一种出光均匀的COB封装结构的制作方法

一种出光均匀的cob封装结构
技术领域
1.本实用新型涉及发光二极管(led)封装技术领域，具体涉及一种出光均匀的cob封装结构。


背景技术：

2.在cob光源封装中，目前主要有两种荧光粉处理工艺。一是荧光粉悬浮工艺，通过在荧光胶中加入添加剂或者采用特定的工艺使荧光粉在封装固化后均匀地分散在封装胶各个空间中。采用这种工艺的cob，芯片光进入荧光胶层激发荧光粉进行光转换，在cob表面后形成设定要求的光。然而，由于芯片从侧面发出的光穿过荧光胶到达cob表面的路径更长，出现侧面色温低、正面色温高的现象，导致cob出光不均匀，此类cob装配成整灯经反光杯二次光学反射后，容易形成黄色光斑，造成客户不满意。二是荧光粉沉降工艺，在荧光胶设置到cob指定区域后，通过各种可能的设备或者工艺将荧光粉沉降到胶水底部，封装胶上层无荧光粉分布。采用沉降工艺，荧光粉材料在沉降后，可能无法完全覆盖住芯片侧壁，芯片的侧面漏出蓝光，导致整个cob光源的光色一致性差，严重影响光品质，在荧光粉用量少的高色温cob产品中表现尤为明显。


技术实现要素：

3.有鉴于此，为了解决现有技术中的上述问题，本实用新型提出一种出光均匀的cob封装结构，提升cob的光品质。
4.本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：
5.一种出光均匀的cob封装结构，包括led载体、led芯片、粘接剂、键合线、阻挡墙、光扩散层和光转换层；
6.所述粘接剂在所述led载体上的固晶区域形成固晶粘结层，所述led芯片置于所述固晶粘结层上，所述led芯片通过所述键合线与所述led载体连接，所述光扩散层覆盖在所述led芯片上方及四周，所述光转换层覆盖在光扩散层上方，所述led芯片、所述光扩散层和所述光转换层的外围被所述阻挡墙包围连接。
7.进一步地，所述粘接剂点涂于所述led载体上的固晶区域形成固晶粘结层。
8.进一步地，所述光扩散层为光扩散材料与硅胶混合形成的光扩散层。
9.进一步地，所述光扩散材料均匀分散在光扩散层中。
10.进一步地，所述光转换层为荧光粉与载体均匀混合形成的光转换层。
11.进一步地，所述光转换层为荧光粉喷涂层、荧光胶膜、陶瓷荧光片或玻璃荧光片。
12.进一步地，所述光转换层外形平整，厚度均匀，光转换材料均匀分布。
13.进一步地，所述光转换层的高度不高于所述阻挡墙。
14.与现有技术相比，本实用新型的有益效果至少包括：
15.本实用新型在led芯片上方及四周包覆光扩散层，光扩散材料均匀地分散在光扩散层中，芯片蓝光通过光扩散材料的表面进行无数次光折射达到光扩散即匀光的作用的。
光转换层与阻挡墙的连接阻止芯片蓝光漏出，芯片蓝光在光扩散层进行充分扩散后全部进入光转换层。光转换层外形平整，厚度均匀，各个位置的光转换材料均匀分布，cob光源发出的白光更加均匀，提升了cob的光品质。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1为本实用新型实施例中led芯片通过粘合剂置于led载体上的示意图；
18.图2为本实用新型实施例中通过键合线连接到led载体上的示意图；
19.图3为本实用新型实施例中在连接了led芯片后的led载体上设置阻挡墙的示意图；
20.图4为本实用新型实施例中第一种封装方法在设置阻挡墙后的led载体上灌注光扩散层的示意图；
21.图5为本实用新型实施例中第二种封装方法在设置阻挡墙后的led载体上灌注光扩散层的示意图；
22.图6为本实用新型实施例中第一种封装方法在光扩散层上设置光转换层的示意图；
23.图7为本实用新型实施例中完整的cob封装结构示意图。
24.图中：1、led载体；2、led芯片；3、粘接剂；4、键合线；5、阻挡墙；6、光扩散层；7、光转换层。
具体实施方式
25.为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合附图和具体的实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。需要指出的是，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.如图1-7所示，本实用新型提供一种出光均匀的cob封装结构，包括led载体1、led芯片2、粘接剂3、键合线4、阻挡墙5、光扩散层6和光转换层7。
27.粘接剂3点涂在led载体1上的固晶区域形成固晶粘结层，led芯片2置于固晶粘结层上，led芯片2通过键合线4与led载体1连接，光扩散层6覆盖在led芯片2上方及四周，光转换层7覆盖在光扩散层6上方，所述led芯片2、光扩散层6和光转换层7的外围被阻挡墙5包围连接。led芯片2产生的蓝光在光扩散层6内进行多次光折射达到光扩散即匀光的效果。光转换层7的高度不高于阻挡墙5的高度，有效阻止led芯片2的蓝光漏出。优选地，光转换层7的外形平整，厚度均匀，各个位置的光转换材料均匀分布，经led芯片2蓝光激发后产生的白光光色相近。cob光源发出的白光更加均匀，提升了cob的光品质。
28.所述光扩散层为光扩散材料与硅胶混合形成的光扩散层，光扩散材料均匀分散在
光扩散层中。
29.所述光转换层为荧光粉与载体均匀混合形成的光转换层，所述光转换层包括但不限于荧光粉喷涂层、荧光胶膜、陶瓷荧光片或玻璃荧光片等高密度荧光结构。
30.本实施例中的所述出光均匀的cob封装结构对应的封装方法有两种，以下分别详细说明该两种方法。
31.所述出光均匀的cob封装结构对应的第一种封装方法包括以下步骤：
32.s1：将粘接剂3点涂在led载体1上；
33.s2：用固晶机将led芯片2放在粘接剂3上，见图1；
34.s3：用键合线4将led芯片2与led载体1电气连接，见图2；
35.s4：用围坝机设置阻挡墙5，见图3；
36.s5：将光扩散材料和硅胶的均匀混合物灌注到阻挡墙内部形成光扩散层6，覆盖住led芯片2，其高度等于阻挡墙5，见图4；
37.s6：将光转换层7贴装到扩散层6上方，光转换层7直径不小于光扩散层6的直径且小于阻挡墙5的外围直径，见图6；
38.s7：用围坝机进行二次围坝，增加阻挡墙5的高度，使阻挡墙5高度不低于光转换层7的高度，见图7；
39.s8：led载体1转移至烤箱平台烘烤。
40.所述出光均匀的cob封装结构对应的第二种封装方法整体步骤与第一种封装方法大致相同，区别在于光转换层的形成工艺不同，包括以下步骤：
41.s1：将粘接剂3点涂在led载体1上；
42.s2：用固晶机将led芯片2放在粘接剂3上，见图1；
43.s3：用键合线4将led芯片2与led载体1电气连接，见图2；
44.s4：用围坝机设置阻挡墙5，见图3；
45.s5：将光扩散材料和硅胶的混合物灌注到阻挡墙内部形成光扩散层6，覆盖住led芯片2，其高度低与于阻挡墙5，见图5；
46.s6：进行预烘烤，使光扩散层处于半固化状态，胶水保持粘连性能而无法流动；
47.s7：用喷涂机喷涂荧光粉形成光转化层，高度低于/等于阻挡墙5高度，见图7；
48.s8：led载体1转移至烤箱平台烘烤。
49.本实用新型在led芯片上方及四周形成光扩散层，光扩散材料均匀地分散在光扩散层中，led芯片发出的蓝光通过光扩散材料的表面进行无数次光折射达到光扩散即匀光的作用的。光转换层与阻挡墙的连接阻止芯片蓝光漏出，led芯片发出的蓝光在光扩散层进行充分扩散后全部进入光转换层，光转换层外形平整，厚度均匀，各个位置的光转换材料均匀分布，cob光源发出的白光更加均匀，提升了cob的光品质。
50.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。