阵列基板的检测方法及检测设备与流程

1.本技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板的检测方法及检测设备。


背景技术：

2.大尺寸有机电致发光半导体(organic light emitting diode，oled)产品的阵列基板线路复杂，很多因微小异物、静电释放(electro-static discharge，esd)等成因导致的线缺陷很多。
3.在现有技术中，针对阵列基板上的线缺陷的检测通常采用开短路测试(open short test，ost)方法，ost是利用检测器与阵列基板的待检测线路形成回路，通过检测器对待检测的信号线施加电信号，根据测试点的反馈结果得到检测结果的测试方法。然而，由于ost施加到待检测的信号线上的电压较低且施压时间较短，导致现有的ost对进行性线缺陷的检查效果较差。


技术实现要素：

4.本发明提供一种阵列基板的检测方法及检测设备，以提升ost对进行性线缺陷的检出能力。
5.为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：
6.本发明提供一种阵列基板的检测方法，所述检测方法包括：
7.对待检测的阵列基板施加高电压；
8.对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测。
9.可选的，在本发明的一些实施例中，所述对待检测的阵列基板施加高电压的步骤，包括:
10.通过所述阵列基板上的施压端子，对所述阵列基板的待检测线路施加高电压；其中，所述施压端子为阵列电性测试端子。
11.可选的，在本发明的一些实施例中，所述高电压的电位范围为30伏-70伏。
12.可选的，在本发明的一些实施例中，所述高电压的施加时间为0.1秒-10秒。
13.可选的，在本发明的一些实施例中，所述对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测的步骤，包括：
14.对所述待检测线路进行扫描，判断是否有线缺陷；
15.若有线缺陷，对所述线缺陷进行定位。
16.相应的，本发明还提供一种检测设备，所述检测设备包括：
17.机台，用于承载待检测的阵列基板；
18.施压构件，与所述机台连接，用于对所述阵列基板施加高电压；
19.测试构件，与所述机台连接，用于对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测。
20.可选的，在本发明的一些实施例中，所述施压构件包括第一转轴和施压探头，所述第一转轴与所述机台连接，所述施压探头设于所述第一转轴上，所述施压探头在所述第一
转轴的带动下进行移动。
21.可选的，在本发明的一些实施例中，所述施压探头的数量与所述阵列基板上的阵列电性测试端子的数量相匹配。
22.可选的，在本发明的一些实施例中，所述施压构件还包括施压驱动器，所述施压驱动器用于驱动所述施压探头对所述阵列基板施加高电压。
23.可选的，在本发明的一些实施例中，所述测试构件包括测试驱动器，所述施压驱动器与所述测试驱动器为同一驱动器。
24.本发明提供了一种阵列基板的检测方法及检测设备，所述检测方法通过在对待检测的阵列基板进行开短路检测之前，先对所述阵列基板施加高电压以将所述阵列基板上的大部分线缺陷恶化出来，然后再对所述阵列基板进行开短路检测，提高了开短路测试对进行性线缺陷的检出能力。
附图说明
25.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
26.图1为本发明实施例提供的阵列基板的开短路检测的原理示意图；
27.图2为本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的第一种流程图；
28.图3为本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的第二种流程图；
29.图4为本发明实施例提供的检测设备的结构示意图。
具体实施方式
30.下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。
31.本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0032]
开短路检测为检测阵列基板上线路之间是否存在断路或短路的问题，并对存在断路或短路的位置进行定位的检测手段。开短路检测包括对数据线路的断路检测、栅极线路的断路检测、数据线路和栅极线路之间的断路检测、数据线路之间的短路检测、栅极线路之间的短路检测、以及数据线路和栅极线路之间的短路检测。请参照图1，图1示出了本发明实施例提供的阵列基板的开短路检测的原理示意图，如图1所示，开短路检测的检测工具包括信号发送传感器11和信号接收传感器12。以数据信号线路13的断路检测为例，信号发送传感器11设于所述数据信号线路13的一端，信号接收传感器12设于所述数据信号线路13的另一端，信号发送传感器11向所述数据信号线路13发出脉冲信号，所述数据信号线路13接收
所述脉冲信号并生成相应的感应信号，所述信号接收传感器12接收所述感应信号，并通过所述感应信号判断所述数据信号线路13是否存在断路。
[0033]
开短路检测包括接触式检测和非接触式检测，非接触式的发送端和接收端均与待检测的阵列基板非接触，所述信号发送传感器和所述信号接收传感器通过电容耦合效应对待检测的信号线路施加测试信号以对所述信号线路进行测试，非接触式检测对待检测的信号线路施加的测试信号的电压通常低于5v，且作用时间短；接触式检测的发送端通过探针与待检测的阵列基板接触，并通过所述探针向所述阵列基板的待检测线路施加测试信号，以对所述信号线路进行测试，接触式检测对待检测的信号线路施加的测试信号的电压通常低于10v，且作用时间短。然而，信号线路中的大部分进行性线缺陷需要在较高的电压或较长时间的施压条件下才会被恶化显现出来，这就使得现有的开短路检测方法对进行性线缺陷的检出效果差。
[0034]
因此，本发明提供一种阵列基板的检测方法及检测设备，以提高ost对进行性线缺陷的检出能力。
[0035]
在一种实施例中，请参照图2，图2示出了本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的第一种流程图。如图2所示，本发明实施例提供的阵列基板的检测方法包括：
[0036]
s1、对待检测的阵列基板施加高电压；
[0037]
s2、对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测。
[0038]
本发明实施例通过在对待检测的阵列基板进行开短路检测之前，先对所述阵列基板施加高电压以将所述阵列基板上的大部分线缺陷恶化出来，然后再对所述阵列基板进行开短路检测，提高了开短路测试对进行性线缺陷的检出能力，弥补了开短路测试由于施加电压较低导致渐变性缺陷检查效果差的缺陷，同时降低了阵列电性测试的设备成本，提升了阵列电性测试的产能，缓解了阵列电性测试由于检查项目多、设备成本高导致的产能低的问题。通过本发明实施例提供的检测方法对阵列基板进行线缺陷检测，使得开短路检出能力提升30％，使得阵列电性测试的产能提升20％。
[0039]
待检测的阵列基板包括施压端子和待检测的信号线路，所述施压端子和所述信号线之间电性连接，所述施压端子可以用于承接外接电压信号，并将所述电压信号传输至所述信号线路。在一种实施例种，步骤s1中所述对待检测的阵列基板施加高电压的步骤包括：通过所述阵列基板上的施压端子，对所述阵列基板的待检测线路施加高电压；其中，所述施压端子可以是阵列基板上的阵列电性测试端子。这样，无需对所述阵列基板的机构做任何改进，即可对所述阵列基板直接实施高电压冲击。所述对所述阵列基板的待检测线路施加高电压为对整个阵列基板的电性线路施加高电压冲击，从而将所述待检测的信号线路中的大部分进行性线缺陷恶化出来，以便于在后续的开短路检测中将这些线缺陷检出。其中，所述高电压的电位范围可以为30伏-70伏，所述高电压的施加时间可以为0.1秒-10秒，所述高电位的具体的电位和施加时间可根据待检测阵列基板的实际参数进行具体的设定，在此不做限定。
[0040]
步骤s2中所述对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测的步骤，包括：
[0041]
s21、对所述待检测线路进行扫描，判断是否有线缺陷；
[0042]
s22、若有线缺陷，对所述线缺陷进行定位。
[0043]
在步骤s21中，若判断结果为存在线缺陷，则对所述线缺陷进行进一步的定位，以
最终判定缺陷类型和缺陷位置。
[0044]
请参照图3，图3示出了本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的第二种流程图，具体为所述检测方法的完整流程。所述检测方法的整个流程包括：首先，接通电源，开始测试；接着，对待检测的阵列基板施加高电压，以将所述阵列基板的待检测的信号线路中的大部分进行性缺陷恶化出来；然后，对待检测的信号线路进行扫描，根据扫描结果判断是否存在线缺陷；若扫描判定结果为存在线缺陷，则进一步对所述线缺陷进行定位；若扫描判定结果为没线有线缺陷，则结束测试。
[0045]
适应性的，本发明还提供一种检测设备。请参照图4，图4示出了本发明实施例提供的检测设备的结构示意图，所述检测设备包括：
[0046]
机台31，用于承载待检测的阵列基板；
[0047]
施压构件32，与所述机台31连接，用于对所述阵列基板施加高电压；
[0048]
测试构件33，与所述机台31连接，用于对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测。
[0049]
具体的，所述施压构件32包括第一转轴321和施压探头322，所述第一转轴321与所述机台31连接，所述施压探头322设于所述第一转轴321上，每个所述施压探头322上还设有施压探针(未画出)。在对待检测的所述阵列基板施加高电压时，所述施压探针与所述阵列电信测试端子接触，高电压的电信号通过所述施压探针输入至所述阵列基板，因此所述施压探头322的数量与所述阵列基板上的阵列电性测试端子的数量相匹配，可根据待检测的阵列基板进行灵活设计。优选的，所述施压探头322的数量为8个，所述施压探针的数量为24个。所述第一转轴321可相对于所述机台31进行转动，从而带动所述第一转轴321进行移动，以初步匹配所述阵列电性测试端子的位置，进一步的，所述施压探头322可以相对于所述第一转轴321进行转动，从而更为精细的与所述阵列电性测试端子匹配。
[0050]
所述施压构件32还包括施压驱动器(未画出)，所述施压驱动器用于驱动所述施压探头322对所述阵列基板施加高电压。
[0051]
所述测试构件33包括第二转轴331、检测探头332、以及测试驱动器，所述第二转轴331与所述机台31连接，所述检测探头332设于所述第二转轴331上，所述检测探头332的数量至少为两个，所述检测探头332上设有信号发送传感器或信号接收传感器，所述检测探头332在所述第二转轴331的带动下进行移动，并根据所述信号发送器发出的检测信号以及所述信号接收器接收的检测信号，对所述阵列基板的待检测线路进行开短路检测，所述信号发送器和所述信号接收器在测试驱动器的驱动下对所述待检测线路进行开短路检测。优选的，每个所述第二转轴上设有5-6个所述检测探头332。在一种实施例中，当所述测试构件为接触式开短路测试构件时，所述检测探头332上还设有检测探针，所述测试构件通过所述检测探针与所述阵列基板接触，从而对所述阵列基板进行接触式的检测。
[0052]
在一种实施例中，所述施压驱动器和所述测试驱动器分别为独立的驱动器，即所述施压驱动器驱动所述施压探头对所述阵列基板施加高电压，所述测试驱动器驱动所述检测探头对所述阵列基板进行开短路检测。
[0053]
在另一种实施例中，所述施压驱动器和所述测试驱动器为同一驱动器，即所述施压驱动器既可以驱动所述施压探头对所述阵列基板施加高电压，又能够器驱动所述检测探头对所述阵列基板进行开短路检测。进一步，所述开短路检测为接触式检测。
[0054]
综上所述，本发明实施例提供了一种阵列基板的检测方法及检测设备，该检测方法通过在对待检测的阵列基板进行开短路检测之前，先对所述阵列基板施加高电压以将所述阵列基板上的大部分线缺陷恶化出来，然后再对所述阵列基板进行开短路检测，提高了开短路测试对进行性线缺陷的检出能力，弥补了开短路测试由于施加电压较低、施压时间较短导致进行性缺陷检查效果差的缺陷。
[0055]
以上对本发明实施例所提供的阵列基板的检测方法及检测设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。