一种高频低损耗传输线的制作方法

1.本技术实施例涉及无线通讯技术领域，特别涉及一种高频低损耗传输线。


背景技术：

2.随着大数据的发展，无线智能终端作为大数据的主要采集设备，面临着日益增长的通信容量需求、射频电路的拓展需求以及多通道多功能的信号传输任务的需求。
3.无线智能终端通过内置的天线、发射机以及接收机进行无线通信。连接天线和发射机的导线以及连接天线和接收机的导线均被称为传输线(或馈线)，传输线可以将天线接收的信号以最小的损耗传送到接收机，或将发射机发出的信号以最小的损耗传送到天线，同时，传输线本身不应拾取或产生杂散的干扰信号，也就是传输线必须做好屏蔽工作。在现有带宽的频段保持不变的前提下，往往通过设置多条传输线来提高信号的瞬时吞吐率，从而满足无线智能终端面临的各项需求。
4.然而，现有的传输线结构导致同时设置多条传输线会占用无线智能终端中较大的内部空间，无法满足无线智能终端日益轻薄化的发展需求。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种高频低损耗传输线，可用于解决现有的传输线结构导致同时设置多条传输线会占用无线智能终端中较大的内部空间，无法满足无线智能终端日益轻薄化的发展需求的技术问题。
6.第一方面，本技术实施例提供一种高频低损耗传输线，包括：顶层接地层和叠加的至少一层子传输线层；
7.所述顶层接地层上设置有多个馈电点和多个导通柱通孔，所述馈电点为矩形通孔，多个馈电点包括多个信号线馈电点以及多个接外馈电点，多个信号线馈电点以及多个接外馈电点一一对应，所述接外馈电点用于将对应的所述信号线馈电点的信号传输至所述高频低损耗传输线的连接对象；
8.所述子传输线层包括介质层和子传输线接地层，所述介质层的底面与所述子传输线接地层的顶面相接触，位于最顶层的子传输线层中介质层的顶面与所述顶层接地层的底面相接触，在所述介质层内部设置有信号线，所述信号线的两个端点各连接至一个所述信号线馈电点，在所述子传输线接地层上设置有多个信号线导通柱，多个信号线导通柱的数量、尺寸和位置与多个导通柱通孔一一对应，位于最顶层的子传输线层中信号线导通柱穿过所述介质层的内部，并避开所述信号线，与对应的导通柱通孔的内壁相接触。
9.在第一方面的一种可实现方式中，所述子传输线层的层数为大于或等于两层，每层子传输线层中介质层的顶面与叠加的上一层子传输线层中子传输线接地层的底面相接触；
10.除位于最顶层的子传输线层以外，其余每层子传输线层中信号线导通柱穿过对应的介质层的内部，并避开所述信号线，与叠加的上一层子传输线层中对应的信号线导通柱
的底面相接触。
11.在第一方面的一种可实现方式中，除位于最顶层的子传输线层以外，其余每层子传输线层中的所述信号线的端点处设置有馈电点导通柱，所述馈电点导通柱穿过本层子传输线层中的所述介质层以及上层各层子传输线层，连接至所述信号线馈电点。
12.在第一方面的一种可实现方式中，所述信号线、所述信号线导通柱以及所述馈电点导通柱为相同的金属材质。
13.在第一方面的一种可实现方式中，所述介质层为低损耗介质层。
14.在第一方面的一种可实现方式中，多个信号线导通柱呈阵列排布。
15.在第一方面的一种可实现方式中，所述顶层接地层和所述子传输线接地层为覆铜接地层。
16.本技术实施例提供一种高频低损耗传输线，高频低损耗传输线包括顶层接地层和叠加的至少一层子传输线层，顶层接地层上设置有多个馈电点和多个导通柱通孔，多个馈电点包括多个信号线馈电点以及多个接外馈电点，子传输线层包括介质层和子传输线接地层，在介质层内部设置有信号线，信号线的两个端点各连接至一个信号线馈电点，在子传输线接地层上设置有多个信号线导通柱，其余每层子传输线层中介质层的顶面与叠加的上一层子传输线层中子传输线接地层的底面相接触。如此，一条高频低损耗传输线内可以包含多条信号线，提高了高频低损耗传输线的集成度，极大地缩小了传输线在无线智能终端中占用的内部空间，可以满足无线智能终端日益轻薄化的发展需求。
附图说明
17.图1为本技术第一实施例提供的高频低损耗传输线的立体结构示意图；
18.图2为本技术第一实施例提供的高频低损耗传输线的顶视结构示意图；
19.图3为本技术第一实施例提供的顶层接地层和最顶层的子传输线层的结构示意图；
20.图4为本技术第一实施例提供的子传输线层的层数为大于或等于两层的高频低损耗传输线的结构示意图；
21.图5为本技术第一实施例提供的一种信号线导通柱排布方式的顶视结构示意图；
22.图6为本技术第二实施例提供的顶层接地层和最顶层的子传输线层的制备方法示意图；
23.图7为本技术第二实施例提供的其余每层子传输线层的制备方法示意图；
24.图8为本技术第二实施例提供的馈电点导通柱的制备方法示意图。
25.图3至图8中：
26.1为顶层接地层，11为馈电点，111为信号线馈电点，112为接外馈电点，12为导通柱通孔，2为子传输线层，21为介质层，211为第一介质层，212为第二介质层，213为第三介质层，22为子传输线接地层，23为信号线，231为待蚀刻信号线层，232为信号线层，24为信号线导通柱，241为待灌注导通柱孔，25为馈电点导通柱，3为未打孔子传输线层，4为绝缘膜。
具体实施方式
27.使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式
作进一步地详细描述。
28.本技术第一实施例公开了一种高频低损耗传输线，下面结合附图对本技术第一实施例公开的一种高频低损耗传输线进行具体说明。
29.图1示例性示出了本技术第一实施例提供的高频低损耗传输线的立体结构示意图，图2示例性示出了本技术第一实施例提供的高频低损耗传输线的顶视结构示意图，图3示例性示出了本技术第一实施例提供的顶层接地层和最顶层的子传输线层的结构示意图，如图1、图2和图3所示，本技术第一实施例提供的一种高频低损耗传输线包括：顶层接地层1和叠加的至少一层子传输线层2。
30.顶层接地层1上设置有多个馈电点11和多个导通柱通孔12，馈电点11为矩形通孔，多个馈电点11包括多个信号线馈电点111以及多个接外馈电点112，多个信号线馈电点111以及多个接外馈电点112一一对应，接外馈电点112用于将对应的信号线馈电点111的信号传输至高频低损耗传输线的连接对象。
31.子传输线层2包括介质层21和子传输线接地层22，介质层21的底面与子传输线接地层22的顶面相接触，位于最顶层的子传输线层2中介质层21的顶面与顶层接地层1的底面相接触，在介质层21内部设置有信号线23，信号线23的两个端点各连接至一个信号线馈电点111，在子传输线接地层22上设置有多个信号线导通柱24，多个信号线导通柱24的数量、尺寸和位置与多个导通柱通孔12一一对应，位于最顶层的子传输线层2中信号线导通柱24穿过介质层21的内部，并避开信号线23，与对应的导通柱通孔12的内壁相接触。
32.具体地，多个信号线馈电点111以及多个接外馈电点112的数量，是根据信号线23的数量来设置的，一条信号线23有两个端点，每个端点对应一个信号线馈电点111，每个信号线馈电点111对应一个接外馈电点112。
33.在一种可实现方式中，介质层21为低损耗介质层。由于信号线23设置在介质层21内部，所以介质层21作为信号线23的载体，低损耗的介质使得信号线23的信号在传输过程中的损耗降低。
34.在一种可实现方式中，顶层接地层1和子传输线接地层22为覆铜接地层，覆铜接地层可以用于隔离相邻层子传输线层2，并且屏蔽相邻层子传输线层2中信号线23的信号，避免多条信号线23之间的相互干扰。
35.图4示例性示出了本技术第一实施例提供的子传输线层的层数为大于或等于两层的高频低损耗传输线的结构示意图，如图4所示，子传输线层2的层数为大于或等于两层，每层子传输线层2中介质层21的顶面与叠加的上一层子传输线层2中子传输线接地层22的底面相接触。
36.进一步地，多层子传输线层2可以根据不同数量和应用场景的要求，设置为纵向、横向或对角线向叠放；高频传输线的形状可以根据实际需求来设计成各种形状，包括弯折。
37.除位于最顶层的子传输线层2以外，其余每层子传输线层2中信号线导通柱24穿过对应的介质层21的内部，并避开信号线23，与叠加的上一层子传输线层2中对应的信号线导通柱24的底面相接触，用来导通相邻两层子传输线层2。进一步地，除位于最顶层的子传输线层2以外，其余每层子传输线层2中的信号线23的端点处设置有馈电点导通柱25，馈电点导通柱25穿过本层子传输线层2中的介质层21以及上层各层子传输线层2，连接至信号线馈电点111。
38.在一种可实现方式中，信号线23、信号线导通柱24以及馈电点导通柱25为相同的金属材质。
39.在一种可实现方式中，多个信号线导通柱24且呈阵列排布。
40.具体地，如图4所示，信号线23周围的空间只够设置一行信号线导通柱24，此时，多个信号线导通柱24设置在信号线23的一侧，该层介质层21上方的顶层接地层1或子传输线接地层22、下方的子传输线接地层22以及多个信号线导通柱24将信号线23包裹成一个半封闭的空间，半封闭空间使得信号线23周围形成一个不完全包裹的法拉第笼，保证信号在传输时，可以进行一定程度的屏蔽，减少信号的损耗和干扰。
41.图5示例性示出了本技术第一实施例提供的一种信号线导通柱的顶视结构示意图，如图5所示，信号线23周围的空间足够设置两行信号线导通柱24，此时，多个信号线导通柱24设置在信号线23的两侧，该层介质层21上方的顶层接地层1或子传输线接地层22、下方的子传输线接地层22以及多个信号线导通柱24将信号线23包裹成一个封闭的空间，封闭空间使得信号线23周围形成一个完全包裹的法拉第笼，保证信号在传输时，可以进行良好的屏蔽，避免信号的损耗和干扰。
42.本技术实施例提供一种高频低损耗传输线，包括顶层接地层和叠加的至少一层子传输线层，顶层接地层上设置有多个馈电点和多个导通柱通孔，多个馈电点包括多个信号线馈电点以及多个接外馈电点，子传输线层包括介质层和子传输线接地层，在介质层内部设置有信号线，信号线的两个端点各连接至一个信号线馈电点，在子传输线接地层上设置有多个信号线导通柱，其余每层子传输线层中介质层的顶面与叠加的上一层子传输线层中子传输线接地层的底面相接触。如此，一条高频低损耗传输线内可以包含多条信号线，提高了高频低损耗传输线的集成度，极大地缩小了传输线在无线智能终端中占用的内部空间，可以满足无线智能终端日益轻薄化的发展需求。
43.与本技术第一实施例提供的一种高频低损耗传输线相对应，本技术第二实施例提供了一种高频低损耗传输线的制备方法。
44.图6示例性示出了本技术第二实施例提供的顶层接地层和最顶层的子传输线层的制备方法示意图，如图6所示，以图2中高频低损耗传输线的b-b截面来说明，制备方法包括：
45.步骤601，预设第一介质层211、第二介质层212以及第三介质层213，第一介质层211、第二介质层212以及第三介质层213依次叠加组成介质层21，其中，第一介质层211和第三介质层213的厚度相同，第二介质层212的厚度与信号线23的厚度相同。
46.步骤602，在第一介质层211的顶面压合顶层接地层1，在第一介质层211的底部压合待蚀刻信号线层231。
47.步骤603，根据多个馈电点11的预设尺寸、数量和位置，在顶层接地层1上蚀刻出多个馈电点11，多个馈电点11包括多个信号线馈电点111以及多个接外馈电点112；根据信号线23的预设尺寸，在待蚀刻信号线层231上蚀刻出信号线23。
48.步骤604，在信号线23两侧敷设第二介质层212，获得信号线层232。
49.步骤605，在信号线层232的底部压合第三介质层213。
50.具体来说，步骤604中，在信号线23两侧敷设第二介质层212，目的是为了保证步骤605中第三介质层213压合的精度。
51.步骤606，在第三介质层213的底部压合子传输线接地层22，得到未打孔子传输线
层3。
52.步骤607，根据多个信号线导通柱24的预设尺寸、数量和位置，在未打孔子传输线层3上打通相应尺寸、数量和位置的待灌注导通柱孔241，其中，待灌注导通柱孔241在顶层接地层1的部分为导通柱通孔12。
53.在一种可实现方式中，步骤607中的待灌注导通柱孔241可以通过机械打孔或者激光打孔方式打通。
54.步骤608，通过金属浆料灌注的方式将预设导通柱材料灌入多个待灌注导通柱孔241，得到多个信号线导通柱24。
55.步骤609，将介质层21、子传输线接地层22、信号线23以及多个信号线导通柱24确定为最顶层的子传输线层2。
56.如此，顶层接地层1和位于最顶层的子传输线层2制备完成。
57.图7示例性示出了本技术第二实施例提供的其余每层子传输线层的制备方法示意图，如图7所示，以图2中高频低损耗传输线的b-b截面来说明，制备方法还包括：
58.按照预设子传输线层2的层数，制备其余每层子传输线层2，具体步骤为：
59.步骤701，预设第一介质层211、第二介质层212以及第三介质层213，第一介质层211、第二介质层212以及第三介质层213依次叠加组成介质层21，其中，第一介质层211和第三介质层213的厚度相同，第二介质层212的厚度与信号线23的厚度相同。
60.步骤702，在第一介质层211的底部压合待蚀刻信号线层231。
61.步骤703，根据信号线23的预设尺寸，在待蚀刻信号线层231上蚀刻出信号线23。
62.步骤704，在信号线23两侧敷设第二介质层212，获得信号线层232。
63.步骤705，在信号线层232的底部压合第三介质层213。
64.具体来说，步骤704中，在信号线23两侧敷设第二介质层212，目的是为了保证步骤705中第三介质层213压合的精度。
65.步骤706，在第三介质层213的底部压合子传输线接地层22，得到未打孔子传输线层3。
66.步骤707，根据多个信号线导通柱24的预设尺寸、数量和位置，在未打孔子传输线层3上打通相应尺寸、数量和位置的待灌注导通柱孔241。
67.在一种可实现方式中，步骤707中的待灌注导通柱孔241可以通过机械打孔或者激光打孔方式打通。
68.步骤708，通过金属浆料灌注的方式将预设导通柱材料灌入多个待灌注导通柱孔241，得到多个信号线导通柱24。
69.步骤709，将介质层21、子传输线接地层22、信号线23以及多个信号线导通柱24确定为任一其余每层子传输线层2。
70.如此，除位于最顶层子传输线层2以外，其余的子传输线层2制备完成。
71.步骤710，将其余每层子传输线层2依次叠加设置在最顶层的子传输线层2的底面，将顶层接地层1、最顶层的子传输线层2以及其余每层子传输线层2确定为高频低损耗传输线。
72.如此，完整的高频低损耗传输线制备完成。
73.图8示例性示出了本技术第二实施例提供的馈电点导通柱的制备方法示意图，如
图8所示，制备方法还包括：
74.步骤801，在进行步骤702在第一介质层211的底部压合待蚀刻信号线层231之前，在第一介质层211的顶部和底部各覆盖一层绝缘膜4。
75.具体地，在步骤801中，需要保证绝缘膜4能够平整地覆盖在第一介质层211的顶部和底部。
76.步骤802，根据每层子传输线层2及每层子传输线层2底部各层子传输线2的馈电点导通柱25的预设尺寸、数量和位置，在每层子传输线层2的第一介质层211和绝缘膜4上，打通相应尺寸、数量和位置的馈电点导通柱通孔251。
77.在一种可实现方式中，步骤802中的馈电点导通柱通孔251可以通过机械打孔或者激光打孔完成。
78.步骤803，通过金属浆料灌注的方式将预设导通柱材料灌入多个馈电点导通柱通孔251，得到多个馈电点导通柱25。
79.步骤804，去除绝缘膜4，得到带馈电点导通柱25的第一介质层211。
80.步骤805，对第三介质层213进行和第一介质层211相同的操作，得到带馈电点导通柱25的第三介质层213。
81.具体来说，步骤804中，需要说明的是，去除绝缘膜4后，馈电点导通柱25和第一介质层211的表面形成一个台阶，在后续压合待蚀刻信号线层231的时候，台阶可以保证第一介质层211中的馈电点导通柱25和第三介质层213中的馈电点导通柱25紧密对接，保证馈电点导通柱25的电气性能良好。
82.具体来说，步骤805中，需要说明的是，去除绝缘膜4后，馈电点导通柱25和第一介质层211的表面，以及馈电点导通柱25和第三介质层213的表面形成一个台阶，在后续压合待蚀刻信号线层231以及子传输线接地层22的时候，台阶可以保证馈电点导通柱25和待蚀刻信号线层231充分接触，电气性能良好。
83.如此，除位于最顶层的子传输线层2以外，其余每层子传输线层2中的馈电点导通柱25制备完成，后续继续步骤702至步骤709的操作，以完成除位于最顶层子传输线层2以外，其余的子传输线层2的制备。
84.,需要说明的是，在一种可实现方式中，上述各步骤的压合操作，是通过低温压合完成的。
85.本技术实施例提供一种高频低损耗传输线的制备方法，通过分别制备顶层接地层1和位于最顶层的子传输线层2，以及其余每层子传输线层2后，再将顶层接地层1和位于最顶层的子传输线层2，以及其余每层子传输线层2压合在一起，完成高频低损耗传输线的制备。在制备过程中，利用了覆膜、打导通孔、灌浆导通柱、敷设、蚀刻、低温压合和切割等工艺，如此，一条高频低损耗传输线内可以包含多条信号线，提高了高频低损耗传输线的集成度，极大地缩小了传输线在无线智能终端中占用的内部空间，可以满足无线智能终端日益轻薄化的发展需求。
86.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实用新型后，将容易想到本实用新型的其它实施方案。
87.本技术旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本实用新型未公开的本技术领域中的
公知常识或惯用技术手段；说明书和实施例仅被视为示例性的，本实用新型的真正范围和精神由下面的权利要求指出。应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变；本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。