射频功率放大器及射频前端模组的制作方法

技术特征：
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括偏置电路、第一功率放大电路、阻抗调整电路和自适应调整电路；所述阻抗调整电路的第一端与所述偏置电路的输出端相连，所述阻抗调整电路的第二端与所述第一功率放大电路的输入节点相连；所述自适应调整电路的第一端耦合至所述第一功率放大电路，所述自适应调整电路的第二端耦合至所述阻抗调整电路。2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述阻抗调整电路包括第一晶体管和第一电阻，所述第一晶体管的第一端与所述第一电阻的第一端相连，所述第一晶体管的第二端与所述第一电阻的第二端相连；所述自适应调整电路的第二端耦合至所述第一晶体管的第三端。3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一功率放大电路包括第一放大晶体管，所述第一放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第一放大晶体管的基极接收射频输入信号，所述第一放大晶体管的集电极耦合至第一供电电源端，所述第一放大晶体管的发射极接地；所述自适应调整电路的第一端耦合至所述第一放大晶体管的集电极。4.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管为hbt晶体管，包括基极、集电极和发射极，所述第一晶体管的基极耦合至所述自适应调整电路的第二端，所述第一晶体管的集电极与第一电阻的第一端和所述偏置电路的输出端相连，所述第一晶体管的发射极与第一电阻的第二端和所述第一功率放大电路的输入节点相连。5.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述自适应调整电路包括分压电路；所述分压电路的第一端与所述第一功率放大电路和所述阻抗调整电路相连，所述分压电路的第二端与接地端相连。6.如权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述分压电路包括分压电阻。7.如权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述自适应调整电路还包括电流镜电路；所述电流镜电路的输入端耦合至所述第一功率放大电路，所述电流镜电路的输出端与所述分压电路的第一端相连。8.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器还包括第二功率放大电路，所述第二功率放大电路的输出节点与所述第一功率放大电路的输入节点相连。9.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板、分压单元、以及设置在所述基板上的第一芯片和设置在所述基板上的第二芯片；所述第一芯片包括偏置电路、第一功率放大电路和阻抗调整电路；所述第二芯片包括电流镜电路；所述阻抗调整电路的第一端与所述偏置电路的输出端相连，所述阻抗调整电路的第二端与所述第一功率放大电路的输入节点相连；所述电流镜电路的输入端耦合至所述第一功率放大电路，所述电流镜电路的输出端与分压电路的第一端和所述阻抗调整电路相连；所述分压电路的第二端与接地端相连。10.如权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，所述电流镜电路包括第二晶体管和第三晶体管；
所述第二晶体管为场效应晶体管，包括栅极、源极和漏极；所述第三晶体管为场效应晶体管，包括栅极、源极和漏极；所述第二晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极相连，所述第二晶体管的栅极还与所述第二晶体管的漏极相连，所述第二晶体管的源极与第一供电端相连，所述第二晶体管的漏极耦合至所述第一功率放大电路；所述第三晶体管的源极与第二供电端相连，所述第二晶体管的漏极与所述分压单元的第一端相连。

技术总结
本实用新型公开了一种射频功率放大器及射频前端模组，该射频功率放大器包括偏置电路、第一功率放大电路、阻抗调整电路和自适应调整电路；阻抗调整电路的第一端与偏置电路的输出端相连，阻抗调整电路的第二端与第一功率放大电路的输入节点相连；自适应调整电路的第一端耦合至第一功率放大电路，自适应调整电路的第二端耦合至阻抗调整电路。本技术方案能够提高射频功率放大器在不同功率水平下的增益平坦度，并通过减小射频功率放大器处于处于低功率模式下的增益，从而达到减少射频功率放大器处于低功率模式下的能耗的目的。器处于低功率模式下的能耗的目的。器处于低功率模式下的能耗的目的。


技术研发人员：方建 赖晓蕾 滕鑫 倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
技术研发日：2021.10.29
技术公布日：2022/5/16