一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法与流程

1.本发明涉及半导体刻蚀设备领域，尤其涉及一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法。


背景技术：

2.刻蚀(etch)，是半导体制造工艺中的最为尖端的工艺之一，微电子ic制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。狭义上的刻蚀就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
3.现有的刻蚀等离子刻蚀用卡盘托起待刻的晶圆，卡盘外侧设有顶环又称卡圈，其作用是将待刻晶圆固定于卡盘之上，顶环的高度在刻蚀开始前高于晶圆的高度。刻蚀开始后，气体在电离作用下形成等离子体，等离子体过电场加速，释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合晶圆或蚀刻晶圆表面，随着刻蚀时间的持续，晶圆外围的顶环也长时间暴露于等离子体的运动电场之间，也被等离子体逐渐侵蚀，造成卡圈的高度逐步变低。在使用的半导体设备在发生故障之前，半导体制造商都会对设备进行提前的预防性检修，以防止故障造成的损失。更换可能引起故障的配件或提前更换接近使用寿命的配件。在预防性检修的中可以发现，刻蚀的初期、中期、末期的等离子体的刻蚀方向都不一样，造成刻蚀图案倾斜的现象。这样的问题会造成后续工艺存在严重方向偏移的问题，导致良品率下降，水货率上升。为了解决这样的问题，半导体制造商经常需要更换顶环，也是造成平均清洁间隔时间变短的原因。
4.因此将刻蚀过程中顶环高度的变化进行实时的检测并量化，根据顶环高度及时进行调整显得尤为重要。


技术实现要素：

5.鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法，用以检测顶环的被蚀刻量，从而及时调整顶环的高度，解决现有技术刻蚀过程中顶环被等离子体蚀刻而引起晶圆边缘轮廓电场分布发生改变，从而使等离子体刻蚀方向发生改变造成刻蚀图案改变的问题，确保最佳的工艺条件。
6.一方面，本发明提供了一种顶环被蚀刻量检测系统，包括光学传感器，所述光学传感器包括发射器和接收器；发射器位于刻蚀区域的一侧，接收器位于刻蚀区域的另一侧；发射器发射检测光，接收器接收发射器发射的检测光；检测光穿过刻蚀区域，通过发射的检测光和接收的检测光的实时差值检测顶环被蚀刻量。
7.进一步地，检测光为激光或红外光。
8.进一步地，检测光的检测范围的下边界不高于晶圆上表面，上边界不低于顶环的上端面。
9.进一步地，发射器固定安装在刻蚀腔一侧的腔壁上，所述接收器固定安装在刻蚀腔另一侧的腔壁上，检测光与晶圆表面和顶环上端面平行。
10.进一步地，检测光源为线形光源、矩形平面光源或者弧形面光源。
11.进一步地，发射器和接收器的数量均为多个，且成对设置。
12.进一步地，发射器和接收器能够沿晶圆周向旋转，旋转过程中发射器与接收器的相对位置保持不变。
13.一方面，本发明提供了一种顶环被蚀刻量检测检测方法，包括：在刻蚀区域一侧设置发射器，另一侧设置接收器；发射器发出检测光，检测光穿过刻蚀区域；接收器接收顶环上方的检测光；数据处理系统采集发射器发出的检测光的厚度值和接收器接收的检测光的厚度值，并实时计算发射器发出的检测光的厚度值和接收器接收的检测光的厚度值的实时差值；将实时差值与基准差值或初始差值比较，得到顶环被蚀刻量。
14.一方面，本发明提供了一种顶环被蚀刻量检测和调整系统，包括上述的顶环被蚀刻量检测系统、数据处理和控制系统及顶环调整系统，检测系统与数据处理和控制系统信号连接，数据处理和控制系统与顶环调整系统进行信号连接。
15.另一方面，本发明提供了一种顶环被蚀刻量检测和调整方法，使用上述的检测和调整系统，顶环被蚀刻量检测系统对刻蚀过程中顶环高度的变化进行实时检测，将检测的数据实时传回数据处理和控制系统，数据处理和控制系统根据检测系统传回的数据进行处理，计算顶环应该上移的高度，并将顶环应该上移的高度信息发送至顶环调整系统，调整顶环的高度。
16.与现有技术相比，本发明至少可实现如下有益效果之一：
17.(1)当采用多线形激光发射器时，每一个刻蚀室需要多个激光源，多个刻蚀室激光源势必造成设备的复杂和成本的上升，共用一个总光源，通过光纤进行批量传输可以大大节省成本和设备空间。
18.(2)通过旋转的方法，可以使点光源通过旋转将晶圆的整个圆周全部覆盖，使得测量数据更加准确。
19.(3)矩形激光发射器和激光接收器可以达到完全覆盖整个晶圆的效果。
20.(4)弧形激光发射器和弧形激光接收器可以有效的节约设备空间，同时达到良好的检测效果。
21.(5)将检测系统测量的光的变化转化为数字，计算出顶环的高度变化，和所需要的调整的高度，通过调整装置的实施对顶环高度进行调整，避免了半导体制造商在预防性检修中，提前的更换顶环，或因为没有及时更换顶环，顶环边缘轮廓发生变化，造成等离子体刻蚀方向发生改变，刻蚀图案发生变化，良品率下降。
22.本发明中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。
附图说明
23.附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本发明的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。
24.图1为本发明提供的一种顶环被蚀刻量检测系统结构与工作原理示意图。
25.图2为本发明提供的一种顶环被蚀刻量检测系统轴线方向结构示意图。
26.图3a为顶环寿命初期顶环高度对刻蚀的影响示意图。
27.图3b为顶环寿命中期顶环高度对刻蚀的影响示意图。
28.图3c为顶环寿命末期顶环高度对刻蚀的影响示意图。
29.图4为本发明提供的另一种顶环被蚀刻量检测与调整系统结构与工作原理示意图。
30.图5为本发明提供的另一种顶环被蚀刻量检测系统轴线方向结构示意图。
31.图6a为顶环寿命初期检测系统光线发射吸收示意图。
32.图6b为顶环寿命末期检测系统光线发射吸收示意图。
33.图7为本发明提供的另一种顶环被蚀刻量检测系统轴线方向结构示意图。
34.附图标记：
35.1-晶圆；2-顶环；3-等离子体；4-卡盘；5-阴极；6-激光发射器；7-激光接收器；8-底环；9-数据处理和控制系统。
具体实施方式
36.下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本技术一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理，并非用于限定本发明的范围。
37.在现有技术中，随着刻蚀的进行，在等离子的侵蚀下，顶环高度也会发生改变，对刻蚀工艺产生重大的影响。如图3a、图3b、图3c所示，在预防性检修的检查中，检察人员可以检测到三种不同顶环高度，顶环寿命初期，顶环被等离子体侵蚀较少，顶环的上端面高度远高于晶圆上表面高度，晶圆上表面高度与顶环上端面高度的不同，造成了顶环上方的等离子鞘发生改变，从而导致在晶圆边沿等离子体的刻蚀角度呈现自上而下向外倾斜，晶圆边缘刻蚀图案发生向外侧倾斜。在顶环寿命中期，顶环被等离子体侵蚀一部分，顶环上端面高度等于晶圆上表面高度，在晶圆边沿等离子体的刻蚀角度呈现自上而下向外垂直，晶圆图案最佳，不发生倾斜。在顶环寿命末期，顶环被等离子体侵蚀较多，顶环高度低于晶圆高度，在晶圆边沿等离子体的刻蚀角度呈现自上而下向内倾斜，晶圆边缘刻蚀图案发生向内侧倾斜。在顶环高度的初期和末期，等离子体在晶圆边沿处的运动方向均不是垂直晶圆面向下，均发生倾斜，导致晶圆外周刻蚀图案发生倾斜，对后续工艺造成重大影响，造成产品良品率的下降。
38.对此，现有技术常常停机进行预防性检修，人工调整顶环高度，或者更换顶环，由
于顶环高度无法精确控制，这种办法虽然一定程度的控制了晶圆边沿刻蚀图案倾斜的问题，但是无法完全避免，并且因为顶环高度需要调节，频繁的进行预防性维修，大大缩短了平均清洁间隔时间，造成生产效率的降低。
39.为了解决上述技术问题，一种顶环被蚀刻量检测系统，包括光学传感器，所述光学传感器包括发射器和接收器；发射器位于刻蚀区域的一侧，接收器位于刻蚀区域的另一侧；发射器发射检测光，接收器接收发射器发射的检测光；检测光穿过刻蚀区域，通过发射的检测光和接收的检测光的实时差值检测顶环被蚀刻量。
40.与现有技术相比，本发明通过将检测系统测量的光的变化转化为数字，计算出顶环的高度变化，如此，可以根据所需要的工艺条件，通过调整装置实时的对顶环高度进行调整，避免了半导体制造商在预防性检修中，提前的更换顶环，或因为没有及时更换顶环，顶环边缘轮廓发生变化，造成等离子体刻蚀方向发生改变，刻蚀图案发生变化，良品率下降。
41.在一种可能的实施例中，检测光可以为现有技术中的多种检测光，如激光或红外光。
42.在一种可能的实施例中，检测光的检测范围的下边界不高于晶圆上表面，上边界不低于顶环的上端面。
43.需要说明的是，本发明的顶环被蚀刻量检测是基于发射器发出的检测光的数据和接收器接收到的数据的差值，因此，发射器发出的检测光的检测范围应该覆盖顶环的范围，至少是顶环的高度的范围，如此，当发射器发出的检测激光穿过刻蚀区域时，一部分检测光从顶环上方穿过，另一部分检测光照射到顶环外周后被反射，接收器接收的检测光会因为顶环的反射而减少，随着刻蚀的进行，顶环的高度逐渐较小，从顶环上方穿过的检测光变多，被顶环反射的检测光变少，根据从顶环上方穿过的检测光的实时变化能够得到顶环高度的变化，即顶环被蚀刻量的变化。为了能够准确、可靠地检测顶环被蚀刻量，检测光的检测范围的下边界不高于晶圆上表面，上边界不低于顶环的上端面。
44.在一种可能的实施例中，光学传感器的发射器为激光发射器，用于发射检测激光，接收器为激光接收器，用于接收和测量激光发射器发射的检测激光。激光发射器和激光接收器固定安装在刻蚀腔壁上，其中激光发射器位于刻蚀区域的一侧，激光接收器位于刻蚀区域的另一侧。激光发射器实时发射激光，发射的激光的宽度(即检测范围)的下边界不高于晶圆上表面，发射的激光的宽度(即检测范围)的上边界线不低于顶环的上端面。检测激光穿过刻蚀区域时，一部分激光其高度低于顶环，会照射到顶环外周，在遇到顶环时，该部分激光全部或者部分被顶环反射，反射的激光无法被激光接收器接收，激光接收器对该部分激光的接受量为零或减少。另外一部分激光其高度高于顶环，从顶环上方穿过刻蚀区域，射向激光接收器，该部分发射激光被激光接收器接收。基准状态下，测量光发射器发射的激光数据和激光接收器接收的激光数据的基准差值，刻蚀工艺过程中，实时测量激光发射器发射的激光数据和激光接收器接收的激光数据的实时差值，将实时差值与基准差值进行比较，获得顶环的被蚀刻量数据，实现顶环的被蚀刻量的实时监测。
45.激光发射器和激光接收器的结构形式可以有多种，激光发射器发射的激光包括线形激光、平面激光、曲面激光，与之对应的激光接收器相应的包括线形激光接收器、平面激光接收器和曲面激光接收器。平面激光发射器和平面激光接收器的形状可以为多种，包括：平行四边形、矩形、梯形，优选地是，平面矩形激光发射器和平面矩形激光接收器。曲面激光
发射器和曲面激光接收器的形状可以为多种，包括圆柱面、椭圆柱面、双曲面、抛物面，优选的是圆柱面，即弧形曲面激光发射器和弧形曲面激光接收器。
46.在一种可能的实施例中，激光发射器和激光接收器的激光均为线形，设置一对线形激光传感器，即线形激光接收器与线形激光发射器，分布在晶圆中心的两侧，线形激光发射器与线形激光接收器长度相同，与晶圆面垂直，线形激光发射器与线形激光接收器连接线均穿过晶圆的圆心。
47.相比现有技术，使用一对线形激光传感器能够实现对刻蚀工艺中顶环高度的检测，但考虑到一对线形激光传感器只能测量顶环上两点的高度，可能会造成一定的误差，为了提高精度、准确度和可靠性，优选地，线形激光发射器为多个，即激光发射器和激光接收器均为多个，激光发射器和激光接收器组成多对激光发射器。对个线形激光发射器均匀分布于晶圆外围，相邻两个线形激光发射器与晶圆中心连线的夹角为360除以n度；
48.每一个线形激光接收器与一个线形激光发射器对应并组成一组，分布在晶圆中心的两侧，所有的线形激光发射器与线形激光接收器长度相同，与晶圆面垂直，每一组的线形激光发射器与线形激光接收器连接线均穿过晶圆的圆心。
49.考虑到顶环通常为圆形，为了全面检测顶环的蚀刻情况，可以设置多组发射器和接收器。多组发射器和接收器均匀地分布在刻蚀室各侧墙上，能够均匀的对顶环上的几个点进行测量，有效提升激光测量的准确度。如果每个晶圆的设置多个激光发射器，则众多晶圆加起来将使用数量极为庞大的激光发射器，重复设备过多，成本严重提升，一种更优的改进是同一个晶圆的多个线形激光发射器可以共用一个激光源，多个晶圆的多个激光发射器也可以共用一个激光源，激光源所发射的激光用光纤连接至每个线形激光发射器上，以此有效的减少了激光发射器的数量，极大的节省设备的空间，降低设备的复杂性，控制成本。
50.考虑到刻蚀工艺的高度精准性，实现整个顶环所有位置高度的准确测量，更优选的是，发射器和接收器能够沿晶圆周向旋转，旋转过程中发射器与接收器的相对位置保持不变。示例性地，线形激光发射器和线形激光接收器能够以晶圆中心为中心做圆周旋转，旋转过程中线形激光发射器与线形激光接收器的相对位置保持不变。通过线传感器的旋转可以对整个晶圆高度进行检测，实现测量精度的提升。具体地，线形激光发射器和线形激光接收器分别与旋转装置连接，通过旋转装置实现线形激光发射器和线形激光接收器以晶圆中心为中心做圆周旋转。
51.在另一种可能的实施例中，激光发射器为矩形激光发射器，激光接收器为矩形激光接收器，矩形发射器和矩形接收器的长度相同，矩形发射器和矩形接收器的长度略大于晶圆的直径，矩形发射器与矩形接收器平行，分布在晶圆中心两侧。为了更加准确的对顶环高度进行全面的、实时的检测，更为优化的方案是矩形激光发射器和矩形激光接收器可以通过旋转装置以晶圆中心为中心做圆周旋转，旋转过程中矩形激光发射器与矩形激光接收器的相对位置保持不变。
52.由于矩形的矩形发射器和矩形接收器对设备的体积要求较高，因此另一种可行的改进是，激光发射器为弧形激光发射器，激光接收器为弧形激光接收器，弧形发射器和弧形接收器的长度相同、弧度相同，弧形发射器和弧形接收器的弧度小于π，弧形发射器与弧形接收器分布在晶圆中心两侧。为了更加准确的对顶环高度进行全面的实时的检测，更为优化的方案是弧形激光发射器和弧形激光接收器可以通过旋转装置以晶圆中心为中心做圆
周旋转，旋转过程中弧形激光发射器与弧形激光接收器的相对位置保持不变。
53.通过光学传感器实现对顶环高度的检测，可以通过进一步改进实现顶环高度的调整。在一种可能的实施例中，一种顶环被蚀刻量检测和调整系统，包括顶环被蚀刻量检测系统，数据处理和控制系统及顶环调整系统，检测系统与数据处理和控制系统信号连接，数据处理系统与顶环调整系统信号连接。
54.顶环被蚀刻量检测和调整方法是顶环被蚀刻量检测系统对刻蚀过程中顶环高度进行实时检测，将检测的数据实时传回数据处理系统，数据处理和控制系统根据检测系统传回的数据进行处理，计算顶环应该上移的高度，将信号发送至顶环调整系统，顶环调整系统调整顶环的高度。顶环调整系统可使用现有技术，包括通过底盘的机械运动对顶环高度进行实时调节。
55.利用上述方案对顶环被蚀刻量检测时，在刻蚀区域周围成对设置检测光发射器和检测光接收器，示例性，为一对时，一侧设置发射器，另一侧设置接收器；发射器发出检测光，检测光穿过刻蚀区域；接收器接收顶环上方的检测光；数据处理系统采集发射器发出的检测光的厚度值(即沿顶环轴向的高度值)和接收器接收的检测光的厚度值(即沿顶环轴向的高度值)，并实时计算发射器发出的检测光的厚度值和接收器接收的检测光的厚度值的实时差值；将实时差值与基准差值或初始差值比较，得到顶环被蚀刻量。
56.本发明通过测量系统实时精确的测量得到整个顶环的光学信号变化，经过数据处理系统将顶环高度变化数字化，并根据整个顶环高度值的变化，测量实时、不间断、精确。通过底盘的机械运动对顶环高度进行实时调节。有效的减少了人工进行预防性维修，避免了顶环寿命的提前结束。保证了顶环与晶圆高度的始终一致，防止顶环上方的等离子鞘发生改变，使得等离子体刻蚀过程中方向始终保持垂直于晶面，使晶圆在刻蚀过程中边缘不会出现图案的变化，有效的提升产品良率，同时人工进行预防性维修的减少，增长了平均清洁时间，提高了生产效率。
57.实施例一
58.[顶环被蚀刻量检测系统]
[0059]
如图1和图2所示，在刻蚀室的刻蚀管壁设置三组光学传感器，包括三个线形激光发射器和三个线形激光接收器，激光发射器用于发射检测激光，激光接收器为激光接收器用于接收和测量激光发射器发射的的检测激光。
[0060]
三个线形激光发射器均匀分布于晶圆外围，相邻两个线形激光发射器与晶圆中心连线的夹角为120度，每一个线形激光接收器与一个线形激光发射器对应并组成一组，分布在晶圆中心的两侧，每一组的线形激光发射器与线形激光接收器长度相同，与晶圆面垂直，每一组的线形激光发射器与线形激光接收器连接线均穿过晶圆的圆心。
[0061]
[顶环被蚀刻量的检测]
[0062]
实施时，三个线形激光发射器分别实时发射激光，所发射激光分为两部分，一部分激光其高度低于顶环，会照射到顶环外边缘，在遇到顶环外边缘后被反射，反射的激光无法被相对应激光接收器接收。另外一部分激光其高度高于顶环，会穿过刻蚀区域，射向激光接收器，被激光接收器接收测量。
[0063]
三组线性激光传感器以间隔120度的角度对间隔120度角度的三个径向方向的顶环高度进行检测，三组径向可以测量顶环圆周处六处高度，以此六点的高度的平均值代表
顶环的高度。在整个过程中激光传感器始终处于工作状态，可以对顶环高度进行实时的、不间断的、精确测量。
[0064]
与现有技术相比，本实施例提供的顶环被蚀刻量检测系统，通过在刻蚀室的刻蚀管壁设置三组线形激光传感器，有效的实现了对顶环高度的实时测量、精准测量。为有效避免了顶环寿命初期和中期因顶环高度与晶圆高度不一致，造成的等离子体刻蚀方向倾斜提供了可能。
[0065]
实施例二
[0066]
[顶环被蚀刻量检测和调整系统结构]
[0067]
如图4和图5所示，在刻蚀室的刻蚀管壁设置光学传感器，包括一个矩形激光发射器和一个矩形激光接收器，激光发射器用于发射检测激光，激光接收器为激光接收器用于接收和测量激光发射器发射的的检测激光。矩形发射器和矩形接收器的长度相同，矩形发射器和矩形接收器的长度略大于晶圆的直径，矩形发射器与矩形接收器平行，分布在晶圆中心两侧。
[0068]
顶环被蚀刻量检测和调整系统，还包括数据处理和控制系统和顶环调整系统，检测系统与数据处理和控制系统进行电缆通信连接，数据处理系统与顶环调整系统进行电缆通信连接。
[0069]
[顶环被蚀刻量的检测和调整]
[0070]
实施时，矩形激光发射器实时发射激光，所发射激光分为两部分，一部分激光其高度低于顶环，会照射到顶环外边缘，在遇到顶环外边缘后被反射，反射的激光无法被相对应激光接收器接收。另外一部分激光其高度高于顶环，会穿过刻蚀区域，射向激光接收器，被激光接收器接收测量。
[0071]
由于矩形激光发射器的长度略大于顶环直径，矩形激光发射的激光可以平面覆盖整个晶圆和顶环平面，矩形接收器测量的光为整个顶环的高度平均值。
[0072]
如图6a和图6b所示，刻蚀开始前，激光发射器的光束一部分被顶环遮挡反射回去，一部分直接穿过晶圆被接收器吸收，经数据处理系统将光学信号转换为数字，测量得到的激光束的厚度为d0，刻蚀开始后，等离子体对晶圆进行刻蚀，随着刻蚀的进行，等离子体逐步侵蚀晶圆外周的顶环，顶环因被逐步侵蚀而发生高度变化，激光发射器的光束被反射的增加，穿过晶圆被接收器吸收的减少，经数据处理系统将光学信号转换为数字，测量得到的激光束的厚度为d1。
[0073]
控制系统9发出指令，控制顶环高度调整系统即底盘8沿晶圆轴向向上移动，移动的距离为δd＝d0-d1。
[0074]
在刻蚀进行中，通过测量系统实施精确的测量得到整个顶环的光学信号变化，经过数据处理系统将顶环高度变化数字化，并根据整个顶环高度平均值的变化，测量实时、不间断、精确。通过底盘的机械运动对顶环高度进行实时调节。有效的减少了人工进行预防性维修，避免了顶环寿命的提前结束，使得等离子体刻蚀过程中方向始终保持垂直于镜面，使晶圆在刻蚀过程中边缘不会出现图案的变化，有效的提升良品率，同时人工进行预防性维修的减少，增长了平均清洁时间，提高了生产效率。
[0075]
实施例三
[0076]
[顶环被蚀刻量检测和调整系统结构]
[0077]
如图7所示，相较于实施例二，本实施例将矩形激光发射器替换为弧形激光发射器，将矩形激光接收器替换为弧形激光接收器，弧形发射器和弧形接收器的长度相同、弧度相同，两者的弧度均小于π，弧形发射器与弧形接收器相较于晶圆中心呈中心对称。
[0078]
弧形激光发射器和弧形激光接收器因性状与刻蚀管接近，可以有效的减少设备所占体积。
[0079]
在一种可能的优化中，弧形激光发射器和弧形激光接收器在运动机构的作用下，可以以相同的速度，保持相对位置关系，围绕晶圆中心轴进行圆周运动。
[0080]
弧形激光发射器和弧形激光接收器进行圆周运动使得测量的数据实施覆盖圆周的各个径向方向，使得测量的数据更加准确。
[0081]
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。