半导体结构及半导体结构的形成方法与流程

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区内具有第一离子；

位于衬底上的第一栅介质层；

位于第一栅介质层上的第二栅介质层；

位于第二栅介质层上的栅极层。

2.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区内具有第一离子；

采用第一工艺在衬底上形成第一栅介质层；

采用第二工艺在第一栅介质层上形成第二栅介质层，所述第二工艺的反应温度大于第一工艺的反应温度；

在第二栅介质层上形成栅极层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的材料包括介电材料，所述介电材料包括低温氧化硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述低温氧化硅的形成工艺包括热氧化工艺；所述热氧化工艺的参数包括：气体为氧气，温度范围为700摄氏度～800摄氏度。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二栅介质层的材料包括介电材料，所述介电材料包括高温氧化硅。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述高温氧化硅的形成工艺包括热氧化工艺；所述热氧化工艺的参数包括：气体为氧气，温度范围为900摄氏度～1200摄氏度。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的厚度小于所述第二栅介质层的厚度。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的厚度范围包括：10埃～30埃。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二栅介质层的厚度范围包括：50埃～150埃。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子包括N型离子，所述N型离子包括磷离子或砷离子。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层的材料包括硅。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成栅极层之前，还包括：在第二栅介质层上形成第三栅介质层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三栅介质层的材料包括介电材料，所述介电材料的介电常数大于3.9；所述介电材料包括氧化铪或氧化铝。

技术总结
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区内具有第一离子；采用第一工艺在衬底上形成第一栅介质层；采用第二工艺在第一栅介质层上形成第二栅介质层，所述第二工艺的反应温度大于第一工艺的反应温度；在第二栅介质层上形成栅极层。所形成的半导体结构性能得到提升。

技术研发人员：段慧萍;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;
技术研发日：2020.10.29
技术公布日：2022.05.03