一种用于半导体制造流程的动态监控方法及系统与流程

1.本发明涉及动态监控技术领域，特别涉及一种用于半导体制造流程的动态监控方法及系统。


背景技术：

2.随着半导体的在各行业的广泛应用，对半导体的品质要求也越来越高，现有半导体的制作一般都是通过半导体的制造半导体来制造完成的，但是，半导体制造半导体在制造的过程中，一般只是按照设定好的程序代码进行半导体的制造，只有最后制造出来，才可以知道半导体的是否制造完好，这无疑会导致产品质量下降以及生产效率的降低；或者，在产品制造到一半的时候，手动控制半导体停止，人为对半成品进行检查，使得检查工作量提高。
3.因此，本发明提出一种用于半导体制造流程的动态监控方法及系统。


技术实现要素：

4.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，用以通过异常分析，确定异常线程段，并设置监控集合，保证监控的及时性以及针对性，进而实现有效动态监控，提高产品质量且提高制造效率。
5.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，包括：步骤1：确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取所述待制造半导体的制造流程，并获取所述制造流程中的制造指标；步骤2：按照制造指标对所述待制造半导体相关的历史制造数据进行类型分析，得到每个制造指标的历史数据集，并基于数据分析模型，确定是否存在可定义的异常指标，若存在，确定对应异常指标存在的制造异常事件；步骤3：确定对应异常指标在所述制造流程中的贯穿流程线，并基于所述制造异常事件确定所述贯穿流程线中的异常线程段，并构建所述异常线程段的异常监控集合；步骤4：基于所述制造流程数据库，获取对所述制造流程的正常监控集合；步骤5：将所述异常监控集合以及正常监控集合，构建成所述待制造半导体的动态监控集合，并按照所述动态监控集合，实现对所述待制造半导体在制造过程中的动态监控。
6.在一种可能实现的方式中，确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取所述待制造半导体的制造流程，并获取所述制造流程中的制造指标，包括：获取目标用户输入的制造指令，并基于指令半导体数据库，匹配待制造半导体；获取所述待制造半导体的唯一标识，并从所述制造流程数据库中，获取与所述唯一标识匹配的制造流程；从所述制造流程中，提取制造指标。
7.在一种可能实现的方式中，按照制造指标对所述待制造半导体相关的历史制造数据进行类型分析，得到每个制造指标的历史数据集，包括：
获取每个制造指标的指标参数，并将所述指标参数作为指定对象；遍历所述历史制造数据，获取每个制造指标中每个指定对象的历史数据，构建得到每个制造指标的历史数据集。
8.在一种可能实现的方式中，确定对应异常指标存在的制造异常事件，包括：基于对应异常指标的历史数据集，构建同个参数在不同批次制造过程中的同参向量，进而构建对应异常指标的参数矩阵f；其中，a
11
表示异常指标中第1个参数在第1批次制造过程中的同参向量；a
1n1
表示异常指标中第1个参数在第n1批次制造过程中的同参向量；a
n21
表示异常指标中第n2个参数在第1批次制造过程中的同参向量；a
n2n1
表示异常指标中第n2个参数在第n1批次制造过程中的同参向量；n1表示对应异常指标的总参数；n2表示总批次；基于所述参数矩阵f分别与标准矩阵b进行相减处理，得到差异矩阵c；将所述差异矩阵c中的列元素分别输入到元素异常分析模型中，得到同批次中不同参数出现的第一异常信息，并设置第一异常标签；将所述差异矩阵c中的行元素分别输入到元素异常分析模型中，得到同参数在不同批次出现的第二异常信息，并设置第二异常标签；获取所述第一异常信息的第一序列，确定异常分散分布，同时，获取所述第二异常信息的第二序列，确定异常集中分布；基于标签设置结果以及分布结果，确定满足的异常事件条件，进而得到对应制造指标的制造异常事件。
9.在一种可能实现的方式中，确定对应异常指标在所述制造流程中的贯穿流程线，包括：基于所述异常指标，在每个制造流程对应的标准指标集中进行遍历，筛选得到指标一致的第一子流程；基于预设流程规则，确定所述异常指标的流程影响分布，得到第二子流程；对所述第一子流程以及第二子流程中的重叠子流程进行第一标注，对第一子流程的剩余单独子流程进行第二标注，对第二子流程的剩余单独子流程进行第三标注；基于标注结果，得到贯穿流程线。
10.在一种可能实现的方式中，基于所述制造异常事件确定所述贯穿流程线中的异常线程段，并构建所述异常线程段的异常监控集合，包括：获取所述异常制造事件基于贯穿流程线的异常行为过程，并确定所述异常行为过程的初始点和终止点；确定所述异常行为过程中包含的第一子项目；确定所述第一子项目中的完整子项目和非完整子项目，同时，根据所述完整子项目基于整个制造流程的制造重要性以及非完整子项目基于整个制造流程的制造重要性，得到必须监控项目和可监控项目；
其中，yi表示第i个完整子项目的制造重要性；zj表示第j个非完整子项目的制造重要性；si表示第i个完整子项目的完整项目信息；y表示制造流程的流程信息；ti表示第i个完整子项目的完整制造时间；t
zong
表示制造流程的流程制造时间；表示第i个完整子项目的信息-时间调整系数；zj表示第j个非完整子项目的当下含有的项目信息；tj表示第j个非完整子项目的当下含有的制造时间；tj表示第j个非完整子项目的完整制造时间；表示第j个非完整子项目的信息-时间调整系数；当制造重要性yi大于第一预设值时，将对应完整子项目视为必须监控项目；当制造重要性zj大于第二预设值时，将对应非完整子项目视为必须监控项目；否则，将剩余完整子项目以及剩余非完整子项目视为可监控项目；确定所述必须监控项目基于所述异常行为过程的第一主要异常序列，并确定所述第一主要异常序列对应的最大时间段，并将所述最大时间段设置为第一线程段，同时，确定所述可监控项目基于所述异常行为过程的第二主要异常序列，并确定所述第二主要异常序列的中间时间点，并视为可监控点；构建基于所述初始点以及终止点对应的异常线程段，并将所述第一线程段以及可监控点标定在所述异常线程段上，增设二次监控事件；基于所有二次监控事件对应的二次监控段以及第二监控点，得到异常监控集合。
11.在一种可能实现的方式中，基于所述制造流程数据库，获取对所述制造流程的正常监控集合，包括：基于所述制造流程数据库，匹配处于正常运行状态下的制造流程中每个子项目的监控点以及监控段；根据所有监控点以及监控段，构建得到正常监控集合。
12.在一种可能实现的方式中，按照所述动态监控集合，实现对所述待制造半导体在制造过程中的动态监控，包括：构建所述待制造半导体的制作流程的流程线；将异常监控集合中的二次监控段以及二次监控点，配置在所述流程线上的第一位置上；将正常监控集合中的正常监控段以及正常监控点，配置在所述流程线上的第二位置上；若存在第一位置与第二位置重合，将重叠位置上配置的第二监控段、第二监控点保留，将重叠位置上配置的正常监控段、正常监控点删除，得到流程监控线；向所述流程监控线的第一监控段设置对应的段监控触发窗口，并按照第一监控段对应的待执行项目属性以及待监控重要属性，下发对应的第一监控任务；向所述流程监控线的第一监控点设置对应的点触发响应窗口，并按照所述第一监
控点的项目执行类型以及第一监控点的点属性，下发对应的第二监控任务；对所述第一监控任务以及第二监控任务中的监控数字以及监控标识的组合特征进行识别，确定对应的监控方式；当所述待制造半导体的制造进度到达对应的出口设置窗口的进入点时，调取对应的监控方式进行动态监控；其中，窗口包括触发进入口点以及触发出口点。
13.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控系统，包括：第一确定模块，用于确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取所述待制造半导体的制造流程，并获取所述制造流程中的制造指标；第二确定模块，用于按照制造指标对所述待制造半导体相关的历史制造数据进行类型分析，得到每个制造指标的历史数据集，并基于数据分析模型，确定是否存在可定义的异常指标，若存在，确定对应异常指标存在的制造异常事件；第三确定模块，用于确定对应异常指标在所述制造流程中的贯穿流程线，并基于所述制造异常事件确定所述贯穿流程线中的异常线程段，并构建所述异常线程段的异常监控集合；获取模块，用于基于所述制造流程数据库，获取对所述制造流程的正常监控集合；动态监控模块，用于将所述异常监控集合以及正常监控集合，构建所述待制造半导体的动态监控集合，并按照所述动态监控集合，实现对所述待制造半导体在制造过程中的动态监控。
14.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
15.下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
16.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：图1为本发明实施例中一种用于半导体制造流程的动态监控方法的流程图；图2为本发明实施例中一种用于半导体制造流程的动态监控系统的结构图；图3为本发明实施例中最大时间段的结构图。
具体实施方式
17.以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
18.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，如图1所示，包括：步骤1：确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取所述待制造半导体的制造流程，并获取所述制造流程中的制造指标；步骤2：按照制造指标对所述待制造半导体相关的历史制造数据进行类型分析，得到每个制造指标的历史数据集，并基于数据分析模型，确定是否存在可定义的异常指标，若
存在，确定对应异常指标存在的制造异常事件；步骤3：确定对应异常指标在所述制造流程中的贯穿流程线，并基于所述制造异常事件确定所述贯穿流程线中的异常线程段，并构建所述异常线程段的异常监控集合；步骤4：基于所述制造流程数据库，获取对所述制造流程的正常监控集合；步骤5：将所述异常监控集合以及正常监控集合，构建所述待制造半导体的动态监控集合，并按照所述动态监控集合，实现对所述待制造半导体在制造过程中的动态监控。
19.该实施例中，待制造半导体比如是需要制造的半导体，且需要制造的半导体是包括制造流程的，比如包括：沉积、光刻胶涂覆、曝光、计算光刻、烘烤与显影、刻蚀、计量和检验、离子注入、封装等制造流程在内。
20.由于不同半导体的制造流程的顺序或者步骤可能是不同，因此，来获取该待制造半导体的制造流程，且制造流程是包括很多作业（子流程或者项目）在内的，该制造指标都是可以预先设置好的流程直接获取到的，且流程以及指标都是已有的，且待制造半导体都是现有的半导体，都是为了对现有半导体的制造流程进行监控。
21.该实施例中，获取每个制造指标的历史数据集，比如是获取制造指标1，在历史一年的数据，通过对该数据进行分析，确定导致异常的原因，此时，可以视为异常事件，并确定该原因导致的流程时间段，即为异常线程段。
22.该实施例中，通过对历史数据集的分析，来确定该指标是否可以被定义为异常指标，如果可以的话，获取贯穿流程线。
23.该实施例中，比如：制造流程，按照执行顺序包括项目1、2、3和4，此时，异常指标为01，在项目1和2中出现，此时，就将项目1和2，视为一个贯穿流程线，如果是在项目1和3中出现，此时，将项目1和3视为一个贯穿流程线。
24.该实施例中，正常监控集合是按照制造流程的流程属性，已经预先为每个子流程设置好的监控点，就是为了对制造流程有效监控，保证半导体的有效制造，提高品质效果。
25.该实施例中，动态监控集合是包括异常监控以及正常监控在内的集合。
26.该实施例中，基于动态监控集合的监控时间点，来对制造过程进行监控，也就是每个监控点都与对应制造步骤是进行绑定的，也就是当到达该子流程时，才会进行监控，降低监控损耗，同时，提高对异常点的监控完整性。
27.比如，在项目a中的制造点b1处设置了监控点b2，比如，还有0.2秒由制造点b1开始制造，此时，触发监控点b2对制造点b1的制造过程进行监控，也就是保证及时监控。
28.该实施例中，数据分析模型，是多种流程对应的指标以及指标对应的不同历史数据、以及是否可以定义为异常指标的定义结果为样本，训练得到的。
29.上述技术方案的有益效果是：通过异常分析，确定异常线程段，并设置监控集合，保证监控的及时性以及针对性，进而实现有效动态监控，提高产半导体的品质且提高制造效率。
30.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取所述待制造半导体的制造流程，并获取所述制造流程中的制造指标，包括：获取目标用户输入的制造指令，并基于指令半导体数据库，匹配待制造半导体；获取所述待制造半导体的唯一标识，并从所述制造流程数据库中，获取与所述唯
一标识匹配的制造流程；从所述制造流程中，提取制造指标。
31.该实施例中，制造指令，比如是制造半导体1，此时，确定制造半导体1，半导体的唯一标识是预先设定好的，且指令半导体数据库是包括：指令、半导体信息在内的。
32.该实施例中，制造流程数据库中包括制造流程以及对应的若干项目的指标在内的，都是预先设置好的。
33.上述技术方案的有益效果是：通过基于指令，自动匹配半导体进而又自动匹配流程和指标，为后续进行指标正常与否的判断，提供有效基础。
34.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，确定对应异常指标存在的制造异常事件，包括：基于对应异常指标的历史数据集，构建同个参数在不同批次制造过程中的同参向量，进而构建对应异常指标的参数矩阵f；其中，a
11
表示异常指标中第1个参数在第1批次制造过程中的同参向量；a
1n1
表示异常指标中第1个参数在第n1批次制造过程中的同参向量；a
n21
表示异常指标中第n2个参数在第1批次制造过程中的同参向量；a
n2n1
表示异常指标中第n2个参数在第n1批次制造过程中的同参向量；n1表示对应异常指标的总参数；n2表示总批次；基于所述参数矩阵f分别与标准矩阵b进行相减处理，得到差异矩阵c；将所述差异矩阵c中的列元素分别输入到元素异常分析模型中，得到同批次中不同参数出现的第一异常信息，并设置第一异常标签；将所述差异矩阵c中的行元素分别输入到元素异常分析模型中，得到同参数在不同批次出现的第二异常信息，并设置第二异常标签；获取所述第一异常信息的第一序列，确定异常分散分布，同时，获取所述第二异常信息的第二序列，确定异常集中分布；基于标签设置结果以及分布结果，确定满足的异常事件条件，进而得到对应制造指标的制造异常事件。
35.该实施例中，历史数据集可以是不同批次制造过程中的同参数据，比如，在定义为指标为异常指标后，从历史制造数据中，获取该异常指标的所有数据，比如，历史制造数据中，包括第一批次与该指标相关的数据a1、第二批次与该指标相关的数据a2、第三批次与该指标相关的数据a3等，此时，a1、a2、a3等即可视为该异常指标的历史数据集，进而根据这些参数来构建不同批次的同参向量。
36.该实施例中，标准矩阵b指标的每个批次的制造流程不存在异常的情况下所得到的，进而与参数矩阵f进行比较，可以获取差异矩阵。
37.该实施例中，元素异常分析模型是以差异参数作为元素以及不同差异参数组合对应的异常信息为样本进行训练得到的。
38.该实施例中，第一异常信息针对的同批次中的出现的异常，第二异常信息是针对的同参数中出现的异常，两者的针对不同，进而便于通过两种方式的结合，得到更为精准的
异常事件。
39.该实施例中，第一异常标签和第二异常标签的设置，是为了更好地辨别。
40.该实施例中，第一序列是针对同批次的，因此，获取分散分布，可以更大范围的得到异常因素，且第二序列是针对同参数的，便于获取针对性异常因素，两者集合，就是为了获取更为全面的因素。
41.该实施例中，比如获取的有因素1、因素2、标签1和标签2，此时，获取因素1、因素2、标签1和标签2满足的条件，该条件是基于条件数据库（包含各种标签设置结果以及分布结果对应的条件以及异常事件）获取到的。
42.该实施例中，比如，异常事件，是由于半导体中的金属材料缺失，导致影响半导体的制作等。
43.上述技术方案的有益效果是：通过获取历史数据集合，构建参数矩阵，进而与标准的进行比较，得到差异矩阵，通过对差异矩阵的行、列分别分析，得到不同的异常信息，进而根据异常分布，来确定异常事件，提高后续确定监控集合的合理性，间接保证半导体制造的可靠性。
44.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，确定对应异常指标在所述制造流程中的贯穿流程线，包括：基于所述异常指标，在每个制造流程对应的标准指标集中进行遍历，筛选得到指标一致的第一子流程；基于预设流程规则，确定所述异常指标的流程影响分布，得到第二子流程；对所述第一子流程以及第二子流程中的重叠子流程进行第一标注，对第一子流程的剩余单独子流程进行第二标注，对第二子流程的剩余单独子流程进行第三标注；基于标注结果，得到贯穿流程线。
45.该实施例中，比如：第一子流程包括：1、2、4；第二子流程包括：1、3、5；重叠子流程为：1，第二标注的子流程为2、4，第三标注的子流程为3和5。
46.预设流程规则是预先设置好的，就是为了确定不同的指标可能对除包含该指标本身在内的子流程之外的其他的子流程存在的影响。
47.上述技术方案的有益效果是：通过进行两种方式的流程的获取，来确定重叠流程与单独流程，进而得到不同标注结果的流程线，保证后续对异常的合理分析。
48.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，基于所述制造异常事件确定所述贯穿流程线中的异常线程段，并构建所述异常线程段的异常监控集合，包括：获取所述异常制造事件基于贯穿流程线的异常行为过程，并确定所述异常行为过程的初始点和终止点；确定所述异常行为过程中包含的第一子项目；确定所述第一子项目中的完整子项目和非完整子项目，同时，根据所述完整子项目基于整个制造流程的制造重要性以及非完整子项目基于整个制造流程的制造重要性，得到必须监控项目和可监控项目；
其中，yi表示第i个完整子项目的制造重要性；zj表示第j个非完整子项目的制造重要性；si表示第i个完整子项目的完整项目信息；y表示制造流程的流程信息；ti表示第i个完整子项目的完整制造时间；t
zong
表示制造流程的流程制造时间；表示第i个完整子项目的信息-时间调整系数；zj表示第j个非完整子项目的当下含有的项目信息；tj表示第j个非完整子项目的当下含有的制造时间；tj表示第j个非完整子项目的完整制造时间；表示第j个非完整子项目的信息-时间调整系数；当制造重要性yi大于第一预设值时，将对应完整子项目视为必须监控项目；当制造重要性zj大于第二预设值时，将对应非完整子项目视为必须监控项目；否则，将剩余完整子项目以及剩余非完整子项目视为可监控项目；确定所述必须监控项目基于所述异常行为过程的第一主要异常序列，并确定所述第一主要异常序列对应的最大时间段，并将所述最大时间段设置为第一线程段，同时，确定所述可监控项目基于所述异常行为过程的第二主要异常序列，并确定每个第二主要异常序列的中间时间点，并视为可监控点；构建基于所述初始点以及终止点对应的异常线程段，并将所述第一线程段以及可监控点标定在所述异常线程段上，增设二次监控事件；基于所有二次监控事件对应的二次监控段以及第二监控点，得到异常监控集合。
49.该实施例中，比如贯穿流程线中包括子流程1和子流程2，且子流程1中的子项目1、2和子流程2中的子项目13、12构成异常行为过程，因此，可以确定该过程的初始点和终止点。且第一子项目可以是包括：子项目1、2、子项目13、12在内的，且该顺序也可以是异常行为过程的执行顺序；且每个子项目在执行的过程中，存在非完整子项目可能是子项目1和子项目12，也就是对该过程中出现问题的第一个时间点和最后一个时间点进行确定，如果第一个时间点对应的子项目1是已经开始执行很久的，这是为非完整子项目，且对子项目12的完整判断与上述类似。
50.该实施例中，假设子项目1、2、子项目13、12的执行时间是一样长的，但是子项目1以及子项目12保留在异常行为过程中的时间只有一半，此时，就视子项目1以及子项目12为非完整子项目。
51.该实施例中，第一预设值以及第二预设值都是预先设置好的。
52.该实施例中，必须监控项目比如为子项目1，此时，确定子项目1的异常序列，并从该异常序列中确定主要异常序列d1、d2、d3，来确定时间段，如图3所示，d1、d2、d3在子项目1对应的序列p上位置，且，主要异常序列d1、d2、d3分别有对应的时间段，p1、p2、p3，此时，得到的p0即为最大时间段。
53.该实施例中，可监控子项目2，比如第二主要序列为u1，获取该序列对应时间段的
中间时间点。
54.该实施例中，比如：最后得到的异常线程段为r1~r2，该线程段上存在第一线程段r11~r12，可监控点r13、r14，确当一个异常制造事件对应的监控事件。
55.该实施例中，所有的异常制造事件都有其对应的一个监控事件，进而得到监控集合。
56.上述技术方案的有益效果是：通过对异常行为过程包含的子项目进行分析，来确定对不同性质的子项目的监控时间的设置，进而得到不同异常事件的监控事件，保证监控集合的有效性以及可靠性，间接保证生产效率。
57.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，基于所述制造流程数据库，获取对所述制造流程的正常监控集合，包括：基于所述制造流程数据库，匹配处于正常运行状态下的制造流程中每个子项目的监控点以及监控段；根据所有监控点以及监控段，构建得到正常监控集合。
58.上述技术方案的有益效果是：通过确定正常监控集合，便于为后续监控集合提供基础。
59.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控方法，按照所述动态监控集合，实现对所述待制造半导体在制造过程中的动态监控，包括：构建所述待制造半导体的制作流程的流程线；将异常监控集合中的二次监控段以及二次监控点，配置在所述流程线上的第一位置上；将正常监控集合中的正常监控段以及正常监控点，配置在所述流程线上的第二位置上；若存在第一位置与第二位置重合，将重叠位置上配置的第二监控段、第二监控点保留，将重叠位置上配置的正常监控段、正常监控点删除，得到流程监控线；向所述流程监控线的第一监控段设置对应的段监控触发窗口，并按照第一监控段对应的待执行项目属性以及待监控重要属性，下发对应的第一监控任务；向所述流程监控线的第一监控点设置对应的点触发响应窗口，并按照所述第一监控点的项目执行类型以及第一监控点的点属性，下发对应的第二监控任务；对所述第一监控任务以及第二监控任务中的监控数字以及监控标识的组合特征进行识别，确定对应的监控方式；当所述待制造半导体的制造进度到达对应的出口设置窗口的进入点时，调取对应的监控方式进行动态监控；其中，窗口包括触发进入口点以及触发出口点。
60.该实施例中，制作流程指的所有子流程构成，且获取所有子流程的流程线，且每个子流程都是一一执行的，不存在并行执行。
61.该实施例中，第一监控段中可能既有二次监控段，又有正常监控段，且第一监控点可能既有二次监控点，又有正常监控点。
62.该实施例中，设置窗口就是为了对监控段或者监控点，设置一个触发条件，便于执行到该点或该段时，能够及时监控。
63.且每个第一监控段与每个第一监控点都与其对应的执行操作行为一一匹配。
64.该实施例中，待执行项目属性指的是监控段中涉及到的子流程中的子项目的项目属性，比如注入晶体等，以及待监控重要属性是与该监控段的流程执行重要性以及异常频率有关。
65.项目执行类型比如：注入晶体、设置金属材料、设置引脚等类型，且点属性指的是对应子项目的项目属性。
66.该实施例中，第一监控任务和第二监控任务指的是不同的监控方式，且通过组合特征识别得到。
67.上述技术方案的有益效果是：通过确定流程监控线，保证监控地方的不重叠以及监控布局的完整，通过下发不同的监控任务，便于可以按照不同的方式进行监控，提高监控效率，保证有效监控，高效制造。
68.本发明提供一种用于半导体制造流程的动态监控系统，如图2所示，包括：第一确定模块，用于确定待制造半导体，并从制造流程数据库中调取所述待制造半导体的制造流程，并获取所述制造流程中的制造指标；第二确定模块，用于按照制造指标对所述待制造半导体相关的历史制造数据进行类型分析，得到每个制造指标的历史数据集，并基于数据分析模型，确定是否存在可定义的异常指标，若存在，确定对应异常指标存在的制造异常事件；第三确定模块，用于确定对应异常指标在所述制造流程中的贯穿流程线，并基于所述制造异常事件确定所述贯穿流程线中的异常线程段，并构建所述异常线程段的异常监控集合；获取模块，用于基于所述制造流程数据库，获取对所述制造流程的正常监控集合；动态监控模块，用于将所述异常监控集合以及正常监控集合，构建所述待制造半导体的动态监控集合，并按照所述动态监控集合，实现对所述待制造半导体在制造过程中的动态监控。
69.上述技术方案的有益效果是：通过异常分析，确定异常线程段，并设置监控集合，保证监控的及时性以及针对性，进而实现有效动态监控，提高半导体制造合格性且提高制造效率。
70.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。