一种对Flash器件失效定位的方法与流程

一种对flash器件失效定位的方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种对flash器件失效定位的方法。


背景技术：

2.efa失效定位需要将bit map(bit分布图)上的失效bit进行收敛以便进行pfa(predictive failure analysis)。通常的收敛失效bit的方法有外灌电压和边缘读取(margin read)两种。
3.但具体的失效分析过程中，我们发现经过上述两种方法进行收敛会存在一些局限性，比如bit无法收敛到比较小的范围，或者收敛到最后的失效bit，pfa做出来却未发现异常。


技术实现要素：

4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种对flash器件失效定位的方法，用于解决现有技术中efa失效定位过程中无法收敛到较小范围或收敛后未发现异常的问题。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种对flash器件失效定位的方法，至少包括：
6.步骤一、提供多个存储单元；
7.步骤二、对所述多个存储单元分别在同一状态下进行电流量测，得到所有存储单元的电流值；
8.步骤三、按所述多个存储单元所在的位置与各存储单元对应的电流值绘制为电流随存储单元位置分布的趋势图；
9.步骤四、根据所述趋势图找出失效的存储单元。
10.优选地，步骤一中的所述多个存储单元位于同一晶圆上的同一行。
11.优选地，步骤一中的所述多个存储单元为所述同一行的所有存储单元。
12.优选地，步骤二中的所述同一状态为擦除状态。
13.优选地，步骤二中的所述同一状态为存储状态。
14.优选地，步骤四中的所述失效的存储单元包括字线与栅极接触孔桥接异常的存储单元。
15.优选地，步骤四中所述失效的存储单元其电流值在所述多个存储单元中为最小值。
16.优选地，步骤四中所述失效的存储单元其电流值在所述多个存储单元中为最大值。
17.如上所述，本发明的对flash器件失效定位的方法，具有以下有益效果：本发明的方法根据bit cell电流分布趋势来对flash进行失效定位，制成图表，找到趋势上电流表现最差的bit，有利于对后续的失效分析预测做出判断。
附图说明
18.图1显示为本发明中对flash器件失效定位的方法流程图；
19.图2显示为本发明中擦除状态下多个cell的电流值的分布图；
20.图3显示为本发明中存储状态下多个cell的电流值的分布图。
具体实施方式
21.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
22.请参阅图1至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
23.实施例一
24.本发明提供一种对flash器件失效定位的方法，如图1所示，图1显示为本发明中对flash器件失效定位的方法流程图，该方法至少包括如下步骤：
25.步骤一、提供多个存储单元(flash单元)；
26.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述多个存储单元位于同一晶圆上的同一行。
27.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述多个存储单元为所述同一行的所有存储单元。
28.步骤二、对所述多个存储单元分别在同一状态下进行电流量测，得到所有存储单元的电流值；
29.本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述同一状态为擦除状态。
30.步骤二中的所述同一状态为存储状态。
31.步骤三、按所述多个存储单元所在的位置与各存储单元对应的电流值绘制为电流随存储单元位置分布的趋势图；如图2所示，图2显示为本发明中擦除状态下多个cell的电流值的分布图。
32.步骤四、根据所述趋势图找出失效的存储单元。
33.本发明进一步地，本实施例的步骤四中的所述失效的存储单元包括字线与栅极接触孔桥接异常的存储单元。也就是说，本实施例中所述失效的存储单元为字线(wl)与栅极接触孔(cg)出现连接异常。
34.本发明进一步地，本实施例的步骤四中所述失效的存储单元其电流值在所述多个存储单元中为最小值。如图2所示，，其中电流值最小的存储单元01为失效的存储单元，在擦除状态下，字线(wl)与栅极接触孔(cg)出现连接异常，使得所述存储单元的电流值表现为较同一行的其他存储单元的电流值小。
35.本发明进一步地，本实施例的步骤四中所述失效的存储单元其电流值在所述多个存储单元中为最大值。因此可以根据所述趋势图找出失效的存储单元。
36.实施例二
37.本发明提供一种对flash器件失效定位的方法，如图1所示，图1显示为本发明中对flash器件失效定位的方法流程图，该方法至少包括如下步骤：
38.步骤一、提供多个存储单元(flash单元)；
39.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述多个存储单元位于同一晶圆上的同一行。
40.本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述多个存储单元为所述同一行的所有存储单元。
41.步骤二、对所述多个存储单元分别在同一状态下进行电流量测，得到所有存储单元的电流值；
42.本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述同一状态为存储状态。
43.步骤三、按所述多个存储单元所在的位置与各存储单元对应的电流值绘制为电流随存储单元位置分布的趋势图；如图3所示，图3显示为本发明中存储状态下多个cell的电流值的分布图。
44.步骤四、根据所述趋势图找出失效的存储单元。
45.本发明进一步地，本实施例的步骤四中的所述失效的存储单元包括字线与栅极接触孔桥接异常的存储单元。也就是说，本实施例中所述失效的存储单元为字线(wl)与栅极接触孔(cg)出现连接异常。
46.本发明进一步地，本实施例的步骤四中所述失效的存储单元其电流值在所述多个存储单元中为最大值。如图3所示，其中电流值最小的存储单元01为失效的存储单元，在存储状态下，字线(wl)与栅极接触孔(cg)出现连接异常，使得所述存储单元的电流值表现为较同一行的其他存储单元的电流值大。因此可以根据所述趋势图找出失效的存储单元。
47.综上所述，本发明的方法根据bit cell电流分布趋势来对flash进行失效定位，制成图表，找到趋势上电流表现最差的bit，有利于对后续的失效分析预测做出判断。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
48.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。