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一种非显影式的光刻方法与流程

2022-05-21 08:55:48 来源:中国专利 TAG:

1.本发明属于光刻和微纳加工领域,尤其涉及一种非显影式的光刻方法。


背景技术:

2.集成电路的发展离不开光刻技术的发展,新型光刻技术的出现有利于促进集成电路进一步提高集成度、进一步缩小器件的尺寸,延长摩尔定律。传统光刻工艺流程,需要进行涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜、镀膜或刻蚀、去胶等一系列复杂的流程。基于投影式光刻技术,集成特定的光源,经过一系列的光学元件,最终照射到光刻胶上。实现将光照区域的光刻胶照射挥发,并且不会损伤基底和基底上的样品,实现了光刻图形的生成,改变了传统的光刻工艺流程。祛除了后烘、显影、坚膜等步骤。简化了光刻工艺流程,避免了显影所引起的光刻精度问题。


技术实现要素:

3.为解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种非显影式的光刻方法。
4.为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
5.一种非显影式的光刻方法,包括以下步骤:
6.步骤1:光刻光和指引光分别通过第一准直透镜和第二准直透镜进行准直处理;
7.步骤2:经由二向色镜将步骤1的两束光进行合束,然后再通过聚焦透镜射入匀光模组的入射端面;
8.步骤3:通过匀光模组后的光线再次通过第三准直透镜,将其变成均匀的准直光;
9.步骤4:步骤3中的准直光通过反射镜反射至第一分光片,并由第一分光片将一部分分光反射至光掩模板上;
10.步骤5:反射回来的光将带有光掩模板上的信息,并通过第二分光片和照明光进行合束处理;
11.步骤6:合束后将带有信息的光通过第三分光片,光束打到基底上的光刻胶,照射出光掩模板上面的信息,实现了图形的转移;
12.步骤7:最后反射到相机中的光可以对样品进行实时成像观测。
13.优选地,所述的一种非显影式的光刻方法,所述光掩模板为空间光调制器,或为实体掩模板。
14.优选地,所述的一种非显影式的光刻方法,所述步骤5中的信息为光刻的图形。
15.借由上述方案,本发明至少具有以下优点:
16.本发明的光刻光照射到掩模板后反射,然后照射到光刻胶上,光照区域的光刻胶被打飞或者挥发,并且不会损伤基底或者基底上的样品,实现了光刻图形的生成,省略了传统的光刻工艺流程中的后烘、显影、坚膜的流程。改变了传统光刻工艺,简化了光刻工艺的流程,避免了显影带来的光刻误差,保证了光刻的精度。
17.上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,
并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
19.图1是本发明的工作流程示意图。
具体实施方式
20.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
21.此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
22.实施例
23.如图1所示,一种非显影式的光刻方法,包括以下步骤:
24.步骤1:光刻光1和指引光2分别通过第一准直透镜3和第二准直透镜4进行准直处理;
25.步骤2:经由二向色镜5将步骤1的两束光进行合束,然后再通过聚焦透镜6射入匀光模组的入射端面;
26.步骤3:通过匀光模组7后的光线再次通过第三准直透镜8,将其变成均匀的准直光;
27.步骤4:步骤3中的准直光通过反射镜9反射至第一分光片11,并由第一分光片11将一部分分光反射至光掩模板10上;
28.步骤5:反射回来的光将带有光掩模板10上的信息,并通过第二分光片12和照明光13进行合束处理;
29.步骤6:合束后将带有信息的光通过第三分光片14,光束打到基底上的光刻胶,照射出光掩模板上面的信息,实现了图形的转移;
30.步骤7:最后反射到相机15中的光可以对样品进行实时成像观测。
31.本发明所述光掩模板为空间光调制器,或为实体掩模板。
32.本发明所述步骤5中的信息为光刻的图形。
33.以上所述仅是本发明的优选实施方式,并不用于限制本发明,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。


技术特征:
1.一种非显影式的光刻方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:光刻光和指引光分别通过第一准直透镜和第二准直透镜进行准直处理;步骤2:经由二向色镜将步骤1的两束光进行合束,然后再通过聚焦透镜射入匀光模组的入射端面;步骤3:通过匀光模组后的光线再次通过第三准直透镜,将其变成均匀的准直光;步骤4:步骤3中的准直光通过反射镜反射至第一分光片,并由第一分光片将一部分分光反射至光掩模板上;步骤5:反射回来的光将带有光掩模板上的信息,并通过第二分光片和照明光进行合束处理;步骤6:合束后将带有信息的光通过第三分光片,光束打到基底上的光刻胶,照射出光掩模板上面的信息,实现了图形的转移;步骤7:最后反射到相机中的光可以对样品进行实时成像观测。2.根据权利要求1所述的一种非显影式的光刻方法,其特征在于:所述光掩模板为空间光调制器,或为实体掩模板。3.根据权利要求1所述的一种非显影式的光刻方法,其特征在于:所述步骤5中的信息为光刻的图形。

技术总结
本发明涉及一种非显影式的光刻方法,包括以下步骤:步骤1:光刻光和指引光分别通过第一准直透镜和第二准直透镜进行准直处理;步骤2:经由二向色镜合束,通过聚焦透镜射入匀光模组的入射端面;步骤3:通过匀光模组后的光线再次通过第三准直透镜;步骤4:准直光通过反射镜反射至第一分光片,并由第一分光片将一部分分光反射至光掩模板上;步骤5:反射回来的光将带有光掩模板上的信息,并通过第二分光片和照明光进行合束处理;步骤6:合束后将带有信息的光通过第三分光片,光束打到基底上的光刻胶,照射出光掩模板上面的信息;步骤7:由相机对样品进行实时成像观测。本发明能实时进行观测产品,同时能简化光刻工艺流程,提高精度。提高精度。提高精度。


技术研发人员:严振中 吴阳
受保护的技术使用者:赫智科技(苏州)有限公司
技术研发日:2020.11.20
技术公布日:2022/5/20
再多了解一些

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