一种像素TFT充放电面板电路结构的制作方法

一种像素tft充放电面板电路结构
技术领域
1.本发明涉及显示屏技术领域，具体而言，涉及一种像素tft充放电面板电路结构。


背景技术：

2.电子纸墨水屏显示具有超低功耗，低频显示、省电的特点，在价格标签、教育平板、公交站牌具有广泛地应用市场。
3.显示驱动原理为每一条扫描线循序送出开启信号给一列tft，当tft被导通时，数据线经由导通的tft对像素的储存电容充电而写入一灰阶电压。在tft被关闭后，该灰阶电压仍被储存电容维持着，直到下一次控制此像素的tft被开启时才会再更新灰阶电压。扫描线会循序不断的开启每一列上的tft，然后由数据线更新像素的灰阶电压，以此方式不断地循环动作以更新画面。其中扫描线同左右两侧拉线到ic，由ic提供开启和关闭的波形。每一帧刷新过程是先进行放电，再充电。但现有的产品在整个充放电过程都在同一个时间脉冲内完成，容易造成像素内的电荷充放电不充分，进而导致显示不均的问题。


技术实现要素：

4.本发明解决的问题是如何通过tft背板电路进行提前预充电，改善电子纸在刷屏过程中因充放电不足导致的阴阳屏、显示不均的问题。
5.为解决上述问题，本发明提供一种像素tft充放电面板电路结构，包括：像素基板、隔离式栅极驱动器和柔性电路板；
6.所述像素基板上设置有多个阵列排布的像素单元，所述隔离式栅极驱动器和所述柔性电路板分别与多个所述像素单元连接；
7.所述像素单元包括第一晶体管、第二晶体管和储存电容；所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极连接在扫描线上，所述扫描线上串接有多个所述像素单元，所述第一晶体管的发射极与数据线连接，所述第一晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极连接，所述第二晶体管的集电极与所述储存电容的阳极连接，所述储存电容的阴极接地；
8.横向相邻的所述扫描线之间的连接线上设置有预充电电路，当所述扫描线与所述连接线的第一节点开启时，所述扫描线与所述连接线的第二节点单向打开，用于进行预充电动作；所述扫描线通过所述连接线与所述隔离式栅极驱动器连接，多个所述像素单元通过com线与所述柔性电路板连接。
9.在上述结构中，通过隔离式栅极驱动器提供扫描线驱动信号，逐行的充放电过程在同一时间内进行，通过增加tft背板预充电电路可以进行提前预充电，有效改善电子纸在刷屏过程中因充放电不足导致的阴阳屏、显示不均等问题。
10.进一步地，所述预充电电路包括第一单向导通二极管和第二单向导通二极管，所述第一单向导通二极管的正极与所述第二单向导通二极管的正极并联在所述连接线上，所述第一单向导通二极管的负极和一个所述像素单元连接，所述第二单向导通二极管的负极和另一个所述像素单元连接。
11.在上述结构中，在相邻的扫描线用单向二级管进行，当扫描线第一节点开启时，第二节点同时也会单向打开，进行预充电，当扫描线进行到第二节点时可以再次充电，实现像素电荷充满，因此改善像素充电。
12.进一步地，所述预充电电路包括第一单向导通二极管、第二单向导通二极管和第三晶体管；所述第一单向导通二极管的正极与所述第三晶体管的基极并联在所述连接线上，所述第一单向导通二极管的负极与所述第三晶体管的集电极和一个所述像素单元并联，所述第三晶体管的发射极通过所述第二单向导通二极管和另一个所述像素单元串联。
13.在上述结构中，防止因tft工艺特性的差异使得tft开关特性较差，导致左右与扫描线连接的连接线发生导通现象，造成显示异常。
14.进一步地，所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极与同行的所述扫描线上的其他所述像素单元的所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极连接。
15.进一步地，所述第一晶体管的发射极与同列的所述数据线上的其他所述像素单元的所述第一晶体管的发射极连接。
16.进一步地，同一行的所述像素单元的所述第一晶体管和所述第二晶体管由上一行的所述扫描线控制。
17.进一步地，所述隔离式栅极驱动器通过所述扫描线分别与多个所述像素单元并联。
18.进一步地，所述柔性电路板通过所述数据线分别与多个所述像素单元并联。
19.进一步地，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别采用pnp型晶体管。
20.进一步地，所述第三晶体管采用npn型晶体管。
21.本发明采用上述技术方案包括以下有益效果：
22.本发明能够通过在像素基板中设计预充电电路对像素进行进行预充电，节省充电过程的时间，从而更容易实现像素电荷充满，从而改善因充放电不均导致的显示不均的问题。
附图说明
23.图1为本发明实施例一和实施例二提供的像素tft充放电面板电路结构示意图；
24.图2为本发明实施例一提供的像素tft充放电面板电路结构的预充电电路结构示意图；
25.图3为本发明实施例二提供的像素tft充放电面板电路结构的预充电电路结构示意图；
26.图4为本发明实施例一提供的像素tft充放电面板电路结构的预充电电路中反扫电路结构示意图一；
27.图5为本发明实施例一提供的像素tft充放电面板电路结构的预充电电路中反扫电路结构示意图二；
28.附图标记说明：
29.1-像素单元、101-第一晶体管、102-第二晶体管、103-储存电容、104-第三晶体管、2-扫描线、3-数据线、4-连接线、5-第一节点、6-第二节点、d1-第一单向导通二极管、d2-第二单向导通二极管。
具体实施方式
30.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
31.以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
32.实施例一
33.本实施例提供了一种像素tft充放电面板电路结构，如图1和图2所示，包括像素基板、隔离式栅极驱动器和柔性电路板；
34.像素基板上设置有多个阵列排布的像素单元1，隔离式栅极驱动器和柔性电路板分别与多个像素单元1连接；
35.像素单元1包括第一晶体管101、第二晶体管102和储存电容103；第一晶体管101和第二晶体管102的基极连接在扫描线2上，扫描线2上串接有多个像素单元1，第一晶体管101的发射极与数据线3连接，第一晶体管101的集电极与第二晶体管102的发射极连接，第二晶体管102的集电极与储存电容103的阳极连接，储存电容103的阴极接地；
36.横向相邻的扫描线2之间的连接线4上设置有预充电电路，当扫描线2与连接线4的第一节点5开启时，扫描线2与连接线4的第二节点6单向打开，用于进行预充电动作；扫描线2通过连接线4与隔离式栅极驱动器连接，多个像素单元1通过com线与柔性电路板连接。
37.具体的，通过隔离式栅极驱动器提供扫描线2驱动信号，逐行的充放电过程在同一时间内进行，通过增加tft背板预充电电路可以进行提前预充电，有效改善电子纸在刷屏过程中因充放电不足导致的阴阳屏、显示不均等问题。
38.其中，预充电电路包括第一单向导通二极管d1和第二单向导通二极管d2，第一单向导通二极管d1的正极与第二单向导通二极管d2的正极并联在连接线4上，第一单向导通二极管d1的负极和一个像素单元1连接，第二单向导通二极管的负极d2和另一个像素单元1连接。
39.具体的，在相邻的扫描线2用单向二级管连接，当扫描线2第一节点5开启时，第二节点6同时也会单向打开，进行预充电，当扫描线2进行到第二节点6时可以再次充电，实现像素电荷充满，因此改善像素充电。
40.其中，第一晶体管101和第二晶体管102的基极与同行的扫描线2上的其他像素单元1的第一晶体管101和第二晶体管102的基极连接。
41.其中，第一晶体管101的发射极与同列的数据线3上的其他像素单元1的第一晶体管101的发射极连接。
42.其中，同一行的像素单元1的第一晶体管101和第二晶体管102由上一行的扫描线2控制。
43.其中，隔离式栅极驱动器通过扫描线2分别与多个像素单元1并联。
44.其中，柔性电路板通过所述数据线3分别与多个像素单元1并联。
45.其中，第一晶体管101和第二晶体管102分别采用pnp型晶体管。
46.参阅图4和图5，为反扫电路设计，即扫描信号从下往上扫描，当扫描线2的第一节点5开启时，扫描线的第二节点6同时也会单向打开，进行预充电，当扫描线进行到第二节点6时可以再次充电，实现像素电荷充满，因此改善像素充电。
47.本发明能够通过在像素基板中设计预充电电路对像素进行进行预充电，节省充电过程的时间，从而更容易实现像素电荷充满，从而改善因充放电不均导致的显示不均的问题。
48.实施例二
49.本实施例提供了一种像素tft充放电面板电路结构，如图1和图3所示，包括像素基板、隔离式栅极驱动器和柔性电路板；
50.像素基板上设置有多个阵列排布的像素单元1，隔离式栅极驱动器和柔性电路板分别与多个像素单元1连接；
51.像素单元1包括第一晶体管101、第二晶体管102和储存电容103；第一晶体管101和第二晶体管102的基极连接在扫描线2上，扫描线2上串接有多个像素单元1，第一晶体管101的发射极与数据线3连接，第一晶体管101的集电极与第二晶体管102的发射极连接，第二晶体管102的集电极与储存电容103的阳极连接，储存电容103的阴极接地；
52.横向相邻的扫描线2之间的连接线4上设置有预充电电路，当扫描线2与连接线4的第一节点5开启时，扫描线2与连接线4的第二节点6单向打开，用于进行预充电动作；扫描线2通过连接线4与隔离式栅极驱动器连接，多个像素单元1通过com线与柔性电路板连接。
53.具体的，通过隔离式栅极驱动器提供扫描线2驱动信号，逐行的充放电过程在同一时间内进行，通过增加tft背板预充电电路可以进行提前预充电，有效改善电子纸在刷屏过程中因充放电不足导致的阴阳屏、显示不均等问题。
54.其中，预充电电路包括第一单向导通二极管d1、第二单向导通二极管d2和第三晶体管104；第一单向导通二极管d1的正极与第三晶体管104的基极并联在连接线4上，第一单向导通二极管d1的负极与第三晶体管104的集电极和一个像素单元1并联，第三晶体管104的发射极通过第二单向导通二极管d2和另一个所述像素单元1串联。
55.具体的，防止因tft工艺特性的差异使得tft开关特性较差，导致左右与扫描线2连接的连接线4发生导通现象，造成显示异常。
56.其中，第三晶体管104采用npn型晶体管。
57.本发明能够通过在像素基板中设计预充电电路对像素进行进行预充电，节省充电过程的时间，从而更容易实现像素电荷充满，从而改善因充放电不均导致的显示不均的问题。
58.虽然本公开披露如上，但本公开的保护范围并非仅限于此。本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围的前提下，可进行各种变更与修改，这些变更与修改均将落入本发明的保护范围。