一种故障分析用的半导体试片的制备方法与流程

技术特征：
1.一种故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体样品，前述半导体样品包括一半导体组件、一金属接触层、一第一介电层、一导线层以及一第二介电层，其中前述金属接触层连接前述半导体组件，前述第一介电层覆盖前述半导体组件及前述金属接触层，前述导线层是形成于前述第一介电层上，且藉由连接前述金属接触层以电性连接前述半导体组件，且前述第二介电层是覆盖于前述导线层上；对前述半导体样品施一研磨处理，以邻近前述金属接触层与前述导线层间的界面为研磨终点，逐渐研磨去除前述第二介电层及前述导线层；形成一黏着层于研磨处理过的前述半导体样品表面，前述黏着层对前述第一介电层的附着力大于前述黏着层对前述金属接触层的附着力；以及固化前述黏着层后，剥离前述黏着层，使部分前述第一介电层连同前述黏着层一起被剥除，并使部分前述金属接触层裸露出来。2.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述第一、第二介电层为相同或相异介电材料所构成。3.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述第一、第二介电层为相同介电材料所构成，且前述介电材料主要为氧化硅。4.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述研磨处理步骤为人工研磨或机械研磨。5.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述黏着层为胶层、胶带或蜡层。6.如权利要求5所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述胶层或胶带包含一非挥发性且非液态的黏着材料。7.如权利要求6所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述非挥发性且非液态的黏着材料为硅胶。8.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述黏着层的厚度介于50～100微米。9.如权利要求1所述的故障分析用的半导体试片的制备方法，其特征在于，其中前述黏着层的固化步骤为常温固化、加热固化或照光固化。

技术总结
本发明公开了一种故障分析用的半导体试片的制备方法，藉由使用一种非挥发性、非液态且对介电材质具有较高黏着特性而对金属接触材料具有较低黏着特性的黏着材料所构成的黏着层，可大面积、高均匀度的选择性移除介电材料部分厚度，并完整保留金属接触材料，且不会与半导体样品产生化学反应或甚至破坏欲分析的结构，且可藉由选用不同的黏着层材料，控制与介电层的黏着度，进而可以控制移除介电层的厚度，故可提供一种适用于尺寸缩小化的故障分析用半导体试片。析用半导体试片。析用半导体试片。


技术研发人员：柳纪纶 陈荣钦 张仕欣
受保护的技术使用者：汎铨科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.02
技术公布日：2022/5/20