氧化铜糊剂及电子部件的制造方法与流程

技术特征：
1.氧化铜糊剂，其含有含铜粒子、粘结剂树脂和有机溶剂，所述含铜粒子包含cu2o及cuo，所述含铜粒子中包含的铜元素中的、构成cu2o的铜元素及构成cuo的铜元素的总量为90％以上，所述含铜粒子的50％累积粒径(d
50
)为0.20μm以上5.0μm以下，所述50％累积粒径(d
50
)与10％累积粒径(d
10
)满足以下所示的式(1)，所述50％累积粒径(d
50
)与90％累积粒径(d
90
)满足以下所示的式(2)，所述含铜粒子的bet比表面积为1.0m2/g以上8.0m2/g以下，1.3≤d
50
/d
10
≤4.9
···
式(1)1.2≤d
90
/d
50
≤3.7
···
式(2)。2.如权利要求1所述的氧化铜糊剂，其中，所述含铜粒子中包含的cu2o的量相对于cuo的量而言、以摩尔比计为1.0以上。3.如权利要求1或2所述的氧化铜糊剂，其中，使所述含铜粒子相对于所述氧化铜糊剂的总量而言为60质量％以上92质量％以下。4.电子部件的制造方法，其具备下述工序：通过涂布或印刷而在基板的表面配置权利要求1至3中任一项所述的氧化铜糊剂的工序；以及，在还原性气体气氛中，于200℃以上600℃以下的温度对所述基板实施热处理，在所述基板上得到铜烧结体的工序。5.如权利要求4所述的电子部件的制造方法，其中，所述基板为金属基板、有机高分子基板、陶瓷基板或碳基板。6.如权利要求4或5所述的电子部件的制造方法，其中，所述还原性气体气氛包含选自由氢、甲酸及醇组成的组中的1种以上气体。7.如权利要求4至6中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，所述铜烧结体的电阻率为2.5μωcm以上12μωcm以下。8.如权利要求4至7中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，在所述热处理之前还包括下述工序：在经干燥的所述氧化铜糊剂的表面配置芯片部件，从所述芯片部件的表面在所述基板的方向上施加2mpa以上30mpa以下的压力。

技术总结
本发明提供能够得到将芯片部件与基板更牢固地接合、并且导热性高的铜系接合材料的铜系糊剂。本发明的氧化铜糊剂含有含铜粒子、粘结剂树脂和有机溶剂，含铜粒子包含Cu2O及CuO，含铜粒子中包含的铜元素中的、构成Cu2O的铜元素及构成CuO的铜元素的总量为90％以上，含铜粒子的50％累积粒径(D


技术研发人员：小池淳一 海王知
受保护的技术使用者：材料概念有限公司
技术研发日：2020.09.25
技术公布日：2022/5/20