显示装置及包括该显示装置的电子设备的制作方法

显示装置及包括该显示装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年5月27日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0063917号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.实施方式涉及显示装置、显示装置的制造方法以及包括该显示装置的电子设备。


背景技术：

4.作为用于显示图像的显示装置，发光二极管显示装置具有不同于液晶显示装置的自发射特性。因此，由于不需要单独的光源，因而可以减小发光二极管显示装置的厚度和重量。有机发光二极管显示装置可以表现出高质量的特性，诸如低功耗、高亮度和高反应速度。
5.上述发光二极管显示装置可以用于具有多种用途和多种形状的电子设备中，并且因此，设计了具有多种形状的发光显示装置。


技术实现要素：

6.实施方式提供一种能够在显示装置的后侧上实现图像和/或传输外部图像的显示装置以及包括该显示装置的电子设备。
7.另外的方面将在随后的说明书中部分地阐述，并且部分地将从说明书中显而易见，或者可以通过实施方式的实践而习得。
8.根据实施方式，显示装置具有像素区域和与像素区域相邻的透射区域，显示装置可以包括：电路元件，设置在像素区域中并且包括晶体管和电容器；像素电极层，设置在像素区域中，并电连接到电路元件；发射层，设置在像素电极层上；相对电极层，设置在发射层上；以及表面能控制层，设置在发射层和相对电极层之间，并且包括全氟化材料。表面能控制层可以具有延伸到透射区域中的部分。
9.相对电极层可以不与透射区域重叠。
10.显示装置还可以包括设置在表面能控制层上的聚集体颗粒，并且聚集体颗粒可以包括金属元素。
11.相对电极层可以包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、镍(ni)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金。
12.显示装置还可以包括设置在表面能控制层和相对电极层之间的电子传输层，其中，电子传输层可以包括对应于透射区域的开口。
13.显示装置还可以包括设置在表面能控制层和相对电极层之间的电子注入层，并且电子注入层可以包括金属。
14.电子注入层可以不与透射区域重叠。
15.电子注入层的金属可以包括碱金属、碱土金属或镧系金属。
16.表面能控制层的厚度可以小于发射层的厚度。
17.表面能控制层的表面能可以小于或等于约20mj/m2。
18.根据实施方式，电子设备可以包括显示装置，其中，显示装置具有在其中设置有像素的像素区域和与像素区域相邻的透射区域，显示装置可以包括：像素电极层，设置在像素区域中；相对电极层，在像素区域中与像素电极层重叠，并包括金属；发射层，设置在像素电极层和相对电极层之间；表面能控制层，设置在发射层和相对电极层之间，表面能控制层的一部分延伸到透射区域中；以及第一子功能层，设置在表面能控制层和相对电极层之间，并且包括有机材料。第一子功能层可以包括对应于透射区域的开口。
19.表面能控制层的表面能可以小于或等于约20mj/m2。
20.表面能控制层可以包括全氟化材料。
21.相对电极层可以包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、镍(ni)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或其合金。
22.相对电极层可以不与透射区域重叠。
23.电子设备还可以包括设置在表面能控制层和相对电极层之间的电子注入层，其中，电子注入层可以包括金属。
24.电子设备还可以包括设置在表面能控制层上的聚集体颗粒，其中，聚集体颗粒可以包括金属元素。
25.聚集体颗粒的金属元素可以包括在相对电极层中包括的金属元素或在电子注入层中包括的金属元素。
26.电子注入层的金属可以包括碱金属、碱土金属或镧系金属。
27.表面能控制层的厚度可以小于发射层的厚度。
28.电子设备还可以包括与透射区域重叠的部件。
29.所述部件可以包括传感器或相机。
30.电子设备可以包括平视显示电子设备、移动电话或用于车辆的显示电子设备。
31.本公开的实施方式的以上和其它方面、特征和有益效果将从以下描述、附图和权利要求中更显而易见。
附图说明
32.从以下结合附图的描述中，本公开的实施方式的以上和其它方面、特征和有益效果将更加显而易见，在附图中：
33.图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
34.图2是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图，其对应于沿着图1的线i
‑
i'截取的剖视图；
35.图3是连接到根据实施方式的显示装置的发光二极管的电路元件的示意性电路图；
36.图4是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
37.图5是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
38.图6是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
39.图7是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
40.图8是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
41.图9是图8的区域viiia的放大的示意性剖视图；
42.图10a和图10b是图8的区域viiib的放大的示意性剖视图；
43.图11是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的示意性剖视图；
44.图12是图11的区域xia的放大的示意性剖视图；
45.图13a和图13b是图11的区域xib的放大的示意性剖视图；
46.图14是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
47.图15是根据实施方式的包括显示装置的电子设备的示意性立体图；
48.图16a和图16b是根据实施方式的包括显示装置的电子设备的示意性立体图；以及
49.图17是根据实施方式的电子设备的示意性剖视图。
具体实施方式
50.现在将详细描述实施方式，其示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在该方面，实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅对这些实施方式进行描述，以说明本说明书的方面。
51.如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在本公开全文中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部、或其变形。
52.可以对实施方式应用多种修改，并且特定的实施方式将在附图中示出并且在详细描述中进行描述。根据以下结合附图详细描述的实施方式，本公开的效果和特征以及用于实现其的方法将变得更加显而易见。然而，本公开不限于以下实施方式，并且可以以多种形式来实施。
53.现在将参照附图更全面地描述以下实施方式。当参照附图描述实施方式时，相同或相应的元件由相同的附图标记表示，并且将省略对其的冗余描述。
54.将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
55.如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
56.将理解的是，本文中使用的术语“包含”、“包含有”、“包括”、“包括有”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和/或“含有(containing)”表示所陈述的特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
57.将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，其可以直接或间接地形成在另一层、区域或元件上。例如，可以存在介于中间的层、区域或元件。
58.为了便于描述，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，由于为了便于描述而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因而以下实施方式不限于此。
59.当特定实施方式可以不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的处理顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
60.在实施方式中，当层、区域或元件被称为连接到另一层、区域或元件时，其可以直
接连接到另一层、区域或元件，或者经由介于中间的层、区域或元件间接连接到另一层、区域或元件。例如，在本说明书中，当层、区域或元件被称为电连接到另一层、区域或元件时，其可以直接电连接到另一层、区域或元件，或者经由介于中间的层、区域或元件间接电连接到另一层、区域或元件。说明元件之间的关系的其它表述，诸如“在
…
之间”、“直接在
…
之间”、“与
…
相邻”或“直接与
…
相邻”，应以相同的方式解释。
61.本文中使用的术语“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意为在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
62.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的那些，应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想的或过于正式的含义进行解释，除非在说明书中清楚地限定。
63.图1是根据实施方式的显示装置1的示意性平面图，以及图2是根据实施方式的显示装置1的示意性剖视图，其对应于沿着图1的线i
‑
i'截取的剖面。
64.如图1中所示，显示装置1可以包括显示区域da和与显示区域da相邻的非显示区域nda。
65.图像可以显示在显示区域da中。显示区域da可以包括像素，并且每个像素可以包括发光元件，例如发光二极管。每个发光元件可以电连接到包括晶体管和电容器的电路元件，并且电路元件可以位于显示区域da中。
66.非显示区域nda(其是在其中不显示图像的区域)可以完全围绕显示区域da。在非显示区域nda中，可以布置用于向显示区域da中的电路元件和/或发光元件提供电信号或电力的驱动器，并且非显示区域nda可以包括焊盘，其是电子元件或印刷电路板可以与之连接的区域。
67.如图2中所示，显示区域da可以包括其中布置有像素的像素区域pa、以及与像素区域pa相邻的透射区域ta。透射区域ta可以在像素区域pa之间，例如在像素之间。
68.显示装置1可以通过布置在像素区域pa中的像素来显示图像。显示装置1可以通过透射区域ta透射外部光。外部光不同于从显示装置1发射的光(例如，从像素发射的光)。例如，外部光可以包括显示装置1外部的光，例如自然光或从不同于显示装置1的电子元件(例如，灯、传感器等)生成的光。
69.参照图2，显示装置1可以包括衬底100、在衬底100的前表面上的显示层dpl、以及封装层200。
70.衬底100可以包括玻璃或聚合物树脂。玻璃可以包括诸如无碱玻璃或钠钙玻璃的材料。聚合物树脂可以包括聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(tac)、乙酸丙酸纤维素(cap)等。在实施方式中，衬底100可以具有至少一个基础层和阻挡层的堆叠结构，其中，至少一个基础层包括上述聚合物树脂，阻挡层位于至少一个基础层上并包括无机绝缘层。
71.显示层dpl可以包括发光二极管和分别连接到发光二极管的电路元件。电路元件
各自可以包括薄膜晶体管和电容器。发光二极管和电路元件可以布置在像素区域pa中，并且可以不布置在透射区域ta中。
72.显示层dpl可以被封装层200覆盖，并且封装层200可以是包括玻璃的刚性封装层或包括薄膜的柔性封装层。柔性封装层可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。至少一个有机封装层可以包括有机绝缘材料，并且至少一个无机封装层可以包括无机绝缘材料。
73.尽管图2示出了显示层dpl的发光二极管在从衬底100朝向封装层200的方向上显示图像，但是在另一实施方式中，从显示层dpl的发光二极管发射的光可以在从封装层200朝向衬底100的方向上行进。例如，从发光二极管发射的光可以朝向衬底100的后表面发射。
74.图3是与根据实施方式的显示装置的发光二极管连接的电路元件pc的示意性电路图。图3示出了有机发光二极管oled作为发光二极管的实施方式。
75.参照图3，有机发光二极管oled可以电连接到电路元件pc，并且电路元件pc可以包括第一晶体管t1和第二晶体管t2、以及存储电容器cst。
76.第二晶体管t2(其是开关晶体管)可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以配置成根据从扫描线sl输入的开关电压向第一晶体管t1传输从数据线dl输入的数据电压。存储电容器cst可以连接到第二晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以配置成存储与从第二晶体管t2接收的电压和被提供到驱动电压线pl的第一电力电压elvdd之间的差对应的电压。
77.第一晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以配置成响应于存储在存储电容器cst中的电压的值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管oled的相对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压elvss。
78.尽管图3示出了电路元件pc包括两个晶体管和一个存储电容器，但是在另一实施方式中，晶体管的数量和/或电容器的数量可以不同地改变。
79.图4、图5、图6、图7、图8和图11是根据实施方式的根据显示装置的制造工艺的显示装置的示意性剖视图。图9是图8的区域viiia的放大的示意性剖视图。图10a和图10b是图8的区域viiib的放大的示意性剖视图。图12是图11的区域xia的放大的示意性剖视图。图13a和图13b是图11的区域xib的放大的示意性剖视图。
80.参照图4，在衬底100上形成像素电极层140。如上所述，衬底100可以包括玻璃或聚合物树脂。在形成像素电极层140之前，可以形成包括电路元件pc的多种层。图4示出了在衬底100上形成包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst的电路元件pc，并且电路元件pc位于像素区域pa中而不位于透射区域ta中。
81.可以在衬底100的前表面上形成缓冲层111。缓冲层111可以防止杂质渗入到薄膜晶体管tft的半导体层act中。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
82.可以在缓冲层111上形成薄膜晶体管tft和存储电容器cst。薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、与半导体层act的沟道区重叠的栅电极ge、以及分别连接到半导体层act的源区和漏区的源电极se和漏电极de。栅极绝缘层112可以设置在半导体层act和栅电极ge之间，并且第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以设置在栅电极ge和源电极se之间或栅电极ge和漏电极de之间。
83.存储电容器cst可以包括彼此重叠的第一电容器板cst1和第二电容器板cst2。第一层间绝缘层113可以设置在第一电容器板cst1和第二电容器板cst2之间。
84.半导体层act可以包括多晶硅。在一些实施方式中，半导体层act可以包括非晶硅。在一些实施方式中，半导体层act可以包括选自铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)的组中的至少一种材料的氧化物。
85.栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
86.栅电极ge和/或第一电容器板cst1可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
87.第一层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
88.第二电容器板cst2可以包括al、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、cr、钙(ca)、mo、ti、钨(w)和/或cu，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
89.第二层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
90.源电极se或漏电极de可以包括al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、ca、mo、ti、w和/或cu，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。例如，源电极se或漏电极de可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
91.平坦化绝缘层117可以包括与布置在其下方的至少一个无机绝缘层(例如，栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115)不同的材料。例如，平坦化绝缘层117可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酰基、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)。
92.像素电极层140可以形成在平坦化绝缘层117上。像素电极层140可以通过形成在平坦化绝缘层117中的接触孔电连接到薄膜晶体管tft。
93.像素电极层140可以包括反射电极。例如，像素电极层140可以包括反射层，其包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或其化合物。像素电极层140可以包括具有上述材料的反射层、以及布置在反射层上方和/或下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。在实施方式中，像素电极层140可以具有ito层/ag层/ito层的三层结构。
94.在形成包括上述材料的层之后，可以通过蚀刻(例如，湿法蚀刻或干法蚀刻)对像素电极层140进行图案化。像素电极层140形成在像素区域pa中且不形成在透射区域ta中。
95.参照图5，可以在像素电极层140上形成上绝缘层119。在实施方式中，上绝缘层119可以通过使用光刻胶的曝光和显影工艺形成。
96.上绝缘层119可以包括通孔119h，其覆盖像素电极层140的边缘并暴露像素电极层140的上表面。上绝缘层119的通孔119h可以限定发光二极管的发射区域，该发光二极管通过稍后将描述的工艺形成。
97.上绝缘层119可以包括有机绝缘材料，诸如bcb、聚酰亚胺或hmdso。
98.参照图6，可以在像素电极层140上形成发射层160。发射层160可以通过使用第一
掩模m1的沉积方法(例如，真空沉积方法)来形成，第一掩模m1包括与像素电极层140重叠的第一掩模孔mh1。在一些实施方式中，发射层160可以使用多种方法(诸如，旋转涂布、浇铸、langmuir
‑
blodgett(lb)、喷墨印刷、激光印刷、激光热传递等)形成。
99.发射层160可以包括有机材料，例如聚合物有机材料或低分子量有机材料。发射层160可以包括发射特定颜色(例如，红色、绿色和蓝色)的光的材料，并且可以包括荧光材料或磷光材料。发射层160可以包括主材料和掺杂剂材料。
100.在形成发射层160之前，可以在像素电极层140上形成第一功能层150。可以使用开口掩模在显示区域da(参见图1)中形成第一功能层150，其中该开口掩模包括具有与显示区域da(参见图1)对应的尺寸的掩模孔。在该方面，图6示出了第一功能层150位于透射区域ta和像素区域pa中。例如，第一功能层150可以连续地覆盖透射区域ta和像素区域pa。
101.第一功能层150可以包括空穴传输层(htl)和/或空穴注入层(hil)。可以将降低空穴注入势垒并具有大空穴迁移率的常规空穴注入材料和/或空穴传输材料用于第一功能层150，并且空穴注入材料和/或空穴传输材料可以是有机材料。
102.htl可以包括酞菁化合物、n,n'
‑
二苯基
‑
n,n'
‑
双
‑
[4
‑
(苯基
‑
间甲苯基
‑
氨基)
‑
苯基]
‑
联苯基
‑
4,4'
‑
二胺(dntpd)、4,4',4"
‑
三(3
‑
甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m
‑
mtdata)、4,4',4"
‑
三(n,n
‑
二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4"
‑
三{n,n
‑
(2
‑
萘基)
‑
n
‑
苯基氨基}
‑
三苯胺(2tnata)、聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)等。
[0103]
hil可以包括咔唑衍生物、氟衍生物、三苯胺衍生物(诸如，n,n'
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
[1,1联苯基]
‑
4,4'
‑
二胺(tpd)、以及4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta)、n,n'
‑
二(1
‑
萘基)
‑
n,n'
‑
二苯基联苯胺(npb)、4,4'
‑
亚环己基双[n,n
‑
双(4
‑
甲基苯基)苯胺](tapc))等。
[0104]
参照图7，可以在发射层160上形成表面能控制层170。表面能控制层170可以使用开口掩模形成在显示区域da(参见图1)中，其中该开口掩模包括具有与显示区域da(参见图1)对应的尺寸的掩模孔，并且因此表面能控制层170可以在像素区域pa和透射区域ta中。例如，表面能控制层170可以连续地覆盖像素区域pa和透射区域ta。
[0105]
在实施方式中，表面能控制层170可以直接形成在发射层160上。在像素区域pa中，表面能控制层170可以直接接触发射层160的上表面。在透射区域ta中，表面能控制层170可以直接接触第一功能层150的上表面。
[0106]
表面能控制层170可以具有小于或等于约20mj/m2的表面能。表面能控制层170可以包括全氟化材料。例如，表面能控制层170可以包括具有
‑
cf3官能团(其中三个氟原子键合到碳原子)的材料，或者包括具有
‑
cf2‑
官能团的材料。在一些实施方式中，当表面能控制层170包括其中三个氟原子键合到碳原子的
‑
cf3官能团时，表面能可以是约6mj/m2，并且当表面能控制层170包括
‑
cf2‑
官能团时，表面能可以是约18mj/m2。
[0107]
由于表面能控制层170位于发射层160和稍后将描述的相对电极层190(参见图11)之间，因而表面能控制层170的电子迁移率可以大于或等于约1
×
10
‑7cm2/v
·
s。
[0108]
表面能控制层170的厚度t可以小于发射层160的厚度t。例如，表面能控制层170的厚度t可以是发射层160的厚度t的约0.1倍或更小。在实施方式中，表面能控制层170的厚度
t可以是约并且发射层160的厚度t可以是约
[0109]
可以在表面能控制层170上形成包括第一子功能层181和第二子功能层182(参见图8)的第二功能层180(参见图8)。在形成第二子功能层182之前，可以在表面能控制层170上直接形成第一子功能层181。
[0110]
表面能控制层170用于防止或抑制在稍后将描述的工艺中第二子功能层182和/或相对电极层190(参见图11)的形成。当在像素区域pa中没有设置第一子功能层181时，在像素区域pa中可能无法形成相对电极层190(参见图11)，并且因此，在像素区域pa中无法形成发光二极管。第一子功能层181可以用作用于形成第二子功能层182和/或相对电极层190(参见图11)的中间层。
[0111]
可以使用包括与像素区域pa重叠的第二掩模孔mh2的第二掩模m2来设置第一子功能层181。在一些实施方式中，第一子功能层181可以使用多种方法(诸如，旋转涂布、浇铸、lb、喷墨印刷、激光印刷、激光热传递等)形成。
[0112]
第一子功能层181可以包括与透射区域ta对应的开口181op，并且表面能控制层170的一部分(例如，表面能控制层170的与透射区域ta对应的部分)可以通过开口181op暴露。
[0113]
第一子功能层181可以包括电子传输层(etl)，并且etl可以包括有机材料。例如，第一子功能层181可以包括三(8
‑
羟基喹啉根合)铝(alq3)、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯并[d]咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)、2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)、3
‑
(4
‑
联苯基)
‑4‑
苯基
‑5‑
叔丁基苯基
‑
1,2,4
‑
三唑(taz)、4
‑
(萘
‑1‑
基)
‑
3,5
‑
二苯基
‑
4h
‑
1,2,4
‑
三唑(ntaz)、2
‑
(4
‑
联苯基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)1,3,4
‑
恶二唑(tbu
‑
pbd)、二(2
‑
甲基
‑8‑
羟基喹啉根合
‑
n1,o8)
‑
(1,1'
‑
联苯基
‑4‑
根合)铝(balq)、双(苯并喹啉
‑
10
‑
根合)铍(bebq2)和/或9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽(adn)。
[0114]
第一子功能层181可以包括提高发光二极管的使用寿命的层。例如，第一子功能层181可以包括具有满足2.3ev或更大的三重态能量的层，和/或ehomo
‑
elumo的值可以大于3.0ev(例如，ehomo
‑
elumo>3.0ev)。在一些实施方式中，第一子功能层181的层可以包括具有吸电子官能团(ewg)和供电子官能团(edg)的双极化合物，其中吸电子官能团(ewg)具有大的吸电子能力，供电子官能团(edg)具有大的供电子能力。
[0115]
参照图8，第二子功能层182可以形成在第一子功能层181上。第二子功能层182可以包括电子注入层(eil)。eil可以包括金属，诸如碱金属、碱土金属和/或镧系金属。在一些实施方式中，第二子功能层182可以包括氟化锂(lif)、喹啉锂(liq)、氧化锂(li2o)、氧化钡(bao)、氯化钠(nacl)、氟化铯(csf)、镧系金属(诸如，yb)和/或金属卤化物(诸如，氯化铷(rbcl)或碘化铷(rbi))。
[0116]
第二子功能层182可以使用第三掩模m3(例如，开口掩模)来形成(例如，沉积)，其中，第三掩模m3包括与显示区域da(参见图1)对应的第三掩模孔mh3。如图8中所示，第三掩模孔mh3可以与透射区域ta和像素区域pa重叠。构成第二子功能层182的材料可以通过第三掩模孔mh3移动到衬底100上。在穿过第三掩模孔mh3的材料中的设置在像素区域pa中的材料可以沉积在第一子功能层181上，以形成第二子功能层182。由于与通过第一子功能层181的开口181op暴露的表面能控制层170的表面能差异，穿过第三掩模孔mh3的材料中的设置在透射区域ta中的材料可以不形成层。如图8中所示，第二子功能层182可以仅在像素区域
pa中形成，而不与透射区域ta重叠。
[0117]
参照图9，第二子功能层182可以在像素区域pa中形成一定厚度。层可以具有在宽度方向(例如，x方向)和/或长度方向(例如，y方向)上连续形成的结构。如图9中所示，在像素区域pa中，第二子功能层182可以在宽度方向(例如，x方向)上连续形成。因此，可以在第二子功能层182和与第二子功能层182相邻的层之间在宽度方向上形成连续界面。例如，在像素区域pa中第二子功能层182和第一子功能层181之间的界面可以在宽度方向上连续形成。
[0118]
如图10a中所示，通过表面能控制层170，构成第二子功能层182(参见图8)的材料基本上不在透射区域ta中，或者如图10b中所示，仅构成第二子功能层182的少量材料位于透射区域ta中，且对应于第二子功能层182(参见图8)的层未形成于透射区域ta中。理想地，与构成第二子功能层182(参见图8)的材料相同的材料可以不在透射区域ta中。然而，由于通过开口掩模形成第二子功能层182(参见图8)，如图10a和图10b中所示，少量或非常少量的聚集体182a可以在透射区域ta中。聚集体182a是颗粒(聚集体颗粒)并且可以具有不同的形状和/或直径。聚集体182a可以包括与第二子功能层182(参见图8)相同的材料。聚集体182a在宽度方向上不连续地和/或随机地布置，并且因此，表面能控制层170的与透射区域ta对应的部分可以通过聚集体182a之间的空间暴露。
[0119]
参照图11，在第二功能层180上(例如，在第二子功能层182上)形成相对电极层190。
[0120]
相对电极层190可以包括透明电极，例如半透明电极。相对电极层190可以包括具有相对低的功函数的金属。例如，相对电极层190可以包括薄膜，该薄膜包括ag、mg、al、ni、cr、li、ca或其合金。在实施方式中，相对电极层190可以包括ag和mg。
[0121]
可使用第三掩模m3(例如，开口掩模)在显示区域da(参见图1)中形成(例如，沉积)相对电极层190，其中第三掩模m3包括与显示区域da(参见图1)对应的第三掩模孔mh3。如图11中所示，构成相对电极层190的材料可以通过第三掩模孔mh3设置在衬底100上。穿过第三掩模孔mh3的材料中的设置在像素区域pa中的材料可以沉积在第一子功能层181和第二子功能层182上，以形成相对电极层190。由于通过第一子功能层181的开口181op暴露的表面能控制层170，因此穿过第三掩模孔mh3的材料中的前进到透射区域ta的材料不形成层。
[0122]
参照图12，可以在像素区域pa中形成具有一定厚度的相对电极层190。在像素区域pa中，在宽度方向(例如，x方向)上连续地形成相对电极层190，并且因此，可以在相对电极层190和与相对电极层190相邻的层之间在宽度方向上形成连续的界面。例如，在像素区域pa中相对电极层190和第二子功能层182之间的界面可以在宽度方向上连续地形成。
[0123]
如图13a中所示，通过表面能控制层170，构成相对电极层190的材料(参见图11)基本上不在透射区域ta中，或者如图13b中所示，仅构成相对电极层190的少量材料位于透射区域ta中，并且在透射区域ta中不形成与相对电极层190(参见图11)对应的层(膜)。
[0124]
理想地，与构成相对电极层190(参见图11)的材料相同的材料可以不在透射区域ta中，但由于相对电极层190(参见图11)通过开口掩模形成，如图13a和图13b中所示，少量或非常少量的聚集体190a可以在透射区域ta中。聚集体190a是颗粒并且可以具有不同的形状和/或直径。聚集体190a可以包括与相对电极层190(参见图11)相同的材料。聚集体190a在宽度方向上不连续地和/或随机地布置，并且因此，表面能控制层170的与透射区域ta对
应的部分可以通过聚集体190a之间的空间暴露。
[0125]
返回参照图11，像素区域pa中的像素电极层140、第一功能层150、发射层160、表面能控制层170、第二功能层180和相对电极层190的堆叠结构可以形成有机发光二极管oled。由有机发光二极管oled生成的光(或第一光l1)可以发射到外部。
[0126]
与像素区域pa不同，电路元件pc和发射层160可以不位于透射区域ta中。例如，有机发光二极管oled的表面能控制层170可以在像素区域pa和透射区域ta中，但是用于发光的最小堆叠结构(例如，像素电极层140、发射层160和相对电极层190的堆叠体)不在透射区域ta中。在一些实施方式中，如图11中所示，第一功能层150和表面能控制层170在像素区域pa中并且在透射区域ta中，但是像素电极层140、发射层160、第二功能层180和相对电极层190不在透射区域ta中。
[0127]
包括构成有机发光二极管oled的材料中的金属的层(例如，第二子功能层182和相对电极层190)基本上不形成在透射区域ta中，并且因此，透射区域ta的透射率可以通过如上所述的相对简单的工艺而被极大地改善。
[0128]
图11示出了由布置在像素区域pa中的有机发光二极管oled发射的第一光l1和通过透射区域ta在从衬底100的后表面100r朝向衬底100的前表面100f的方向(例如，z方向)上行进的外部光(或第二光l2)，但是实施方式不限于此。在另一实施方式中，第一光l1和第二光l2可以在从衬底100的前表面100f朝向衬底100的后表面100r的方向(例如，
‑
z方向)上行进。
[0129]
根据参照图4至图11描述的过程，提供了在像素区域pa中在第一子功能层181上形成第二子功能层182和相对电极层190的结构，但是在另一实施方式中，可以不形成第二子功能层182。例如，在像素区域pa中，相对电极层190可以直接形成在第一子功能层181上。
[0130]
图14是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
[0131]
图14的显示装置可以包括像素区域pa和透射区域ta，其中在像素区域pa中布置有电路元件pc和有机发光二极管oled，并且电路元件pc和有机发光二极管oled的特性和过程与以上参照图4至图13b描述的那些基本上相同。对于不同之处，图14的像素电极层140可以包括透射电极，该透射电极包括诸如ito的透明导电层，并且相对电极层190可以包括反射电极，该反射电极包括ag、mg、al、ni、cr、li、ca或其合金。
[0132]
如图14中所示，布置在像素区域pa中的有机发光二极管oled的第一光l1可以在从衬底100的前表面100f朝向衬底100的后表面100r的方向(例如，
‑
z方向)上行进。图14中的透射区域ta的堆叠结构如上所述，并且外部光(第二光l2)可以穿过透射区域ta。
[0133]
图15是根据实施方式的包括显示装置的电子设备2的示意性立体图。
[0134]
参照图15，电子设备2可以是透明电子显示装置，诸如平视显示器。电子设备2可以包括以上参照图1至图14所述的、具有显示区域da和非显示区域nda的显示装置1。电子设备2的显示区域da可以包括透射区域ta和像素区域pa被重复布置的结构。
[0135]
用户usr可以识别通过布置在电子设备2的像素区域pa中的发光二极管的光来实施的图像，并且识别位于用户usr的相对侧上的外部图像(例如，对象obj的图像)，且电子设备2位于用户usr和外部图像之间。
[0136]
图16a和图16b是根据实施方式的包括显示装置的电子设备3的示意性立体图。
[0137]
参照图16a和图16b，电子设备3可以包括以上参照图1至图14所述的、具有显示区
域da和非显示区域nda的显示装置1。
[0138]
电子设备3的显示区域da包括透射区域ta，并且透射区域ta可以仅在显示区域da的一部分中。例如，显示区域da可以包括第一显示区域da1和第二显示区域da2，在第一显示区域da1中布置像素(下文中，称为第一像素p1)，在第二显示区域da2中布置像素(下文中，称为第二像素p2)和透射区域ta。
[0139]
第二显示区域da2可以如图16a中所示地被第一显示区域da1完全围绕，或者如图16b中所示被第一显示区域da1部分地围绕。
[0140]
图17是根据实施方式的电子设备3的示意性剖视图。
[0141]
参照图17，电子设备3可以包括显示装置1和部件cmp。显示装置1可以包括衬底100和衬底100上的显示层dpl，并且显示层dpl可以被封装层覆盖。图17示出了封装层包括薄膜封装层200a，该薄膜封装层200a包括第一无机封装层210、有机封装层220和第二无机封装层230。
[0142]
第一无机封装层210和第二无机封装层230各自可以包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层220可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。例如，有机封装层220可以包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。
[0143]
衬底100可以包括第一基础层101、第一阻挡层102、第二基础层103和第二阻挡层104。
[0144]
第一基础层101和第二基础层103各自可以包括聚合物树脂。聚合物树脂可以包括pes、par、pei、pen、pet、pps、pi、聚碳酸酯、tac、cap等。
[0145]
聚合物树脂可以是透明的。
[0146]
电路元件pc可以布置在衬底100上，并且电路元件pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。薄膜晶体管tft的半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de、以及存储电容器cst的第一电容器板cst1和第二电容器板cst2如上所述。在一些实施方式中，存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft重叠。例如，栅电极ge可以包括存储电容器cst的第一电容器板cst1。
[0147]
金属层bml可以在衬底100和电路元件pc之间，例如在衬底100和缓冲层111之间。金属层bml位于第二显示区域da2中，并且可以防止电路元件pc被朝向部件cmp的光或者从部件cmp发射的光损坏。
[0148]
金属层bml可以包括与透射区域ta对应的通孔bml
‑
th。金属层bml可以包括导电材料，诸如al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、ca、mo、ti、w和/或cu。
[0149]
金属层bml可以电连接到连接线cl。连接线cl可以电连接到薄膜晶体管tft的栅电极ge、源电极se或漏电极de，或者可以电连接到存储电容器cst的电容器板中的一个。在其它实施方式中，连接线cl可以电连接到提供第一电力电压elvdd(参见图3)的线。
[0150]
在像素区域pa中，有机发光二极管oled可以包括像素电极层140、第一功能层150、发射层160、表面能控制层170、第二功能层180和相对电极层190，并且各个层的特性如以上参照图11等所述。
[0151]
第一功能层150和表面能控制层170可以延伸到透射区域ta中，但是第二功能层
180和相对电极层190可以基本上不在透射区域ta中，如以上参照图8至图13b所述。
[0152]
为了改善透射区域ta的透射率，布置在衬底100上的绝缘层(例如，栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115、平坦化绝缘层117和/或上绝缘层119)可以包括孔112h、113h、115h、117h和119h，其在透射区域ta中彼此重叠。在一些实施方式中，衬底100上的缓冲层111也可以包括对应于透射区域ta的孔。
[0153]
部件cmp可以包括使用光的电子元件。电子元件的示例可以包括测量距离的传感器(诸如，接近传感器)、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜、脸部等)的传感器、输出光的小的灯、以及捕获图像的图像传感器(例如，相机)。使用光的电子元件可以使用处于多种波长带中的光，诸如可见光、红外光、紫外光等。在实施方式中，部件cmp可以与透射区域ta重叠。
[0154]
参照图15至图17描述的电子设备2和3可以包括多种类型的电子设备，诸如平视显示电子设备、移动电话或用于车辆的显示电子设备。
[0155]
应理解的是，本文中描述的实施方式应被认为仅具有描述性的含义，并且不是出于限制的目的。在每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的多种改变。