械地制造的构件100的子结构中，该子结构可以终止于腔体区域7a下方的任意点处，并且至少一个通路蚀刻通道3a1沿着该子结构的走向从横向蚀刻通道12a出发通过蚀刻停止层3引至腔体区域7a处或腔体区域7a中，从那里出发能够去除腔体区域7a内的牺牲层，如在图4中以所提出的微机械构件100的一种实施方式所表明的那样。类似于从表面出发经由至少一个垂直蚀刻通道11、至少一个通过蚀刻停止层3的通路蚀刻通道3a1、3b和至少一个横向蚀刻通道12a直接引入到腔体区域7a中并能够任意布置的蚀刻通路，可以将一个也或者多个通路蚀刻通道3a...3n如此定位在子结构中，使得能够保证顺畅、均匀和完全地去除牺牲层，而不需要进行例如覆盖元件10的穿孔和由此承受功能层系统中的机械限制和/或更大的设计限制。
[0049]
相对于常规的微机械构件，所提出的在子结构中构造一个或多个横向蚀刻通道12a...12n另外还提供以下可能性：将蚀刻通道交织网放置在例如腔体区域7a的下方，其仅要求在功能层系统的上侧处的唯一垂直蚀刻通路11。通过将所述一个或多个通路蚀刻通道3a1...3an更可以说在中心定位在腔体区域7a的下方能够实现：通过从腔体中心出发去除牺牲层，能够使沿着腔体区域7a之外的印制导线4a、4b对绝缘材料或者说牺牲层材料的去除得到避免、至少被强烈最小化。
[0050]
在所提出的微机械构件100的所示变型中，腔体区域7a的壁和通过功能层系统的蚀刻通道11、12a...12n的壁示例性地由硅构成。在此，将功能层系统内的多晶硅层不仅用
于实现横向蚀刻限界结构，而且用于实现在(例如由sio2构成的)电绝缘层内的多晶硅层之间的电连接。但原则上也可以实现：如果电绝缘材料相对于用于去除一个或多个牺牲层的蚀刻介质具有高的蚀刻耐受性，则将电绝缘材料用于横向蚀刻保护限界，例如在将hf蒸气用作蚀刻介质时的sirin。
[0051]
对处于由sirin所构成的蚀刻停止层3与硅衬底1之间的由第一二氧化硅层2所构成的功能层系统子结构中的蚀刻通道的制造示例性地可以如下执行：
[0052]
在衬底1上沉积或热生长至少一个第一二氧化硅层2，并且以标准方法如此结构化所述至少一个第一二氧化硅层，使得在限定的区域中，除了衬底1之外，去除该第一二氧化硅层2。这可以借助等离子蚀刻工艺或通过湿法化学蚀刻(例如在boe中)来进行。借助随后沉积蚀刻停止层3，随后可以填充这些结构。在相应地设计这些结构时，这些结构可以构成蚀刻通道的壁并在以后要执行的蚀刻工艺中为了去除腔体区域中的sio2牺牲层而用作横向蚀刻停止结构。
[0053]
另外还可以考虑例如借助lpcvd沉积以硅填充这些结构。随后能够在该硅层上进行蚀刻停止层3的沉积，或者例如通过cmp方法在第一二氧化硅层2上去除多晶硅层，从而仅在第一二氧化硅层2的暴露出的结构中保留多晶硅。如果在构件100的功能层系统的电有源层与衬底1之间应构成尽可能小的寄生电容，则对氧化物上的多晶硅层进行表面去除可能是必要的。
[0054]
相对于借助电绝缘材料(例如sirin)对第一二氧化硅层2中的暴露出的结构的填充，以能够导电的多晶硅(polysilizium)填充所述结构具有以下优点：在此，衬底1也可以有针对性地被电连接或接通，以便将其置于限定的电势上。为了提高通过第一二氧化硅层2的多晶硅结构的导电性，此外可以在沉积期间、但也可以在后续的步骤中有针对性地掺杂多晶硅。因此能够借助多晶硅填充来实现衬底1的横向蚀刻限界以及一个或多个电接触部。
[0055]
图4描绘出通过如此制造的微机械构件100的横截面，其中，已在腔体区域7a之外在功能层系统中设置至少一个垂直蚀刻通道11，所述至少一个垂直蚀刻通道经由第一功能层4中的通路蚀刻通道3b和蚀刻停止层3与微机械构件100的子结构中的横向蚀刻通道12a...12n连接，所述横向蚀刻通道又经由第一功能层4中的通路蚀刻通道3a1和蚀刻停止层3与腔体区域7a连接。至少一个垂直蚀刻通道11在此可以构造为缝隙形的或管形的。
[0056]
通过去除功能层系统内的、其壁有利地例如由硅构成的垂直蚀刻通道11中的氧化物材料和微机械构件100的子结构中的横向蚀刻通道12a...12n内的氧化物材料，能够经由通路蚀刻通道3a1...3an、3b创建至微机械构件100的腔体区域7a的至少一个通路，通过所述至少一个通路可以去除腔体区域7a中的由例如sio2构成的至少一个牺牲层。由于横向蚀刻通道12a...12n在传感器元件100的子结构中的位姿，能够以这种方式在腔体区域7a内的任何限定位置处创建通路蚀刻通道3a1...3an，经由所述通路蚀刻通道可以将至少一个牺牲层从腔体区域7a中去除。以这种方式，在设计传感器时不必考虑用于在功能层系统内实现蚀刻通道的措施或显著限制该设计的措施。
[0057]
可以借助hf气相蚀刻工艺或借助湿法化学的、具有hf的蚀刻工艺(例如boe)来去除蚀刻通道11、3a1...3an、3b、12a...12n中和腔体区域7a中的二氧化硅。
[0058]
图5至7示出用于构造从功能层区域通过蚀刻停止层3到子结构的通路蚀刻通道3a1...3an和3b的多个可能性。
[0059]
例如，图5示出如何能够借助掩模层通过第一功能层4和蚀刻停止层3蚀刻出蚀刻通路3a1、3b并且随后以第二二氧化硅层5填充所产生的凹陷。
[0060]
图6表明另一可能性，其中，借助两个掩模层首先使蚀刻停止层3并且随后使第一功能层4如此结构化，使得在通路蚀刻通道结构3a1、3b的区域中，通过蚀刻停止层3的通道结构构造在通过第一功能层4的通道结构的开口区域内，并且随后以第二二氧化硅层5的氧化硅材料填充产生的凹陷/通道结构。
[0061]
图7示出另一变型，在该变型中，首先结构化蚀刻停止层3，然后沉积第一功能层4并如此结构化，使得通过第一功能层4的通道结构处于通过蚀刻停止层3的通路蚀刻通道结构3a1、3b的开口区域内，并且随后以第二二氧化硅层5的二氧化硅材料填充在此所产生的凹陷/蚀刻通路通道结构3a1、3b。
[0062]
通过使用电绝缘的蚀刻停止层3能够实现：通过功能层系统的垂直蚀刻通道11构造为与功能层系统的子结构电绝缘，如在图8中所表明的那样。
[0063]
这可以用于，能够经由至少一个垂直蚀刻通道11以其由多晶硅构成的导电壁来电接通功能层系统的至少一个电印制导线4a，和/或，能够通过设置一个或多个相应触点穿过蚀刻停止层3来接通第一二氧化硅层2中的si结构形式的一个或多个能够导电的限界元件13a...13n，经由所述限界元件也能够电接通衬底1，如在图9中所表明的那样。以这种方式能够同时也经由垂直蚀刻通道11穿过功能层系统来电接通衬底1。与此相反，如果使用电绝缘层(例如sirin)来对第一二氧化硅层中的蚀刻通道进行横向蚀刻限界，则必须借助另外的工艺步骤制造衬底触点，这可能导致附加的成本。
[0064]
替代于所说明的在第一二氧化硅层2中制造能够导电的限界元件13a，也可以如此进行，使得例如要用于对至少一个横向蚀刻通道12a...12n进行横向蚀刻限界和/或用于在传感器元件100的子结构中的第一二氧化硅层2中电接通衬底1的si结构首先借助掩膜层从衬底1中被结构化出，如在图10中所表明的那样，并且随后如在图11中可以看出的那样通过sio2层的沉积被覆盖。
[0065]
如果随后执行cmp工艺以平坦化晶片表面，则可以再次将凸起的电限界元件13a...13n暴露，并且可以如在图12中所表明的那样在这些限界元件之间保留sio2层。借助紧密地并列定位的能够导电的限界元件13a...13n和非共形的sio2沉积，能够在此实现不完全以sio2填充能够导电的限界元件13a...13n之间的空间。这样则得到子结构的第一二氧化硅层2中的未完全填充的横向蚀刻通道12a...12n或者说未完全填充的横向蚀刻通道系统，由此，蚀刻介质(例如hf蒸气)能够显著更快地通过横向蚀刻通道12a...12n传播至腔体区域7a中的通路蚀刻通道3a1...3an。
[0066]
结果，以这种方式能够实现：即使在使用更长的横向蚀刻通道12a...12n时，也实现对腔体区域7a中的牺牲氧化物层的快速蚀刻作用。此外，在该方法中能够节省用于填充第一二氧化硅层2中的暴露的结构的多晶硅沉积步骤以及可能在下游的掺杂步骤。
[0067]
图13示出在图12中所述的子结构，其具有后续沉积的功能层系统的一部分。图14示出在腔体区域7a中的氧化物牺牲层被蚀刻之后的通过功能层系统的横向蚀刻通道12a至12c。在该变型中，功能层系统内的至少一个垂直蚀刻通道11可以如此实现，使得将垂直蚀刻通道11分裂成多个通入横向蚀刻通道12a至12c中的蚀刻通道结构。
[0068]
因此，如在图10至14中可以看出的那样，在相应设计功能层系统中的垂直蚀刻通
道11时，第一二氧化硅层2中的多个横向蚀刻通道结构12a...12n也可以只与功能层系统中的一个垂直蚀刻通道11连接。这可以有利地用于扩大横向蚀刻通道12a...12n的有效横截面。此外，以这种方式能够从至少一个垂直蚀刻通道11出发穿过功能层系统将例如在不同方向上(即网络状)延伸的多个横向蚀刻通道12a...12n与垂直蚀刻通路11连接。为此，至少一个垂直蚀刻通道11的分裂不必强制性地在功能层系统中进行。而是至少一个垂直蚀刻通道11也可以通入至少一个横向蚀刻通道12a...12n中，并且从那里出发分布到多个横向蚀刻通道12a...12n上。
[0069]
替代于在图10至14中所说明的方法，横向蚀刻通道横截面的扩大也可以通过以下方式实现：首先在横向蚀刻通道12a...12n的区域中将沟槽蚀刻到衬底1中，并且将所述沟槽借助第一二氧化硅层2来如此封闭，使得在它们中构造空腔2a...2n，如在图15和16中所表明的那样。
[0070]
借助已经结合图4描述的制造步骤，现在可以在第一二氧化硅层2中产生横向蚀刻限界并且可以实现其他功能层结构。在去除腔体区域7a中的氧化物牺牲层时，即使在长的横向蚀刻通道12a...12n中蚀刻介质也可以沿着沟槽中的空腔2a...2n快速地分布，并且由此可以有利地实现与完全填充的沟槽相比显著降低的氧化物牺牲层蚀刻时间。
[0071]
如果功能层系统与衬底1之间的寄生电容的构造无关紧要，则参考图15至18也可以省去子结构的层系统并且因此省去在所示出的示例中提到的第一二氧化硅层2。
[0072]
如在图19至23中所示出的那样，为此可以例如借助cmp工艺(英：chemical mechanical polishing，化学机械抛光)如此去除所沉积的第一二氧化硅层2，使得在横向沟槽通道12a...12n中所产生的空腔借助第一二氧化硅层2的材料保持封闭，而在其余衬底1上第一二氧化硅层2被完全去除。在部分去除第一二氧化硅层2之后随后进行已经描述的用于实现功能层系统的制造工艺，该功能层系统具有衬底1的可选的电接通。
[0073]
在图24至28中示出用于制造横向蚀刻通道12a...12n的另一变型。在此，首先在衬底1上产生第一二氧化硅层2，并且将其如此结构化，使得通过在此所产生的开口将硅从衬底1中去除，如在图24和25中所表明的那样。在蚀刻衬底1之后借助第二二氧化硅层5如此封闭第一二氧化硅层2中的开口，使得在衬底1中构造空腔1a...1n，如在图26中可以看出的那样。
[0074]
根据蚀刻工艺的选择(各向同性、各向异性、两者的组合)，由此可以产生单个的横向通道结构12a...12n(如在图24中所表明的那样)和/或具有大通道横截面的横向通道结构(如在图25中所表明的那样)。如果将第一二氧化硅层2中的开口实施得小或窄，则可以快速封闭这些开口。由此，在封闭层(在这种情况下为第二二氧化硅层5)的上侧处仅产生轻微的形貌差异(topografieunterschiede)，这使得不需要用于制造平坦表面的附加cmp步骤。
[0075]
相对于结合图10至14所阐述的变型，该变型具有以下优点：在第一二氧化硅层2之下，衬底1中的通道结构可以具有几乎任何形状，并且不必如此构型：使得其能够快速封闭以便能够产生空腔。
[0076]
如果如上所述所说明的通道结构还设置于在子结构中延伸的横向通道结构的下方(如在图27中所表明的那样)，则可以经由这些通道结构快速地在横向上将例如气态的蚀刻介质(例如hf蒸气)分布在表面上，并且也有助于去除横向通道结构12a...12n内的子结构中的二氧化硅层，如在图28中可以看出的那样。由此可以有利地附加地提供进一步的通
道横截面扩大。
[0077]
在所示出的所有变型中，电绝缘并且相对于用于去除牺牲层的蚀刻介质耐蚀刻的蚀刻停止层3以及子结构中的横向蚀刻停止限界部13a...13n用于，使得能够将用于去除牺牲层的蚀刻通道导引至腔体区域内的任何位置处。
[0078]
借助所提出的方法制造的所提出的微机械构件100例如可以是电容式压力传感器。但也可以考虑其他实现形式，例如麦克风、压阻式压力传感器等。
[0079]
图29至31示出所提出的微机械构件100的不同实施方式的俯视图。可以看出，从垂直蚀刻通道11出发能够构造多个横向蚀刻通道12a...12n，在所述多个横向蚀刻通道的区域或走向中，在限定的位置处能够提供穿过蚀刻停止层3进入腔体区域7a中的通路蚀刻通道3a1...3an，通过这些通路蚀刻通道可以在腔体区域7a内从下方进行牺牲层蚀刻。
[0080]
图32示出一种用于制造所提出的微机械构件100的方法的原理性流程。
[0081]
在步骤200中，在覆盖元件10的下方构造腔体20。
[0082]
在步骤210中构造布置在覆盖元件10的锚固结构之外的至少一个垂直蚀刻通道11，其中，借助至少一个横向蚀刻通道12a...12n以及至少一个通路蚀刻通道3a1...3an来执行对腔体20的构造，所述至少一个横向蚀刻通道从垂直蚀刻通道11出发设置在蚀刻停止层3的下方和腔体20的下方并布置在蚀刻停止层3与硅衬底1之间。