用于集成电路的电容器结构以及相关方法与流程

1.本公开涉及集成电路(ic)结构形成，更具体地涉及用于ic的电容器结构以及形成该电容器结构的相关方法。


背景技术：

2.ic中的电容器结构通常包括两个金属板，在这两个金属板之间具有绝缘体。在这样的配置中，板占据至少最小的表面积以实现期望的电容。将电容器集成到集成电路中的一种常规方法是形成横向(transverse)金属线或“指状物”，其从使得横向金属线与附近布线的相似金属线相互交叉的较大布线向外延伸。然而，随着器件尺寸的不断减小，这种配置可能会限制可制造性和电容范围。当产品规格要求超低电容器，即不超过约0.5飞法拉(ff)的电容器时，电容器尺寸的这种限制尤其令人担忧。提供超低电容的常规方法包括例如增加交替的水平电极之间的间隔以降低电容器结构中的电容密度。替代方法包括将较大电容器串联在一起，以减小两个节点之间的有效电容。然而，这些和其他方法在器件的实际电容中产生了很大的不确定性和误差。


技术实现要素：

3.本公开的一些方面提供了一种用于集成电路(ic)的电容器，所述电容器包括：位于第一布线层内的第一导体的上表面上的第一竖直(vertical)电极；位于所述第一竖直电极的上表面上的电容器电介质；位于所述电容器电介质的上表面上的第二竖直电极，其中所述第二竖直电极在竖直方向上位于所述电容器电介质和第二导体之间；以及与所述第一竖直电极、所述电容器电介质和所述第二竖直电极中的每一者相邻的层级间电介质(ild)层，其中所述ild层在竖直方向上位于所述第一导体和所述第二导体之间。
4.本公开的另外一些方面提供了一种用于集成电路(ic)的布线层堆叠，所述布线层堆叠包括：包括第一多个导体的第一布线层；位于所述第一布线层的上表面上的层级间电介质(ild)层；位于所述ild层的上表面上的第二布线层，所述第二布线层包括第二多个导体；位于所述ild层内的至少一个电容器，所述至少一个电容器包括：位于所述第一多个导体之一的上表面上的第一竖直电极，位于所述第一竖直电极的上表面上的电容器电介质，以及位于所述电容器电介质的上表面上的第二竖直电极，其中所述第二竖直电极在竖直方向上位于所述第二多个导体之一和所述电容器电介质之间；以及位于所述ild层内的至少一个过孔，其将所述第一多个导体之一耦接(couple)到所述第二多个导体之一，其中所述ild层的一部分将所述过孔与所述至少一个电容器在水平方向上分隔开。
5.本公开的其他一些方面提供了一种形成用于集成电路(ic)的电容器的方法，所述方法包括：在层级间电介质(ild)层的第一部分内形成第一开口以暴露所述ild层的所述第一部分下方的第一导体；在所述第一导体的上表面上、所述ild层的所述第一部分内形成第一竖直电极以填充所述第一开口；在所述第一竖直电极的上表面上形成电容器电介质；在所述电容器电介质的上表面上形成第二竖直电极；以及在所述ild层的所述第一部分的上
表面上形成所述ild层的第二部分，所述ild层的所述第二部分与所述电容器电介质以及所述第二竖直电极相邻。
6.通过下面对本公开的实施例的更具体的描述，本公开的上述以及其他特征将是显而易见的。
附图说明
7.将参考以下附图详细地描述本公开的实施例，其中相同的参考标号表示相同的要素，并且其中：
8.图1示出了根据本公开的实施例的待处理的初步结构的截面图。
9.图2示出了根据本公开的实施例在层级间电介质(ild)层的第一部分内形成第一开口的截面图。
10.图3示出了根据本公开的实施例在第一开口中形成第一竖直电极的截面图。
11.图4示出了根据本公开的实施例形成电容器电介质材料和电极材料的截面图。
12.图5示出了根据本公开实施例形成电容器电介质和第二竖直电极的截面图。
13.图6示出了根据本公开的实施例形成ild层的第二部分的截面图。
14.图7示出了根据本公开实施例在ild层的第二部分中形成第二开口的截面图。
15.图8示出了根据本公开的实施例形成第二布线层的截面图。
16.图9示出了根据本公开的实施例的电容器和布线层的放大截面图。
17.应注意，本公开的附图不一定按比例绘制。附图仅旨在描绘本公开的典型方面，因此不应视为限制本公开的范围。在附图中，相似的标号表示附图之间相似的元素。
具体实施方式
18.在下面的描述中，参考了形成本发明一部分的附图，并且其中以图示的方式示出了可以实践本教导的具体示例性实施例。这些实施例的描述足够详细以使本领域技术人员能够实践本教导，应当理解，在不脱离本教导的范围的情况下，可以使用其他实施例并且可以进行更改。因此，以下描述仅是说明性的。
19.本公开的实施例提供了用于ic的电容器结构以及形成该电容器结构的相关方法。该电容器结构的实施例例如可以包括位于第一布线层内的第一导体的上表面上的第一竖直电极。电容器电介质可以位于第一竖直电极的上表面上。第二竖直电极可以位于电容器电介质的上表面上，从而将第二竖直电极在竖直方向上定位在电容器电介质和第二导体之间。层级间电介质(ild)层可以与第一竖直电极、电容器电介质和第二竖直电极相邻。ild层也可以在竖直方向上位于第一导体和第二导体之间。根据本公开实施例的方法可操作地形成该电容器结构，并且可以可选地形成ic的其他部分，例如位于电容器结构上方和下方的布线层。
20.图1示出了根据本公开的实施例的待处理的初步结构100在平面x-z中的截面图。图1所示的初步结构100提供了旨在用于本公开的实施例的初始材料组，但是应当理解，本公开的实施例可以在不同设计上实现而不显著改变本文讨论的各种示例技术。
21.初步结构100可以包括位于平面x-z内的两个不同位置的第一区域102和第二区域104。作为示例，第一区域102被示为与第二区域104在水平方向上分隔开由虚线指示的不确
定距离。在各种其他实施方式中，每个区域102、104可以彼此直接相邻，沿不同方向(例如，在平面y-z内)分隔开，和/或采取任何其他空间布置。初步结构100的各个部分可以形成在包括各种绝缘和/或导电材料的第一布线层110上。第一布线层110可以位于(即，直接或间接地位于)包括诸如晶体管、二极管、电阻器、电容器、电感器等电子器件的器件层上或以其他方式位于该器件层上方，用于提供器件的操作特征。器件层的组成和功能是本领域公知的，并且未在附图中示出，或未在本文中进一步详细讨论。
22.布线层110可以由绝缘材料形成，例如适于将布线层110中的导电材料的各个区域物理和电气分隔开的基于一种或多种氧化物的电介质材料。基于氧化物的电介质材料也可以适于区别于本文其他地方所讨论的其他电介质材料。电介质材料可包括但不限于：碳掺杂的二氧化硅材料；氟化硅酸盐玻璃(fsg)；有机聚合物热固性材料；碳氧化硅；sicoh电介质；氟掺杂的氧化硅；旋涂玻璃；倍半硅氧烷，其中包括氢倍半硅氧烷(hsq)、甲基倍半硅氧烷(msq)以及hsq和msq的混合物或共聚物；基于苯并环丁烯(bcb)的聚合物电介质，以及任何含硅的低k电介质。使用倍半硅氧烷化学的具有sicoh型组成的旋涂低k膜的示例包括hosp
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(可从honeywell购买)、jsr 5109和5108(可从japan synthetic rubber购买)、zirkon
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(可从shipley microelectronics的rohm and haas分公司购买)，以及多孔低k(elk)材料(可从applied materials购买)。碳掺杂的二氧化硅材料或有机硅烷的示例包括black diamond
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(可从applied materials购买)和coral
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(可从lam research购买)。hsq材料的示例是fox
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(可从dow corning购买)。
23.布线层110的一些部分可以包括用于将器件层的一些部分电耦接到其他布线层和/或器件层的其他部分的第一导体120(例如，一条或多条金属线)。第一导体120可以包括能够在多个电活性元件之间形成导电通路的任何当前已知的或以后开发的导电物质。作为示例，第一导体120可以包括任何和/或所有导电材料，例如铜(cu)、铝(al)、钨(w)、钴(co)、钛(ti)等。尽管在附图中未示出，但是也可以在与第一导体120相邻的绝缘材料的侧壁上、可以在第一导体120形成之前，沉积阻挡衬里(liner)。沉积的阻挡衬里可以包括任何当前已知的或以后开发的阻挡衬里材料(例如，难熔金属衬里)，其中包括但不限于：氮化钽(tan)和钽；氮化钽、钽和钴；以及镁(mn)、或其组合。例如可通过在布线层110的沟槽内沉积导电材料和/或通过图案化布线层110和/或第一导体120材料来形成第一导体120。作为示例，在绝缘结构的第一区域102中示出了三个第一导体120，并且在初步结构100的第二区域104中示出了一个第一导体120，尽管并非在所有实施方式中都必须如此。通过“沉积”或“淀积”形成材料通常可以包括适合于待沉积的材料的任何现在已知的或以后开发的技术，其中包括但不限于例如：化学气相沉积(cvd)、低压cvd(lpcvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、次常压cvd(sacvd)和高密度等离子体cvd(hdpcvd)、快速热cvd(rtcvd)、超高真空cvd(uhvcvd)、有限反应处理cvd(lrpcvd)、金属有机cvd(mocvd)、溅射沉积、离子束沉积、电子束沉积、激光辅助沉积、热氧化、热氮化、旋涂法、物理气相沉积(pvd)、原子层沉积(ald)、化学氧化、分子束外延(mbe)、镀敷、蒸发。
24.初步结构100例如可以包括位于布线层110和其中的第一导体120上方的阻挡膜130以将上覆的(overlying)材料与其下方的布线层110在竖直方向上隔离。阻挡膜130可以包括一种或多种具有特别高的抗蚀刻性的电绝缘材料。更具体地，阻挡膜130可以形成为“蚀刻停止层”，其被配置为防止下伏的(underlying)器件部件在后续处理中被去除或改
性。因此，阻挡膜130可以包括例如氧掺杂的碳化硅(sic:o)层、氮掺杂的碳化硅(sic:n)层或具有类似特性的其他材料。初步结构100还可以包括位于阻挡膜130上的ild层140的第一部分(以下简称“第一部分”)。第一部分140可以包括一种或多种包含在布线层110内的绝缘材料，和/或可以包括任何其他当前已知的或以后开发的绝缘材料。
25.转向图2，本公开的实施例可以包括在第一部分140内、第一区域102内形成一个或多个第一开口150，而不在第二区域104内形成第一开口150。利用位于第一部分140上的适当位置的掩模152的反应离子蚀刻(rie)是一种适于形成第一开口150的技术。蚀刻通常是指从衬底(或形成在衬底上的结构)中去除材料，并且通常利用在适当位置处的掩模来执行，以便选择性地从衬底的特定区域中去除材料，同时使得在衬底的其他区域中的材料不受影响。通常有两类蚀刻：(i)湿法蚀刻和(ii)干法蚀刻。湿法蚀刻利用溶剂(例如酸)执行，可以选择溶剂的选择性地溶解给定材料(例如氧化物)而同时使另一材料(例如多晶硅)保持相对完整的能力。这种选择性蚀刻给定材料的能力是许多半导体制造工艺的基础。湿法蚀刻通常各向同性地蚀刻均质材料(例如氧化物)，但是湿法蚀刻也可以各向异性地蚀刻单晶材料(例如硅晶片)。干法蚀刻可以利用等离子体执行。等离子体系统可以通过调整等离子体参数以若干种模式工作。普通等离子体蚀刻会产生中性带电的高能自由基，这些高能自由基在晶片表面发生反应。由于中性粒子从各个角度攻击晶片，因此该工艺是各向同性的。离子铣削或溅射蚀刻用稀有气体的高能离子轰击晶片，稀有气体的高能离子大致从一个方向接近晶片，因此该工艺是高度各向异性的。反应离子蚀刻(rie)在介于溅射和等离子体蚀刻之间的条件下操作，可用于产生深而窄的特征，适于创建类似元件，例如本文中讨论的竖直电极。第一开口150的形成还可以去除阻挡膜130的下伏部分以暴露第一导体120的上表面j。
26.参考图3，本公开的实施例包括在第一导体120的上表面j(图2)上形成第一竖直电极。第一竖直电极160可以包括适合用作电容器电极的任何当前已知的或以后开发的材料，例如，铝(al)、钽(ta)、银(ag)、本文关于第一导体120描述的一种或多种金属，和/或其他导电材料。第一竖直电极160可以通过沉积形成以部分或完全填充第一开口150(图2)。在已经形成多个第一开口150的情况下，可通过沉积和随后的蚀刻、平面化等形成第一竖直电极160，使得第一部分140的上表面与第一竖直电极160的上表面l共面。在形成第一竖直电极160之前、期间或之后，也可通过任何合适的工艺(例如，剥离)去除掩模152(图2)。
27.继续到图4，本公开的实施例可以包括形成用于电容器结构的其他材料，这些材料位于ic的ild材料内(例如，位于第一部分140上方)。除了第一部分140的暴露部分之外，这些材料的形成例如还可以包括在第一竖直电极160的上表面l上形成电容器电介质层162和电极层164。在沉积的情况下，电容器电介质层162可以非选择性地形成在第一区域102和第二区域104上。在这种情况下，电极层164还可以覆盖第一区域102和第二区域104中的整个电容器电介质层162。电容器电介质层162可以具有与第一部分140不同的材料组成，并且可以被选择为具有比第一部分140的绝缘材料高的介电常数。根据一个示例，电容器电介质层162可以包括一种或多种基于氧化物的电介质材料(例如，hfo2)和/或基于氮化物的电介质材料，例如氮化硅(sin)，而第一部分140可以包括一种或多种氧化物电介质材料，例如二氧化硅(sio2)。在另外的实施例中，电容器电介质层162可以包括具有比第一部分140高的介电常数的任何电介质材料。根据示例实施方式，电容器电介质层162可以在第一竖直电极
160上方形成至约5纳米(nm)和约15nm之间的竖直厚度t。电极层164可以具有与第一竖直电极160相同的组成或相似的组成，并且可以在电容器电介质层162上形成至任何期望的竖直厚度。
28.继续到图5，接下来的处理可以包括使用电容器电介质层162(图4)和电极层164(图4)在第一区域102中的期望位置处形成电容器的剩余部件。例如，掩模165可以形成在位于第一竖直电极160的竖直上方的电极层164(图4)的一些部分上。在掩模165位于适当位置的情况下，可以去除(例如，通过蚀刻)第一区域102和第二区域104中的电介质层和电极层164的暴露部分。材料的剩余部分可以形成一组电容器电介质166，每个电容器电介质位于其下方的第一竖直电极160的上表面l(图3)上。类似地，电极层164的剩余部分可以限定一组第二竖直电极168，每个第二竖直电极位于其下方的电容器电介质166的上表面上。电容器电介质166上方的第二竖直电极168的高度可以不同于第一导体120上方的第一竖直电极160的高度。在一些情况下，第一竖直电极160可以沿z轴显著高于第二竖直电极166，但并非在所有实施方式中均是如此。
29.例如，通过在从器件的非电容器区域蚀刻所沉积的材料之前沉积电容器电介质层162而形成电容器电介质166，这可以允许更好地控制电容器电介质166的尺寸。然而，并非在所有实施方式中都需要此方法。电容器电介质166和第二竖直电极168可以通过在第一竖直电极160上选择性地形成这些材料的任何工艺形成，例如形成材料，在第一竖直电极160上方形成开口，以及在开口中形成电容器电介质166和第二竖直电极168。在这种情况下，可通过蚀刻而非沉积来控制电容器电介质166的尺寸。另外的变型可以允许电容器电介质166的尺寸由其他工艺确定。不管用于形成电容器电介质和/或竖直电极168的工艺如何，电容器电介质166均可保持约5nm至约15nm之间的厚度t，如本文其他地方所讨论的。掩模165可以在适用的情况下被去除，例如通过剥离和/或适于从结构中去除掩模材料的任何其他工艺。
30.转向图6，本公开的实施例可以包括形成用于ic的各个布线层的ild材料的剩余部分，与常规处理没有显著差异。例如，图6示出了通过在电容器区域104和第二区域104中在第一部分140上形成ild材料的第二部分(以下简称“第二部分”)172来形成ild层170。第二部分172也可以形成在第一区域102中的电容器电介质166和第二竖直电极168上并与其相邻。第二部分172可以包括与第一部分140相同的材料或相似的材料。在第二部分172具有与第一部分140相同的组成的情况下，在ild层170的第一部分140和第二部分172之间可以没有可见的界面。部分140、172之间的竖直界面以虚线示出以指示每个部分140、172是一个ild层170的一部分。
31.转向图7，接下来的处理可以包括在ild层170的一些部分上形成布线掩模173，以针对后续金属沉积对准第一区域102和第二区域104的一些部分。在掩模173在ild层170的选定部分上位于适当位置的情况下，本公开的方法可以包括在第二部分172内形成一组第二开口174。可以形成第二开口174以暴露第一区域102中的第二竖直电极168的上表面m。布线区域104中的第二开口174类似地可以仅部分地延伸到ild层170中。第二区域104中的第二开口174可用于形成金属线，其中一些金属线可以横向延伸(即，进入或离开页平面)和/或在相对于其他导电元件的其他位置处侧向延伸(例如，沿x或y轴水平延伸)。在一些情况下，可通过去除ild层170的一些部分以暴露其下方的第一导体120来在布线区域104中形成
第三开口176。可以形成第三开口176以产生用于将第一导体120在竖直方向上耦接到上覆导电材料的过孔结构，如本文其他地方所讨论的。第三开口176可以比第二开口176深，例如通过在形成第二开口174之前或之后借助附加掩模(未示出)形成。在已经形成第二开口174和第三开口176之后，可通过剥离和/或用于从结构中去除掩模材料的任何其他工艺去除掩模173。
32.参考图8，接下来的处理可以包括在布线层110上方形成用于上覆布线层的导电材料。形成这样的材料例如可以包括在第二开口174(图7)内沉积第二导体180。第二导体180可以包括任何当前已知的或以后开发的导电材料，例如本文关于第一导体120讨论的那些导电材料中的任何导电材料。除了形成第二导体180之外，导电材料的一些部分可以至少部分地填充第二区域104中的第三开口176(图7)，以在第一导体120上形成例如过孔182，以及在过孔182上形成金属线184。例如可通过沉积导电材料和随后的平面化来形成第二导体180、过孔182和/或金属线184。在先前在ild层170内形成第三开口176的情况下，由于第三开口176的形状，金属线184可以具有大于过孔182的宽度。尽管在附图中未示出，但是也可以在ild层170内的开口174、176的侧壁上、并且可以在第二导体180、过孔182和/或金属线184形成(例如，如本文其他地方提及的)之前，沉积阻挡衬里。在一些情况下，第二导体180、过孔182和/或金属线184可通过镶嵌工艺形成。镶嵌是一种工艺，其中，首先在电介质层中以光刻方式限定互连图案，然后沉积金属以填充所产生的线槽开口或过孔开口，然后通过化学机械抛光(平面化)去除多余的金属。双镶嵌是一种类似的工艺，其中，互连图案在金属沉积之前限定线槽开口以及过孔开口(例如，在第三开口176中可能是这种情况)。导电材料也可以被平面化(例如，通过化学机械平面化(cmp)或类似工艺)，使得它们与ild层170的顶表面共面。
33.同时参考图8和图9，其中图9提供了第一区域102中的元件的放大图，本公开的实施例提供了用于ic结构的电容器190和/或布线层堆叠200。在形成第二导体180之后，第一竖直电极160、电容器电介质166和第二竖直电极168形成电容器190形式的电路径。电容器190将第一导体120在竖直方向上耦接到第二导体180。在这样的配置中，例如作为用于形成第一竖直电极160、电容器电介质166和/或第二竖直电极168的蚀刻工艺和/或其他技术的结果，电容器电介质166可以与第一竖直电极160和第二竖直电极168基本竖直对准。术语“基本竖直对准”可以被定义为电容器电介质166具有与竖直电极160、168的中心线轴大致相同的竖直中心线轴。因此，电容器电介质166可以具有与竖直电极160、168不同的尺寸、宽度等，但是仍然可以保持与竖直电极160、168基本竖直对准。ild层170可以将第一区域102中的电容器190与第二区域104内的过孔182(图8)在水平方向上分隔开。电容器190和过孔182之间的水平距离例如可以是至少约50微米(μm)。
34.在操作期间，当在其两端施加电势时，例如由于电容器电介质166的存在，竖直电极160、168可变得带相反电荷。这种结构将导致电容器190在操作期间存储电荷，类似于常规的平行板布置。然而，根据本公开的电容器190可以提供嵌入在ild层170内、位于布线层110上方的低电容电容器。为了提供这些操作特征，可以在ild层170上方形成附加的布线层192和金属线194，其中金属线194电耦接到第二导体180。电压源196(例如，任何可想到的电源，如电池)可通过金属线194和第二导体180耦接到电容器190的第二竖直电极168。第一竖直电极160类似地可通过第一导体120电耦接到地gnd(或者，具有不同于电压源196的电压
的另一节点)。使用示意性图标来示出电压源196和地gnd以指示它们可通过多个中间导体、层、电结构等耦接到布线层堆叠200的电容器190。这些元件可通过延伸到页平面中或延伸出页平面的第一导体120、第二导体180、金属线194等的部分而被耦接。在另外的实施方式中，布线层110和/或附加的布线层192可以包括用于将第一导体120和/或金属线194耦接到布线层堆叠200中的其他布线层的附加过孔。
35.本公开的实施例提供各种技术和商业优势，其中一些在本文中作为示例被描述。电容器190和布线层堆叠200的特征可以在于电容器电介质166具有由沉积特性(例如，沉积时间)而不是蚀刻特性确定的竖直厚度。沉积比蚀刻更容易控制，因此与通过常规技术形成的电容器相反，电容器电介质166的尺寸几乎没有变化。这些属性进而可以允许比ic中的其他类型的电容器更一致地实现极低电容(例如，约0.5ff)。所得到的相对于设计规范的电容变化可以至多为例如相对于电容器190中的期望电容量的约百分之十的误差。本公开的方法也可以集成到常规工艺中以形成ic的金属布线层，而无需从根本上改变操作方法和/或增加大量额外步骤。
36.上述方法用于集成电路芯片的制造。所得到的集成电路芯片可以由制造商以原始晶片形式(即，作为具有多个未封装芯片的单个晶片)，作为裸芯或以封装形式分发。在后一种情况下，芯片以单芯片封装(例如塑料载体，其引线固定到主板或其它更高级别的载体)或多芯片封装(例如陶瓷载体，其具有表面互连和/或掩埋互连)的形式被安装。在任何情况下，芯片然后与其它芯片、分立电路元件和/或其它信号处理器件集成，作为(a)中间产品(例如主板)或(b)最终产品的一部分。最终产品可以是包括集成电路芯片的任何产品，从玩具和其它低端应用到具有显示器、键盘或其它输入设备以及中央处理器的高级计算机产品。
37.本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”规定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们构成的组的存在或者添加。“可选的”或“可选地”表示随后描述的事件或情况可能发生或可能不发生，并且该描述包括事件发生的情况和事件不发生的情况。
38.在整个说明书和权利要求书中使用的近似语言可以被用于修饰任何定量表示，该定量表示可以允许在不导致其相关的基本功能变化的情况下改变。因此，由诸如“约”、“大致”和“基本上”之类的一个或多个术语修饰的值不限于指定的精确值。在至少一些情况下，近似语言可以对应于用于测量值的仪器的精度。在本文以及整个说明书和权利要求书中，范围限制可以被组合和/或互换，这样的范围被识别并且包括含在其中的所有子范围，除非上下文或语言另有说明。应用于范围的特定值的“近似”适用于两个值，并且除非另外取决于测量值的仪器的精度，否则可指示所述值的 /-10％。
39.以下权利要求中的所有装置或步骤加功能元件的对应结构、材料、动作和等同物旨在包括结合具体要求保护的其它要求保护的要素执行功能的任何结构、材料或动作。已经出于说明和描述的目的给出了对本公开的描述，但是该描述并不旨在是穷举的或将本公开限制于所公开的形式。在不脱离本公开的范围和精神的情况下，许多修改和变化对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。选择和描述实施例是为了最好地解释本公开的原理
和实际应用，并且使本领域的其他技术人员能够理解本公开的具有适合于预期的特定用途的各种修改的各种实施例。