显示装置的制作方法

1.本技术实施例涉及显示及触控设备技术领域，尤其涉及一种显示装置。


背景技术：

2.柔性多层覆盖表面式(flexible multi layer on cell，简称fmloc)是指显示面板薄膜封装层外侧制作互容触控器件的触控面板，fmloc能够将显示结构和触控结构集成在一起，具有轻薄、可折叠等优点，可以满足柔性折叠、窄边框等产品需求。有机fmloc是fmloc的一种类型，其包括堆叠设置的第一有机层、第一触控层、第二有机层、第二触控层及有机层。
3.显示面板包括显示区和非显示区，非显示区包括第一针脚区、第二针脚区以及位于第一针脚区和第二针脚区之间的连接区，连接区中设置有第一针脚区和第二针脚区中针脚的连接走线。
4.在相关技术中，连接走线位于被有机层覆盖的金属层。由于有机fmloc中有机层和显示面板中有机层粘附力较差，在有机fmloc工艺过程中，fmloc工艺段的有机层与显示面板的有机层会出现剥离(peeling)问题，因此需要将有机fmloc中的有机层去除；然而在去除过程中，会对连接走线产生影响，破坏可靠性。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术实施例的目的在于提出一种显示装置。
6.本技术实施例提供的一种显示装置，包括显示面板和触控面板，所述触控面板为有机柔性多层覆盖表面式结构；
7.所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括第一针脚区和第二针脚区以及针脚连接区，所述针脚连接区中设置有连接所述第一针脚区和所述第二针脚区中针脚的连接走线，且所述连接走线被无机绝缘层覆盖。
8.在本技术实施例提供的显示装置中，连接走线被无机绝缘层覆盖，因此在有机fmloc工艺段的刻蚀去除过程，即使有金属残留在连接走线的缝隙，也不会导致连接走线的短接short。而且，无机绝缘层具有良好的水氧阻隔性，能够保证连接走线在高温高湿环境下的信赖性。
9.在一种可能的实施方式中，所述触控面板包括沿远离所述显示面板的方向层叠设置的第一有机层、第一触控层、第二有机层、第二触控层和第三有机层；
10.所述针脚连接区，所述第一有机层、所述第一触控层、所述第二有机层、所述第二触控层和所述第三有机层均被去除。
11.在一种可能的实施方式中，所述第一有机层、所述第二有机层和所述第三有机层均采用负性感光胶。
12.在一种可能的实施方式中，所述第一触控层和所述第二触控层中的一方设置有多个连接桥，另一方设置有沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿与第一方向垂直的
第二方向间隔排列的多个第二触控电极；
13.沿所述第一方向相邻的两个所述第一触控电极一体连接，沿所述第二方向相邻的两个所述第二触控电极通过所述第二有机层设置的过孔与所述连接桥连接。
14.在一种可能的实施方式中，所述第一触控层和所述第二触控层包括氧化铟锡、金属网格和纳米银线中的至少一种。
15.在一种可能的实施方式中，所述显示装置包括控制芯片和柔性电路板，所述第一针脚区为与所述控制芯片绑定的绑定区域，所述第二针脚区为与所述柔性电路板绑定的绑定区域。
16.在一种可能的实施方式中，所述无机绝缘层为单层或多层结构，包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
17.在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括衬底基板，以及在所述衬底基板靠近所述触控面板一侧层叠设置的阻挡层、有源层、第一栅绝缘层、栅极层、第二栅绝缘层、第一金属层、层间绝缘层、第一平坦层、钝化层、第二金属层、第二平坦层、像素界定层和薄膜封装层；所述触控面板设置于所述薄膜封装层；
18.所述钝化层为无机绝缘层，在所述针脚连接区，所述连接走线位于所述所述第一金属层，所述钝化层延伸至所述连接走线的外侧以覆盖所述连接走线。
19.在一种可能的实施方式中，在所述针脚连接区，所述钝化层远离所述第一金属层的一侧设置有所述第二平坦层。
20.在一种可能的实施方式中，所述显示装置包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层；所述第一电极设置于所述像素界定层与所述第二平坦层之间，所述第二电极位于所述有机发光层远离所述第一电极的一侧。
21.在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括与所述第一电极相连的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
22.所述栅极位于所述栅极层，所述漏极和所述源极位于所述第一金属层；所述第二金属层包括连接所述漏极和所述第一电极的电极连接部。
23.在一种可能的实施方式中，所述显示面板包括与所述薄膜晶体管连接的扫描线、数据线和电源信号线，所述扫描线位于所述栅极层，所述数据线和所述电源信号线位于所述第二金属层。。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1为本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
26.图2为本技术实施例提供的一种显示装置中像素电路的示意图；
27.图3为本技术实施例提供的一种显示面板的层级示意图；
28.图4为本技术实施例提供的一种fmolc的层级示意图；
29.图5为本技术实施例提供的显示面板在非显示区的局部示意图；
30.图6为相关技术中显示装置在针脚连接区的截面图一；
31.图7为相关技术中显示装置在针脚连接区的截面图二；
32.图8为本技术实施例中显示装置在针脚连接区的截面图。
33.附图标记说明：
34.1-显示面板、2-显示区、3-非显示区、4-像素单元、5-子像素、6-第一电极、7-扫描线、8-数据线、9-薄膜晶体管、10-阻挡层、11-第二栅绝缘层、12-层间绝缘层、13-第一平坦层、14-第二平坦层、15-像素界定层、16-第一无机封装层、17-有机封装层、18-第二无机封装层、19-薄膜封装层、20-第二电极、21-有机发光层、22-第二金属层、23-钝化层、24-第一金属层、25-第一栅绝缘层、26-栅极层、27-有源层、28-衬底基板、29-第一有机层、30-第一触控层、31-第二有机层、32-第二触控层、33-第三有机层；
35.100：第一针脚区、200：针脚连接区、300-第二针脚区。
具体实施方式
36.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
37.本技术实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板和触控面板。
38.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，该显示面板1包括显示区2(active area，简称aa区)和位于显示区2外侧的非显示区3。
39.显示区2即显示面板1用于实现显示的区域，显示面板1在显示区2内设置有多个像素单元4，多个像素单元4阵列排布形成像素阵列。每个像素单元4均包括多种子像素5，子像素5为能够发出单一色彩的发光器件，例如，像素单元4包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素为能够发出绿(green)光的g子像素，第二子像素为能够发出红(red)光的r子像素，第三子像素为能够发出蓝(blue)光的b子像素。在显示面板1进行显示时，通过控制每个像素单元4中各种子像素5的发光实现彩色显示。
40.像素单元4可以为oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)、qled(quantum dot light emitting diodes，量子点发光二极管)、mini led(次毫米发光二极管)或者micro-led(微型发光二极管)，本文以像素单元4为oled像素单元为例进行描述，oled像素单元包括能发出不同颜色的oled子像素。
41.oled子像素包括第一电极、有机发光层和第二电极，有机发光层位于第一电极和第二电极之间，通过控制第一电极和第二电极，可以实现有机发光层的发光。与不同颜色oled子像素对应的有机发光层不同。第一电极和第二电极之间还可以设置空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)中的至少一个，以提高有机发光层的发光效率。
42.在具有oled像素单元的显示面板1中，显示面板1包括控制oled子像素的像素电路以及与像素电路相连的第一电极，图2为本技术实施例提供的一种显示装置中像素电路的示意图，如图2所示，像素电路包括交叉设置的多根扫描线(gate)7和多根数据线(data)8，还包括多个与oled子像素对应的薄膜晶体管(thin film transistor，缩写tft)9。薄膜晶
体管9包括栅极、源极和漏极，薄膜晶体管9的漏极与对应oled子像素的第一电极6相连，薄膜晶体管9的栅极与扫描线7连接，薄膜晶体管9的源极和数据线8连接。
43.扫描线7与像素阵列中的像素行对应设置，同一像素行中像素单元4的薄膜晶体管9的栅极与同一扫描线7连接。数据线8与像素阵列中的像素列对应设置，同一像素列中像素单元4的薄膜晶体管9的源极与同一数据线8相连。
44.图3为本技术实施例提供的一种显示面板的层级示意图，如图3所示，该显示面板1包括衬底基板28，以及在衬底基板28一侧沿靠近触控面板方向层叠设置的阻挡层(buffer)10、有源层27、第一栅绝缘层(gi)25、栅极层26、第二栅绝缘层11、层间绝缘层(inter layer dielectric，缩写ild)12、第一金属层24、第一平坦层13(planarization，缩写pln)、钝化层(passivation，缩写pvx)23、第二金属层22、第二平坦层14、像素界定层15(pixel definition layer，缩写pdl)、oled子像素和薄膜封装层(thin-film encapsulation，缩写tfe)19。
45.其中，衬底基板28可以为刚性板，例如可以为玻璃板、石英板或亚克力板；衬底基板28还为能够弯折的柔性基板，柔性基板可以采用聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、聚醚砜(pes)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、多芳基化合物(par)或玻璃纤维增强塑料(frp)等聚合物材料制作。在本实施例中，衬底基板28以采用pi制作的柔性板为例进行描述。
46.阻挡层10设置于衬底基板28靠近触控面板的一侧，为无机绝缘膜层，可以采用含硅无机材料制作，并且可以为多层或者单层结构，含硅无机材料可以为氧化硅sio2、氮化硅sinx和氮氧化硅sion中的至少一种。如此设计，利用无机材料的材料特性，隔离柔性基板和柔性基板上的结构，减小或者阻断外来物质、湿气、或者外界空气从柔性基板的下方渗透，并且可以提供平坦表面。
47.有源层27设置于阻挡层10远离衬底基板28的一侧，可以采用非晶硅(amorphous silicon，缩写α-si，又名无定形硅)、多晶硅(polycrystalline silicon，缩写poly-si)、低温多晶硅(low-temperature polycrystalline silicon，ltps)，或者，金属氧化物(例如氧化铟镓锌indium gallium zinc oxide，缩写igzo)等材料制作。
48.第一栅绝缘层25设置于有源层27远离衬底基板28的一侧，第一栅绝缘层25远离衬底基板28的一侧设置有栅极层26，栅极层26包括栅极和扫描线7。有源层27包括与栅极对应的沟道区。
49.第二栅绝缘层11设置于栅极层26远离衬底基板28的一侧，层间绝缘层12设置于第二栅极绝缘层远离衬底基板28的一侧。第一金属层24设置于层间绝缘层12远离衬底基板28的一侧。第一金属层24远离衬底基板28的一侧设置有第一平坦层13和钝化层23，钝化层23远离衬底基板28的一侧设置有第二金属层22。
50.第一金属层24和第二金属层22为处于不同高度层的金属层，薄膜晶体管9中的源极、漏极，以及显示面板1中的数据线8、电源信号线vdd等信号线可以选择性地设置在第一金属层24或第二金属层22，对某些信号线，还可以在第一金属层24和第二金属层22中均设置。通过在不同金属层中走线的方式，可以降低耦合电容对信号的影响，有利于适应高刷新率的适应场景。
51.在本实施例中，第一金属层24用于制作薄膜晶体管9中源极和漏极，第二金属层22
用于制作数据线8、电源信号线vdd等信号线，并用于与第一电极6和漏极的连接。
52.第二金属层22在远离衬底基板28的一侧设置有第二平坦层14，第二平坦层14远离衬底基板28的一侧具有平坦的表面，该平坦的表面方便其上方结构的制作成型。
53.像素界定层15设置于第二平坦层14远离柔性基板的一侧，具有像素开口，oled子像素中的第一电极6设置于像素界定层15和第二平坦层14之间，且通过像素开口露出。第一电极6通过过孔与第二金属层22中的电极连接部相连，电极连接部用于连接第一电极6和漏极。有机发光层21设置于像素开口中。第二电极20位于有机发光层21远离第一电极6的一侧。
54.在上述实施方式中，第一栅绝缘层25、第二栅绝缘层11、层间绝缘层12和钝化层23均为无机绝缘膜层，可以采用含硅无机材料制作，并且可以为多层或者单层结构，含硅无机材料可以为氧化硅sio2、氮化硅sinx和氮氧化硅sion中的至少一种。
55.该显示面板1的薄膜封装层19覆盖于oled像素单元远离衬底基板28的一侧，实现对oled像素单元的密封包裹。薄膜封装层19包括层叠设置的有机封装层和无机封装层，无机封装层至少密封包裹于有机封装层17远离柔性基板的一侧，也即有机封装层的外侧。
56.无机封装层的材料采用含硅无机材料制作，含硅无机材料可以为氧化硅sio2、氮化硅sinx和氮氧化硅sion中的至少一种。有机封装层的材料可以为丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等聚合物。无机封装层具有良好的水氧阻隔性，防止外界水氧对oled像素单元中的有机材料产生影响。有机封装层17可以很好地吸收与分散层与层之间的应力，避免致密的无机封装层产生裂痕而降低对水氧的阻隔性。
57.请参考图3，本实施例中，薄膜封装层19包括沿远离衬底基板28的方向层叠设置的第一无机封装层16，有机封装层17和第二无机封装层18，第一无机封装层16和第二无机封装层18设置于有机封装层17的两侧，且对有机封装层17进行密封包覆，以充分发挥无机封装层的阻水性能。
58.为了达到大角度弯折的应力需求，该薄膜封装层19远离衬底基板28的一侧还可以增加一层或多层有机层和无机层。
59.该显示装置中的触控面板设置于薄膜封装层19的外侧，形成柔性多层覆盖表面式(flexible multi layer on cell，简称fmloc)结构形式，fmloc将触控面板和显示面板1集成在一起，具有轻薄、可折叠等优点，可以满足柔性折叠、窄边框等产品需求。
60.图4为本技术实施例提供的一种fmloc结构示意图，如图4所示，该fmloc包括沿远离薄膜封装层19方向堆叠设置的第一有机层29、第一触控层30、第二有机层31、第二触控层32和第三有机层33。在本实施例中，第一有机层29、第二有机层31和第三有机层33均可以采用负性感光胶(oc胶)。
61.第一触控层30、第二有机层31和第二触控层32形成互容触控器件，在具体实例中，第一触控层30包括多个连接桥，第二触控层32可以包括沿第一方向排列的多个第一触控电极，以及沿与第一方向垂直的第二方向间隔排列的多个第二触控电极。相邻两个第一触控电极一体连接，相邻两个第二触控电极通过触控绝缘层上设置的过孔与连接桥连接，即连接桥将相邻的两个第二触控电极连接。
62.在可能的实施方式中，连接桥可以设置于第二触控层32，相应地，第一触控层30中设置第一触控电极和第二触控电极。
63.第一触控层30和第二触控层32包括氧化铟锡(indium tin oxide，缩写ito)、金属网格metal mesh和纳米银线中的至少一种。
64.fmloc设置于薄膜封装层19外侧，具有互容触控器件的触控区域可以与与显示区2重合，或者略大于显示区2。
65.图5为本技术实施例提供的显示面板在非显示区的局部示意图，如图5所示，非显示区中包括第一针脚区100、第二针脚区300和针脚连接区200，第一针脚区100和第二针脚区300中均并排设置有多个针脚，针脚连接区200设置有第一针脚区100和第二针脚区300中针脚的连接走线。
66.在本实施例中，显示装置采用cop封装，包括控制芯片和柔性电路板(flexible printed circuit，缩写fpc)，第一针脚区100为与控制芯片绑定的绑定区域，第二针脚区300为与柔性电路板绑定的绑定区域。
67.在针脚连接区200，显示面板1中的钝化层23保留，第一平坦层13去除，第二平坦层14保留，像素界定层15去除，第二平坦层14位于远离衬底基板28的外侧。第二平坦层14在pdl显影后descum干刻工艺时，会被过刻一次。
68.由于有机fmloc中的有机层与显示面板1中的有机层粘附力较差，在有机fmloc工艺过程中，有机fmloc工艺段的有机层与显示面板1中的有机层可能出现剥离peeling问题。因此，为了避免这种peeling，会将第一有机层29、第二有机层31和第二有机层31去除。并且，由于针脚连接区200位于触控区域外，触控面板中的第一触控层30和第二触控层32也会被去除。
69.也就是说，在针脚连接区200中，有机fmloc的工艺流程为：第一有机层29通过曝光、显影去除，第一触控层30干刻去除，第二有机层31通过曝光、显影去除，第二触控层32干刻去除，第三有机层33通过曝光、显影去除。
70.图6为相关技术中显示装置在针脚连接区的截面图一，如图6所示，在相关技术中，针脚连接区200的连接走线在第二金属层22中制作，连接走线外侧有第二平坦层14覆盖。但是，有机fmloc工艺过程中，还会对第二平坦层14进行过刻，多次过刻导致第二平坦层14只在连接走线缝隙里有部分剩余，在缝隙中容易有第二触控层32的残留导致连接走线的短接short。且连接走线表面无保护，可靠性较差。
71.图7为相关技术中显示装置在针脚连接区的截面图一，如图7所示，即使增加第二平坦层14的厚度，以保证在多次过刻后第二平坦层14在连接走线外侧仍能维持理想情况膜层厚度，此种情况下，连接走线外侧只有第二平坦层14，高温高湿下信赖性也容易失效。
72.鉴于此，在本技术实施例提供的显示装置中，位于针脚连接区200的连接走线在第一金属层24中制作。
73.图8为本技术实施例中显示装置在针脚连接区的截面图，如图8所示，在针脚连接区，连接走线所在的第一金属层24外侧覆盖有钝化层23和第二平坦层14。因此在有机fmloc工艺段，即使对第二平坦层14多次过刻，由于钝化层23的存在，即使在连接走线的缝隙中有金属残留，也不会导致连接走线的短接short。而且，钝化层23采用氧化硅sio2、氮化硅sinx和氮氧化硅sion中的至少一种制作，具有良好的水氧阻隔性，能够保证连接走线在高温高湿环境下的信赖性。
74.上述实施例以在第一金属层24中制作连接走线为例进行描述，但是申请并不局限
于此，连接走线的外侧有无机绝缘层覆盖就可以改善相关技术中存在的上述缺陷。覆盖连接走线的无机绝缘层可以为钝化层，也可以为显示区中的其它无机绝缘层延伸至针脚走线区的部分；还可以为单独设置的无机绝缘层。
75.例如，连接走线在栅极层26中制作，外侧具有第一栅极绝缘层25、第二栅绝缘层11、层间绝缘层12、钝化层23、第一无机封装层16、第二无机封装层18中至少一层无机绝缘层覆盖。
76.另外，上述实施例中第一针脚区100为与控制芯片绑定的绑定区域，第二针脚区300为与柔性电路板绑定的绑定区域。但是本技术实施例并不局限于，例如，第一针脚区可以为用于绑定区域，第二针脚区为具有测试针脚的测试区。
77.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
78.在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
79.此外，上文所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
80.至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本技术的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本技术的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本技术的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本技术的保护范围之内。