显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。


背景技术：

2.由于半导体材料的光敏感特性，薄膜晶体管的半导体材料的特性受到外界环境光以及发光器件发出的光的影响，导致薄膜晶体管驱动的发光器件的显示性能降低。
3.因此，有必要提出一种技术方案以解决光对薄膜晶体管的半导体材料的影响。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种显示面板，以改善光对薄膜晶体管的有源层的影响。
5.为实现上述目的，技术方案如下：
6.一种显示面板，所述显示面板包括：
7.基板；
8.薄膜晶体管，设置于所述基板的一侧，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括沟道；以及
9.遮光导电层，在所述显示面板的厚度方向上，所述遮光导电层与所述有源层的所述沟道重叠设置，所述遮光导电层包括：
10.第一光吸收层；以及
11.第一导电层，所述第一导电层位于所述第一光吸收层远离所述基板的一侧。
12.在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括栅极，所述栅极包括所述遮光导电层，所述栅极对应所述有源层的所述沟道设置。
13.在一些实施例中，所述栅极位于所述有源层远离所述基板的一侧。
14.在一些实施例中，所述栅极位于所述基板与所述有源层之间。
15.在一些实施例中，所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述薄膜晶体管与所述基板之间，所述遮光层包括所述遮光导电层，且所述遮光层对应有源层的所述沟道设置。
16.在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括漏极，所述漏极位于所述有源层远离所述基板的一侧，所述漏极包括：
17.第二光吸收层，所述第二光吸收层具有导电性，所述漏极的所述第二光吸收层与所述有源层电性连接；
18.第二导电层，所述第二导电层位于所述第二光吸收层远离所述基板的一侧。
19.在一些实施例中，所述漏极的所述第二光吸收层与所述遮光层的所述第一导电层电性连接。
20.在一些实施例中，所述第一导电层的厚度大于所述第一光吸收层的厚度。
21.在一些实施例中，所述第一光吸收层对可见光的反射率小于或等于15％。
22.在一些实施例中，所述第一光吸收层包括黑色金属，黑色金属包括铜铬合金、铜锰
合金、铁合金中的至少一种；或，所述光吸收层包括黑色金属氧化物，黑色金属氧化物包括氧化镨或氧化锰中的至少一种。
23.有益效果：本技术提供一种显示面板，在显示面板的厚度方向上，通过遮光导电层与有源层的沟道重叠设置，遮光导电层包括第一光吸收层和第一导电层，第一光吸收层对光具有吸收性，使得遮光导电层对光具有低反射率，减少照射至有源层的沟道的光，降低薄膜晶体管由于光照产生的漏电流，从而提高薄膜晶体管的稳定性；而且，第一导电层具有导电层，使得遮光导电层可以接入电压以传输电信号，有利于充分利用遮光导电层的布设空间进行布线。相对于传统有机遮光层不具有导电性，且传统金属遮光层对光具有高反射率导致光反射后仍然会照射至有源层的沟道，本技术遮光导电层将光起到吸收作用的同时，还能接入电压以传输电信号。
附图说明
24.图1为本技术第一实施例显示面板的示意图；
25.图2为本技术第二实施例显示面板的示意图；
26.图3a-3f为制造图1所示显示面板的过程示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.如图1所示，其为本技术第一实施例显示面板的示意图。显示面板10包括基板11、薄膜晶体管阵列层12、发光器件层13、遮光层14以及缓冲层15。
29.在本实施例中，基板11为玻璃基板。在其他实施例中，基板11也可以为柔性基板。
30.在本实施例中，薄膜晶体管阵列层12设置于基板11的一侧。薄膜晶体管阵列层12包括多个阵列排布的薄膜晶体管121，多个薄膜晶体管121为顶栅薄膜晶体管。每个薄膜晶体管121包括栅极122、有源层123、栅极绝缘层124、源漏电极以及层间绝缘层125。
31.其中，有源层123位于基板11的一侧。有源层123包括沟道1231。有源层123的厚度为100埃-1000埃。有源层123的制备材料为金属氧化物，金属氧化物包括氧化铟镓锌、氧化铟锡锌中的至少一种。在其他实施例中，有源层123的制备材料还可以为多晶硅、非晶硅等。
32.栅极122位于有源层123远离基板11的一侧，在显示面板10的厚度方向上，栅极122对应有源层123的沟道1231设置，且栅极122与有源层123的沟道1231完全重叠。
33.栅极122包括遮光导电层16，遮光导电层16包括第一光吸收层161和第一导电层162，栅极122的第一导电层162位于栅极122的第一光吸收层161远离基板11的一侧。栅极122的第一光吸收层161起到吸收向有源层123的沟道1231正面入射的光的作用，第一导电层162起到使栅极122具有导电性以传输栅极电压的作用。
34.栅极122的第一导电层162的厚度大于栅极122的第一光吸收层161的厚度，以使栅极122具有良好的导电性的同时，栅极122具有良好的吸光性。
35.具体地，栅极122的厚度大于或等于500埃且小于或等于10000埃。栅极122的第一
光吸收层161的厚度大于或等于300埃且小于或等于1000埃，栅极122的第一导电层162的厚度大于或等于1200埃且小于或等于10000埃。例如，第一光吸收层161的厚度为400埃、500埃、600埃、700埃、800埃以及1000埃，第一导电层162的厚度为1200埃、1500埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃以及6000埃。
36.栅极122的第一导电层162的导电率大于栅极122的第一光吸收层161的导电率，以保证栅极122的导电性。
37.栅极122的第一光吸收层161对可见光的反射率小于或等于15％。例如，第一光吸收层161对可见光的反射率为15％、14％、12％、10％、8％、6％、5％、4％以及3％。如下表1所示，相较于传统金属层遮光层的制备材料为钼或者钼钛合金，钼或者钼钛合金对可见光的反射率大于或等于50％，传统金属遮光层反射后的光仍然会照射到有源层的沟道进而影响薄膜晶体管的电性能，本实施例栅极122的第一光吸收层161对从正面入射至有源层123的沟道1231的光起到吸收作用，进而减少照射至有源层123的沟道1231的光，有利于提高薄膜晶体管的稳定性。
38.表1传统不同材料的金属遮光层对不同波长的可见光的反射率
[0039][0040]
具体地，栅极122的第一光吸收层161包括黑色金属，黑色金属包括铜铬合金、铜锰合金、铁合金中的至少一种，和/或，栅极122的第一光吸收层161包括黑色金属氧化物，黑色金属氧化物包括氧化镨或氧化锰中的至少一种。其中，第一光吸收层161包括黑色金属时，黑色金属具有导电性，保证栅极122的吸光性的同时，进一步地提高栅极122的导电性。
[0041]
栅极122的第一导电层162的制备材料包括铜、铝以及钼中的至少一种，以使得栅极122的第一导电层162具有良好的导电性。
[0042]
栅极绝缘层124位于栅极122与有源层123之间，且栅极绝缘层124对应有源层123的沟道1231重叠设置。栅极绝缘层124的厚度为1000埃-3000埃。栅极绝缘层124为氧化硅层。
[0043]
源漏电极包括源极1261和漏极1262，源极1261和漏极1262均包括第二光吸收层171和第二导电层172，第二光吸收层171具有导电性，第二导电层172位于第二光吸收层171远离基板11的一侧。
[0044]
源极1261的第二光吸收层171通过第一接触孔10a与有源层123的第一部分接触，漏极1262的第二光吸收层171通过第二接触孔10b与有源层123的第二部分接触，有源层123的沟道1231位于有源层123的第一部分与有源层123的第二部分之间。其中，第一接触孔10a和第二接触孔10b均贯穿层间绝缘层125。
[0045]
第二导电层172的厚度大于第二光吸收层171的厚度，以保证源极1261和漏极1262具有吸光性的同时，源极1261和漏极1262具有良好的导电性。
[0046]
具体地，源极1261的厚度和漏极1262的厚度大于或等于2000埃且小于或等于
10000埃。其中，第二光吸收层171的厚度大于或等于300埃且小于或等于1000埃，第二导电层172的厚度大于或等于2000埃且小于或等于10000埃。
[0047]
第二导电层172的厚度大于栅极122的第一导电层162的厚度，以使得与源极1261和漏极1262同层形成的导电层可以布设更多阻抗较小的导电走线，显示面板为大尺寸显示面板时，布设更多阻抗较小的导电走线有利于降低导电走线的电阻压降，提高显示面板显示效果的均一性。
[0048]
第二导电层172的导电率大于第二光吸收层171的导电率，第二导电层172的导电率大于或等于栅极122的第一导电层162的导电率，以进一步地降低第二导电层172的阻抗。具体地，第二导电层172的导电率大于第二光吸收层171的导电率，且第二导电层172的导电率等于栅极122的第一导电层162的导电率，以有利于第二导电层172和第一导电层162制备材料相同，简化制程。
[0049]
第二光吸收层171的制备材料包括铜铬合金、铜锰合金、铁合金中的至少一种，第二导电层172的制备材料包括铜、铝以及钼中的至少一种。
[0050]
本实施例源漏电极由第二光吸收层和第二导电层组成，使得源漏电极对光具有吸收性的同时，保证源漏电极的导电性。源漏电极对光具有吸收性，减小入射至有源层的沟道的光，进一步地提高薄膜晶体管的电性能。
[0051]
层间绝缘层125位于栅极122与源极1261和漏极1262之间，且层间绝缘层125位于有源层123与源极1261和漏极1262之间。层间绝缘层125的厚度为3000埃至10000埃。层间绝缘层125的制备材料包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。
[0052]
薄膜晶体管阵列层12还包括钝化层127、平坦化层128以及贯穿钝化层127和平坦化层128的第三接触孔10c，钝化层127位于源极1261和漏极1262远离基板11的一侧，平坦化层128位于钝化层127远离基板11的一侧，第三接触孔10c对应漏极1262设置。其中，钝化层127的厚度大于或等于1000埃且小于或等于5000埃，钝化层127为二氧化硅层；平坦化层128的厚度大于或等于1.0微米且小于或等于4.0微米，平坦化层128的制备材料包括聚酰亚胺或聚丙烯酸酯中的一种。
[0053]
薄膜晶体管阵列层12还包括像素定义层129，像素定义层129位于平坦化层128远离基板11的一侧，像素定义层129包括像素开口129a。
[0054]
在本实施例中，发光器件层13包括多个发光器件，每个发光器件包括第一电极131、有机发光层132以及第二电极133，第一电极131位于平坦化层128上，像素定义层129覆盖第一电极131的部分及平坦化层128，像素定义层129的像素开口129a暴露第一电极131的部分，第一电极131通过第三接触孔10c与漏极1262的第二导电层172接触，有机发光层132位于像素开口129a中且设置于第一电极131上，第二电极133覆盖像素定义层129和有机发光层132且位于有机发光层132远离基板11的一侧。
[0055]
在本实施例中，遮光层14位于薄膜晶体管阵列层12与基板11之间，缓冲层15位于遮光层14与薄膜晶体管阵列层12之间。
[0056]
其中，在显示面板10的厚度方向上，遮光层14与有源层123的沟道1231重叠设置。具体地，有源层123在基板11上的正投影位于遮光层14在基板11上正投影内。
[0057]
遮光层14包括遮光导电层16，遮光导电层16包括第一光吸收层161和第一导电层162，遮光层14的第一导电层162位于遮光层14的第一光吸收层161远离基板11的一侧，漏极
1262的第二光吸收层171与遮光层14的第一导电层162通过第四接触孔10d电性连接，以使遮光层14起到吸收向有源层123的沟道1231背面入射的光的同时，遮光层14起到降低电阻压降的作用。其中，第四接触孔10d贯穿层间绝缘层125和缓冲层15。
[0058]
遮光层14的第一光吸收层161可以与栅极122的第一光吸收层161相同，此处不作详述。遮光层14的第一导电层162与栅极122的第一导电层162基本相同，不同之处在于，遮光层14的第一导电层162的厚度大于栅极122的第一导电层162的厚度，以进一步地提高遮光层14的导电性。
[0059]
缓冲层15的厚度大于或等于1000埃且小于或等于5000埃。缓冲层15为氮化硅层或二氧化硅层。
[0060]
本实施例显示面板通过遮光层与有源层的沟道重叠设置，遮光层与漏极电性连接，遮光层包括第一光吸收层和第一导电层，以使得遮光层具有吸光作用进而提高薄膜晶体管的稳定性的同时，降低大尺寸显示面板的电阻压降。而且，遮光层具有导电性，有利于利用遮光层进行布线设计，更加充分利用遮光层的布线空间。另外，薄膜晶体管的栅极包括第一光吸收层且源漏电极包括第二光吸收层，有利于吸收向有源层的正面入射的光，进一步地提高薄膜晶体管的稳定性。
[0061]
请参阅图2，其为本技术第二实施例显示面板的示意图。图2所示显示面板与图1所示显示面板基本相似，不同之处包括，薄膜晶体管121为底栅薄膜晶体管，薄膜晶体管121的栅极122位于基板11与有源层123之间，图2所示显示面板还不包括遮光层14和缓冲层15。
[0062]
本实施例显示面板通过栅极122位于有源层123与基板11之间，栅极122包括第一光吸收层161和第一导电层162，以使栅极122吸收向有源层123背面入射的光，以提高薄膜晶体管的稳定性。
[0063]
本技术还提供一种制造图1所示显示面板的方法，方法包括如下步骤：
[0064]
步骤s101：于基板上形成遮光层。
[0065]
具体地，提供一基板11，基板11为玻璃基板，对基板11进行清洗及干燥，得到处理后的基板；采用物理沉积在处理后的基板11上依次形成整面的第一黑色膜层和整面的第一导电膜层，利用黄光工艺对第一黑色膜层和第一导电膜层进行图案化处理，得到遮光层14，遮光层14包括叠置的第一光吸收层161和第一导电层162，如图3a所示。其中，第一黑色膜层的厚度为500埃，且第一黑色膜层为铜铬合金层；第一导电膜层的厚度为8000埃，第一导电膜层为铜层。
[0066]
步骤s102：于遮光层远离基板的一侧形成有源层，有源层对应遮光层设置。
[0067]
具体地，采用化学气相沉积形成覆盖遮光层14和基板11的缓冲层15，缓冲层15为氧化硅层，缓冲层15的厚度为2000埃；采用增强型化学气相沉积于缓冲层15上形成整面的半导体层，半导体层的制备材料为氧化铟镓锌，半导体层的厚度为800埃，利用黄光工艺对半导体层进行图案化，得到多个有源层123，有源层123对应遮光层14设置，如图3b所示。
[0068]
步骤s103：于有源层远离基板的一侧形成栅极，栅极对应有源层设置。
[0069]
具体地，采用化学气相沉积形成覆盖有源层123和缓冲层15的栅极绝缘膜层，采用物理沉积形成覆盖栅极绝缘膜层的第一黑色膜层和第一导电膜层，采用一道光罩曝光制程且结合黄光工艺对第一黑色膜层以及第一导电膜层进行蚀刻，得到栅极122，栅极122对应有源层123设置，栅极122由堆叠的第一光吸收层161和第一导电层162组成；以栅极122作为
自对准图形对栅极绝缘膜层进行蚀刻，得到栅极绝缘层124，栅极绝缘层124对应有源层123设置；采用离子注入对栅极绝缘层124没有保护的有源层123进行掺杂，有源层123未掺杂部分为沟道1231，如图3c所示。其中，栅极绝缘膜层的厚度为2000埃，栅极绝缘膜层为二氧化硅层；第一黑色膜层的厚度为500埃，且第一黑色膜层为铜铬合金层；第一导电膜层的厚度为2000埃，第一导电膜层为铜层。
[0070]
步骤s104：于栅极远离基板的一侧形成层间绝缘层。
[0071]
具体地，采用化学气相沉积形成覆盖栅极122、有源层123以及缓冲层15的层间绝缘层125，采用黄光制程对层间绝缘层125和缓冲层15进行蚀刻，得到第一接触孔10a、第二接触孔10b以及第四接触孔10d，第一接触孔10a和第二接触孔10b贯穿层间绝缘层125且对应栅极122两侧的有源层123设置，第四接触孔10d贯穿层间绝缘层125和缓冲层15且对应遮光层14设置，如图3d所示。其中，层间绝缘层125的厚度为5000埃，层间绝缘层125为二氧化硅层。
[0072]
步骤s105：于层间绝缘层远离基板的一侧形成源漏电极。
[0073]
具体地，采用物理沉积于第一接触孔10a、第二接触孔10b、第四接触孔10d以及层间绝缘层125上形成整面的第二黑色膜层和第二导电膜层，采用黄光制程对第二黑色膜层和第二导电膜层进行图案化，得到源极1261和漏极1262，源极1261通过第一接触孔10a与有源层123电性连接，漏极1262通过第二接触孔10b与有源层123电性连接且通过第四接触孔10d与遮光层14电性连接，如图3e所示。其中，第二黑色膜层的厚度为500埃，第二黑色膜层为铜铬合金层；第二导电膜层的厚度为8000埃，第二导电膜层为铜层。
[0074]
步骤s106：于源漏电极远离基板的一侧形成发光器件层。
[0075]
具体地，采用化学气相沉积形成覆盖层间绝缘层125和源漏电极的钝化层127，采用涂布形成覆盖钝化层127的平坦化层128，采用蚀刻工艺形成贯穿钝化层127和平坦化层128的第三接触孔10c；于第三接触孔10c中以及平坦化层128上形成整面的第一电极层，采用蚀刻工艺对第一电极层进行图案化，得到第一电极131，第一电极131通过第三接触孔10c与漏极1262电性连接；形成覆盖第一电极131和平坦化层128的像素定义层129，且通过曝光显影形成像素开口129a，像素开口129a对应第一电极131设置；采用喷墨打印或真空蒸镀于像素开口129a中的第一电极131形成有机发光层132，采用蒸镀形成覆盖有机发光层132和像素定义层129的第二电极133，第一电极131、有机发光层132以及第二电极133组成发光器件层13，如图3f所示。
[0076]
其中，钝化层127的厚度为4000埃，钝化层127为二氧化硅层；平坦化层128的厚度为3微米，平坦化层128为聚酰亚胺层。
[0077]
本实施例显示面板的制造方法通过遮光层与有源层的沟道重叠设置，遮光层与漏极电性连接，遮光层包括第一光吸收层和第一导电层，以使得遮光层具有吸光作用进而提高薄膜晶体管的稳定性的同时，降低大尺寸显示面板的电阻压降。
[0078]
以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。